JPH0196087A - 単結晶を引出すための装置 - Google Patents

単結晶を引出すための装置

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JPH0196087A
JPH0196087A JP63144912A JP14491288A JPH0196087A JP H0196087 A JPH0196087 A JP H0196087A JP 63144912 A JP63144912 A JP 63144912A JP 14491288 A JP14491288 A JP 14491288A JP H0196087 A JPH0196087 A JP H0196087A
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melt
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heating
annular
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Dieter Drechsel
デイーター・ドレクセル
Karl Jericho
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    • C03B15/14Drawing tubes, cylinders, or rods from the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、るつぼ内にある融液から真空下で単結晶を引
出すための装置であって、るつぼの配置された真空扉と
、融液の加熱部材と、融液上方の引出し部材と、融液を
覆う、開口を有するカバー部材とを備えておシ、かっこ
の装置によって引出し部材を用いて単結晶が融液表面か
ら上方へ引出し可能でちり、かつこの装置が加熱部材の
熱放射によって加熱可能である形式のものに関する。
真空条件下で融液から単結晶を引出すに当っては、るつ
ぼ縁に訃ける温度状態をできる限シ低く保持し、かつ融
液内での流れの形成を回避することが1袈である。
単結晶を引出す際の不都合な作用に対抗するためには、
既に単結晶を引出すための公知の装置に訃いて(米国特
許第3359077号明細書)融液の表面における熱勾
配を低下させるための融液カバーが設けられた。
更に融液のためのるつぼ22部分シェルに構成し、かつ
横断面真円の円筒形の挿入体を設け、かつ後装入装置の
装入ホッパを、後装入物がるつぼの内側のシェルの縁と
挿入体との間に残った縁部分内に充填可能であるように
構成することが知られている(ヨーロッパ特許 第0170856号明細書)。更にこの公知の装置は既
に2つの加熱装置を備えておシ、そのうちの1つは扁平
な円板形の形状を持っていて、るつぼの下方に保持され
ており、かつもう1つはるつぼをX巻く中空円筒形の加
熱体として形成されて号ハる。
最後に種子結晶の肩部と融液との過大な温度差を小さく
するために用いられる装置が既に知られており(米国特
許第3511610号明細書)、そのためには種子結晶
を支持する部材が加熱装置を備えておシ、これによって
」子績晶の支持体の助けで熱?:種子結晶へ伝達するこ
とができる。この目的のためには結晶ホルダのための引
出し部材上のプレートが用いられる。
本発明の課題は、連続的に供給される装入物の溶融を改
善し、引出し過程中の装入時の浴の動揺を出きる限シ回
避し、かつ後装入物の溶融のためのエネルギー通過によ
って惹起こされるるつぼ壁の温度上昇を阻止することで
ある。
上記の課題を解決するための本発明の手段は、冒頭に記
載の形式の装置において加熱部材としてるつぼの底面に
平行な平面内(4−延び九、ほぼ環状の、扁平な第1の
加熱体と、るつぼを少なくとも部分的に環巻くように第
1の加熱体の平面に対して垂直に配置された、ほぼ横断
面真円の円筒形の第2の加熱体とを備えて′j?シ、こ
の第2の加熱体の上縁が第1の加熱体に平行な、ほぼプ
レート状の加熱体へ移行しており、この加熱体がるつぼ
の上縁と円環林のカバー部材の下面との間の平面内に配
置されていることでちる。
第2の加熱体の、フランジ部分として構成さnていて、
しかも融液を少なくとも部分的に上方から覆う部分が後
装入された溶融物の直接的な加熱を可能にし、しかもる
つぼ全体が加熱に曝されることはない。
環状の、扁平な部分2備えた横断面真円の円筒形の第2
の加熱体の代わI)に、ほぼ円板形の、扁平な第2の加
熱体を設けてもよく、その環状の、扁平な部分がるつぼ
の上縁と円環伏のカバー部材の下面との間の平面内に配
置されていて、しかも単数または複数の、垂直に下方に
