JPH0198252A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
- Publication number
- JPH0198252A JPH0198252A JP25647087A JP25647087A JPH0198252A JP H0198252 A JPH0198252 A JP H0198252A JP 25647087 A JP25647087 A JP 25647087A JP 25647087 A JP25647087 A JP 25647087A JP H0198252 A JPH0198252 A JP H0198252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- holes
- package
- shaped
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ピングリッドアレイパッケージ(以下、PG
^パッケージという)と称される表面実装型の半導体パ
ッケージ、特にその外部引出し用リード端子の構造に関
するものである。
^パッケージという)と称される表面実装型の半導体パ
ッケージ、特にその外部引出し用リード端子の構造に関
するものである。
(従来の技術)
従来、この種の半導体パッケージとしては、特開昭61
−174752号公報、及び特開昭61−174754
9公報に記載されるものがあった。以下、その構成を図
を用いて説明する。
−174752号公報、及び特開昭61−174754
9公報に記載されるものがあった。以下、その構成を図
を用いて説明する。
第2図は、特開昭61−174754号公報に記載され
た従来の半導体パッケージの側面図である。
た従来の半導体パッケージの側面図である。
この半導体パッケージはPGAパッケージと称されるも
のであり、導電性の回路パターンが形成されたケース本
体1を有し、そのケース本体1内に設けられた凹部には
前記回路パターンと接続された半導体素子が収納され、
その半導体素子か蓋体2により凹部内に封止されている
。ケース本体1の底面には複数本のピン状のリード端子
3が植設され、そのリード端子3のケース本体1内に位
置する箇所か前記回路パターンを介して半導体素子に接
続され、ざらにそのリード端子3のケース本体1の下面
から突出する箇所にほぼ半円形状のコンタクト部が形成
されている。
のであり、導電性の回路パターンが形成されたケース本
体1を有し、そのケース本体1内に設けられた凹部には
前記回路パターンと接続された半導体素子が収納され、
その半導体素子か蓋体2により凹部内に封止されている
。ケース本体1の底面には複数本のピン状のリード端子
3が植設され、そのリード端子3のケース本体1内に位
置する箇所か前記回路パターンを介して半導体素子に接
続され、ざらにそのリード端子3のケース本体1の下面
から突出する箇所にほぼ半円形状のコンタクト部が形成
されている。
このリード端子3のコンタクト部は、そのピン状のリー
ド端子3をケース本体]の底面に植設した後、そのケー
ス本体1の下面から突出したリード端子3の突出箇所を
切断してその切断箇所に半田メッキを施して半田形の該
コンタクト部を形成するようにしている。
ド端子3をケース本体]の底面に植設した後、そのケー
ス本体1の下面から突出したリード端子3の突出箇所を
切断してその切断箇所に半田メッキを施して半田形の該
コンタクト部を形成するようにしている。
この種の半導体パッケージでは、リード端子3のコンタ
クト部が半円形状に形成されているため、そのコンタク
ト部をプリント基板上の電極に半田接続して実装でき、
それによってプリント基板の表面のみならず裏面にも実
装が可能となり、プリント基板の実装密度を向上させる
ことができる。
クト部が半円形状に形成されているため、そのコンタク
ト部をプリント基板上の電極に半田接続して実装でき、
それによってプリント基板の表面のみならず裏面にも実
装が可能となり、プリント基板の実装密度を向上させる
ことができる。
第3図は第2図に示す半導体パッケージをテストするた
めに用いるソケットの一例を示す側面図である。このソ
ケットはソケット本体4を有し、そのソケット本体4の
表面にはリード端子3のコンタクト部に対向する位置に
凹部5か設けられている。このようなソケットを用いて
例えば第2図の半導体パッケージのファイナルテストを
行う場合、凹部5にリード端子3のコンタクト部か接触
するように半導体パッケージをソケット本体4の表面に
載置し、蓋体2の上かられずかな圧力を加える。すると
半円形のコンタクト部が凹部5と良好に接続するため、
その状態で半導体パッケージのファイナルテストを行え
