JPH0194218A - 熱型流量検出装置 - Google Patents
熱型流量検出装置Info
- Publication number
- JPH0194218A JPH0194218A JP62251350A JP25135087A JPH0194218A JP H0194218 A JPH0194218 A JP H0194218A JP 62251350 A JP62251350 A JP 62251350A JP 25135087 A JP25135087 A JP 25135087A JP H0194218 A JPH0194218 A JP H0194218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- base material
- heating
- flow rate
- sensing electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P13/00—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
- G01P13/02—Indicating direction only, e.g. by weather vane
- G01P13/04—Indicating positive or negative direction of a linear movement or clockwise or anti-clockwise direction of a rotational movement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/6888—Thermoelectric elements, e.g. thermocouples, thermopiles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、液体あるいは気体の流量を熱起電力を利用
することにより検出する熱型流量検出装置の改良に関す
る。
することにより検出する熱型流量検出装置の改良に関す
る。
Ｃ従来の技術］
従来より公知の熱型流量検出装置は大別して２つの形式
に分けられる。第１の形式は、たとえば白金抵抗体より
なる検知部を加熱し、該検知部を流体中に配置し、流体
の冷却作用により生じる検知部の電気抵抗の変化を測定
することにより、流量を検出するものである。第２の形
式は、検知部と別個にヒータを配置し、該ヒータと検知
部との間に生じる流体による熱伝達により引き起こされ
る検知部の電気的特性の変化を測定することによリ、流
量を知るものである。この第２の形式において利用され
る電気的特性変化としては、抵抗値変化、あるいは起電
力変化あるいは焦電流変化等が用いられている。
に分けられる。第１の形式は、たとえば白金抵抗体より
なる検知部を加熱し、該検知部を流体中に配置し、流体
の冷却作用により生じる検知部の電気抵抗の変化を測定
することにより、流量を検出するものである。第２の形
式は、検知部と別個にヒータを配置し、該ヒータと検知
部との間に生じる流体による熱伝達により引き起こされ
る検知部の電気的特性の変化を測定することによリ、流
量を知るものである。この第２の形式において利用され
る電気的特性変化としては、抵抗値変化、あるいは起電
力変化あるいは焦電流変化等が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
第］の形式、すなわち自己加熱タイプでは、白金抵抗体
よりなる検知部自体が加熱される。したがって、素子寿
命が短い。また、感度を向上させるためには、検知部す
なわち発熱する部分を小さくすることが求められるが、
その場合には機械的強度が低下する。したがって機械的
な衝撃が加わりやすい環境や、流体が高速で流れるよう
な環境のもとでは用いることができない。さらに、白金
等の貴金属を用いるためコストか高くつくという問題も
あった。
よりなる検知部自体が加熱される。したがって、素子寿
命が短い。また、感度を向上させるためには、検知部す
なわち発熱する部分を小さくすることが求められるが、
その場合には機械的強度が低下する。したがって機械的
な衝撃が加わりやすい環境や、流体が高速で流れるよう
な環境のもとでは用いることができない。さらに、白金
等の貴金属を用いるためコストか高くつくという問題も
あった。
他方、第２の形式の熱槽流量検出装置では、ヒータとし
て抵抗加熱体を用いることが多く、検知部としてはサー
ミスタや金属抵抗体を用いるもの、あるいは熱電対を用
いるものなどがある。しかしながら、感度の改善や応答
速度を上げるために検知部を小形化することが難しい。
て抵抗加熱体を用いることが多く、検知部としてはサー
ミスタや金属抵抗体を用いるもの、あるいは熱電対を用
いるものなどがある。しかしながら、感度の改善や応答
速度を上げるために検知部を小形化することが難しい。
すなわち、抵抗体を用いたものでは薄膜化等により小形
化・薄形化を図り得るが、サーミスタや金属抵抗体を用
