JP2002026194A - 電子部品のパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、電子部品のパッケージ構造に関
するものである。 【解決手段】 この発明は、アイランド1に半導体チッ
プ2を載設してなる電子素子を封止樹脂でモールドした
パッケージ4の上面周縁に、条溝sを形成したことを特
徴とした電子部品のパッケージ構造を提供せんとするも
のである。
するものである。 【解決手段】 この発明は、アイランド1に半導体チッ
プ2を載設してなる電子素子を封止樹脂でモールドした
パッケージ4の上面周縁に、条溝sを形成したことを特
徴とした電子部品のパッケージ構造を提供せんとするも
のである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品のパッ
ケージ構造に関するものである。
ケージ構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、BGA型半導体装置や一般の電子部
品は、アイランドにチップを載設してワイヤーボンデイ
ングなどをした後に、封止樹脂で全体をモールドしてパ
ッケージして構成されている。
品は、アイランドにチップを載設してワイヤーボンデイ
ングなどをした後に、封止樹脂で全体をモールドしてパ
ッケージして構成されている。
【0003】ところが、実装スペースを可及的に小さく
して応用製品の小型化が進む中、当然に電子部品も小型
化がすすみ特にパッケージの薄型化が望まれている。
して応用製品の小型化が進む中、当然に電子部品も小型
化がすすみ特にパッケージの薄型化が望まれている。
【0004】
【発明が解決しょうとする課題】ところが、電子部品の
パッケージが薄くなればなるほどに発熱などの要因によ
りパッケージが反ってモールド内のチップにクラックが
発生したり、パッケージが割れたりして不良品となり、
電子部品の性能や機能を果たすことができない欠点があ
った。
パッケージが薄くなればなるほどに発熱などの要因によ
りパッケージが反ってモールド内のチップにクラックが
発生したり、パッケージが割れたりして不良品となり、
電子部品の性能や機能を果たすことができない欠点があ
った。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、アイランド
に半導体チップを載設してなる電子素子を封止樹脂でモ
ールドしたパッケージの上面周縁に、条溝を形成したこ
とを特徴とした電子部品のパッケージ構造を提供せんと
するものである。
に半導体チップを載設してなる電子素子を封止樹脂でモ
ールドしたパッケージの上面周縁に、条溝を形成したこ
とを特徴とした電子部品のパッケージ構造を提供せんと
するものである。
【0006】また、パッケージの周縁に突堤を形成した
ことにも特徴を有する。
ことにも特徴を有する。
【0007】
【発明の実施の形態】この発明では、アイランドに半導
体チップを載設したBGA型半導体装置において、電子素
子を封止樹脂でモールドしてパッケージとしたその上面
周縁に一定深さで内底面を湾曲状のアールとした条溝を
形成しており、また必要に応じてその条溝の外周のパッ
ケージ周縁部に突堤を形成している。
体チップを載設したBGA型半導体装置において、電子素
子を封止樹脂でモールドしてパッケージとしたその上面
周縁に一定深さで内底面を湾曲状のアールとした条溝を
形成しており、また必要に応じてその条溝の外周のパッ
ケージ周縁部に突堤を形成している。
【0008】従って、電子部品が小型化、薄型化しても
発熱による収縮によってパッケージの封止樹脂が反らん
としても、パッケージの周縁部分の条溝により反り返り
の反力を吸収して封止樹脂に無理な応力が及ばずパッケ
ージにクラックが発生するのを防止し、またパッケージ
内のチップが損傷するのを防止出来るものである。
発熱による収縮によってパッケージの封止樹脂が反らん
としても、パッケージの周縁部分の条溝により反り返り
の反力を吸収して封止樹脂に無理な応力が及ばずパッケ
ージにクラックが発生するのを防止し、またパッケージ
内のチップが損傷するのを防止出来るものである。
【0009】
【実施例】この発明の実施例を図面にもとづき詳説すれ
ば、図1は本発明の電子部品たるBGA型半導体装置Aの
断面説明図を示している。
ば、図1は本発明の電子部品たるBGA型半導体装置Aの
断面説明図を示している。
【0010】すなわち、BGA型半導体装置Aは、フレー
ム11の上面に半導体チップ2を載設しフレーム11の下面
に半田ボール3を接合し、半導体チップ2と半田ボール
3との間を金線6でワイヤーボンデングして電子部品を
構成し、この電子部品を封止樹脂でモールドしてパッケ
ージ4を形成している。
ム11の上面に半導体チップ2を載設しフレーム11の下面
に半田ボール3を接合し、半導体チップ2と半田ボール
3との間を金線6でワイヤーボンデングして電子部品を
構成し、この電子部品を封止樹脂でモールドしてパッケ
ージ4を形成している。
【0011】また、図2は、本発明の電子部品たる他の
実施例の通常の半導体装置Bの断面説明図を示してい
る。
実施例の通常の半導体装置Bの断面説明図を示してい
る。
【0012】すなわち、通常の半導体装置Bは、アイラ
ンド1の上面に半導体チップ2を載設し、半導体チップ
