JPH0196154A - 光学活性液晶性化合物 - Google Patents
光学活性液晶性化合物Info
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- JPH0196154A JPH0196154A JP62253970A JP25397087A JPH0196154A JP H0196154 A JPH0196154 A JP H0196154A JP 62253970 A JP62253970 A JP 62253970A JP 25397087 A JP25397087 A JP 25397087A JP H0196154 A JPH0196154 A JP H0196154A
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
〔従来の技術〕
ナフタレン骨格を有する光学活性液晶性化付物としては
、特開昭62−10045号公報に記載さ几ている次式
の化合物が知らnている。
、特開昭62−10045号公報に記載さ几ている次式
の化合物が知らnている。
−CH,基を含む特定の一価の基を示す。)しかしなが
ら、この化合物の液晶温度範囲は狭く、特に単独で室温
域を含む広い温度題囲で強誘電性スメクチック液晶にな
るものはない。また、ナフタレン骨格に直接不斉炭素原
子が結付している光学活性液晶性化合物は知ら几ていな
かった。
ら、この化合物の液晶温度範囲は狭く、特に単独で室温
域を含む広い温度題囲で強誘電性スメクチック液晶にな
るものはない。また、ナフタレン骨格に直接不斉炭素原
子が結付している光学活性液晶性化合物は知ら几ていな
かった。
一方、各種液晶表示素子が実用化さ几、なかでも、ネマ
ティック液晶を用いたT N (TwistedNem
at ic ) ts1表示方式は消費電力が憶めて少
ないといった優れた性能を持ち、広く利用さ几ている。
ティック液晶を用いたT N (TwistedNem
at ic ) ts1表示方式は消費電力が憶めて少
ないといった優れた性能を持ち、広く利用さ几ている。
しかし、この表示方式は応答速度がたかだか数m5ec
のオーダーで遅いといった欠点があり、ネマチック液
晶の応用範囲を狭める一因となっているが、最近に至っ
て、強誘電性スメクチック液晶を用いれば、よシ高速な
応答が得られることがわかってきた。
のオーダーで遅いといった欠点があり、ネマチック液
晶の応用範囲を狭める一因となっているが、最近に至っ
て、強誘電性スメクチック液晶を用いれば、よシ高速な
応答が得られることがわかってきた。
強誘電性スメクチック液晶は、1975年R0B、Me
Yerらにより合成さnた4−(4−4−デシルオキシ
ベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2−メチルブチルエス
テル(以下、DOBAMBC(!:略記する)を代表例
とする化付物であり、そのカイラルスメクチックC相に
おいて、強誘電性を示すことを特徴とするものである(
ジュルナル・ド・フイジーク(J、physique)
、 36 、2−69 (1975)〕。
Yerらにより合成さnた4−(4−4−デシルオキシ
ベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2−メチルブチルエス
テル(以下、DOBAMBC(!:略記する)を代表例
とする化付物であり、そのカイラルスメクチックC相に
おいて、強誘電性を示すことを特徴とするものである(
ジュルナル・ド・フイジーク(J、physique)
、 36 、2−69 (1975)〕。
近年、N、A、C1arkら(アブライドフイジツクス
レターズ(Appl、 Phys、 Lett、)、
36 、899 (t 980))によって、DOBA
MBCの薄膜セルにおいて、μsecオーダーの高速応
答性が見出さf′Lfcことを契機に、強誘電性スメク
チック液晶はその旨速応答性を利用して液晶テレビ等の
ディスグレイ用のみならず、光プリンターヘッド、光フ
ーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエレクトロニ
クス関連素子の素材用にも使用可能な材料として注目を
集めている。
レターズ(Appl、 Phys、 Lett、)、
36 、899 (t 980))によって、DOBA
MBCの薄膜セルにおいて、μsecオーダーの高速応
答性が見出さf′Lfcことを契機に、強誘電性スメク
チック液晶はその旨速応答性を利用して液晶テレビ等の
ディスグレイ用のみならず、光プリンターヘッド、光フ
ーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエレクトロニ
クス関連素子の素材用にも使用可能な材料として注目を
集めている。
また、炭素−炭素二重結付を有するため、その物理的化
学的安定性に難がある。
学的安定性に難がある。
また、現在知られている強訪′〔性液晶には単独で実用
に十分な自発分極を室温域を含む広い温度範囲で示すも
のけなく、実際には数種類の物質が混甘さnている。
に十分な自発分極を室温域を含む広い温度範囲で示すも
のけなく、実際には数種類の物質が混甘さnている。
本発明は!遍的化学的に安定な液晶化合物及び単独で、
実用に十分な自発分極を室温域を含む広い温度範囲で示
す化付物を提供しようとするものである。
実用に十分な自発分極を室温域を含む広い温度範囲で示
す化付物を提供しようとするものである。
すなわち、本発明は一般式(I)
(式中、R’%R”は炭素数4〜18の鎖中に不斉炭素
原子を持っていてもよいアルキル基、R”は炭素数1〜
3のアルキル基、傘は不斉炭素原子を示す。)で表わさ
nる新規な光学活性液晶化せ物を提供するものである。
原子を持っていてもよいアルキル基、R”は炭素数1〜
3のアルキル基、傘は不斉炭素原子を示す。)で表わさ
nる新規な光学活性液晶化せ物を提供するものである。
本発明の化合物は例えばDOBAMBCと異なジ、ある
。
。
上記−数式(1)の化合物は液晶性化付物として、電気
光学素子への用途が期待でき、特にR1が炭素数6〜1
4のアルキル基である化合物はカイラルスメクチックC
@tとりやすぐ、室温域を含む広す温度範囲で強誘電性
を示すものが多く、強誘電性液晶材料として有用である
。(夾施例2並びに15.16参照) 〔化合物の製造方法」 不発明の一般式(I)の化付物は下記のごとき経路によ
り合成される。
光学素子への用途が期待でき、特にR1が炭素数6〜1
4のアルキル基である化合物はカイラルスメクチックC
@tとりやすぐ、室温域を含む広す温度範囲で強誘電性
を示すものが多く、強誘電性液晶材料として有用である
。(夾施例2並びに15.16参照) 〔化合物の製造方法」 不発明の一般式(I)の化付物は下記のごとき経路によ
り合成される。
(式中% R”% R”% R”及び拳は式(I)と同
じ意味を示す。)具体的には、まず、式(l【)で示さ
几る光学活性化付物を脱メチル化剤と反応させ、式Cl
1l)で示される光学活性化合物を得る。脱メチル化剤
としては、臭化水素酸、トリメチルシリルヨーシト、ヘ
キサメチルジシラン−ヨウ素などを使用し、溶媒として
は水、トルエン、酢酸、フェノールなどを使用する。使
用量は、たとえば、式(rl)の化合物を1m0A’使
用する時、脱メチル化剤は1.2〜5moz使用し、溶
媒は50〜200jIj使用する。
じ意味を示す。)具体的には、まず、式(l【)で示さ
几る光学活性化付物を脱メチル化剤と反応させ、式Cl
1l)で示される光学活性化合物を得る。脱メチル化剤
としては、臭化水素酸、トリメチルシリルヨーシト、ヘ
キサメチルジシラン−ヨウ素などを使用し、溶媒として
は水、トルエン、酢酸、フェノールなどを使用する。使
用量は、たとえば、式(rl)の化合物を1m0A’使
用する時、脱メチル化剤は1.2〜5moz使用し、溶
媒は50〜200jIj使用する。
反応温度は50〜150℃で反応時間は1〜15時間で
ある。
ある。
次に、得られた式(III)で示される光学活性化金物
を、適宜溶媒中、酸触媒音用い、式(IV)で示される
アルコールと反応させ、エステル化により、式(V)で
示さnる光学活性化付物を得る。溶媒とシテハトルエン
、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンなどを、酸触媒