いたものについては、小形化によって製造工程が増加し
たり、抵抗値を高めた場合には素子および信号処理回路
の構成が複雑となりコストが高くつくおそれがある。
化・薄形化を図り得るが、サーミスタや金属抵抗体を用
いたものについては、小形化によって製造工程が増加し
たり、抵抗値を高めた場合には素子および信号処理回路
の構成が複雑となりコストが高くつくおそれがある。
また、検知部として熱電対を用いた形式のものでは、金
属熱電対の起電力は小さく、したがって検出感度をさほ
ど高めることはできない。
属熱電対の起電力は小さく、したがって検出感度をさほ
ど高めることはできない。
よって、この発明の目的は、小形かつ高感度の熱槽流量
検出装置を提供することにある。
検出装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明の熱槽流量検出装置は、セラミックス半導体よ
りなる基材とこの基材上において距離を隔てて形成され
た少なくとも１対の検知電極とを有し、それによって少
なくとも１つの熱雷素子が構成されている熱電検知素子
、ならびに基材の対をなす検知電極間部分を部分的に加
熱する加熱手段を備える。
りなる基材とこの基材上において距離を隔てて形成され
た少なくとも１対の検知電極とを有し、それによって少
なくとも１つの熱雷素子が構成されている熱電検知素子
、ならびに基材の対をなす検知電極間部分を部分的に加
熱する加熱手段を備える。
加熱手段は、上記基材を自己加熱するために、基材上に
形成された対をなす電極間部分において、基材を挾んで
対向するように形成された加熱用電極を用いて構成して
もよく、あるいは基材に固定された発熱抵抗体により構
成してもよい。
形成された対をなす電極間部分において、基材を挾んで
対向するように形成された加熱用電極を用いて構成して
もよく、あるいは基材に固定された発熱抵抗体により構
成してもよい。
［作用］
セラミックス半導体よりなる基材上に距離を隔てて少な
くとも１対の検知電極が形成されて少なくとも１つの熱
電素子が構成されている。そして、この対をなす検知電
極間が加熱手段により部分的に加熱されるため、流体が
流れていない場合と流れている場合とでは、セラミック
ス半導体を介して両検知電極に伝えられる加熱手段から
の熱量が異なる。したかって、両検知電極が対向してい
る方向に流体を流した場合、両検知電極の温度に差が生
じるため、該温度差を利用して流速を検出することがで
きる。セラミックス半導体よりなる基材上に少なくとも
１対の検知電極を構成し、加熱手段を設けただけで構成
されるため、小形化が容易であり、したがって感度およ
び応答速度を容易に改善することができる。
くとも１対の検知電極が形成されて少なくとも１つの熱
電素子が構成されている。そして、この対をなす検知電
極間が加熱手段により部分的に加熱されるため、流体が
流れていない場合と流れている場合とでは、セラミック
ス半導体を介して両検知電極に伝えられる加熱手段から
の熱量が異なる。したかって、両検知電極が対向してい
る方向に流体を流した場合、両検知電極の温度に差が生
じるため、該温度差を利用して流速を検出することがで
きる。セラミックス半導体よりなる基材上に少なくとも
１対の検知電極を構成し、加熱手段を設けただけで構成
されるため、小形化が容易であり、したがって感度およ
び応答速度を容易に改善することができる。
［実施例の説明コ
第１図は、この発明の一実施例の熱槽流量検出装置を示
す斜視図である。たとえば半導体化されたチタン酸バリ
ウムを用いて構成されたセラミックス半導体よりなる基
材１の一方主面において、所定距離を隔てて検知電極２
，３が形成されている。ここでは、後述する加熱用電極
４との間の距離を長くすることによって感度を向上させ
るために、両検知電極２，３は基材１の主面上において
長手方向両端部近傍に配置されている。また、検知電極
２，３間の中心部において基材１の両面に加熱用の電極
４が基材１を挾んで対向するように形成されている。加
熱用電極４は、基材］を自己加熱するために設けられて
いるものである。
す斜視図である。たとえば半導体化されたチタン酸バリ
ウムを用いて構成されたセラミックス半導体よりなる基
材１の一方主面において、所定距離を隔てて検知電極２
，３が形成されている。ここでは、後述する加熱用電極
４との間の距離を長くすることによって感度を向上させ
るために、両検知電極２，３は基材１の主面上において
長手方向両端部近傍に配置されている。また、検知電極
２，３間の中心部において基材１の両面に加熱用の電極
４が基材１を挾んで対向するように形成されている。加
熱用電極４は、基材］を自己加熱するために設けられて
いるものである。
上記した検知電極２，３および加熱用電極４は、半導体
セラミックスよりなる基材１とオーミックな接触を形成
する材料で構成することが好ましく、たとえばＮｊを蒸
着することにより形成することができる。好ましくは、
Ｎｉ層の上に、さらに補強用にＡｇを蒸着することによ
り、電極強度を高めることができる。
セラミックスよりなる基材１とオーミックな接触を形成
する材料で構成することが好ましく、たとえばＮｊを蒸