2と、アイランド1の周辺のインナーフレーム5とを金
線6でワイヤーボンデイングして電子素子を形成しこの
電子素子を封止樹脂でモールドしてパッケージ4を形成
している。
ンド1の上面に半導体チップ2を載設し、半導体チップ
2と、アイランド1の周辺のインナーフレーム5とを金
線6でワイヤーボンデイングして電子素子を形成しこの
電子素子を封止樹脂でモールドしてパッケージ4を形成
している。
【0013】本発明の特徴となるのは、かかる半導体装
置A,Bのパッケージ4の上面周縁に条溝sを形成した
ことにある。
置A,Bのパッケージ4の上面周縁に条溝sを形成した
ことにある。
【0014】すなわち、方形状のパッケージ4の外周縁
に沿って方形状を形成するように位置した条溝はs、図
4に示すように断面形状が上方から下方に向かって漸次
幅が薄くなるテーパ形状にすると共に、該溝の下底面先
端7は湾曲状とし、しかも、方形状の条溝sの外側のパ
ッケージ上面は条溝sの内側のパッケージ上面より低く
形成している。
に沿って方形状を形成するように位置した条溝はs、図
4に示すように断面形状が上方から下方に向かって漸次
幅が薄くなるテーパ形状にすると共に、該溝の下底面先
端7は湾曲状とし、しかも、方形状の条溝sの外側のパ
ッケージ上面は条溝sの内側のパッケージ上面より低く
形成している。
【0015】すなわち、条溝sの開口幅員aは、条溝s
の外周縁からの条溝深さbと略同一にしており、条溝s
の開口内周縁からの深さb’はパッケージの高さcの略
2分の1としている。
の外周縁からの条溝深さbと略同一にしており、条溝s
の開口内周縁からの深さb’はパッケージの高さcの略
2分の1としている。
【0016】しかも、条溝sのパッケージ4上面外周端
縁からの距離dは条溝sの開口幅員aの約2倍としてい
る。
縁からの距離dは条溝sの開口幅員aの約2倍としてい
る。
【0017】従って、電子部品のパッケージ4が発熱な
どの要因により下方湾曲状に変形せんとしても、条溝s
が下方湾曲にともなうパッケージ4上層部の収縮応力、
特に下方向に湾曲しやすいパッケージ4の周縁部の収縮
応力を吸収し、しかも条溝sの下底面の湾曲状のアール
形状によって、パッケージ4に不用な力をかけることな
くパッケージ4の封止樹脂にクラックが形成されるのを
防止し、またパッケージ4の無理な変形によるチップの
損傷を防止するものである。
どの要因により下方湾曲状に変形せんとしても、条溝s
が下方湾曲にともなうパッケージ4上層部の収縮応力、
特に下方向に湾曲しやすいパッケージ4の周縁部の収縮
応力を吸収し、しかも条溝sの下底面の湾曲状のアール
形状によって、パッケージ4に不用な力をかけることな
くパッケージ4の封止樹脂にクラックが形成されるのを
防止し、またパッケージ4の無理な変形によるチップの
損傷を防止するものである。
【0018】また上記の条溝sの他の実施例としては、
図5に示すように、パッケージ4の外周縁に突堤Tを形
成し、突堤Tに囲まれたパッケージ中央上面との間に段
差を形成し、パッケージ中央上面の一段低くなった部分
を条溝sの一変形とするものである。
図5に示すように、パッケージ4の外周縁に突堤Tを形
成し、突堤Tに囲まれたパッケージ中央上面との間に段
差を形成し、パッケージ中央上面の一段低くなった部分
を条溝sの一変形とするものである。
【0019】この実施例では、熱などによりパッケージ
4の周縁が反って変形せんとしても、突堤Tの肉厚部分
によって、変形にともなう応力を肉厚部分の突堤Tで受
止めて充分な強度を保持できるようにすることによりパ
ッケージ4の反りを防止するものである。
4の周縁が反って変形せんとしても、突堤Tの肉厚部分
によって、変形にともなう応力を肉厚部分の突堤Tで受
止めて充分な強度を保持できるようにすることによりパ
ッケージ4の反りを防止するものである。
【0020】また、他の実施例では、パッケージ4上面
の周縁部分を残してその内側の中央部4’を薄肉状とし
結果的にパッケージ4の上面周縁部に突堤T’を形成す
るようにすると共に、突堤T’の内側面下端に条溝sを
形成しこの条溝sの深さをパッケージの突堤T部分の全
高の約2分の1としているものである。
の周縁部分を残してその内側の中央部4’を薄肉状とし
結果的にパッケージ4の上面周縁部に突堤T’を形成す
るようにすると共に、突堤T’の内側面下端に条溝sを
形成しこの条溝sの深さをパッケージの突堤T部分の全
高の約2分の1としているものである。
【0021】この実施例における条溝sは、図1,2、
4、などについて説明した条溝sと同じ機能を果たすこ
とができ、更には、条溝sの外周方向には突堤T’が形
成されているため、その分前述した突堤Tと同様にパッ
ケージ4上面周縁部の反りを防止し得るものであり、し
かも条溝sから内側方への反りに対しては、薄肉状の中
央部4’がパッケージ4全体の無理な応力を分散してパ
ッケージへのクラック発生などの危険を更に防止するこ
とができるものである。
4、などについて説明した条溝sと同じ機能を果たすこ
とができ、更には、条溝sの外周方向には突堤T’が形
成されているため、その分前述した突堤Tと同様にパッ
ケージ4上面周縁部の反りを防止し得るものであり、し
かも条溝sから内側方への反りに対しては、薄肉状の中
央部4’がパッケージ4全体の無理な応力を分散してパ
ッケージへのクラック発生などの危険を更に防止するこ
