JPH0192702A - 非偏光ビームスプリッター - Google Patents

非偏光ビームスプリッター

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Publication number
JPH0192702A
JPH0192702A JP24958287A JP24958287A JPH0192702A JP H0192702 A JPH0192702 A JP H0192702A JP 24958287 A JP24958287 A JP 24958287A JP 24958287 A JP24958287 A JP 24958287A JP H0192702 A JPH0192702 A JP H0192702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refractive index
beam splitter
dielectric layer
layer
polarizing beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP24958287A
Other languages
English (en)
Inventor
Shiro Sasaki
佐々木 志郎
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Pentax Corp
Original Assignee
Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd filed Critical Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Priority to JP24958287A priority Critical patent/JPH0192702A/ja
Publication of JPH0192702A publication Critical patent/JPH0192702A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/142Coating structures, e.g. thin films multilayers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産1L辷Ω市」L汰I− この発明は、P成分とS成分とのそれぞれの反射率と透
過率を路間−に維持しつつ、入射光の光量を分割する非
偏光ビームスプリッタ−に関するものである。
従速!す創I 従来の非偏光ビームスプリッタ−としては、例えば米国
特許第35590! 0号、特開昭56−27106号
公報、特開昭57−130001号公報、特開昭60−
28603号公報、特開昭60−64304号公報、特
開昭60−113203号公報、特開昭61−1170
1号公報等に示されるようなものがある。
これらの文献に開示された非偏光ビームスプリッタ−で
は、金属層の両側に誘電体層を設けており、3〜9暦の
多層構成となっている。
なお、金属層にAgを使用する場合には、Agは加熱コ
ートに適さないばかりかコート後の加熱も望ましくない
ため、少なくとも金属層の片側の誘電体層は室温程度の
低温状態でコートしなければならない。
日が解゛ しよ゛とする。 Q しかしながら、誘電体層を低温コートする場合には蒸着
スピードによる屈折率の管理が困難であり、従って低温
コートを要する層が多くなるほど光学的な性質にバラツ
キが生じ、しかも膜が低密度であることから貼り合わせ
後には経時変化が起きるため、製品の安定性を保証でき
ないという問題点がある。
また、入射媒質が空気であるプレート型の非偏光ビーム
スプリッタ−においては、入射側の第1層目にMgF、
を低温コートしたものがあるが、この場合には外部と接
触する第1層としては機械的な強度が弱く傷つき易いと
いう問題がある。
更に、基板にAg層を1層のみコートする構成のビーム
スプリッタ−も考えられるが、これは後述するようにP
、S各偶光成分に対する反射率。
透過率の差異が大きく、非偏光性が悪い。
X肌五且攻 この発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであ
り、金属層にAgを使用した場合にも製品の光学的性質
の安定性を保証することができ、しかも、従来品より製
造容易、かつ安価な非偏光ビームスプリッタ−を提供す
ることを目的とする。
肌延胤(員抜工ゑ人及L」1− この発明に係る非偏光ビームスプリッタ−は。
入射側より、屈折率n。の透明な入射媒質と屈折率n4
の誘電体層1層と半透明の金属層1層と屈折率noの透
明な基材の入射側と−を順に配し、各屈折率の関係をn
o≦n s < n +とすることにより上記目的の達
成を図ったものである。
災胤五 以下、この発明を図面に基づいて説明する。
(第1実施例) 第1図はこの発明の第1実施例を示したものであり、こ
こではキューブ型の非偏光ビームスプリッタ−が示され
ている。