延びた加熱体脚部を備えており、これらの加熱体脚部が
締付は部材に形成さft’7’(切欠きに係合していて
、しかも切欠き内で締付けられているか、くさびで締付
けられているか、またはねじ結合されている。
第1の加熱体(るつぼの加熱もしくは温度調S)の給電
も第2の加熱体(直接装入物に作用)の給電も有利には
別個に行なわれる、それというのも第2の加熱体の加熱
出力が単位時間内に供給される後装入量に直接依存する
からである。
有利にはプレート状の第1の加熱体がるつぼ支持2ンに
平行に配置された、少なくとも2つの棒伏の給電部材に
よって保持されており、給電部材が一方で釡のための底
部プレートの所で絶縁されて貫通案内されており、かつ
他方で第1の加熱体の加熱体脚部に固定されている。
その場合に、第1の加熱体の、給電部材と固定的に結合
された加熱体脚部が2つのほぼ半円形の部分を介して結
合されており、これらの部分が中央開口全形成していて
、しかもメアンデル状に曲げられた加熱コイルによって
構成されている。
有利には円筒形に構成された第2の加熱体の環状の、扁
平な部分が複数の、全周にわたって分配されて配置され
大スリットを備えてhp、このスリットが横断面真円の
円筒形の側壁の範囲内にまで延びている。その代わシに
、またはまた付加的にほぼ横断面真円の円筒形に構成さ
れた第2の加熱体の側壁が複数の、側壁の全周にわ九っ
て分配されて配置さ九たスリットを有しており、これら
のスリットがこの加熱体の下縁から半径方向でみて内側
へ延び穴、環状の、扁平な部分の範囲内まで延びている
有利には第2の加熱体の側壁は下方へ延びた加熱体脚部
を備えておシ、該加熱体脚部が、給電部材によって保持
された、半径方向でみて内側へ延びた締付は部材に設け
られた切欠きに係合してかり、その場合に第2の加熱体
の加熱体脚部がくさびt用いてほぼ矩形の切欠き内で締
付けられているがまたはここでねじ結合されているかま
たはリベット締めされている。
装入物の連続的な供給を保証する光めには、横断面真円
の円筒形の第2の加熱体の環状の、扁平表部分が開口ま
たは切欠き全備えており、釡の外部に設けられた装入装
置の供玲管の装入ホッパが上記の開口または切欠きに貫
通係合している。
有利にはるつぼおよび2つの加熱体がほぼ円筒形の保護
管によって少なくとも部分的に包囲されており、保護管
が切欠きt有する下縁でもって溶融物捕集槽上に支持さ
nておフ、溶融物捕集槽が管によって釡の底部プレート
上に保持されており、るつぼ底面に平行な平面内で延び
ておシ、かつ中央開口を有しており、この中央開口を通
って鉛直のるつぼ支持ぎンが案内されている。
僅かな熱損失で均一な熱分配が保証されるよりにするk
めには、るつぼが破損した場合に溶融物を捕集するため
の溶融物捕集槽、韮びに保護管、およびるつぼの上方に
配置されていて、しかも保護管によって支持された、カ
バー部材としてのカバープレートに有利にはグラファイ
トフェルト製の絶縁材マットが設けられている。
融液の動揺を回避するためには、融液と反応しない材料
から制作された、融液の通過のための開口または切欠き
を有する中空円筒形のリングがるつぼ内に同心的に挿入
されており、その場合に装入物のための装入ホッパが、
リングの外面とるつぼ縁とによって制限された範囲内に
開口している。
融液の汚染は、るつぼの内壁がf液と反応しない材料か
ら成るシェルまたは挿入体を備えておシ、かつ第2の加
熱体の、少なくともるつぼの上方に配置された環状の、
扁平な部材が被覆されていることによっても取除かれる
以下においてス示の実施例について本発明を詳説する。
主として装置は、装置フレームの二重壁の釡の底部プレ
ート3上に支持された、真空室52を形成する、同様に
二重壁の釜4と、釜4内に配置されていて、しかも底部
プレート3上に支承された、外側に取巻く断熱材を備え
た支持管5と、支持管5によって保持された、内部に絶
縁材マットのグラファイトフェルトプレート8を支承し
た環状の槽7と、底部プレート3に保持された、槽7の
上方に保持された第1の加熱体である底部加熱体10の
ための2つの給電部材9,9aと、底部プレート3内に
保持された更に2つの給電部材11.11a(これらに
はそれぞれ締付は部材12.12&がねじ結合されてお
り、締付は部材は第2の加熱体である端面のまたは円筒
形の加熱体13を支持している)と、るつぼ14と、槽
7上に支持された、外側に断熱材(絶縁材マット)16
を有する、放射保護管15と、この保護管15によって
支持された、上方の端面の断熱材(絶縁材マット)18
と保護ガラス21.22を備えた貫通ガイド19.20
とを有するカバープレート17と、装入物のための供給
管23と、カバープレート17 、17aを貫通して案
内された装入ホッパ24と、回転可能および上下に可動