着することにより形成することができる。好ましくは、
Ｎｉ層の上に、さらに補強用にＡｇを蒸着することによ
り、電極強度を高めることができる。
セラミックス半導体よりなる基材１は正特性ザーミスタ
としての特性をも示すものであり、したがって中心部に
形成された加熱用電極４に通電した場合、該加熱用電極
４の形成されている部分の温度は一定温度で安定する。
としての特性をも示すものであり、したがって中心部に
形成された加熱用電極４に通電した場合、該加熱用電極
４の形成されている部分の温度は一定温度で安定する。
たとえば、上記したチタン酸バリウムからなり、２Ｘ１
０ＸＯ，５ｍｍの大きさの基材１において、２×１ｍ１
１の加熱用電極４を形成した場合、該加熱用電極４が形
成されている部分の温度は約１２０°Ｃで安定する。
０ＸＯ，５ｍｍの大きさの基材１において、２×１ｍ１
１の加熱用電極４を形成した場合、該加熱用電極４が形
成されている部分の温度は約１２０°Ｃで安定する。
次に、第１図実施例の動作を説明する。流体が流れてい
ない状態における流量検出装置内の温度分布を第２図（
ａ）に示す。流体が流れていないので、検知電極２，３
への熱伝達は同等となり、したがって加熱用電極４を中
心として対称な温度勾配が基材１Ｆノ旧こ生じる。この
場合検知電極２゜３間には温度差が生じない。したがっ
て、熱起電力出力は生じない。
ない状態における流量検出装置内の温度分布を第２図（
ａ）に示す。流体が流れていないので、検知電極２，３
への熱伝達は同等となり、したがって加熱用電極４を中
心として対称な温度勾配が基材１Ｆノ旧こ生じる。この
場合検知電極２゜３間には温度差が生じない。したがっ
て、熱起電力出力は生じない。
他方、流体が両検知電極２，３と交差する方向に流れて
いる場合には、第２図（ｂ）示すように、流体による熱
伝達が影響し、温度勾配は加熱用電極４の上流側と下流
側とで異なることになる。したがって、検知電極２．３
間には温度差が生じ、該温度差により熱起電力が生じる
。この両検知電極２，３間の温度差により生じる熱起電
力に基づいて、流体の流速を検出することができる。す
なわち、第３図に示すように、両検知電極２．３間の温
度差に基づく熱起電力出力は、流速と相関しており、特
に低流速域では、はぼ線形な出力特性を示すことがわか
る。なお、第３図は、流体として２５℃の温度の空気を
用いた場合の特性である。
いる場合には、第２図（ｂ）示すように、流体による熱
伝達が影響し、温度勾配は加熱用電極４の上流側と下流
側とで異なることになる。したがって、検知電極２．３
間には温度差が生じ、該温度差により熱起電力が生じる
。この両検知電極２，３間の温度差により生じる熱起電
力に基づいて、流体の流速を検出することができる。す
なわち、第３図に示すように、両検知電極２．３間の温
度差に基づく熱起電力出力は、流速と相関しており、特
に低流速域では、はぼ線形な出力特性を示すことがわか
る。なお、第３図は、流体として２５℃の温度の空気を
用いた場合の特性である。
ところで、第１図実施例では単一の基材１上に検知電極
２，３および加熱用電極４を形成したため、検知電極２
．３が正確に等価な位置に形成されていない場合や、基
材］の均質性が十分でない場合には、両検知電極２，３
間にオフセット電圧が発生する。これは、熱的および電
気的なバランスが、両検知電極２．３間において同一で
ないために生じるためである。すなわち、第１図実施例
の等価回路を示す第４図において、抵抗Ｒ１〜Ｒ８は、
基材］上の各電極の位置により決まり、起電力ｅ １
＋ ８２は両検知電極間の熱的なバランスで決定される
ものである。
２，３および加熱用電極４を形成したため、検知電極２
．３が正確に等価な位置に形成されていない場合や、基
材］の均質性が十分でない場合には、両検知電極２，３
間にオフセット電圧が発生する。これは、熱的および電
気的なバランスが、両検知電極２．３間において同一で
ないために生じるためである。すなわち、第１図実施例
の等価回路を示す第４図において、抵抗Ｒ１〜Ｒ８は、
基材］上の各電極の位置により決まり、起電力ｅ １
＋ ８２は両検知電極間の熱的なバランスで決定される
ものである。
したがって、上述した両検知電極間のオフセット電圧を
軽減するためには、両検知電極２．３間の熱的及び電気
的なバランスを調整する必要がある。第５図は、このよ
うなオフセット電圧を軽減する手段が講じられた実施例
を示す。ここでは、検知電極２．３と基準電圧との間に
抵抗部月１１゜］２が接続されており、第３図において
二点鎖線で示す位置に抵抗Ｒ９，ＲＩＯが挿入されてい
る。
軽減するためには、両検知電極２．３間の熱的及び電気
的なバランスを調整する必要がある。第５図は、このよ
うなオフセット電圧を軽減する手段が講じられた実施例
を示す。ここでは、検知電極２．３と基準電圧との間に
抵抗部月１１゜］２が接続されており、第３図において
二点鎖線で示す位置に抵抗Ｒ９，ＲＩＯが挿入されてい
る。
抵抗部材１１．．１．２の抵抗値を調整することにより
、両検知電極２，３の出力を基準電圧に対して等しくす