とができるものである。
【0022】なお、上記したBGA型半導体装置Aのパッ
ケージ4に形成した条溝sや突堤T,T'やパッケージ
4上面の薄肉形成の構造は、一般の半導体装置B、例え
ば図2に示すようにアイランド1上面に半導体チップ2
を載設してインナーフレーム5にボンデイングして電子
素子全体を封止樹脂でモールドしてパッケージを形成し
た半導体装置にも適用することができ、BGA型半導体装
置Aのパッケージ4表面と同様の反り防止用加工を行う
ことができる。
ケージ4に形成した条溝sや突堤T,T'やパッケージ
4上面の薄肉形成の構造は、一般の半導体装置B、例え
ば図2に示すようにアイランド1上面に半導体チップ2
を載設してインナーフレーム5にボンデイングして電子
素子全体を封止樹脂でモールドしてパッケージを形成し
た半導体装置にも適用することができ、BGA型半導体装
置Aのパッケージ4表面と同様の反り防止用加工を行う
ことができる。
【0023】なお、図2に示す一般の半導体装置Bにお
いては、条溝sを形成するに際しては半導体チップ2と
インナーフレーム5との間にボンデイングする金線6位
置との関係で金線6と干渉しない位置に条溝sを形成す
ることが必要であり、そのためにも図4において説明し
た条溝sの位置、深さ、開口幅員などが必要となる。
いては、条溝sを形成するに際しては半導体チップ2と
インナーフレーム5との間にボンデイングする金線6位
置との関係で金線6と干渉しない位置に条溝sを形成す
ることが必要であり、そのためにも図4において説明し
た条溝sの位置、深さ、開口幅員などが必要となる。
【0024】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、電子素子をモ
ールドして形成したパッケージの上面周縁に条溝を形成
したので、条溝の開口縁部が突条状に形成されることに
なり、実装スペースや実装製品小型化の要請でパケージ
が薄くなっても、条溝によりパケージの反り返りの反力
を受止めやすくパッケージへのクラックの発生を防止で
きる効果を有し、また製品の搬送中での衝撃に対しても
耐えうる効果がある。
ールドして形成したパッケージの上面周縁に条溝を形成
したので、条溝の開口縁部が突条状に形成されることに
なり、実装スペースや実装製品小型化の要請でパケージ
が薄くなっても、条溝によりパケージの反り返りの反力
を受止めやすくパッケージへのクラックの発生を防止で
きる効果を有し、また製品の搬送中での衝撃に対しても
耐えうる効果がある。
【0025】請求項2の発明によれば、パッケージの周
縁に突堤を形成したので突堤が薄いパッケージの反り返
りの反力を受止めることができ、パッケージの反りを防
止し、反りによるパッケージへのクラックの発生を防止
し搬送中での衝撃にも耐えうる効果がある。
縁に突堤を形成したので突堤が薄いパッケージの反り返
りの反力を受止めることができ、パッケージの反りを防
止し、反りによるパッケージへのクラックの発生を防止
し搬送中での衝撃にも耐えうる効果がある。
【図1】本発明の電子部品のうちBGA型半導体装置のパ
ッケージ構造の断面説明図。
ッケージ構造の断面説明図。
【図2】本発明の電子部品のうち通常型の半導体装置の
パッケージ構造の断面説明図。
パッケージ構造の断面説明図。
【図3】本発明電子部品のパッケージ構造の平面図。
【図4】本発明電子部品のパッケージ構造の条溝を示す
実施例の要部拡大断面説明図。
実施例の要部拡大断面説明図。
【図5】本発明電子部品のパッケージ構造の他の実施例
の断面説明図。
の断面説明図。
【図6】同じく他の実施例の断面説明図。
A BGA型半導体装置 s 条溝 T 突堤 a 開口幅員 b 条溝深さ c パッケージの高さ d 距離 1 アイランド 2 チップ 3 半田ボール 4 パッケージ 5 インナーフレーム 6 金線
Claims (2)
- 【請求項1】 アイランド(1)またはフレーム(1')に半
導体チップ(2)を載設してなる電子素子を封止樹脂でモ
ールドしたパッケージ(4)の上面周縁に、条溝(s)を形成
したことを特徴とした電子部品のパッケージ構造。 - 【請求項2】 パッケージ(4)の周縁に突堤(T)を形成し
たことを特徴とする請求項1に記載の電子部品のパッケ
ージ構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000209765A JP2002026194A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 電子部品のパッケージ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2000209765A JP2002026194A (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | 電子部品のパッケージ構造 |
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2000
- 2000-07-11 JP JP2000209765A patent/JP2002026194A/ja active Pending
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