ば、ピン状のリード端子をソケットに挿入するという煩
雑な作業か不要となり、それによって測定時間が短縮さ
れると共に、自動化も容易になるという利点力場る。
めに用いるソケットの一例を示す側面図である。このソ
ケットはソケット本体4を有し、そのソケット本体4の
表面にはリード端子3のコンタクト部に対向する位置に
凹部5か設けられている。このようなソケットを用いて
例えば第2図の半導体パッケージのファイナルテストを
行う場合、凹部5にリード端子3のコンタクト部か接触
するように半導体パッケージをソケット本体4の表面に
載置し、蓋体2の上かられずかな圧力を加える。すると
半円形のコンタクト部が凹部5と良好に接続するため、
その状態で半導体パッケージのファイナルテストを行え
ば、ピン状のリード端子をソケットに挿入するという煩
雑な作業か不要となり、それによって測定時間が短縮さ
れると共に、自動化も容易になるという利点力場る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成の半導体パッケージでは、パッ
ケージ本体1の下面から突出させたリード端子部分を切
断し、その切断箇所に半田メッキを施して半円形のコン
タクト部を形成するようにしているため、切断箇所に高
さのばらつきか生じ、その後、半田メッキされて形成さ
れたコンタクト部の大きさや高さが不揃になるおそれが
めった。
ケージ本体1の下面から突出させたリード端子部分を切
断し、その切断箇所に半田メッキを施して半円形のコン
タクト部を形成するようにしているため、切断箇所に高
さのばらつきか生じ、その後、半田メッキされて形成さ
れたコンタクト部の大きさや高さが不揃になるおそれが
めった。
ざらに、切断箇所にメッキを施すことは、その作業工程
が複雑になるばかりか、メッキの膜厚を精度良く制御す
ることが困難でおるという問題点もめった。
が複雑になるばかりか、メッキの膜厚を精度良く制御す
ることが困難でおるという問題点もめった。
本発明は前記従来技術が持っていた問題点として、リー
ド端子の突出箇所に簡単、かつ精度良くコンタクト部を
形成することが困難であるという点について解決した半
導体パッケージを提供するものである。
ド端子の突出箇所に簡単、かつ精度良くコンタクト部を
形成することが困難であるという点について解決した半
導体パッケージを提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は前記問題点を解決するために、PGA型の半導
体パッケージにおいて、半導体素子に接続される導電性
の回路パターンとその回路パターンに接続されたスルー
ホールとを有するパッケージ本体と、メッキ処理された
鍔状のコンタクト部がピン状の端子本体の一端に形成さ
れたリード端子とを備え、前記リード端子の端子本体を
前記スルーホールに嵌入して前記コンタクト部を前記パ
ッケージ本体の下面に密着状態で突出させたものである
。
体パッケージにおいて、半導体素子に接続される導電性
の回路パターンとその回路パターンに接続されたスルー
ホールとを有するパッケージ本体と、メッキ処理された
鍔状のコンタクト部がピン状の端子本体の一端に形成さ
れたリード端子とを備え、前記リード端子の端子本体を
前記スルーホールに嵌入して前記コンタクト部を前記パ
ッケージ本体の下面に密着状態で突出させたものである
。
(作 用)
本発明によれば、以上のように半導体パッケージを構成
したので、リード端子の端子本体をスルーホールに嵌入
するだけで、簡単にリード嫡子を外部に引出すことが可
能となる。ざらにコンタクト部は、パッケージ本体下面
からのリード端子の突出長を一定で、かつ均一化する働
きをする。従って前記問題点を除去できるので必る。
したので、リード端子の端子本体をスルーホールに嵌入
するだけで、簡単にリード嫡子を外部に引出すことが可
能となる。ざらにコンタクト部は、パッケージ本体下面
からのリード端子の突出長を一定で、かつ均一化する働
きをする。従って前記問題点を除去できるので必る。
(実施例)
第1図は本発明の実施例を示すPGA型半導体パンケー
ジの断面図、第4図はその半導体パッケージに用いられ
るリード端子の斜視図である。
ジの断面図、第4図はその半導体パッケージに用いられ
るリード端子の斜視図である。
この半導体パッケージは、ガラスエポキシ樹脂板等を積
層して形成したパッケージ本体10を有し、その上面に
は半導体素子収納用の凹部10aか形成され、その凹部
10aが金属板、セラミック板、樹脂板等で作られた蓋
体11によって上方から気密封止される構造になってい
る。凹部10a周辺のパッケージ本体10内には銅箔等
からなる導電性の回路パターン12が形成されると共に
、その凹部10a周辺のパッケージ本体10には縦方向
