JPH01500153A - 銀、銅、テルルおよびタリウムを基礎にした熱電気半導体材料、製造方法および熱電気変換器への応用 - Google Patents
銀、銅、テルルおよびタリウムを基礎にした熱電気半導体材料、製造方法および熱電気変換器への応用Info
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims description 10
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 241001123946 Gaga Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052728 basic metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003818 basic metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015089 cold sauces Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
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- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の名称
銀、銅、テルルおよびタリウムを基礎にした熱電気半導体材料、製造方法および
熱電気変換器への応用技術分野
本発明は、とくに周囲温度でエネルギの熱電気変換に使用されることができるメ
リットの大きい新規な熱電気半導体材料、その製造方法、ならびにかかる材料か
ら得られる熱電気変換器に関するものである。
発明の背景
熱電気変換器(ま几はベルチェ効果)において、2社およびn型2つの半導体材
料の接合Nを横切る電流は電流の方向にしたがって、熱の放出および吸収をトリ
ガする。その効果は種々の冷却、加熱および温度制御装置において使用される。
例えば、冷却装置において、熱電気変換器接合部は熱的に絶縁される構造内に配
置されそして我々はコールドソース(冷却源〕を形成するその遥合部の温度の低
下をトリガするように適宜な方向に電流を通過させる一方、熱にホットソース(
加熱源)からなる他の接合部のレベルで消散する。
熱ポンプの運転率、言い換えれば、ホットソースに放出される(またはコールド
ソースに吸収される)熱の量とポンプに供給された電気的エネルギの比は使用さ
れている熱素子のメリットの数(フィギュア)2が上昇するとき増加する。その
メリットの値2自体は熱電気ボテンシャル8(またはvloにで表わされるゼー
ベック効果)導電率σ(o−1cm−1)および材料の熱伝導性x(w/cR’
Jに、
Z=S ・σ/X
の関係によって関連づけられる。
鬼で表わされるホットおよびコールドソースの平均温度、T=(Tc+Tf)/
2とメリット値との積z′rri運転率および熱電気変換器の出力に干渉する。
周囲温度に近い温[Tについては、テルル化ビスマス(at2’re3) 1
ftはそれから引き出される合金のごとき通常の熱電気材料の積ZTは通常単位
より小さいかまたはほぼ等しい。それゆえ、これらの材料により実施される熱ポ
ンプの運転率は低い。
特殊な半導体材料のメリットの数2は適宜なドーピング(我々がそれを如何に実
施するかを知っているならば)によりその最適値ZOptに持ち来たされること
ができる。
材料のZopt値は、理想的にドーピングされてない同一材料のサンプルについ
てQj定された熱電気ポテンシャル、導電率および熱伝導性の値から導き出され
る。例えば、我々は、サイモノ・モノグラフ(Adv、 2nergy Con
v、 VoLl 、81=92.1961−Ibid、vol、3,515.1
830−J。
Appl、Phys、Vol、33.1830−41 、1962)により、現
在知られている材料の最適係数ZTがそれらの材料が使用される温度範囲に七い
て単位を著しく越えることができないことを示すことができる。
それゆえ、その経済的関心が周囲温度に近い温度で作動する静的熱ポンプの実施
にとくに顕著であるより高いメリット数(z′!′>1)を有する熱電気材料を
製造するのが望ましいと思われる。種々の半導体が研究され、我々は、それらの
熱電気ポテンシャルならびにそれらの導電率を変化させるために、ドーピングま
たは化学量論偏差によってそれらのメリット係数を変更することができることを
知っている。
フランス特許出願第2,566.585号は、ベルチェ効果熱ポンプの製造に使
用されることができる周囲温度で1に近いメリット数を示すことができる銀、タ
リウムおよびテルルを基礎にした熱電気半導体材料を記載している。
発明の開示
本発明の目的は、約−100℃から+100℃の温度範囲内で、とくにベルチェ
効果の熱ポンプにおいて、エネルギの熱電気変換器に使用されることができる高
いメリット数を有する新規な種類の熱電気半導体化合物、ならびにこれらの材料
t−製造する方法である。
本発明による新規な熱電気半導体材料は一般式%式%()
で表わされることができ、” t Yおよび2は以下の比を証明する。すなわち
、0.55 < x < 0.75 ; 0.25 < Y <0.40 およ
び0<z<0.10゜
上式は4要素からなるダイアフラムAg−Cu−Tj−reにおいて固溶領域を
定義する。
上式(1) を有する熱電気半導体材料は公知の化合物Ag−Tj−1’s (
D電気的特性よりその電気的特性がより有利である固溶体の形である。