ることができる。好ましくは、抵抗部材１１．１２とし
て可変抵抗素子を用いれば、両検知電極２．３間のバラ
ンスを容易にとることができる。
、両検知電極２，３の出力を基準電圧に対して等しくす
ることができる。好ましくは、抵抗部材１１．１２とし
て可変抵抗素子を用いれば、両検知電極２．３間のバラ
ンスを容易にとることができる。
上述した実施例では、単一のセラミックス半導体よりな
る基材を用いて熱電検知素子を構成したが、熱雷素子の
構成されたセラミックス半導体層を積層した積層型のも
のを用い、各熱電素子を直列に接続すれば、より大きな
熱起電力出力を得ることができる。したがって、より高
感度の熱型流量検出装置を得ることができる。この場合
、半導体セラミックスよりなるシート間に絶縁層を介在
させて積層した形式のものでは、上述したような加熱用
電極４を形成することができない。よって、第６図に示
すように、積層型のセラミック半導体よりなる基材３１
の一方主面に、絶縁層３２を介してたとえば厚膜抵抗体
よりなるヒータ３３を形成すればよい。
る基材を用いて熱電検知素子を構成したが、熱雷素子の
構成されたセラミックス半導体層を積層した積層型のも
のを用い、各熱電素子を直列に接続すれば、より大きな
熱起電力出力を得ることができる。したがって、より高
感度の熱型流量検出装置を得ることができる。この場合
、半導体セラミックスよりなるシート間に絶縁層を介在
させて積層した形式のものでは、上述したような加熱用
電極４を形成することができない。よって、第６図に示
すように、積層型のセラミック半導体よりなる基材３１
の一方主面に、絶縁層３２を介してたとえば厚膜抵抗体
よりなるヒータ３３を形成すればよい。
なお、上述した両検知電極間のオフセラ！・電圧を軽減
するには、加熱用電極４あるいはヒータ３３等に印加す
る電圧を直流電圧に代えてパルス電圧とすることによっ
ても可能である。
するには、加熱用電極４あるいはヒータ３３等に印加す
る電圧を直流電圧に代えてパルス電圧とすることによっ
ても可能である。
第１図実施例では、単一の基板上に１対の検知電極２，
３が形成されており、それによって１つの熱電素子か構
成されていたか、複数対の検知電極を形成して複数の熱
電素子を構成してもよい。
３が形成されており、それによって１つの熱電素子か構
成されていたか、複数対の検知電極を形成して複数の熱
電素子を構成してもよい。
−１０＝
その場合には複数の熱雷素子を直列に接続することによ
り、より大きな熱起電力出力を得ることができる。した
がって、より一層高感度の熱雷流量検出装置を得ること
ができる。
り、より大きな熱起電力出力を得ることができる。した
がって、より一層高感度の熱雷流量検出装置を得ること
ができる。
さらに、セラミックス半導体よりなる基Ｈの形状につい
ても、図示例のような平板型とする必要は必ずしもなく
、筒状体等の任意の形状にすることかできる。
ても、図示例のような平板型とする必要は必ずしもなく
、筒状体等の任意の形状にすることかできる。
また、両検知電極は、加熱部分に対して熱的に等価な位
置に形成される必要は必ずしもない。すなわち、流体が
流れない状態において、両検知電極の温度に差があって
もよい。その場合であっても、流体が両検知電極の対向
する方向と交差する方向に流れた場合には、初期状態と
異なる温度勾配が基材に生じるため、両検知電極間の温
度差は流体の流速に従って変化するからである。
置に形成される必要は必ずしもない。すなわち、流体が
流れない状態において、両検知電極の温度に差があって
もよい。その場合であっても、流体が両検知電極の対向
する方向と交差する方向に流れた場合には、初期状態と
異なる温度勾配が基材に生じるため、両検知電極間の温
度差は流体の流速に従って変化するからである。
［発明の効果コ
セラミックス半導体よりなる基材を用いた熱雷検知素子
において、対をなす検知電極間に部分的に加熱手段を設
けるだけで熱雷の流量検出装置を構成することができる
ので、従来の熱雷流量検出装置に比べて小形化が容易で
あり、したがってより高感度の熱雷流量検出装置を得る
ことができる。
において、対をなす検知電極間に部分的に加熱手段を設
けるだけで熱雷の流量検出装置を構成することができる
ので、従来の熱雷流量検出装置に比べて小形化が容易で
あり、したがってより高感度の熱雷流量検出装置を得る
ことができる。
しかも、白金抵抗体を用いたもののように、コストが高
くつくこともない。
くつくこともない。
さらに、複数対の検知電極を構成し相互に直列に接続す
れば、より高感度の熱雷流量検出装置を得ることも容易
である。
れば、より高感度の熱雷流量検出装置を得ることも容易
である。
第１図は、この発明の一実施例の斜視図、第２図は第１
図実施例において流体が流れていない場合および流体が
流れている場合の温度勾配を示す図、第３図は第１図実
施例の熱起電力出力−流速の関係を示す図、第４図は第
１図実施例の等価回路を示す図、第５図はこの発明の第
２の実施例を示す斜視図、第６図はこの発明の第３の実
施例を示す斜視図である。 図において、１はセラミックス半導体よりなる基材、２
．３は検知電極、４は加熱手段としての加熱用電極を示