である、るつぼ支持ざン26を保持するためのるつぼ軸
25とを備えている。
2つの給電部材9,9aによって保持された底部加熱体
10が第2図および第3図に示されておフ、これは互い
に対向して位置する2つの側方の加熱体脚部31.32
とそれぞれメアンデル状に形成された2つの加熱コイル
33゜34とを有している。2つの加熱コ・rル33゜
34は一緒になって底部加熱体10の中央に開口35と
構成しており、この開口を貫通してるつぼ支持ビン26
が延びている。るつぼ支持ビンは上端でるつぼと固定的
に結合さ担ておシ、かつるつぼ14はこのるつぼ支持ビ
ンを介して上下に移動することもまた回転運動をするこ
ともできる。第5図訃よび第6図に詳しく示された端面
加熱体13は半径方向に延びたスリット3s、3s’、
3rもしくは37.37’、3γ“を有する円環状の、
扁平な部分28と中空円筒形の器壁39とから構成され
ている。中空円筒形の側壁39は互いに対向して位置す
る2つの部分に下方へ延びた加熱体脚部40.40a’
に備えておフ、これら加熱体脚部は、給電部材11゜1
1aによって保持された両締付は部材12゜12aに形
成された切欠き41.41 aに係合している。締付は
部材12,12aの2つの切欠き41.41a内におい
て端面加熱体13への確実な電流伝達を保証するために
は、付加的なくさび42.42aが台形の切欠き41゜
41a内に打込まれている。
第4囚に示された放射保護管15は4つの矩形の切欠き
43.43’、43“を備えてシシ、これらの切欠きは
放射保護管15の全周にわたって分配されてその下縁5
7に形成さnている。
これらの切欠き43.43’、43“を貫通して締付は
部材12.12aおよび底部加熱体1oの加熱体脚部3
1.32が案内されている。更に放射保護管15は斜め
に延びる孔45を有しており、この孔はカバープレー)
17.11aの保護ガラス21および釜4の壁内に固定
された管片47の保護ガラス46と整列している。放射
保護管15の側壁に設けられた別の開口48′。
4g’、41f“は釜4の内室の上方部分から下方部分
へのガスの妨げられない通過を許す。更に釜4は蓋部分
4′の範囲にカラー48を備えておシ、該カラーは引出
し部材49の通過を許す。
更に釡の蓋部分4′にはのぞきガラス51全備えた管片
50が設けられている。
2つの給電部材9,9aには底部加熱体10がクラファ
イトナツト27.27aを介してねじ結合されている。
底部加熱体はスリン)k有していてメアンデル状を成し
ている。底部加熱体10は、るつぼもしくは融液を下端
面から加熱する役割を持つ。2つの付加的な給電部材1
1、Il&には、鉢形加熱体として構成された第2の加
熱体13が締付は部材12.12aを介して固定さnて
いる。上端面からの加熱は連続的に供給される装入物の
溶融を改善する。
ケイ素融液の場合には1面加熱体13は、グラファイト
粒子が融液内に落下して、炭素汚染を生じることを回避
するためにSICで被覆する力)もしくは覆うことがで
きる。SiOとグラファイトとの反応(20+ SiO
→sic + co )も阻止される。1点鎖線はアル
ゴンガス流を示す。アルビンガス流はカラー48を介し
て中央開口53を通υ、融液上方ないしはるつぼ14の
周囲に達し、開口4 B’ 、 48″、 48”を通
って下方へ貫流し、最終的に管接続部70’を介して排
出される。
加熱装置の中央にはグラファイトのるつぼ14が配置さ
れており、るつぼ14内には融液と反応しない材料から
製作されたるつぼ挿入体28が挿入されている。引出し
過程中における装入時の浴の沈静を保証するためには、
付加的なリング29が挿入体28内に挿入さn″′C込
る。
リングも同様に融゛液と反応しない材料から製作されて
いる。リング29には下端に切欠き30が設けられてン
ク、溶融した装入物がこの切欠きから挿入体28の中央
へ流れることができる。
2つの加熱体10.13の周囲には断熱材8゜16.1
8が取付けられてカシ、この断熱材は槽Tと、付加的な
グラファイトフェルトプレート8と、外側の断熱材16
と上端面側の断熱材18とから構成されている。断熱材
16は円筒形に構成されており、かつ放射保護管15に
設けられている。上方のカバープレート17. 117
aは断熱材18とともに釜4の内面に支持さnている。
第7囚から第9囚には第2の加熱体として使用すること
ができる加熱体59が示さnている。
この加熱体59は主としてスリットを有していて、メア
ンデル状に形成された環状の扁平な部分60から成って
カシ、この部分はこれに垂直に配置された2つの加熱体
脚部61.62を備えている。加熱体59の温度は単独
で調節することができ、そのためには釜4の゛蓋内の管
片67を介してるつぼ14.28内の融液の温度を測定