としては硫酸、p−)ルエンスルホン酸など全使用する
。たとえば、式(III)の化合物f l rnoJ使
用する時、溶媒はZoo〜50〇−使用し、酸触媒1l
t5〜100 mmol使用し、式(IV)の化合物は
1.05〜10mo1便用する。反応温度は50〜15
0℃で反応時間tfi1〜15時間である。
を、適宜溶媒中、酸触媒音用い、式(IV)で示される
アルコールと反応させ、エステル化により、式(V)で
示さnる光学活性化付物を得る。溶媒とシテハトルエン
、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼンなどを、酸触媒
としては硫酸、p−)ルエンスルホン酸など全使用する
。たとえば、式(III)の化合物f l rnoJ使
用する時、溶媒はZoo〜50〇−使用し、酸触媒1l
t5〜100 mmol使用し、式(IV)の化合物は
1.05〜10mo1便用する。反応温度は50〜15
0℃で反応時間tfi1〜15時間である。
最終ステップの反応として、式(V)で示3nる光学活
性化付物を、進′X浴媒中、アミン化合物の存在下、式
(VT)で示される酸クロリドと反応させ、本発明の式
CI)で示さ九る光学活性化金物を得る。
性化付物を、進′X浴媒中、アミン化合物の存在下、式
(VT)で示される酸クロリドと反応させ、本発明の式
CI)で示さ九る光学活性化金物を得る。
溶媒ト1.テHエーテル、クロロホルム、トルエンなど
を、アミン化合物としてはピリジン、トリエチルアミン
などを使用する。たとえば、式(V)の化せ物’6tm
o4使用する時、溶媒は100〜50〇−使用し、アミ
ン化合物は1.05〜lomol使用し、式(VDの化
付物は1.05〜2mol使用する。
を、アミン化合物としてはピリジン、トリエチルアミン
などを使用する。たとえば、式(V)の化せ物’6tm
o4使用する時、溶媒は100〜50〇−使用し、アミ
ン化合物は1.05〜lomol使用し、式(VDの化
付物は1.05〜2mol使用する。
反応温度は20〜100℃で反応時間は1〜15時間で
ある。
ある。
表1に本発明の光学活性液晶住化せ物の代表例を示す。
こ几らの化合物に付した番号は、後記の説明の中てこ九
らの化付物を指示するのに使用する。
らの化付物を指示するのに使用する。
以下実施例により、本発明の光学活性化付物につきさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
実施例1
(2S、2S)−2−メチルブチル=2−[: 2−[
: 6−(4−オルチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)]ナフチル〕グゾロオナート(例示化会物番号8)
の製造 (イ) (S) −2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフ
チル」プロピオン酸の製造 100−丸底フラスコに(S) −2−(2−(6−メ
トキシ)ナフチル]プロピオン酸23゜03 f (1
00,0mm01)および47%臭化水素酸20.66
f(HBrで120.0 mnrolj )および酢酸
1(ld’i入れ、120℃で3時間速流反応させた。
: 6−(4−オルチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)]ナフチル〕グゾロオナート(例示化会物番号8)
の製造 (イ) (S) −2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフ
チル」プロピオン酸の製造 100−丸底フラスコに(S) −2−(2−(6−メ
トキシ)ナフチル]プロピオン酸23゜03 f (1
00,0mm01)および47%臭化水素酸20.66
f(HBrで120.0 mnrolj )および酢酸
1(ld’i入れ、120℃で3時間速流反応させた。
反応終了後、N、N−ジメチルホルム了ミド100−と
水300m七反応混@物に入れ10℃で放置し結晶を析
出させた。濾別して水洗し、16.33 Fの粗結晶を
得、さらにとの′tji結晶をN、N−ジメチルホルム
アミド30−と水100−から再結晶させ、目的物9.
