JPH0148651B2 - - Google Patents
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- JPH0148651B2 JPH0148651B2 JP58003231A JP323183A JPH0148651B2 JP H0148651 B2 JPH0148651 B2 JP H0148651B2 JP 58003231 A JP58003231 A JP 58003231A JP 323183 A JP323183 A JP 323183A JP H0148651 B2 JPH0148651 B2 JP H0148651B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、金属間化合物半導体のミラーウエハ
の化学エツチング処理を連続的に行なう連続エツ
チング装置に関するものである。
の化学エツチング処理を連続的に行なう連続エツ
チング装置に関するものである。
（背景技術）
金属間化合物半導体、例えばGaAs化合物半導
体のウエハは研磨機によりミラー状に機械研磨さ
れた後、研磨面に存在する歪み、研磨かす等を除
去するため、腐食液により、例えば厚さ５〜10μ
ｍ程度の表面層を溶解除去される。これを化学エ
ツチングと称する。
体のウエハは研磨機によりミラー状に機械研磨さ
れた後、研磨面に存在する歪み、研磨かす等を除
去するため、腐食液により、例えば厚さ５〜10μ
ｍ程度の表面層を溶解除去される。これを化学エ
ツチングと称する。
従来、Si、Ge等のミラーウエハの化学エツチ
ングは、ウエハ面を垂直にして間隔を開けて治具
上に並べられた複数枚のウエハを前処理液、腐食
液、後処理液等に浸漬して処理していた。この
Si、Ge等の化学エツチングではエツチング速度
が遅いため、均一で美麗なエツチング面が得られ
ていたが、金属間化合物半導体、例えばGaAsの
ミラーウエハは上述のSi、Geの方法により化学
エツチングするとエツチング速度が速いため
（Si、Geの略数倍）、ウエハ面に第１図に例を示
すようなすじ状の模様が表われ、殆んど不良とな
る。これは垂直に置かれたウエハ面にエツチング
時発生するH2ガスが影響するためと考えられ、
同時に斑点が表われる場合がある。
ングは、ウエハ面を垂直にして間隔を開けて治具
上に並べられた複数枚のウエハを前処理液、腐食
液、後処理液等に浸漬して処理していた。この
Si、Ge等の化学エツチングではエツチング速度
が遅いため、均一で美麗なエツチング面が得られ
ていたが、金属間化合物半導体、例えばGaAsの
ミラーウエハは上述のSi、Geの方法により化学
エツチングするとエツチング速度が速いため
（Si、Geの略数倍）、ウエハ面に第１図に例を示
すようなすじ状の模様が表われ、殆んど不良とな
る。これは垂直に置かれたウエハ面にエツチング
時発生するH2ガスが影響するためと考えられ、
同時に斑点が表われる場合がある。
このため、GaAsのミラーウエハの化学エツチ
ング法として、丸底を有する腐食液容器中にウエ
ハを１個宛水平状態で浸漬し、腐食液容器全体を
揺動する方法等があるが、上述と同様なすじ状模
様や斑点が表われ易く、エツチング時の歩留りは
僅か約30％であつた。又この方法ではウエハ、腐
食液容器が複雑な動きをするため、人手により行
なわれており、ミラーウエハの化学エツチングを
連続的にかつ自動的に行なうことは到底不可能で
あつた。
ング法として、丸底を有する腐食液容器中にウエ
ハを１個宛水平状態で浸漬し、腐食液容器全体を
揺動する方法等があるが、上述と同様なすじ状模
様や斑点が表われ易く、エツチング時の歩留りは
僅か約30％であつた。又この方法ではウエハ、腐
食液容器が複雑な動きをするため、人手により行
なわれており、ミラーウエハの化学エツチングを
連続的にかつ自動的に行なうことは到底不可能で
あつた。
又本発明者らは金属間化合物の化学エツチング
法について種々検討の結果、前述のすじ状模様や
斑点の原因が上述の腐食液による処理法のみにあ
るのではなく、その後洗浄、乾燥等の後処理法の
如何にもよることを見出した。
法について種々検討の結果、前述のすじ状模様や
斑点の原因が上述の腐食液による処理法のみにあ
るのではなく、その後洗浄、乾燥等の後処理法の