することができる。装入ホッパ24を介して溶融してい
ない融液物質がるつぼ14.28内に供給さハたときに
は、単に第2の加熱体(第4図から第6囚もしくは第7
図から第9囚)を介してこの後装入物の慎重で迅速な溶
胎ヲ行なうことができ、これは融、液の比較的最小の動
揺でもって、しかもるつぼ14・、2,8自体を比較的
強く加熱することなく達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は単結晶を引出すための装置の部分な断面ス、第
2因は第1図に示された底部加熱体の第6因のA−AM
に沿った断面図、第5図は第1図に示された底部加熱体
の平面図、第4図は外側からるつぼと加熱体を包囲する
放射保護管の側面図、第5因は第1図に示され;を円筒
加熱体の第6図のB −B 國に沿った断面図、第6図
は第1図による円筒加熱体の平面図、第7図、第8図、
第9図は環状の、扁平な加熱体の別の実施例を種々の方
向から見て示した図でちる。 3・・・底部プレート、4・・・釜、4′・・・蓋部分
、5、・、支持管、6.16.18・・・断熱材、1・
・・槽、8・・・グラファイトフェルトプレート、9,
9a。 11.11&・・・給電部材、10・・・底部加熱体、
12.12a・・・締付は部材、13・・・端面加熱体
、14・・・るつぼ、17.17a・・・カバープレー
ト、19.20・・・貫通ガイド、21.22・・・保
護ガラス、23・・・供給管、24・・・装入ホッパ、
25・・・るつぼ軸、26・・・るつぼ支持ぎン、27
゜27a・・・グラファイトナツト、28・・・るつぼ
挿入体、29・・・リング、30・・・切欠き、31゜
32.40,40a、61.62・・・加熱体脚部、3
3.34・・・加熱コイル、35・・・開口、36゜3
6’、36”、37.37’、37”、63.63′、
6ご’、64,64’、64″・・・スリット、38・
・・加熱体部分、39・・・加熱体、41.41a、6
5゜6.6・・・切欠き、42.42a・・・くさび、
43゜43a・・・切欠き、45・・・孔、46.51
.68・・・のぞきガラス、47.50.67・・・管
片、48・・・カラー、49・・・引出し部材、52・
・・真空室、53.58・・・中央開口、54−・・底
面、55・・・るつぼ縁、56・・・加熱体の下縁、5
7・・・下縁、59・・・加熱体、60−・・加熱体部
分、69・・・アルビンガス流、70・・・管接続部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、るつぼ(14、28)内にある融液から真空下で単
    結晶を引出すための装置であつて、るつぼ(14、28
    )の配置された真空室 (52)と、融液の加熱部材(10、13)と、融液上
    方の引出し部材(49)と、融液を覆う、開口(53)
    を有するカバー部材 (17、17a、18)とを備えており、かつこの装置
    によつて引出し部材(49)を用いて単結晶が融液表面
    から上方へ引出し可能であり、かつこの装置が加熱部材
    (10)の熱放射によつて加熱可能である形式のものに
    おいて、加熱部材としてるつぼ(14、28)の底面(
    54)に平行な平面内に廷びた、ほぼ環状の、扁平な第
    1の加熱体(10)と、るつぼ(14、28)を少なく
    とも部分的に取巻くように第1の加熱体(10)の平面
    に対して垂直に配置された、ほぼ横断面真円の円筒形の
    第2の加熱体(13)とを備えており、この第2の加熱
    体の上縁が第1の加熱体(10)に平行な、ほぼプレー
    ト状の加熱体(38)へ移行しており、この加熱体がる
    つぼ(14、28)の上縁(55)と円環状のカバー部
    材(17、17a、18)の下面との間の平面内に配置
    されていることを特徴とする、単結晶を引出すための装
    置。 2、るつぼ(14、28)内にある融液から真空下で単
    結晶を引出すための装置であつて、るつぼ(14、28
    )の配置された真空室 (52)と、融液の加熱部材と、融液上方の引出し部材
    (49)と、融液を覆う、開口 (53)を有するカバー部材(17、17a、18)と
    を備えており、かつこの装置によつて引出し部材(49
    )を用いて単結晶が融液表面から上方へ引出し可能であ
    る形式のものにおいて、加熱部材としてるつぼ(14、 28)の底面(54)に平行な平面内に延びた、ほぼ環
    状の、扁平な第1の加熱体(10)とほぼ環状の、扁平
    な第2の加熱体(59)とを備えており、この第2の加
    熱体がるつぼ(14、28)の上縁(55)と円環状の