す。 −Ｃ’、１
図実施例において流体が流れていない場合および流体が
流れている場合の温度勾配を示す図、第３図は第１図実
施例の熱起電力出力−流速の関係を示す図、第４図は第
１図実施例の等価回路を示す図、第５図はこの発明の第
２の実施例を示す斜視図、第６図はこの発明の第３の実
施例を示す斜視図である。 図において、１はセラミックス半導体よりなる基材、２
．３は検知電極、４は加熱手段としての加熱用電極を示
す。 −Ｃ’、１
Claims (4)
- （１）セラミックス半導体よりなる基材および前記基材
上において距離を隔てて形成された少なくとも１対の検
知電極を有し、それによって少なくとも１つの熱電素子
が構成されている熱電検知素子と、 前記基材の対をなす検知電極間を部分的に加熱する加熱
手段とを備える熱型流量検出装置。 - （２）前記加熱手段は、基材の対をなす電極間部分にお
いて基材を挾んで対向するように形成された前記基材を
自己加熱するための加熱用電極を有する、特許請求の範
囲第１項記載の熱型流量検出装置。 - （３）前記加熱手段は、前記基材に絶縁部材を経て固定
された発熱抵抗体である、特許請求の範囲第１項記載の
熱型流量検出装置。 - （４）少なくとも１つの前記検知電極に、検知電極間の
電気的平衡をとるために、抵抗部材が接続されており、
該抵抗部材の他端は基準電圧に接続されており、１対の
検知電極との間で出力が取出される、特許請求の範囲第
１項〜第３項のいずれかに記載の熱型流量検出装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251350A JPH0663799B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 熱型流量検出装置 |
| DE3833929A DE3833929A1 (de) | 1987-10-05 | 1988-10-05 | Thermisches durchfluss-messelement |
| GB8823415A GB2210696B (en) | 1987-10-05 | 1988-10-05 | Thermal type flow detecting apparatus |
| US07/545,095 US5038609A (en) | 1987-10-05 | 1990-06-27 | Thermal type flow detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251350A JPH0663799B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 熱型流量検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194218A true JPH0194218A (ja) | 1989-04-12 |
| JPH0663799B2 JPH0663799B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17221519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251350A Expired - Lifetime JPH0663799B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 熱型流量検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038609A (ja) |
| JP (1) | JPH0663799B2 (ja) |
| DE (1) | DE3833929A1 (ja) |
| GB (1) | GB2210696B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2314161A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-17 | Freeze Master Ltd | Detecting liquid flow in a pipe subjected to freeze blocking or heating |
| US6435005B1 (en) | 2000-12-19 | 2002-08-20 | Delphi Technologies, Inc. | Heater patterns for planar gas sensors |
| US6365880B1 (en) | 2000-12-19 | 2002-04-02 | Delphi Technologies, Inc. | Heater patterns for planar gas sensors |
| ES2214122B1 (es) * | 2002-12-20 | 2005-11-01 | Universidad De Jaen | Sensor de microflujo bidireccional. |