に貫通するスルーホール13が形成されている。スルー
ホール13にはその壁面に銅箔等の導電膜13aが形成
され、その導電膜13aが回路パターン12と電気的に
接続されている。スルーホール13には、外部引出し用
のリート端子14が嵌入され、導電膜13aと接触して
いる。
層して形成したパッケージ本体10を有し、その上面に
は半導体素子収納用の凹部10aか形成され、その凹部
10aが金属板、セラミック板、樹脂板等で作られた蓋
体11によって上方から気密封止される構造になってい
る。凹部10a周辺のパッケージ本体10内には銅箔等
からなる導電性の回路パターン12が形成されると共に
、その凹部10a周辺のパッケージ本体10には縦方向
に貫通するスルーホール13が形成されている。スルー
ホール13にはその壁面に銅箔等の導電膜13aが形成
され、その導電膜13aが回路パターン12と電気的に
接続されている。スルーホール13には、外部引出し用
のリート端子14が嵌入され、導電膜13aと接触して
いる。
リード端子14は、第4図にも示されるように、鋼材等
の導電部材で作られたピン状の端子本体14aと、この
端子本体14aの下端部に一体的に形成され一定の高さ
を有する回頭状のコンタクト部14bとで構成され、そ
の端子本体14aがスルーホール13に嵌入されると共
に、そのコンタクト部14bがパッケージ本体10の下
面に密着状態で突出している。このコンタクト部14b
の外部露出箇所には、プリント基板への搭載時における
接続を容易にするために、予め半田、錫、インジウム等
のメッキ14cが施されている。
の導電部材で作られたピン状の端子本体14aと、この
端子本体14aの下端部に一体的に形成され一定の高さ
を有する回頭状のコンタクト部14bとで構成され、そ
の端子本体14aがスルーホール13に嵌入されると共
に、そのコンタクト部14bがパッケージ本体10の下
面に密着状態で突出している。このコンタクト部14b
の外部露出箇所には、プリント基板への搭載時における
接続を容易にするために、予め半田、錫、インジウム等
のメッキ14cが施されている。
以上のように構成される半導体パッケージには、その凹
部10aの底面に、樹脂ペーストや銀ペースト等の接着
材、必るいはAu−3i共晶法等によって半導体素子2
0が固着され、ざらにその半導体素子20の主表面に形
成された外部導出電極が、回路パターン12の内側先端
部12aとワイヤ21によって接続され、半導体装置が
構成される。
部10aの底面に、樹脂ペーストや銀ペースト等の接着
材、必るいはAu−3i共晶法等によって半導体素子2
0が固着され、ざらにその半導体素子20の主表面に形
成された外部導出電極が、回路パターン12の内側先端
部12aとワイヤ21によって接続され、半導体装置が
構成される。
次に、輌1図の製造方法例を説明する。
ガラスエポキシ樹脂板等の基板の表面に、半導体素子収
納用の凹部10aを穿設すると共に1.その周囲にスル
ーホール用の孔を複数個形成した後、その基板表面の所
定箇所に銅箔等の回路パターン12を選択的に形成する
と共に、前記孔の壁面にも導電膜14aを被着してスル
ーホール13を形成する。
納用の凹部10aを穿設すると共に1.その周囲にスル
ーホール用の孔を複数個形成した後、その基板表面の所
定箇所に銅箔等の回路パターン12を選択的に形成する
と共に、前記孔の壁面にも導電膜14aを被着してスル
ーホール13を形成する。
このような基板上に、半導体素子収納用の開口部及び複
数個の貫通孔を有する伯の基板を接着材等で接着すれば
、パッケージ本体10か得られる。また、鋼材等の導電
部材を用いてプレス等で、ピン状の端子本体14a及び
一定の高さを有する回頭状のコンタクト部14bを有す
るリード端子14を作る。
数個の貫通孔を有する伯の基板を接着材等で接着すれば
、パッケージ本体10か得られる。また、鋼材等の導電
部材を用いてプレス等で、ピン状の端子本体14a及び
一定の高さを有する回頭状のコンタクト部14bを有す
るリード端子14を作る。
ざらに、コンタクト部14の頭部表面には、所定の厚み
を有する半田、錫、インジウム等からなるメッキ14c
を施しておく。そして、このようにして作っておいたリ
ード端子14を、パッケージ本体10のスルーホール1
3内に下方向から打込んで、そのリード端子14の端子
本体14aをスルーホール13内に嵌入すると共に、そ
のコンタクト部141)をパッケージ本体10の下面に
密着させると、PGA型の半導体パッケージの製造が終
る。
を有する半田、錫、インジウム等からなるメッキ14c
を施しておく。そして、このようにして作っておいたリ
ード端子14を、パッケージ本体10のスルーホール1
3内に下方向から打込んで、そのリード端子14の端子
本体14aをスルーホール13内に嵌入すると共に、そ