上記した比を考慮するためVCx、yおよび2の値は重要である。反対の場合に
おいて、結果として生ずるt#性は有利ではない。例えばXが0.75より大き
いならば、ブレーン境界を明らかにする2相溶液を得、かつそれゆえメリット数
の値は減じられる。
それらの新規な熱電気半導体材料は周囲温度近くで+100℃の範囲内で高いメ
リット数(言い換えれば通常1より大きいZT)t−有する。それらはp型材料
である。
上述した式(!)の半導体材料は、溶融により混合され、−結晶化点近くでゆっ
くり冷却しかつ焼鈍される基礎金槁(銀、銅、タリウムおよびテルル)から、通
常の技術により製造されることができる。
我々はメリット数の条件になる熱電気ポテンシャルおよび導電率のごとき特性が
キャリアの移動度に依存しかつ半導体材料の不純物およびきすに左右されること
を知見している。それゆえ不純物およびキズを除去している材料を製造できるこ
とが有利である。そのために、如何なる酸化をも回避するために真空中または不
活性雰囲中で銀、銅、タリウムおよびテルルの金属粉末を混合しかつ溶融する必
要がある。そこで我々はブリッジマン法、または修正されたブリッジマン法によ
る指向的同化により処置するかまたは核心から溶融されたバス上にドラフトを実
施することができる。
より詳細には、粉末形状の基礎金r4(銀、タリウム、銅、テルル)は所望の化
学量論に対応する量において完全に混合され、次いでその混合物は真空下で密封
される石英管内でその溶融をトリガすべく加熱される。必要とされるものはすべ
て、均一溶融環境を得る几めに、500℃で数時間、例えば約4〜10時間だけ
溶融温度より高い温度で加熱することができる。我々は時間当95〜10℃で、
はぼ周囲温度にまでゆりくり冷却する。したがって、我々は、上述したように、
指向的固化を行なうように溶融される以前に、好ましくは空気から離して破砕さ
れる多結晶インゴットを得る。
ブリッジマン法(熱傾斜り℃/關、傾斜0.15〜0.3vx / h rの交
差速度、固化温度485℃)による指向的同化は熱邂気材料の多結晶インゴット
の獲得全可能にする。
それらの製造方法は塊状の材料に関する。変形例によれば、そのために通常使用
される技術による薄層の形成をその型の化合物により期待することができかつ化
学的化合物の、例えば気相堆積技術(CVD)のようなガスからの堆積、金属の
放出および堆積ヲトリガする約500℃でのクランキングによる有機金属化−@
物の堆積(oMcvo)によるかま几はプラズマ技術(pCvo)により処置す
る。
本発明によって上述したごとく得られる式(1)の熱′It気材料は、それらが
−100℃と+100℃との間で、1に近いかまたは大きい係数ZTを有する丸
めに公知の材料から区別される。周囲温度近くで測定される代表的な値は幾つか
の場合において1.7より大きいかま九は等しくすることができる。かかる材料
の関心はQ、4Wm・に−1より低いそれらの低熱伝導性および負荷キャリアの
良好な移動度(高くないとしても、周囲温度で、約100e4/ va の)の
結果としてそれらの高い導電率に由来する。導電率は上述した式(1)の枠組内
で、材料の組成からだけでなく、また結晶学的性質に依存する負荷キャリアの移
動度から由来し、そして不純物またはブレーン境界の存在により徐々に害される
かも知れない。それゆえ係数ZTの値は実質上同一組成で変化することができる
。
上述のごとく、本発明によって得られるp型の熱電気半導体材料は熱ポンプの実
施に使用されることができる。
それらは代表的なQ型半導体と関連づけられることができる。そのために、我々
に電気的に直列にかつ熱的に並列に置かれたp型およびnfi半導体素子対のバ
ッテリを含む。一方で穏々のホット溶接間のかつ他方でコールド溶接間の電気的
絶縁は、ホットソースとコールドソースとの良好な熱的接触を保証しながら、絶
縁セラミックスまたは良好な熱伝導性を有する他の絶縁材料の薄層により保証さ
れる。このようにして作られた熱ポンプは通常の熱ポンプに対して著しく改善さ
れた運転効率を有する。
以下の実施例は本発明をその範囲を縮減することなくより詳細に示す。
実施例1
Ago、62 0.30 ”@1.05グラインダ内で8.99.のタリウム、
3.16gの銀、5.50gのテルルおよび0.82 gの銅を、粉末の形で、
如何なる酸化をも回避するためにを気からの環境安全において作動することによ
り混合した。混合物は次の熱処理に従わされるように石英管内に導入された。
約12時間混合物を溶融し、次いでそれを温度が周囲温度に近くなるまで冷却さ
せた。
このようにして、多結晶インボラトラ得た。このインゴットは次いでテーパ端を
示すブリッジマン管内に導入された空気〃・ら安全に破砕された。この破砕され
たインゴットをこれが液体状態に持ち来たされるように450℃で約24時間加
熱した。次いで0.351JI/hrの速度で炉内の降下(熱傾斜2℃/mx)
を行なった。作業の全体の長さは4週間であった。このようにして材料の特性の
測定を行なうためにサンプルを敗り出すクラックを示すインゴットを得友。
このようにして得られた半導体の導電率は140 D−”α 、その熱電気ポテ
ンシャルti350VK”1およびその熱伝導性1ltO,3WmF: に等し
い。これらの値は1.7に等しい係数ZTに対応する。
実施例2
Ago、ae O,26”@1.05
実施例1と同様に8.99 gのタリウム、3.47gの銀、5、50gのテル
ルおよび0.71gの銅を処置した。
このようにして、その導電率が50D(m、熱電気ポテンシャルが570 VK
および熱伝導性が肌3 Wno−1に−1に等しい半導体材料を得た。
実施例3
Ago、64 0J8 ””1.05