如何にもよることを見出した。
従つてミラーウエハの連続化学エツチングを行
なうためには、ウエハの各処理液への投入、処理
中のウエハの保持を規定通り行なうことができる
と共に、各処理部間のウエハの搬送を簡単に行な
い得ることが必要である。
なうためには、ウエハの各処理液への投入、処理
中のウエハの保持を規定通り行なうことができる
と共に、各処理部間のウエハの搬送を簡単に行な
い得ることが必要である。
（発明の開示）
本発明は、上述の問題点を解決するため成され
たもので、金属間化合物半導体のミラーウエハの
連続化学エツチング中のウエハの搬送および規定
通りの保持を容易に、中実に行なつて連続エツチ
ング処理を可能にし、かつ自動化を容易にすると
共に、すじ状模様、斑点等の欠陥のないミラーウ
エハを製造し得る連続エツチング装置を提供せん
とするものである。
たもので、金属間化合物半導体のミラーウエハの
連続化学エツチング中のウエハの搬送および規定
通りの保持を容易に、中実に行なつて連続エツチ
ング処理を可能にし、かつ自動化を容易にすると
共に、すじ状模様、斑点等の欠陥のないミラーウ
エハを製造し得る連続エツチング装置を提供せん
とするものである。
本発明は、金属間化合物半導体のミラーウエハ
の進行方向に、順にすくなくとも化学エツチング
部、洗浄部、乾燥部を備えるとともに、ミラーウ
エハを一個宛順に前記化学エツチング部、洗浄
部、乾燥部に至る処理位置に搬送する平置板と支
持軸とより成る複数個のＬ字形のウエハ支持アー
ムとを備え、前記支持アームは、すくなくともそ
の平置板に支持したミラーウエハのエツチング面
を腐食液面に対して傾斜を保ちながら斜め方向よ
り該腐食液に投入し、該ウエハをほぼ水平状態に
し、回転できる機構を備えることを特徴とするミ
ラーウエハの連続エツチング装置にある。
の進行方向に、順にすくなくとも化学エツチング
部、洗浄部、乾燥部を備えるとともに、ミラーウ
エハを一個宛順に前記化学エツチング部、洗浄
部、乾燥部に至る処理位置に搬送する平置板と支
持軸とより成る複数個のＬ字形のウエハ支持アー
ムとを備え、前記支持アームは、すくなくともそ
の平置板に支持したミラーウエハのエツチング面
を腐食液面に対して傾斜を保ちながら斜め方向よ
り該腐食液に投入し、該ウエハをほぼ水平状態に
し、回転できる機構を備えることを特徴とするミ
ラーウエハの連続エツチング装置にある。
本発明において、金属間化合物半導体とは、周
期律表の−族化合物（例、GaAs、InAs、
GaP、InP等）、−族化合物（例、ZnSe、
ZnS等）もしくはそれらの混晶などの半導体であ
る。
期律表の−族化合物（例、GaAs、InAs、
GaP、InP等）、−族化合物（例、ZnSe、
ZnS等）もしくはそれらの混晶などの半導体であ
る。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明
する。
する。
第２図は本発明装置の実施例を示す構成図であ
る。図において、１は金属間化合物半導体のウエ
ハを機械的研磨により研磨したミラーウエハで、
本発明の連続エツチング装置（以下、単に本装置
と称す）には、例えばカセツト２より供給され
る。本装置は、ミラーウエハ１の進行方向に順に
化学エツチング部４、洗浄部５、シヤワー部６、
乾燥部７が設けられ、ミラーウエハ１はこれらの
各処理部により連続的に処理された後、カセツト
８に収容される。
る。図において、１は金属間化合物半導体のウエ
ハを機械的研磨により研磨したミラーウエハで、
本発明の連続エツチング装置（以下、単に本装置
と称す）には、例えばカセツト２より供給され
る。本装置は、ミラーウエハ１の進行方向に順に
化学エツチング部４、洗浄部５、シヤワー部６、
乾燥部７が設けられ、ミラーウエハ１はこれらの
各処理部により連続的に処理された後、カセツト
８に収容される。
先ず被処理ウエハ１は、カセツト２より１枚宛
取出され、搬送ベルト９上にのせられて運ばれ、
Ｌ字形のウエハ支持アーム３上にのせられる。ウ
エハ支持アーム３は第３図に例を示すように、ミ
ラーウエハ１を上にのせる平置板１６と支持軸１
７とより成り、例えば平置板１６の上面に設けら
れた吸孔１８より矢印１９の方向に真空引きして
ウエハ１を吸引固定するものである。この真空引