| JP4519423B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-08-04 | 創世理工株式会社 | 半導体を用いた光デバイス |
| JP4603370B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2010-12-22 | 創世理工株式会社 | 基板上に作製された半導体光デバイスおよびその作製方法 |
| JP5089020B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2012-12-05 | 創世理工株式会社 | 基板上に作製された半導体電子デバイス |
| DE102006049667A1 (de) * | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Elektrische Heizeinrichtung für Heißkanalsysteme |
| DE102012209225A1 (de) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Ifm Electronic Gmbh | Thermischer Strömungssensor |
| US10508943B2 (en) * | 2014-03-31 | 2019-12-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Thermal mass flow rate measurement method, thermal mass flow meter using said method, and thermal mass flow controller using said thermal mass flow meter |
| CN105675917B (zh) * | 2016-01-19 | 2018-11-16 | 东南大学 | 一种热式风速传感器及其封装方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118161A (en) * | 1980-08-29 | 1982-07-22 | Univ Pennsylvania | Pyro electric air blow meter |
| JPS6013220A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | Esutetsuku:Kk | ガス流量センサ−及びその製造方法 |
| JPS60183825U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-12-06 | トヨタ自動車株式会社 | 感熱抵抗型流量検出装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI52500C (fi) * | 1973-05-17 | 1977-09-12 | Outokumpu Oy | Ilman tai kaasun virtaussuunnan anturi kaivos- tai vastaavia olosuhtei ta varten |
| US4306453A (en) * | 1979-01-04 | 1981-12-22 | Wolfshoerndl Egon | Apparatuses for measuring the flow rate of a flowing medium |
| NL177629C (nl) * | 1979-07-09 | 1985-10-16 | Brooks Instr Bv | Richtingsgevoelige stroomsnelheidsmeter. |
| US4637253A (en) * | 1984-05-22 | 1987-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor flow detector for detecting the flow rate and flowing direction of fluid |
| US4576050A (en) * | 1984-08-29 | 1986-03-18 | General Motors Corporation | Thermal diffusion fluid flow sensor |
| US4561303A (en) * | 1984-12-06 | 1985-12-31 | Ford Motor Company | Mass airflow sensor with backflow detection |
| NL8702229A (nl) * | 1987-09-18 | 1989-04-17 | Bronkhorst High Tech Bv | Richtingsgevoelige stroomsnelheidsmeter. |
