JPH0145246B2 - - Google Patents
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- JPH0145246B2 JPH0145246B2 JP56000732A JP73281A JPH0145246B2 JP H0145246 B2 JPH0145246 B2 JP H0145246B2 JP 56000732 A JP56000732 A JP 56000732A JP 73281 A JP73281 A JP 73281A JP H0145246 B2 JPH0145246 B2 JP H0145246B2
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- JP
- Japan
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- film
- surface acoustic
- acoustic wave
- resonant frequency
- etching
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波共振子の製造方法に関す
る。弾性表面波共振子は、第１図に示してあるよ
うに圧電基板１３上に、金属膜で形成されたイン
ターデイジタル電極１１と多数のストリツプ状の
グレーテイング反射器１２によつて構成されてい
る。これらのインターデイジタル電極１１及びグ
レーテイング反射器１２は、一般に真空蒸着法に
よつて形成したAl等の導電率の高い金属膜をホ
トエツチング工程で作り上げる。ホトエツチング
工程は、まず、第２図ａに示してあるようにAl
膜２２上にホトレジスト膜パターン２１を形成し
Alと反応するエツチング液によつて、第２図ｂ
のようにAl膜２２をホトレジスト膜パターンの
形状にエツチングするものである。そして、弾性
表面定在波を弱める要因となるホトレジスト膜２
１を取り除いてインターデイジタル電極及びグレ
ーテイング反射器は完成される。しかし、一般に
このようにして作られる弾性表面波共振子の共振
周波数はウエーハ間でAlの膜厚やアンダーエツ
チの量の違いによつて変動する。従つて、共振周
波数のバラツキを小さくするために何らかの方法
で調整をしなければならないが、共振周波数の調
整はウエーハをチツプ化する前に行うのが量産性
に向いている。例えばウエーハ間の弾性表面波共
振子の共振周波数を所望の範囲内のバラツキにす
るためには、ホトレジスト膜パターンが形成され
た段階でウエーハ内の任意の一個の弾性表面波共
振子に電気信号を印加して共振周波数を測定し、
Al膜がエツチングされ、インターデイジタル電
極及びグレーテイング反射器が形成されたその時
点での共振周波数を調べればよい。従つて予め、
弾性表面波共振子の共振周波数を低く設計してお
いて、インターデイジタル電極及びグレーデイン
グ反射器のアンダーエツチ量を増加させ、そして
共振周波数を徐々に高くして所望の共振周波数に
達したらAlのエツチングを中止すれば、共振周
波数が一定な弾性表面波共振子が得られる。しか
し、弾性表面波は、液体中ではほとんど減衰して
しまうから、Al膜をエツチングしながら共振周
波数を測定することは不可能である。従つてAl
膜のエツチングに際しては、気体中でエツチング
するプラズマエツチング等の工程を必要とする。
また、ホトレジスト膜は、弾性表面波の伝搬速度
を質量効果によつて低下させてしまうから、正確
な共振周波数が測定できなく、しかも弾性表面定
在波を著しく弱めるので測定は困難となる。正確
な共振周波数を測定しようとするならば、Al膜
のエツチング工程においてはホトレジスト膜の不
要な弾性表面波素子の製造方法が望まれる。
る。弾性表面波共振子は、第１図に示してあるよ
うに圧電基板１３上に、金属膜で形成されたイン
ターデイジタル電極１１と多数のストリツプ状の
グレーテイング反射器１２によつて構成されてい
る。これらのインターデイジタル電極１１及びグ
レーテイング反射器１２は、一般に真空蒸着法に
よつて形成したAl等の導電率の高い金属膜をホ
トエツチング工程で作り上げる。ホトエツチング
工程は、まず、第２図ａに示してあるようにAl
膜２２上にホトレジスト膜パターン２１を形成し
Alと反応するエツチング液によつて、第２図ｂ
のようにAl膜２２をホトレジスト膜パターンの
形状にエツチングするものである。そして、弾性
表面定在波を弱める要因となるホトレジスト膜２
１を取り除いてインターデイジタル電極及びグレ