きを止めるとウエハ１は平置板１６より離脱す
る。
取出され、搬送ベルト９上にのせられて運ばれ、
Ｌ字形のウエハ支持アーム３上にのせられる。ウ
エハ支持アーム３は第３図に例を示すように、ミ
ラーウエハ１を上にのせる平置板１６と支持軸１
７とより成り、例えば平置板１６の上面に設けら
れた吸孔１８より矢印１９の方向に真空引きして
ウエハ１を吸引固定するものである。この真空引
きを止めるとウエハ１は平置板１６より離脱す
る。
化学エツチング部４（第２図）から洗浄部５の
間は、ウエハ１はこの支持アーム３に固定された
状態で搬送され、かつ各処理を受ける。支持アー
ム３の搬送はアーム搬送機１１により吊り下げた
状態で行なわれ、各処理部上でアーム３を停止
し、後述するような操作が行なわれる。
間は、ウエハ１はこの支持アーム３に固定された
状態で搬送され、かつ各処理を受ける。支持アー
ム３の搬送はアーム搬送機１１により吊り下げた
状態で行なわれ、各処理部上でアーム３を停止
し、後述するような操作が行なわれる。
洗浄部５を出たウエハ１は支持アーム３から離
脱して搬送ベルト１２上に水平にのせられ、搬送
ベルト１３、吸水ローラ１４、搬送ベルト１５を
経て搬送される間に各処理を受け、最後に製品と
してカセツト８に収容される。
脱して搬送ベルト１２上に水平にのせられ、搬送
ベルト１３、吸水ローラ１４、搬送ベルト１５を
経て搬送される間に各処理を受け、最後に製品と
してカセツト８に収容される。
次に、各処理部について説明する。
各処理部において、２２，２３は供給パイプ、
２５，２６は排液パイプ、２７は供ガスパイプで
ある。
２５，２６は排液パイプ、２７は供ガスパイプで
ある。
化学エツチング部４は、槽内に腐食液２８が収
容されている。腐食液は、例えばGaAs化合物に
対して次の組成、条件の例のようなものを用い
る。
容されている。腐食液は、例えばGaAs化合物に
対して次の組成、条件の例のようなものを用い
る。
H2SO4：５
H2O2：１
H2O：１
液 温：52℃
第４図はウエハを腐食液へ投入する方法の一例
を示す縦断面図で、第５図はウエハを化学エツチ
ングする方法を説明する図で、イ図は縦断面図、
ロ図はウエハの運動を示す上面図である。図にお
いて、ウエハ支持アーム３は、支持したウエハの
エツチング面１０を水平に対し所定の角度θ（例、
０〜90゜の範囲）に傾斜させること、又矢印２９
で示すように上下方向に移動すること、矢印３１
で示すように支持軸１７を軸として所定の回転速
度（例、０〜120rpmの範囲）で、回転運動させ
ることができる機構を備える。
を示す縦断面図で、第５図はウエハを化学エツチ
ングする方法を説明する図で、イ図は縦断面図、
ロ図はウエハの運動を示す上面図である。図にお
いて、ウエハ支持アーム３は、支持したウエハの
エツチング面１０を水平に対し所定の角度θ（例、
０〜90゜の範囲）に傾斜させること、又矢印２９
で示すように上下方向に移動すること、矢印３１
で示すように支持軸１７を軸として所定の回転速
度（例、０〜120rpmの範囲）で、回転運動させ
ることができる機構を備える。
ここで、ウエハ１は、例えば次のように処理さ
れる先ず第４図に示すように腐食液２８上で実線
で示すようにウエハ１のエツチング面１０が水平
に対し角度θ＝30゜〜60゜傾斜するよう支持し、そ
の角度を保ちながら傾斜方向（矢印）に支持アー
ム３をウエハ１と共に移動して（点線）ウエハ１
を腐食液２８に投入する。このように投入する
と、発生するH2ガスのウエハ１のエツチング面
１０への付着が防止され、投入時の液層流の乱れ
が防止されるため、エツチング面１０にすじ状模
様が発生することが防止される。
れる先ず第４図に示すように腐食液２８上で実線
で示すようにウエハ１のエツチング面１０が水平
に対し角度θ＝30゜〜60゜傾斜するよう支持し、そ
の角度を保ちながら傾斜方向（矢印）に支持アー
ム３をウエハ１と共に移動して（点線）ウエハ１
を腐食液２８に投入する。このように投入する
と、発生するH2ガスのウエハ１のエツチング面
１０への付着が防止され、投入時の液層流の乱れ
が防止されるため、エツチング面１０にすじ状模
様が発生することが防止される。
投入後、ウエハ１は第５図イに示すように、エ
ツチング面１０を水平状態にされ、少なくともエ