のコンタクト部141)をパッケージ本体10の下面に
密着させると、PGA型の半導体パッケージの製造が終
る。
このような半導体パッケージでは、予めリード端子14
を形成しておき、それを複数のスルーホール13内にそ
れぞれ嵌入するだけでPGA型のパッケージが製造でき
るため、リード端子形成工程が簡単になり、それによっ
て低コスト化が図れる。ざらに、各スルーホール13に
嵌入された複数のリード端子14は、そのコンタクト部
14bのみがパッケージ本体10の下面から突出するこ
とになるが、そのコンタクト部14bの高さは予め精度
良く形成できるため、各リート端子14のパッケージ本
体下面からの突出長を均一にでき、それによってプリン
ト基板等への実装時の取付は精度を向上させることが可
能となる。
を形成しておき、それを複数のスルーホール13内にそ
れぞれ嵌入するだけでPGA型のパッケージが製造でき
るため、リード端子形成工程が簡単になり、それによっ
て低コスト化が図れる。ざらに、各スルーホール13に
嵌入された複数のリード端子14は、そのコンタクト部
14bのみがパッケージ本体10の下面から突出するこ
とになるが、そのコンタクト部14bの高さは予め精度
良く形成できるため、各リート端子14のパッケージ本
体下面からの突出長を均一にでき、それによってプリン
ト基板等への実装時の取付は精度を向上させることが可
能となる。
次に第1図の半導体パッケージを用いた半導体装置の実
装例を第5図に示す。第5図は半導体装置の実装断面図
である。
装例を第5図に示す。第5図は半導体装置の実装断面図
である。
第1図の半導体パッケージを用いて半導体素子20を例
えばプリント基板30に実装するには、予め作っておい
た半導体パッケージの凹部10a内に、接着材等を用い
て半導体素子20を固定する。次いで、その半導体素子
20の外部導出電極と回路パターン12の内側先端部1
2aとをワイヤ21で接続した後、パッケージ本体10
の上面に接着材等で蓋体11を接着して凹部10a内を
気密封止し、半導体装置を作る。
えばプリント基板30に実装するには、予め作っておい
た半導体パッケージの凹部10a内に、接着材等を用い
て半導体素子20を固定する。次いで、その半導体素子
20の外部導出電極と回路パターン12の内側先端部1
2aとをワイヤ21で接続した後、パッケージ本体10
の上面に接着材等で蓋体11を接着して凹部10a内を
気密封止し、半導体装置を作る。
一方、プリント基板30の表面には銅箔等からなる電極
端子31が形成され、その電4f!端子31の表面に、
溶融接続に適した半田、錫、インジウム等のメッキが施
されている。このような電極端子31上に、予めシルク
印刷等でハンダクリーム等の接合材クリームを被着して
おき、その接合材クリーム上に半導体装置のコンタクト
部14bを搭載して−時的に接着する。次に、コンタク
ト部14bを加熱溶融するために、半導体装置が搭載さ
れたプリント基板30を、例えばペーパーリフロー炉中
に投入して約215°C程度の加熱蒸気で加熱する。す
ると、コンタクト部14bのメッキ14C1接合材クリ
ーム、及び電極端子31のメッキが溶融し、その溶融金
属32によってコンタクト部14bと電極端子31とが
接触した状態で接合され、その後の冷却工程を経て実装
作業が終了する。
端子31が形成され、その電4f!端子31の表面に、
溶融接続に適した半田、錫、インジウム等のメッキが施
されている。このような電極端子31上に、予めシルク
印刷等でハンダクリーム等の接合材クリームを被着して
おき、その接合材クリーム上に半導体装置のコンタクト
部14bを搭載して−時的に接着する。次に、コンタク
ト部14bを加熱溶融するために、半導体装置が搭載さ
れたプリント基板30を、例えばペーパーリフロー炉中
に投入して約215°C程度の加熱蒸気で加熱する。す
ると、コンタクト部14bのメッキ14C1接合材クリ
ーム、及び電極端子31のメッキが溶融し、その溶融金
属32によってコンタクト部14bと電極端子31とが
接触した状態で接合され、その後の冷却工程を経て実装
作業が終了する。
以上のような実装工程において、リード端子14の一端
に半円頭状のコンタクト部14bが形成されているため
、溶融金属32どの接合面積が大きくなって電極端子3
1との接続強度が大きくなる。なお、コンタクト部14
bを半円頭状にすると、ファイナルテスト時において第
3図に示されるソケット4の凹部5との良好な接触状態
も得られる。コンタクト部14bの接合時において、電
極端子31からパッケージ本体下面までの接合高さHは
、はぼコンタクト部14bの高さと一致するため、半導
体装置をプリント基板30の表面に対してほぼ平行に固
定することができる。また、溶融金属32の平は、コン