37 t (’43.3 rnmol)を得た。収率は
43.3憾であった。
水300m七反応混@物に入れ10℃で放置し結晶を析
出させた。濾別して水洗し、16.33 Fの粗結晶を
得、さらにとの′tji結晶をN、N−ジメチルホルム
アミド30−と水100−から再結晶させ、目的物9.
37 t (’43.3 rnmol)を得た。収率は
43.3憾であった。
”)I−NMRCDCA’3−d’L)MSOJ[J)
l)m〕1.50(3H,d)、3.91 (IH,q
)、6.95〜7.90(6H,m)(ロ) (2S、
2S)−2−メチルブチル=2−(2−(6−ヒドロキ
シ)ナフチル〕ゾロビオナートの製造 ディーンスタークトラップを備えた30d丸底フラスコ
に(イ)で得た(S) −2−C2−(6−ヒドロキシ
)ナフチルコブロピオン酸3.00 F(13,87m
moJ)と、(S) −2−メチルブチルアルコール3
.669 (41,62mmol)、) ルX−ンlQ
a#、およびパラトルエンスルホン酸−水和物0.14
f (0,69mmol ) f入れ、窒素気流中3
時間加熱還流させた。反応終了後、ジエチルエーテルを
加えて水洗し、減圧で有機溶剤を除去した。シリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶剤:クロロホルム)によ
ジ目的物3.90y (13,62mmoJ) t−得
た。収率は98.24であった。
l)m〕1.50(3H,d)、3.91 (IH,q
)、6.95〜7.90(6H,m)(ロ) (2S、
2S)−2−メチルブチル=2−(2−(6−ヒドロキ
シ)ナフチル〕ゾロビオナートの製造 ディーンスタークトラップを備えた30d丸底フラスコ
に(イ)で得た(S) −2−C2−(6−ヒドロキシ
)ナフチルコブロピオン酸3.00 F(13,87m
moJ)と、(S) −2−メチルブチルアルコール3
.669 (41,62mmol)、) ルX−ンlQ
a#、およびパラトルエンスルホン酸−水和物0.14
f (0,69mmol ) f入れ、窒素気流中3
時間加熱還流させた。反応終了後、ジエチルエーテルを
加えて水洗し、減圧で有機溶剤を除去した。シリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶剤:クロロホルム)によ
ジ目的物3.90y (13,62mmoJ) t−得
た。収率は98.24であった。
’H−NMRCDCら JCppmlo、66〜2.
05(9H,m)、1.66(3H,d)、3.80(
LH,Q)。
05(9H,m)、1.66(3H,d)、3.80(
LH,Q)。
3−95 (2H* d ) −6−01(IH2bs
) −a−95〜7−90 (6H−In )(ハ)
(2S、28)−2−メチルブチル=2−[2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)〕
す7チルコグロビオナートの製造 3〇−丸底フラスコに(ロ)で得た(2S、2S)−2
−メチルブチル=2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフチ
ル〕プロピオナート3.90 f/ (13,62m
mol )と、ピリジン3.32 r (41,91r
nmol ) 、およびジエチルエーテル10aJを人
fL。
) −a−95〜7−90 (6H−In )(ハ)
(2S、28)−2−メチルブチル=2−[2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)〕
す7チルコグロビオナートの製造 3〇−丸底フラスコに(ロ)で得た(2S、2S)−2
−メチルブチル=2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフチ
ル〕プロピオナート3.90 f/ (13,62m
mol )と、ピリジン3.32 r (41,91r
nmol ) 、およびジエチルエーテル10aJを人
fL。
窒素気流中かくはんし、この中に、4−オクチルオキシ
ベンゾイルクロリド4.13 P (15,37tHm
ol )を滴下した。発熱と塩の析出がただちに起った
。さらに続けて、5時間加熱還流させた。反応終了後、
ジエチルエーテルを加えて水洗した後、減圧でM機溶剤
全除去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
剤:へキサン)により、最終目的物6.33 f (1
2,20rnmol)を得た。収率d89.6憾であっ
た。
ベンゾイルクロリド4.13 P (15,37tHm
ol )を滴下した。発熱と塩の析出がただちに起った
。さらに続けて、5時間加熱還流させた。反応終了後、
ジエチルエーテルを加えて水洗した後、減圧でM機溶剤
全除去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
剤:へキサン)により、最終目的物6.33 f (1
2,20rnmol)を得た。収率d89.6憾であっ
た。
’H−NMRCL)CJ、 J t−ppm」0.