実施例1におけると同様に9.0gのタリウム、3.26gのi、5.50gの
テルルおよび0.77 gの銅を処置した。
このようにして、導電率80 o−”cm−”、熱電気ポテンシャル320 V
K および熱伝導性Q、3Wm K f有する半導体材料を得た。
国際調査報告
Al0JEXTO、HE I N:E:’−:IAτZONAL SF:ARC
HRE;’ORT ON
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.一般式(I) Agx Cuy TlTe1+z(I)によつて示され、x,yおよびzが比、 0.55<x<0.75;0.25<y<0.40および0<z<0.10を証 明することを特徴とする銀、タリウム、銅およびテルルを基礎にした熱電気半導 体材料。 2xが0.6〜0.70の間包含されることを特徴とする請求の範囲第1項に記 載の熱電気半導体材料。 3.式Ag0.62 Cu0.30 TlTe1.05によつて示されることを 特徴とする請求の範囲第2項に記載の熱電気半導体材料。 4.銀、銅、タリウムおよびテルルを粉末の形において混合し、該混合物を約5 00℃で真空または不活性雰囲気下で加熱し、インゴツトを得るために、ほぼ周 囲温度にまでゆつくり冷却し、次いで蒸気相において指向性固化または堆積を行 なうことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の熱電気半導体材料の製造方法。 5.前記指向的固化がブリツジマン法によつて行なわれることを特徴とする請求 の範囲第4項に記載の熱電気半導体材料の製造方法。 6.前記材料が蒸気相中での堆積によつて支持体上に堆積されることを特徴とす る請求の範囲第4項に記載の熱電気半導体材料の製造方法。 7.p型素子が請求の範囲第1項ないし第3項に記載の半導体材料からなること を特徴とする少なくとも1対のp型およびn型半導体素子を含むペルチエ効果の 熱電気変換器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR86/02226 | 1986-02-19 | ||
FR8602226A FR2594599B1 (fr) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Materiaux semiconducteurs thermoelectriques a base d'argent, cuivre, tellure et thallium, procede de preparation et application aux convertisseurs thermoelectriques |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01500153A true JPH01500153A (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=9332279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62501280A Pending JPH01500153A (ja) | 1986-02-19 | 1987-02-17 | 銀、銅、テルルおよびタリウムを基礎にした熱電気半導体材料、製造方法および熱電気変換器への応用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4929282A (ja) |
EP (1) | EP0258361B1 (ja) |
JP (1) | JPH01500153A (ja) |
FR (1) | FR2594599B1 (ja) |
WO (1) | WO1987005154A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3223257B2 (ja) * | 1991-03-27 | 2001-10-29 | 株式会社フェローテック | 熱電変換モジュールの製造方法 |
JP3451107B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2003-09-29 | 株式会社エコ・トゥエンティーワン | 電子冷却装置 |
JP3369349B2 (ja) * | 1995-03-02 | 2003-01-20 | 株式会社エコ・トゥエンティーワン | 熱電変換装置 |
US5714791A (en) * | 1995-12-22 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | On-chip Peltier cooling devices on a micromachined membrane structure |
US6091014A (en) * | 1999-03-16 | 2000-07-18 | University Of Kentucky Research Foundation | Thermoelectric materials based on intercalated layered metallic systems |
AU2002224346A1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-04-15 | Leonardo Technologies, Inc. | Thermoelectric generators |