タクト部14bと電極端子31とを溶融接続し、そのコ
ンタクト部14bを外部環境から保護し得る(6)であ
ればよい。ところが、溶融金属32はコンタクト部14
bのメッキ14C1接合材クリーム、及び電極端子31
のメッキが溶融したものであるから、コンタクト部14
bに形成されるメッキ14cの厚さは薄くても機能的に
は充分であり、経済的である。
に半円頭状のコンタクト部14bが形成されているため
、溶融金属32どの接合面積が大きくなって電極端子3
1との接続強度が大きくなる。なお、コンタクト部14
bを半円頭状にすると、ファイナルテスト時において第
3図に示されるソケット4の凹部5との良好な接触状態
も得られる。コンタクト部14bの接合時において、電
極端子31からパッケージ本体下面までの接合高さHは
、はぼコンタクト部14bの高さと一致するため、半導
体装置をプリント基板30の表面に対してほぼ平行に固
定することができる。また、溶融金属32の平は、コン
タクト部14bと電極端子31とを溶融接続し、そのコ
ンタクト部14bを外部環境から保護し得る(6)であ
ればよい。ところが、溶融金属32はコンタクト部14
bのメッキ14C1接合材クリーム、及び電極端子31
のメッキが溶融したものであるから、コンタクト部14
bに形成されるメッキ14cの厚さは薄くても機能的に
は充分であり、経済的である。
その上、コンタクト部14bの高さに多少のばらつきが
あったとしても、溶融金属32の量を調整することによ
り、コンタクト部14bの低い箇所の電極端子31との
間隙は簡単に補正することができる。
あったとしても、溶融金属32の量を調整することによ
り、コンタクト部14bの低い箇所の電極端子31との
間隙は簡単に補正することができる。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能である。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
が可能である。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
(i) リード端子14に形成されるコンタクト部1
4bは、第6図(a)に示すような円板形あるいは第6
図(b)に示すような角板形をなし、それらの各底面に
メッキ14cが施されたtI4造のものでもよく、それ
らでも第4図のものとほぼ同様の利点が得られる。また
、第4図及び第6図(a) 、 (b)のメッキ14c
は、コンタクト部14bの全面に形成してもよい。その
他、コンタクト部14bを角柱形、円柱形、三角柱形等
の種々の形状に変形したり、あるいは端子本体14aの
断面形状を円形以外の他の形状にしたり、さらにその端
子本体14aの先端をテーパー状にしてスルーホール1
3への嵌入を容易にさせる構造にしてもよい。
4bは、第6図(a)に示すような円板形あるいは第6
図(b)に示すような角板形をなし、それらの各底面に
メッキ14cが施されたtI4造のものでもよく、それ
らでも第4図のものとほぼ同様の利点が得られる。また
、第4図及び第6図(a) 、 (b)のメッキ14c
は、コンタクト部14bの全面に形成してもよい。その
他、コンタクト部14bを角柱形、円柱形、三角柱形等
の種々の形状に変形したり、あるいは端子本体14aの
断面形状を円形以外の他の形状にしたり、さらにその端
子本体14aの先端をテーパー状にしてスルーホール1
3への嵌入を容易にさせる構造にしてもよい。
(ii) 第1図においてパッケージ本体10に形成
される回路パターン12は、そのパッケージ本体10の
上面に形成してもよい。パッケージ本体10の凹部10
a内には、樹脂等の充填材を充填して半導体素子20に
対する気密封止力を向上させるようにしてもよく、ある
いは充填材のみを設けて蓋体11を省略してもよい。半
導体素子20はワイヤボンディング以外に、フリップチ
ップ方式やTAB方式等のワイヤレスボンディング法に
よって回路パターン12と接続してもよく、それによっ
て半導体装置をより薄形化できる。
される回路パターン12は、そのパッケージ本体10の
上面に形成してもよい。パッケージ本体10の凹部10
a内には、樹脂等の充填材を充填して半導体素子20に
対する気密封止力を向上させるようにしてもよく、ある
いは充填材のみを設けて蓋体11を省略してもよい。半
導体素子20はワイヤボンディング以外に、フリップチ
ップ方式やTAB方式等のワイヤレスボンディング法に
よって回路パターン12と接続してもよく、それによっ
て半導体装置をより薄形化できる。
(iii ) 上記実施例の半導体パッケージは、第
5図のようなプリント基板30以外のものにも実装でき
る。
5図のようなプリント基板30以外のものにも実装でき