ツチングの初期（例、少なくとも20秒まで）にお
いて、ウエハ１に水平面内の円周回転運動を、第
５図ロの例に示すように与えながらエツチング
し、所定時間（例、合計約２分）浸漬した後引上
げる。このようにしてエツチングすると、エツチ
ング中発生するH2ガスはエツチング面１０に付
着せず、かつ液層流が乱されずに、面全体に亘り
均一なエツチングが行なわれ、すじ状模様や斑点
のない美麗な鏡面が得られる。なお、上述の円周
回転運動を、液投入時のウエハ面が傾斜した状態
で行なつても良い。
ツチング面１０を水平状態にされ、少なくともエ
ツチングの初期（例、少なくとも20秒まで）にお
いて、ウエハ１に水平面内の円周回転運動を、第
５図ロの例に示すように与えながらエツチング
し、所定時間（例、合計約２分）浸漬した後引上
げる。このようにしてエツチングすると、エツチ
ング中発生するH2ガスはエツチング面１０に付
着せず、かつ液層流が乱されずに、面全体に亘り
均一なエツチングが行なわれ、すじ状模様や斑点
のない美麗な鏡面が得られる。なお、上述の円周
回転運動を、液投入時のウエハ面が傾斜した状態
で行なつても良い。
次に、洗浄部５は図に示すように槽内に超純水
３２が収容され、その底より気体（例、N2）３
３を吹きこんで超純水３２をバブリング状態にし
ている。超純水３２の上方から超純水シヤワー３
４がかけられ、それはオーバフローにより排水さ
れる。この処理の場合も、ウエハ１の超純水３２
への投入は前述の第４図と同様の傾斜して行な
い、バブリング超純水３２中ではエツチング面１
０を水平の静止状態にして浸漬する。このように
すると、エツチング面１０に残留した腐食液が速
やかに除去され、かつ残留腐食液により発生した
H2ガスが面に付着しないので、エツチング面に
すじ状模様や斑点が発生しない。
３２が収容され、その底より気体（例、N2）３
３を吹きこんで超純水３２をバブリング状態にし
ている。超純水３２の上方から超純水シヤワー３
４がかけられ、それはオーバフローにより排水さ
れる。この処理の場合も、ウエハ１の超純水３２
への投入は前述の第４図と同様の傾斜して行な
い、バブリング超純水３２中ではエツチング面１
０を水平の静止状態にして浸漬する。このように
すると、エツチング面１０に残留した腐食液が速
やかに除去され、かつ残留腐食液により発生した
H2ガスが面に付着しないので、エツチング面に
すじ状模様や斑点が発生しない。
洗浄部５を出たウエハ１は、支持アーム３を離
れて搬送ベルト１２上に水平に置かれ、水平状態
で洗浄液シヤワー部６およびエヤー乾燥部７等の
乾燥部を通る。洗浄部５とシヤワー部６の間のウ
エハ１面の乾燥を防ぐため、第２図に示すように
下方より絶えず超純水をかける。
れて搬送ベルト１２上に水平に置かれ、水平状態
で洗浄液シヤワー部６およびエヤー乾燥部７等の
乾燥部を通る。洗浄部５とシヤワー部６の間のウ
エハ１面の乾燥を防ぐため、第２図に示すように
下方より絶えず超純水をかける。
洗浄液シヤワー部６は、第２図に示すようにウ
エハ１の上方および下方に夫々複数段の洗浄液噴
射ノズル３５（下方、図示せず）が設けられ、ウ
エハ１に向つて例えば有機溶剤（例、イソプロピ
ルアルコール等）又は60゜〜80℃に加熱された超
純水のシヤワーがかけられる。これにより、ウエ
ハ１に残存していた洗浄液は洗浄液により完全に
洗い流されると共に、ウエハ１は揮発性の有機溶
剤におおわれるか、又は温超純水により加熱され
たホツトな状態となり、乾燥し易い状態となる。
エハ１の上方および下方に夫々複数段の洗浄液噴
射ノズル３５（下方、図示せず）が設けられ、ウ
エハ１に向つて例えば有機溶剤（例、イソプロピ
ルアルコール等）又は60゜〜80℃に加熱された超
純水のシヤワーがかけられる。これにより、ウエ
ハ１に残存していた洗浄液は洗浄液により完全に
洗い流されると共に、ウエハ１は揮発性の有機溶
剤におおわれるか、又は温超純水により加熱され
たホツトな状態となり、乾燥し易い状態となる。
次にウエハ１が通るエヤー乾燥部７は、第２図
に示すように、ナイフ状スリツトよりエアーを薄
いエヤーカーテン状に噴射する２段以上のエアー
噴射装置３６が設けられ、例えば１段目から常温
のエヤーが、２段目から例えば60゜〜80℃に加熱