US6756536B2 (en) | 2002-03-28 | 2004-06-29 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Thermoelectric microactuator |
US8481843B2 (en) * | 2003-09-12 | 2013-07-09 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Silver-containing p-type semiconductor |
CN107275469A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-10-20 | 合肥工业大学 | 一种提高N型BiTeSe半导体的热电优值及制备效率的制备方法 |
JP7404534B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-12-25 | アルコン インコーポレイティド | 一体化された視覚化カメラ及び光学コヒーレンストモグラフィを用いた外科的応用 |
JP7379704B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-11-14 | アルコン インコーポレイティド | 視覚化カメラ及び光学コヒーレンストモグラフィを統合するシステム及び方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB578187A (en) * | 1941-07-02 | 1946-06-19 | Ernst Schwarz | Improvements in or relating to thermo-electric devices |
FR1388482A (fr) * | 1963-04-12 | 1965-02-05 | Westinghouse Electric Corp | Matières thermoélectriques |
US3853632A (en) * | 1967-04-20 | 1974-12-10 | Minnesota Mining & Mfg | Thermoelectric composition |
US3852118A (en) * | 1970-05-11 | 1974-12-03 | Minnesota Mining & Mfg | Thermoelectric composition |
AU458859B2 (en) * | 1971-05-10 | 1975-02-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermoelectric generators that incorporate self-segmenting thermoelectric legs |
US3932291A (en) * | 1973-01-10 | 1976-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Preparation and doping of semiconducting forms of CuAlS2 |
US4589918A (en) * | 1984-03-28 | 1986-05-20 | National Research Institute For Metals | Thermal shock resistant thermoelectric material |
FR2566585B1 (fr) * | 1984-06-22 | 1986-10-24 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux materiaux semi-conducteurs thermoelectriques a base d'argent, de thallium et de tellure et application aux pompes a chaleur |
-
1986
- 1986-02-19 FR FR8602226A patent/FR2594599B1/fr not_active Expired
-
1987
- 1987-02-17 WO PCT/FR1987/000041 patent/WO1987005154A1/fr active IP Right Grant
- 1987-02-17 US US07/124,783 patent/US4929282A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-17 EP EP87901499A patent/EP0258361B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-17 JP JP62501280A patent/JPH01500153A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1987005154A1 (fr) | 1987-08-27 |
FR2594599B1 (fr) | 1988-06-24 |
EP0258361A1 (fr) | 1988-03-09 |
EP0258361B1 (fr) | 1992-05-06 |
FR2594599A1 (fr) | 1987-08-21 |
US4929282A (en) | 1990-05-29 |
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