JPH0193485A - 高温超電導体のアニール法 - Google Patents
高温超電導体のアニール法Info
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- JPH0193485A JPH0193485A JP62250969A JP25096987A JPH0193485A JP H0193485 A JPH0193485 A JP H0193485A JP 62250969 A JP62250969 A JP 62250969A JP 25096987 A JP25096987 A JP 25096987A JP H0193485 A JPH0193485 A JP H0193485A
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- annealing
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明セラミック系高温超電導体の酸素アニール法に関
する。
する。
従来、ＹＢａＣｕＯに代表されるセラミック系高温超電
導体は、９０°に程度で超電導現象が現われる事は良く
知られて居る。又、ＹをＳｃ又はＡρに、ＢａをＣａ等
に一部又は全部を変換すると、超電導現象はより高温側
に移るとも云われている。更に、これらセラミック系超
電導材を９０００Ｃ以上で酸素アニールすると、超電導
現象は低温側に移ることも知られている。
導体は、９０°に程度で超電導現象が現われる事は良く
知られて居る。又、ＹをＳｃ又はＡρに、ＢａをＣａ等
に一部又は全部を変換すると、超電導現象はより高温側
に移るとも云われている。更に、これらセラミック系超
電導材を９０００Ｃ以上で酸素アニールすると、超電導
現象は低温側に移ることも知られている。
しかし、上記従来技術によると、いずれのセラミック超
電導材に於ても９００°Ｃ以下の酸素アニールにより超
電導開始温度が上昇する事は判ってはいるが、６００°
Ｃ以下での効果的なアニール処理は酸素雰囲気中に晒し
ては行えないと云う問題点があった。
電導材に於ても９００°Ｃ以下の酸素アニールにより超
電導開始温度が上昇する事は判ってはいるが、６００°
Ｃ以下での効果的なアニール処理は酸素雰囲気中に晒し
ては行えないと云う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、ｅｏｏ＠
ｃ以下、４００°Ｃ程度でも効果的なセラミック系超電
導材のアニール法を提供する事を目的とする。
ｃ以下、４００°Ｃ程度でも効果的なセラミック系超電
導材のアニール法を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために本発明は、セラミック系高
温超電導体をオゾンを含育せる雰囲気中に晒して、アニ
ールする手段をとる事を基本とする。
温超電導体をオゾンを含育せる雰囲気中に晒して、アニ
ールする手段をとる事を基本とする。
ＹＢａＣｕＯセラミック高温超電導体材の超電導現象を
発生させる原因は、含有される酸素ラジカルであり該酸
素ラジカルの電子とペロブスカイト結晶構造における、
格子振動との相互作用である。トリわけ、ペロブスカイ
ト構造における酸素空孔位は、結合酸素が抜けている事
を示しているが、空孔位に存在する酸素ラジカルを否定
しているものではなく、該インターステイシャルなラジ
カル酸素の電子スピン方向が零であり、結合原子の電子
スピン方向に対しては反対方向に相対的に成る事は、超
電導現象におけるクーパー ９ベアと呼ばれる対電子の
形成とぶ（かかわっている。この様にセラミック系の高
温超電！ｌｉ現象に深くかかわっている酸素ラジカルを
規定する酸素アニール処理を、通常の酸素ガス雰囲気に
晒す場合に比べて、オゾン雰囲気に晒すことにより、酸
素アニール温度を、より低温にすることができる作用が
ある。
発生させる原因は、含有される酸素ラジカルであり該酸
素ラジカルの電子とペロブスカイト結晶構造における、
格子振動との相互作用である。トリわけ、ペロブスカイ
ト構造における酸素空孔位は、結合酸素が抜けている事
を示しているが、空孔位に存在する酸素ラジカルを否定
しているものではなく、該インターステイシャルなラジ
カル酸素の電子スピン方向が零であり、結合原子の電子
スピン方向に対しては反対方向に相対的に成る事は、超
電導現象におけるクーパー ９ベアと呼ばれる対電子の
形成とぶ（かかわっている。この様にセラミック系の高
温超電！ｌｉ現象に深くかかわっている酸素ラジカルを
規定する酸素アニール処理を、通常の酸素ガス雰囲気に
晒す場合に比べて、オゾン雰囲気に晒すことにより、酸
素アニール温度を、より低温にすることができる作用が
ある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、Ｙ Ｂ ａ Ｃｕ Ｏセラミック高温超電導体を
石英管内に入れ、赤外線ヒーターで、４００°Ｃ程度に
加熱すると共に、該石英管内にオゾン（Ｏ５）ガスを４
人する事によりオゾン−アニールする事ができる。
石英管内に入れ、赤外線ヒーターで、４００°Ｃ程度に
加熱すると共に、該石英管内にオゾン（Ｏ５）ガスを４
人する事によりオゾン−アニールする事ができる。
更に、前記石英管の表面から紫外線を照射しながら酸素
ガスを導入する事により、酸素ガスをオゾン化し、とり
わけ、高温超電導体の表面にてオゾン化が行なわれ、効
果的なオゾン・アニールを施すことができる。
ガスを導入する事により、酸素ガスをオゾン化し、とり
わけ、高温超電導体の表面にてオゾン化が行なわれ、効
果的なオゾン・アニールを施すことができる。
尚、本発明の主旨は、活性な酸素原子によるアニール処
理を行なうことであり、その他、過酸化水素ガスあるい
は発生期の酸素ガスによるアニールも包含されることと
なる。
理を行なうことであり、その他、過酸化水素ガスあるい
は発生期の酸素ガスによるアニールも包含されることと
なる。
更に加圧オゾン・アニールにも適用できることは云うま
でもない。
でもない。
本発明による、オゾン−アニール法によりセラミック系
高温超電４体の超電導開始温度（ｌｌｉＩＸ界温ｌｆ）
を安定に高く保つことができる効果がある。
高温超電４体の超電導開始温度（ｌｌｉＩＸ界温ｌｆ）
を安定に高く保つことができる効果がある。
Claims (1)
- セラミック系高温超電導体をオゾンを含有せる雰囲気
中に晒し、アニールする事を特徴とする高温超電導体の
アニール法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250969A JPH0193485A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高温超電導体のアニール法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250969A JPH0193485A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高温超電導体のアニール法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193485A true JPH0193485A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17215717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250969A Pending JPH0193485A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高温超電導体のアニール法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046130A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Lihit Lab Inc | 綴具 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62250969A patent/JPH0193485A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046130A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Lihit Lab Inc | 綴具 |
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