された高温エヤーがウエハ１のエツチング面１０
に向つて、斜上方からウエハ１の進行方向に直角
な方向の直線状に当てられる。これにより、ウエ
ハ１のエツチング面１０に残在する液は吹き飛ば
されてほぼ完全に除去されると共に、尚残存する
痕跡はウエハ１自身の熱および高温エヤーにより
速やかに乾燥されるので、ウエハ面にすじ状模
様、斑点、曇りなどの表面欠陥を生じない。
に示すように、ナイフ状スリツトよりエアーを薄
いエヤーカーテン状に噴射する２段以上のエアー
噴射装置３６が設けられ、例えば１段目から常温
のエヤーが、２段目から例えば60゜〜80℃に加熱
された高温エヤーがウエハ１のエツチング面１０
に向つて、斜上方からウエハ１の進行方向に直角
な方向の直線状に当てられる。これにより、ウエ
ハ１のエツチング面１０に残在する液は吹き飛ば
されてほぼ完全に除去されると共に、尚残存する
痕跡はウエハ１自身の熱および高温エヤーにより
速やかに乾燥されるので、ウエハ面にすじ状模
様、斑点、曇りなどの表面欠陥を生じない。
かようにして化学エツチング、後処理を受けた
ミラーウエハ１はカセツト８に収容される。
ミラーウエハ１はカセツト８に収容される。
本装置においては、ウエハ１はウエハ支持アー
ム３に支持されてアーム搬送機１１により運ばれ
るか、又は搬送ベルト、吸水ローラにのせて運ば
れるので、搬送に人手を要せず、又各処理部にお
けるウエハ１の取り扱い操作はすべて機械的な動
作であるため、予め操作手順のプログラムに設定
しておき、それによりシーケンス制御することに
より連続エツチング処理全体を自動化することが
可能である。
ム３に支持されてアーム搬送機１１により運ばれ
るか、又は搬送ベルト、吸水ローラにのせて運ば
れるので、搬送に人手を要せず、又各処理部にお
けるウエハ１の取り扱い操作はすべて機械的な動
作であるため、予め操作手順のプログラムに設定
しておき、それによりシーケンス制御することに
より連続エツチング処理全体を自動化することが
可能である。
なお、各処理部、搬送装置等の構造、各処理部
における取扱い処理方法は第２図〜第５図および
上述の説明に限定されるものではなく、本発明は
同様の機能を有する他の構造、取扱い処理方法に
よるものであつても良いことは言うまでもない。
における取扱い処理方法は第２図〜第５図および
上述の説明に限定されるものではなく、本発明は
同様の機能を有する他の構造、取扱い処理方法に
よるものであつても良いことは言うまでもない。
（発明の効果）
上述のように構成された本発明の連続エツチン
グ装置は次のような効果がある。
グ装置は次のような効果がある。
(イ) ミラーウエハ進行方向に順に化学エツチング
部、洗浄部、乾燥部が設けられ、前記ウエハが
一個宛連続的に前記各処理部を通り、前記化学
エツチング部では、前記ウエハをＬ字形のウエ
ハ支持アームの動作によつて、腐食液面に対し
て傾斜を保ちながら斜め方向より該腐食液に投
入して投入時の液層流の乱れを防止し、発生す
るH2ガスがウエハのエツチング面に付着する
ことを防止し、ウエハをほぼ水平状態に支持し
て回転させることで均一のエツチングができ、
また、次段の洗浄部においても前記化学エツチ
ング処理部におけると同様にＬ字形のウエハ支
持アームの動作によつてほぼ水平状態で処理す
ることができるから、化学エツチング処理では
発生するH2ガスがエツチング面に付着しない
ため、ずじ状模様や斑点を生ぜず均一にエツチ
ングされた美麗な鏡面を持つウエハが得られ、
その表面に残留する腐食液は例えばバブリング
超純水により速やかに除去されると共に、発生
するH2ガスがエツチング面に付着しないため、
すじ状模様や斑点を生せず、さらに残留する洗
浄液は、乾燥部の例えば洗浄液シヤワーにより
完全に洗い流されると共に、ウエハは換燥し易
くされ、表面に残留する液は乾燥部の例えばエ
ヤー噴射により吹き飛ばされ、その痕跡は速や
かに乾燥され、エツチング後の後処理も完全に
行われるので、エツチング面にすじ状模様、斑
点、曇り等の表面欠陥がなく、全面に亘り美麗
な鏡面を有するミラーウエハを連続的に製造し
得る。
部、洗浄部、乾燥部が設けられ、前記ウエハが
一個宛連続的に前記各処理部を通り、前記化学
エツチング部では、前記ウエハをＬ字形のウエ
ハ支持アームの動作によつて、腐食液面に対し