60〜2.25 (27)i、m) 、 3.63〜4
.24 (5H,m) 。
60〜2.25 (27)i、m) 、 3.63〜4
.24 (5H,m) 。
7.00(2kl、d ) 、 6.9〜8.0(6)
1.m) 、 8.15(2f(、d)IRKBr d
isk 波数(an−”]3050〜2850,17
30,1610,1580,1515゜1470.12
60,1175.1070相転移温度〔℃」 DSC測
定 実施例2 (Is、2S)−1−メチルヘプチル=2−〔2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルオキシ)〕ナフチル」
プロピオナート(例示化付物査号12)の製造 実施例1において(ロンでの(S) −2−メチルブチ
ルアルコールの代t) りtζ、(S)−1−メチルヘ
プチルアルコールを使用して、実施例1の(ロンと同様
に実施して(IS、2S)−1−メチルへブチル=2−
(2−(6−ヒドロキシ)ナフチル〕ゾロピオナートを
得た。収率は99.0%であった。
1.m) 、 8.15(2f(、d)IRKBr d
isk 波数(an−”]3050〜2850,17
30,1610,1580,1515゜1470.12
60,1175.1070相転移温度〔℃」 DSC測
定 実施例2 (Is、2S)−1−メチルヘプチル=2−〔2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルオキシ)〕ナフチル」
プロピオナート(例示化付物査号12)の製造 実施例1において(ロンでの(S) −2−メチルブチ
ルアルコールの代t) りtζ、(S)−1−メチルヘ
プチルアルコールを使用して、実施例1の(ロンと同様
に実施して(IS、2S)−1−メチルへブチル=2−
(2−(6−ヒドロキシ)ナフチル〕ゾロピオナートを
得た。収率は99.0%であった。
’H−NMRCDCl、 a CppmJO,so
〜1−1−90(19H9,3,50(IH−3)、
3.82(lf(*q)。
〜1−1−90(19H9,3,50(IH−3)、
3.82(lf(*q)。
4.92 (IH,m) 、 6.9s 〜7.90
(6H,m)得う九た(Is、28)−1−メチルへブ
チル=2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフチル〕ゾロビ
オナートを使用して、実施例1のを9と同様に実施して
(Is、28)−1−メチルヘプチル=2−(2−[6
−(4−オクチルオキシ2エニル力ルポニルオキシ)」
ナフチル]プロビオナー)Q得た。収率は88.5係で
あった。
(6H,m)得う九た(Is、28)−1−メチルへブ
チル=2−(2−(6−ヒドロキシ)ナフチル〕ゾロビ
オナートを使用して、実施例1のを9と同様に実施して
(Is、28)−1−メチルヘプチル=2−(2−[6
−(4−オクチルオキシ2エニル力ルポニルオキシ)」
ナフチル]プロビオナー)Q得た。収率は88.5係で
あった。
”H−NMRCDCJi ’ (ppm)0.60
〜2.27(34H,m) 、 3.89(1f−1,
q) 、 4.06(2H,t)。
〜2.27(34H,m) 、 3.89(1f−1,
q) 、 4.06(2H,t)。
4−91(I Hlm) −7−00(2FI Id)
# 7.0〜8.0 (6H、tn ) 。
# 7.0〜8.0 (6H、tn ) 。
8.15(2H,d)
IRNaCJ 波数(、−m−”J3050〜2
850.1730,1605,1580,1510,1
260゜1250.1170,1145.1060相転
移温度〔℃〕 DSC測定 1武 (Sご) 実凡例3〜14 実施例2において、表2に示すアルコール及び酸クロリ
ドを用いる他は、実施例2と同様に実施した。結果を表
2にまとめて示す。
850.1730,1605,1580,1510,1
260゜1250.1170,1145.1060相転
移温度〔℃〕 DSC測定 1武 (Sご) 実凡例3〜14 実施例2において、表2に示すアルコール及び酸クロリ
ドを用いる他は、実施例2と同様に実施した。結果を表
2にまとめて示す。
実施例15
セル間隔1.srμで、ポリイミド被徨で同方向ラビン
グしたネ丈ガラスで構成したセルに、(lS、2S)−
1−メチルへブチル=2−[2−(6−(4−オクチル
オキシフェニルカルボニルオキシ)]ナフチル〕プロピ
オナート(例示化合物番号12)を封入し、104.1