| JPS6478116A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Univ Kyushu | Measuring instrument for water flow rate in plant stem |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62251350A patent/JPH0663799B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-10-05 DE DE3833929A patent/DE3833929A1/de active Granted
- 1988-10-05 GB GB8823415A patent/GB2210696B/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-27 US US07/545,095 patent/US5038609A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118161A (en) * | 1980-08-29 | 1982-07-22 | Univ Pennsylvania | Pyro electric air blow meter |
| JPS6013220A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-23 | Esutetsuku:Kk | ガス流量センサ−及びその製造方法 |
| JPS60183825U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-12-06 | トヨタ自動車株式会社 | 感熱抵抗型流量検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8823415D0 (en) | 1988-11-09 |
| DE3833929C2 (ja) | 1992-09-03 |
| GB2210696B (en) | 1991-10-16 |
| JPH0663799B2 (ja) | 1994-08-22 |
| US5038609A (en) | 1991-08-13 |
| DE3833929A1 (de) | 1989-04-20 |
| GB2210696A (en) | 1989-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63243885A (ja) | 流速検知装置 | |
| JPH0194218A (ja) | 熱型流量検出装置 | |
| JP2011047868A (ja) | 熱式湿度センサ | |
| US5033299A (en) | Flow sensor | |
| JPH10213470A (ja) | 薄膜式抵抗体及びその製造方法、流量センサ、湿度センサ、ガスセンサ、温度センサ | |
| US11898980B2 (en) | Gas sensor | |
| JPH10214675A (ja) | セラミックヒータ | |
| Herin et al. | Measurements on the thermoelectric properties of thin layers of two metals in electrical contact. Application for designing new heat-flow sensors | |
| US20200049647A1 (en) | Sensor Device and Electronic Assembly | |
| JPH02259527A (ja) | 流体の流量検出センサー | |
| JP2000304584A (ja) | マイクロフローセンサ | |
| JPS63122963A (ja) | 流動方向測定装置 | |
| JP2529895B2 (ja) | フロ―センサ | |
| JPH01204383A (ja) | 複合熱素子 | |
| JP3345695B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JPS6113121A (ja) | 熱流センサ | |
| JPH0666643A (ja) | 温度検出器付き基板 | |
| JP2019138780A (ja) | 熱型フローセンサ | |
| JPS645260B2 (ja) | ||
| JPH11344369A (ja) | 流量検出素子及び流量センサ | |
| KR101020177B1 (ko) | 후막 인쇄 저항을 이용한 온도 센서 | |
| JPH11118567A (ja) | フローセンサ | |
| JPH08219836A (ja) | マスフローセンサ | |
| JPH0333215B2 (ja) | ||
| JPS61112935A (ja) | 熱流センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 14 |