て傾斜を保ちながら斜め方向より該腐食液に投
入して投入時の液層流の乱れを防止し、発生す
るH2ガスがウエハのエツチング面に付着する
ことを防止し、ウエハをほぼ水平状態に支持し
て回転させることで均一のエツチングができ、
また、次段の洗浄部においても前記化学エツチ
ング処理部におけると同様にＬ字形のウエハ支
持アームの動作によつてほぼ水平状態で処理す
ることができるから、化学エツチング処理では
発生するH2ガスがエツチング面に付着しない
ため、ずじ状模様や斑点を生ぜず均一にエツチ
ングされた美麗な鏡面を持つウエハが得られ、
その表面に残留する腐食液は例えばバブリング
超純水により速やかに除去されると共に、発生
するH2ガスがエツチング面に付着しないため、
すじ状模様や斑点を生せず、さらに残留する洗
浄液は、乾燥部の例えば洗浄液シヤワーにより
完全に洗い流されると共に、ウエハは換燥し易
くされ、表面に残留する液は乾燥部の例えばエ
ヤー噴射により吹き飛ばされ、その痕跡は速や
かに乾燥され、エツチング後の後処理も完全に
行われるので、エツチング面にすじ状模様、斑
点、曇り等の表面欠陥がなく、全面に亘り美麗
な鏡面を有するミラーウエハを連続的に製造し
得る。
(ロ) 更に前記化学エツチング部から前記洗浄部の
間を前記ウエハを一個宛支持して搬送される、
ウエハ面を水平状態にして固定する平置板と支
持軸とより成る複数個のＬ字形のウエハ支持ア
ームを具備するから、各処理部における投入、
支持等の取扱い操作を規定通りに容易に機械的
に行ない得ると共に、ウエハの搬送も人手を要
せず、容易である。
間を前記ウエハを一個宛支持して搬送される、
ウエハ面を水平状態にして固定する平置板と支
持軸とより成る複数個のＬ字形のウエハ支持ア
ームを具備するから、各処理部における投入、
支持等の取扱い操作を規定通りに容易に機械的
に行ない得ると共に、ウエハの搬送も人手を要
せず、容易である。
従つて予めウエハの搬送および操作手順のプ
ログラムを設定しておき、それによりシーケン
ス制御することにより、連続エツチングを人手
によらず自動化することが可能である。
ログラムを設定しておき、それによりシーケン
ス制御することにより、連続エツチングを人手
によらず自動化することが可能である。
第１図は従来の方法により得られたウエハのエ
ツチング面の例を示す上面図である。第２図は本
発明連続エツチング装置の実施例を示す構成図で
ある。第３図は第２図に示すウエハ支持アームの
拡大図である。第４図は本発明装置の実施例を用
いてウエハを腐食液へ投入する方法の例を示す縦
断面図である。第５図イ，ロは同じくウエハを化
学エツチングする方法を説明する図で、イ図は縦
断面図、ロ図はウエハの運動を示す上面図であ
る。 １……ミラーウエハ、２，８……カセツト、３
……ウエハ支持アーム、４……化学エツチング
部、５……洗浄部、６……シヤワー部、７……エ
ヤー乾燥部、９，１２，１３，１５……搬送ベル
ト、１０……エツチング面、１１……アーム搬送
機、１４……吸水ローラ、１６……平置板、１７
……支持軸、１８……吸孔、１９，２９，３１…
…矢印、３２……超純水、２２，２３……供液パ
イプ、２５，２６……排液パイプ、２７……供ガ
スパイプ、２８……腐食液、３３……気体、３４
……超純水シヤワー、３５……洗浄液噴射ノズ
ル、３６……エヤー噴射装置。
ツチング面の例を示す上面図である。第２図は本
発明連続エツチング装置の実施例を示す構成図で
ある。第３図は第２図に示すウエハ支持アームの
拡大図である。第４図は本発明装置の実施例を用
いてウエハを腐食液へ投入する方法の例を示す縦
断面図である。第５図イ，ロは同じくウエハを化
学エツチングする方法を説明する図で、イ図は縦
断面図、ロ図はウエハの運動を示す上面図であ
る。 １……ミラーウエハ、２，８……カセツト、３
……ウエハ支持アーム、４……化学エツチング
部、５……洗浄部、６……シヤワー部、７……エ
ヤー乾燥部、９，１２，１３，１５……搬送ベル
ト、１０……エツチング面、１１……アーム搬送
機、１４……吸水ローラ、１６……平置板、１７
……支持軸、１８……吸孔、１９，２９，３１…
…矢印、３２……超純水、２２，２３……供液パ
イプ、２５，２６……排液パイプ、２７……供ガ
スパイプ、２８……腐食液、３３……気体、３４