図中の符号1は屈折率n0の入射媒質としての直角二等
辺三角形プリズムであり、このプリズム1の斜面には屈
折率noの誘電体層2と金属層3とが順にコートされて
おり、これらの2層膜を挟んで屈折率noの直角二等辺
三角形プリズム4が貼り合わされている。
なお、各屈折率の関係はn。=n m < n +とな
るように設定される0例えば金属[3としてAgを用い
る場合、誘電体層の屈折率nfがプリズムの屈折率より
高くなるに従い非偏光性の効果が増大し、計算ではno
=3付近で中央波長に対して完全非偏光性が得られる。
現実にはこれ程高い屈折率の膜材料はなく、現存する材
料の中からできるだけ高い屈折率の材料を選ぶことにな
る。
以下に具体的な数値例を挙げて説明する。
次ページの第1表は、プリズム1側から入射する光束に
対して平均反射率90%、平均透過率10%の特性を持
つ非偏光ビームスプリッタ−の膜構成を示したものであ
る。
第1表 この構成による分光特性は第2図に破線で示されている
。なお、図中のRSl、 RplはそれぞれS偏光成分
、P偏光成分に対する反射率を示したものであり、Rm
、はこれらの平均値を示す。また、Ts工、 T fi
l、 、 T Ptは同様に透過率を示したものである
次に、第2表はプ1!、ズム1側から入射する光束に対
して平均反射率50%、平均透過率50%の特性を持つ
非偏光ビームスプリッタ−の膜構成である。
この構成による分光特性は第2図に実線で示されている
。なお、図中のR82,R11z、RP2はそれぞれ上
記の例と同様に反射率を示したものであり、T sz 
、 T mz p T pzは透過率を示したものであ
る。
第2表 第3図は、両プリズムの間に誘電体層を設けずにAg層
のみを設けた場合の分光特性を参考として示したもので
ある。実線は平均反射率90%、平均透過率10%の特
性を持たせようとしたものであり1図中のRs、 、 
Rm3. Rp、は反射率、Ts、、Tm3゜TP3は
透過率を示している。破線で示したのは平均反射率50
%、平均透過率50%の特性を持たせようとしたもので
あり、図中のRs4.Rm4.Rp4は反射率、 T 
84 t T 114 t T P4は透過率を示して
いる。
第2図と第3図とを比較すれば、本発明のビームスプリ
ッタ−の方が各偏光成分に対する反射・透過率の差異が
少ない、すなわち非偏光性が高いことは明白である。
なお、本実施例で示したようなキューブ型の非偏光ビー
ムスプリッタ−を製造する場合には、まずプリズム1を
真空槽に配してその斜面にTie。
を加熱コートし、その後大気を導入し、あるいは真空槽
内に放置して冷却し、室温程度の低温状態でAgをコー
トする。最後に他方のプリズム4を接若する。
このような工程をとれば、誘電体層のコーティングを高
温で行うことができるため、屈折率の管理をより確実に
行うことができ、また膜が高密度であることから貼り合
わせ後の経時変化も起き難い。しかも、Ag層に対して
は熱による悪影響を与えずに製造することができる。
上記のTie、のコートに際しては、Ti、O,をスタ
ート材料として加熱コートすることにより、波長510
r++++の光に対する屈折率を2.46という高い値
とし、かつ透明度も高いものとすることができる。
(第2実施例) 第4図はこの発明の第2実施例を示したものであり、こ
こではプレート型の非偏光ビームスプリッタ−が示され
ている。
この例では入射媒質が屈折率n0=1の大気であって、
屈折率noの基材としての平行平面板5上に、金属M3
と屈折率nfの誘電体層4とが順にコートされて2層膜
を構成している。
なお、各屈折率の関係はn o < n m < n 
+となるように設定される。誘電体層4の屈折率noを
平行平面板5の屈折率noより大きく設定することによ
り、非偏光性の効果をあげることができ、しかも、金属
層3と己てAgを用いる場合には、屈折率−を1.63
の近傍とすることによって非偏光性を最も高めることが
できることが計算で知られる。
以下に具体的な数値例を挙げて説明する。
第3表は、誘電体層4側がら45°の角度をもって入射
する光束に対して平均反射率90%、平均透過率lO%
の特性を持つ非偏光ビームスプリッタ−の膜構成を示し
たものである。
この構成による分光特性は第5図に破線で示されている
。なお、図中のRs、、Rms、Rpsは第1実施例と
同様に反射率を示したものであり、Ts、。
T mls、 T Psは透過率を示したものである。
第3表 次に、第4表は誘電体層4側から45°の角度をもって
入射する光束に対して平均反射率50%、平均透過率5
0%の特性を持つ非偏光ビームスプリッタ−の膜構成で
ある。
第4表 この構成による分光特性は第5図に実線で示されている
。なお1図中のRs、 、 Rm、 、 Rp、はそれ
ぞ匙上記の例と同様に反射率を示したものであり、T 
Sg HT IIs t T P&は透過率を示したも
のである。
第6図は、入射側に誘電体層を設けずに平行平面板」二
にAg層のみを設けた場合の分光特性を参考として示し
たものである。実線は平均反射率90%、平均透過率1
0%の特性を持たせようとしたものであり、図中のRS