る。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、鍔状のコ
ンタクト部を有するリード端子をパッケージ本体のスル
ーホールに嵌入して外部に引出すようにしたので、簡単
に外部引出し端子構造を形成でき、それによって低コス
ト化が可能になる。
ンタクト部を有するリード端子をパッケージ本体のスル
ーホールに嵌入して外部に引出すようにしたので、簡単
に外部引出し端子構造を形成でき、それによって低コス
ト化が可能になる。
ざらに、コンタクト部の高さを予め精度良く形成してお
くことが可能となり、それによってスルーホール嵌人後
にパッケージ本体の下面から突出するリード端子の高さ
、つまりコンタクト部の高さを一定かつ均一化でき、外
部に突出する端子長の高精度化が図れる。
くことが可能となり、それによってスルーホール嵌人後
にパッケージ本体の下面から突出するリード端子の高さ
、つまりコンタクト部の高さを一定かつ均一化でき、外
部に突出する端子長の高精度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第2図は従来の半導体パッケージの側面図、第3図
は第2図の試験用ソケットの側面図、第4図は第1図の
リード端子の斜視図、第5図は第1図の半導体パッケー
ジの実装断面図、第6図(a) 、 (b)は第1図の
他のリード端子の斜視図である。 10・・・・・・パッケージ本体、10a・・・・・・
凹部、11・・・・・・蓋体、12・・・・・・回路パ
ターン、13・・・・・・スルーホール、14・・・・
・・リード端子、14a・・・・・・端子本体、14b
・・・・・・コンタクト部、14c・・・・・・メッキ
、20・・・・・・半導体素子。 出願人代理人 柿 本 恭 成10ニパッケー
ジ本体 I4:リード端子11:64本
14a : fR6R6棒本体12路パターン
14b:コンタクト部j3ニスルーホール 14
c:メツへ20:半導体素子 第1図 従来の半導体パッケージ 第2図 第2図の試験用ソケット 第3図 リード端子 第4図 第5図 (α) 第6図
図、第2図は従来の半導体パッケージの側面図、第3図
は第2図の試験用ソケットの側面図、第4図は第1図の
リード端子の斜視図、第5図は第1図の半導体パッケー
ジの実装断面図、第6図(a) 、 (b)は第1図の
他のリード端子の斜視図である。 10・・・・・・パッケージ本体、10a・・・・・・
凹部、11・・・・・・蓋体、12・・・・・・回路パ
ターン、13・・・・・・スルーホール、14・・・・
・・リード端子、14a・・・・・・端子本体、14b
・・・・・・コンタクト部、14c・・・・・・メッキ
、20・・・・・・半導体素子。 出願人代理人 柿 本 恭 成10ニパッケー
ジ本体 I4:リード端子11:64本
14a : fR6R6棒本体12路パターン
14b:コンタクト部j3ニスルーホール 14
c:メツへ20:半導体素子 第1図 従来の半導体パッケージ 第2図 第2図の試験用ソケット 第3図 リード端子 第4図 第5図 (α) 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体素子に接続される導電性の回路パターンとそ
の回路パターンに接続されたスルーホールとを有するパ
ッケージ本体と、 メッキ処理された鍔状のコンタクト部がピン状の端子本
体の一端に形成されたリード端子とを備え、 前記リード端子の端子本体を前記スルーホールに嵌入し
て前記コンタクト部を前記パッケージ本体の下面に密着
状態で突出させたことを特徴とする半導体パッケージ。 2、前記メッキは、半田メッキ、錫メッキまたはインジ
ウムメッキである特許請求の範囲第1項記載の半導体パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25647087A JPH0198252A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25647087A JPH0198252A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0198252A true JPH0198252A (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=17293082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25647087A Pending JPH0198252A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0198252A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6098283A (en) * | 1996-12-19 | 2000-08-08 | Intel Corporation | Method for filling vias in organic, multi-layer packages |