Hzの′9.流をかけ、比誘電率を測定した。その結
果を第1図に示した。第1図から明らかなように、この
ものは、−27℃〜115℃の1mで強誘電性を示し、
又、DSCによる相転移温ば測定では、強誘電性温度範
囲は一り℃〜89”Cであった。
グしたネ丈ガラスで構成したセルに、(lS、2S)−
1−メチルへブチル=2−[2−(6−(4−オクチル
オキシフェニルカルボニルオキシ)]ナフチル〕プロピ
オナート(例示化合物番号12)を封入し、104.1
Hzの′9.流をかけ、比誘電率を測定した。その結
果を第1図に示した。第1図から明らかなように、この
ものは、−27℃〜115℃の1mで強誘電性を示し、
又、DSCによる相転移温ば測定では、強誘電性温度範
囲は一り℃〜89”Cであった。
実施例16
実施例15において、48℃で、0.8131(zの交
流をかけ、自発分極′51:測足した。その結果、自発
分極は70nC/7、残留分極は、44n(:/crI
iであった。
流をかけ、自発分極′51:測足した。その結果、自発
分極は70nC/7、残留分極は、44n(:/crI
iであった。
実施例17
実施例16において間隔4.70μのセルを用い92℃
で(2S、2S)−2−メチルブチル=2−[2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)]
ナフチル〕プロピオナート(例示化合物番号8)の自発
分極を測定した。
で(2S、2S)−2−メチルブチル=2−[2−(6
−(4−オクチルオキシフェニルカルボニルオキシ)]
ナフチル〕プロピオナート(例示化合物番号8)の自発
分極を測定した。
92℃で残留分極は110 n C/Cd、自発分極は
xzonc/−と大きな値を示した。
xzonc/−と大きな値を示した。
第1図は、実施例15における、不発明化合物の比誘電
率の温度依存性を測定し7た結果を示す図である。 特許出願人 三菱油化株式公社 代理人 弁理士 長 谷 正 久 代理人 弁理士 山 本 隆 也
率の温度依存性を測定し7た結果を示す図である。 特許出願人 三菱油化株式公社 代理人 弁理士 長 谷 正 久 代理人 弁理士 山 本 隆 也
Claims (2)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1、R^2は炭素数4〜18の中に不斉炭
素原子を持つていてもよいアルキル基、R^3は炭素数
1〜3のアルキル基、*は不斉炭素原子を示す。)で表
わされる光学活性液晶性化合物。 - (2)一般式( I )において、R^1が炭素数6〜1
4の直鎖アルキル基である特許請求の範囲第1項記載の
化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62253970A JPH0196154A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光学活性液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62253970A JPH0196154A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光学活性液晶性化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0196154A true JPH0196154A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17258465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62253970A Pending JPH0196154A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光学活性液晶性化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0196154A (ja) |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP62253970A patent/JPH0196154A/ja active Pending
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