 7 J Rm 7 + RP tは反射率、 Ts、
T 111. T Pyは透過率を示している。破線で
示したのは平均反射率50%、平均透過率50%の特性
を持たせようとしたものであり、図中のRs、eRms
+RPsは反射率、T s、 、 T m、 、 T 
p、は透過率を示している。
第5図と第6図とを比較すれば、本発明のビームスプリ
ッタ−の方が各偏光成分に対する反射・透過率の差異が
少ない、すなわち非偏光性が高いことは明白である。
この実施例において誘電体層2にAQ□O□を用いた理
由としては、前述したようにAgに対して最も非偏光性
を示す屈折率を有すること、低温状態でコートした場合
にも高密度であるために経時的変化が少ないこと、そし
て、強度的にも優れているためAg層に対する保護膜と
しての機能をも果たすことが挙げられる。
なお、金属層、誘電体層共に低温コートが可能であるた
め、平行平面板としては樹脂基板を利用することもでき
る。
免來 以」二、説明してきたようにこの発明に係る非偏光ビー
ムスプリッタ−は、金属層1層と誘電体層1層との2層
膜によって構成できるため、従来のものより容易、かつ
、安価に製造することができ、しかも製品の安定性を保
証することもできる。
また、本発明を2つの直角二等辺三角形プリズムを貼り
合せたキューブ型の非偏光ビームスプリッタ−に適用し
た場合には、誘電体層を高温コートした後に金属層を低
温コートすることができるため、金属層に対して熱によ
る悪影響を及ぼさずに各層をより好ましい状態でコート
することができる。
なお、本発明によれば、特に高反射非偏光ビームスプリ
ンターとして優れた製品を提供することができるため、
医療器用ファイバースコープにおける撮影光学系への適
用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1実施例に係るキューブ型非偏光
ビームスプリッタ−を示す説明図、第2図は第1図に示
したビームスプリッタ−の分光特性を示すグラフ、第3
図は比較のための参考例のビームスプリッタ−の分光特
性を示すグラフ、第4図はこの発明の第2実施例に係る
プレート型非偏光ビームスプリッタ−を示す説明図、第
5図は第4図に示したビームスプリッタ−の分光特性を
示すグラフ、第6図は比較のための参考例のビームスプ
リッタ−の分光特性を示すグラフである。 1・・・プリズム(入射媒質) 2・・・誘電体層3・
・・金属層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射側より、屈折率n_oの透明な入射媒質と屈
    折率n_fの誘電体層1層と半透明の金属層1層と屈折
    率n_sの透明な基材の入射側とを順に配し、前記各屈
    折率の関係をn_o≦n_s<n_fとしたことを特徴
    とする非偏光ビームスプリッター。
  2. (2)前記入射媒質と前記基材とは共に屈折率n_f=
    n_0=1.52のガラスから成る直角二等辺三角形プ
    リズムであり、前記入射媒質としてのプリズムの斜面に
    は前記誘電体層と前記金属層とが順にコートされて2層
    被膜が形成され、かつ、前記誘電体層は屈折率n_f=
    2.46のTiO_2であり、前記金属層はAgである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の非偏光
    ビームスプリッター。
  3. (3)前記入射媒質が大気であって、前記基材上に前記
    金属層と前記誘電体層とが順にコートされて2層被膜が
    形成され、かつ、前記誘電体層が屈折率n_f=1.6
    3のAl_2O_3であり、前記金属層がAgであり、
    前記基材が屈折率n_s=1.52のガラスであること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の非偏光ビー
    ムスプリッター。
JP24958287A 1987-10-02 1987-10-02 非偏光ビームスプリッター Pending JPH0192702A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5579159A (en) * 1992-02-18 1996-11-26 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Optical multilayer thin film and beam splitter
WO2006121215A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Hitachi Koki Co., Ltd. Beam splitter for a laser marking device

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JPS5039562A (ja) * 1973-08-13 1975-04-11

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