JP2006219736A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Toyo Kohan Co Ltd | 表面処理Al板 |
JP2014165341A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイス |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25647087A patent/JPH0198252A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6098283A (en) * | 1996-12-19 | 2000-08-08 | Intel Corporation | Method for filling vias in organic, multi-layer packages |
JP2006219736A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Toyo Kohan Co Ltd | 表面処理Al板 |
JP2014165341A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4139726A (en) | Packaged microcircuit and method for assembly thereof | |
US4675790A (en) | Three terminal electrolytic capacitor for surface mounting | |
US6259348B1 (en) | Surface mounting type electronic component incorporating safety fuse | |
GB2026234A (en) | Circuit element package having lead patterns | |
JPH0198252A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP3288654B2 (ja) | 電気コネクタの製造方法 | |
WO2006077870A1 (ja) | パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法 | |
JP2546613Y2 (ja) | チップ形コンデンサ | |
US7093357B2 (en) | Method for manufacturing an electronic component | |
JPH0315330B2 (ja) | ||
JP4090106B2 (ja) | チップ型モータの端子構造 | |
US4173062A (en) | Method of forming a quadriplanar component | |
EP0711104A1 (en) | Packaged semiconductor, semiconductor device made therewith and method for making same | |
JPH0992575A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JP2000340471A (ja) | チップ型電解コンデンサと同電解コンデンサ用の座板 | |
JPS5937854B2 (ja) | チップ型電子部品の製造法 | |
JPH0822932A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JPH09191058A (ja) | 表面実装型容器 | |
JP2001358038A (ja) | タンタル電解コンデンサの製造方法 | |
JP2000058380A (ja) | 樹脂封口型コンデンサ | |
JP3441846B2 (ja) | チップ状有極性コンデンサの製造方法 | |
JP2597885B2 (ja) | メタルコア配線板のハンダ接続部の構造 | |
JPH0236267Y2 (ja) | ||
JPS593570Y2 (ja) | チツプ型固体電解コンデンサ | |
JPH11340373A (ja) | 薄小型樹脂封止パッケージ |