    カバー部材(17、17a、18)の下面との間の平面
    内に配置されていて、しかも単数または複数の、鉛直方
    向に下方へ延びた加熱体脚部(61、62)を備えてお
    り、これらの加熱体脚部が締付け部材(12、12a)
    に形成された切欠き(41、41a)に係合していて、
    しかも切欠き内で締付けられているか、くさびで締付け
    られているかまたはねじ結合されていることを特徴とす
    る、単結晶を引出すための装置。 3、環状の、扁平な第1の加熱体(10)が、るつぼ支
    持ピン(26)に平行に配置された、少なくとも2つの
    棒状の給電部材(9、9a)に固定されており、この給
    電部材(9、9a)が釜(4、4′)の底部プレート(
    3)に固定されていて、しかも絶縁体を介して外部へ案
    内されている、請求項1または2記載の装置。 4、第1の加熱体(10)の、給電部材(9、9a)と
    固定的に結合された加熱体脚部 (31、32)が2つのほぼ半円形の部分を介して結合
    されており、これらの部分が中央開口(35)を形成し
    ていて、しかもメアンデル状に曲げられた加熱コイル(
    33、34)によつて構成されている、請求項1から3
    まてのいずれか1項記載の装置。 5、円筒形に構成された第2の加熱体(13)の環状の
    、扁平な部分が複数の、全周にわたつて分配されて配置
    されたスリット(37、37′、37″)を有しており
    、これらのスリットが横断面真円の円筒形の側壁(39
    )の範囲内まで延びている、請求項3記載の装置。 6、ほぼ横断面真円の円筒形に構成された第2の加熱体
    (13)の側壁(39)が複数の、この側壁の全周にわ
    たつて分配されて配置されたスリット(36、36′、
    36″)を有しており、これらのスリットがこの加熱体
    の下縁(56)からこの加熱体の半径方向でみて内側へ
    延びた、環状の、扁平な部分(38)の範囲内まで延び
    ている、請求項5記載の装置。 7、第2の加熱体(13、59)の側壁(39)または
    環状の、扁平な部分(60)が下方へ延びる脚部(40
    、40aもしくは61、 62)を有しており、これらの脚部が、給電部材(11
    、11a)によつて保持された、半径方向でみて内側へ
    延びた締付け部材 (12、12a)に形成された切欠き(41、41a)
    内に係合しており、第2の加熱体 (13)の脚部(40、40a)がほぼ矩形の切欠き(
    41、41a)内でくさび(42、42a)によつて締
    付けられているか、またはここでねじ結合されているか
    またはリベット締めされている、請求項1から6までの
    いずれか1項記載の装置。 8、第2の加熱体(13、59)の環状の、扁平な部分
    (38、60)が開口もしくは切欠き(57a、57b
    もしくは65、66)を有しており、釡(4、4′)の
    外部に設けられた装入装置の供給管(23)の装入ホッ
    パ (24)が上記の開口もしくは切欠きに貫通係合してい
    る、請求項1から7まてのいずれか1項記載の装置。 9、るつぼ(14、28)および2つの加熱体(10も
    しくは13、59)がほぼ円筒形の保護管(15)によ
    つて少なくとも部分的に包囲されており、保護管が切欠
    き(43、 43′、43″)を有する下縁(57)でもつて溶融物
    捕集槽(7)上に支持されており、溶融物捕集槽がソケ
    ット部材または管(5)によつて釡の底部プレート(3
    )上に保持されており、るつぼ(14、28)の底面(
    54)の平面に平行な平面内で延びており、かつ中央開
    口(58)を有しており、この中央開口を通つて鉛直の
    るつぼ支持ピン(26)が案内されている、請求項1か
    ら8までのいずれか1項記載の装置。 10、溶融物捕集槽(7)、並びに保護管 (15)、およびるつぼ(14、28)の上方に配置さ
    れていて、しかも保護管(15)によつて支持された、
    カバー部材としてのカバープレート(17、17a)に
    絶縁材マット(8、16、18)が設けられている、請
    求項1から9までのいずれか1項記載の装置。 11、融液と反応しない材料から製作された、融液の通
    過のための開口または切欠き(30)を有する中空円筒
    形のリング(29)がるつぼ(14、28)内に同心的
    に挿入されている、請求項1から10までのいずれか1
    項記載の装置。 12、るつぼ(14)の内壁が融液と反応しない材料製
    のシェルまたは挿入体(28)を備えており、かつ装入