……超純水シヤワー、３５……洗浄液噴射ノズ
ル、３６……エヤー噴射装置。
Claims (1)
- １ 金属間化合物半導体のミラーウエハの進行方
向に、順にすくなくとも化学エツチング部、洗浄
部、乾燥部を備えるとともに、ミラーウエハを一
個宛順に前記化学エツチング部、洗浄部、乾燥部
に至る各処理部に搬送する平置板と支持軸とより
成る複数個のＬ字形のウエハ支持アームとを備
え、前記支持アームは、すくなくともその平置板
に支持したミラーウエハのエツチング面を腐食液
面に対して傾斜を保ちながら斜め方向より該腐食
液に投入し、該ウエハをほぼ水平状態にし、回転
できる機構を備えることを特徴とするミラーウエ
ハの連続エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP323183A JPS59127838A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | ミラ−ウエハの連続エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP323183A JPS59127838A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | ミラ−ウエハの連続エツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127838A JPS59127838A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0148651B2 true JPH0148651B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=11551671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP323183A Granted JPS59127838A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | ミラ−ウエハの連続エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127838A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124441A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Toshiba Corp | Control of semiconductor surface reaction |
| JPS57201028A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Toshiba Corp | Wafer conveying device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158142U (ja) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 |
-
1983
- 1983-01-11 JP JP323183A patent/JPS59127838A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57124441A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-03 | Toshiba Corp | Control of semiconductor surface reaction |
| JPS57201028A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Toshiba Corp | Wafer conveying device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127838A (ja) | 1984-07-23 |
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