    ホッパ(24)が、一方てリング(29)の半径方向で
    みて外側の壁によつて、かつ他方でるつぼ縁(55)に
    よつて制限された、るつぼ(14、28)の範囲内に開
    口している、請求項1から11までのいずれか1項記載
    の装置。 13、第2の加熱体(13、59)の少なくともるつぼ
    (14、28)の上方に配置された、環状の扁平な部分
    (38、60)が、この加熱体の構成成分が融液内に落
    下しないように保証する耐摩耗性の、スケールを形成し
    ない材料で被覆されている、請求項1から12まてのい
    ずれか1項記載の装置。 14、第2の加熱体(59)の環状の、扁平な部分(6
    0)が複数の半径方向に延びたスリット(63、63′
    、63″もしくは64、64′、64″)を有しており
    、かつ扁平な部分(60)の縁から鉛直方向に下方へ延
    びた加熱体脚部(61、62)を備えている、請求項2
    記載の装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153589A (ja) * 1987-12-08 1989-06-15 Nkk Corp シリコン単結晶の製造装置
US10368694B2 (en) 2011-09-30 2019-08-06 Starbucks Corporation Apparatus, systems, and methods for grinding a material

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3774920B2 (ja) * 1995-12-27 2006-05-17 信越半導体株式会社 単結晶引上装置のヒータ機構
DE19830785A1 (de) * 1998-07-09 2000-01-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln
JP5131170B2 (ja) * 2008-12-05 2013-01-30 信越半導体株式会社 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3359077A (en) * 1964-05-25 1967-12-19 Globe Union Inc Method of growing a crystal
GB1095587A (ja) * 1965-09-24
US3511610A (en) * 1966-10-14 1970-05-12 Gen Motors Corp Silicon crystal growing
JPS6027683A (ja) * 1983-07-21 1985-02-12 Toshiba Corp 単結晶製造装置用発熱抵抗体
JPS60103097A (ja) * 1983-11-08 1985-06-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶引上装置
CA1261715A (en) * 1984-07-06 1989-09-26 General Signal Corporation Apparatus and process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique
JPS6153187A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Sony Corp 単結晶成長装置
IN161924B (ja) * 1984-10-29 1988-02-27 Westinghouse Electric Corp
DE3506754A1 (de) * 1985-02-26 1986-08-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Klemmverbindung in elektrisch beheizten vakuumanlagen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153589A (ja) * 1987-12-08 1989-06-15 Nkk Corp シリコン単結晶の製造装置
US10368694B2 (en) 2011-09-30 2019-08-06 Starbucks Corporation Apparatus, systems, and methods for grinding a material

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