ーテイング反射器は完成される。しかし、一般に
このようにして作られる弾性表面波共振子の共振
周波数はウエーハ間でAlの膜厚やアンダーエツ
チの量の違いによつて変動する。従つて、共振周
波数のバラツキを小さくするために何らかの方法
で調整をしなければならないが、共振周波数の調
整はウエーハをチツプ化する前に行うのが量産性
に向いている。例えばウエーハ間の弾性表面波共
振子の共振周波数を所望の範囲内のバラツキにす
るためには、ホトレジスト膜パターンが形成され
た段階でウエーハ内の任意の一個の弾性表面波共
振子に電気信号を印加して共振周波数を測定し、
Al膜がエツチングされ、インターデイジタル電
極及びグレーテイング反射器が形成されたその時
点での共振周波数を調べればよい。従つて予め、
弾性表面波共振子の共振周波数を低く設計してお
いて、インターデイジタル電極及びグレーデイン
グ反射器のアンダーエツチ量を増加させ、そして
共振周波数を徐々に高くして所望の共振周波数に
達したらAlのエツチングを中止すれば、共振周
波数が一定な弾性表面波共振子が得られる。しか
し、弾性表面波は、液体中ではほとんど減衰して
しまうから、Al膜をエツチングしながら共振周
波数を測定することは不可能である。従つてAl
膜のエツチングに際しては、気体中でエツチング
するプラズマエツチング等の工程を必要とする。
また、ホトレジスト膜は、弾性表面波の伝搬速度
を質量効果によつて低下させてしまうから、正確
な共振周波数が測定できなく、しかも弾性表面定
在波を著しく弱めるので測定は困難となる。正確
な共振周波数を測定しようとするならば、Al膜
のエツチング工程においてはホトレジスト膜の不
要な弾性表面波素子の製造方法が望まれる。
本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので、
Al膜のエツチング工程中に正確な共振周波数が
測定できるような弾性表面波素子の製造方法を提
供することを目的とするものである。
Al膜のエツチング工程中に正確な共振周波数が
測定できるような弾性表面波素子の製造方法を提
供することを目的とするものである。
以下本発明を図面を参照して説明する。
第３図ａから第３図ｄは本発明の一実施例を製
造工程順に示すものである。まず、第３図ａに示
してあるように、真空蒸着法によつて圧電基板３
４上に所定のAl膜３３を形成し、更にAl膜３３
の上にCr膜３２をピンホールが無い程度に十分
薄く形成する。次に、Cr膜３２上にホトレジス
ト膜パターン３１を形成して、Crだけに反応す
るエツチング液で第３図ｂに示すようにホトレジ
スト膜パターン３１と同じ形状になる迄エツチン
グをする。そして、Cr膜３２が、ホトレジスト
膜パターン３１と同じ形状になつたならば、ホト
レジスト膜を除去し、第３図ｃで示してあるよう
にAl膜３３に対して、Cr膜３２が新たなホトレ
ジスト膜の代わりの保護膜となるようにする。こ
の段階で、ウエーハ内の任意の一個の弾性表面波
共振子のインターデイジタル電極端子に電気信号
を印加して、共振周波数が測定できるようにす
る。そして、Al膜３３をプラズマエツチング工
程等によつて、第３図ｄに示してあるように、ホ
トレジスト膜パターンと同じ形状になる迄エツチ
ングして、インターデイジタル電極及びグレーテ
イング反射器を形成させれば、以前のホトエツチ
ング工程のようにホトレジスト膜が弾性表面定在
波を吸収したり、質量効果をもたらすこともな
い。しかも、Cr膜をAl膜に対して十分に薄くす
ることにより、Cr膜の質量効果は無視できるの
で、正確な共振周波数を測定することが可能とな
る。また、Cr膜３２はAl膜３３の表面を保護す
る役目を果すので、Al膜の劣化を防止する働き
もする。なお、Cr膜の変わりにTi膜を用いても
何らさしつかえはない。
造工程順に示すものである。まず、第３図ａに示
してあるように、真空蒸着法によつて圧電基板３
４上に所定のAl膜３３を形成し、更にAl膜３３
の上にCr膜３２をピンホールが無い程度に十分
薄く形成する。次に、Cr膜３２上にホトレジス
ト膜パターン３１を形成して、Crだけに反応す
るエツチング液で第３図ｂに示すようにホトレジ
スト膜パターン３１と同じ形状になる迄エツチン
グをする。そして、Cr膜３２が、ホトレジスト
膜パターン３１と同じ形状になつたならば、ホト
レジスト膜を除去し、第３図ｃで示してあるよう
にAl膜３３に対して、Cr膜３２が新たなホトレ
ジスト膜の代わりの保護膜となるようにする。こ
の段階で、ウエーハ内の任意の一個の弾性表面波
共振子のインターデイジタル電極端子に電気信号
を印加して、共振周波数が測定できるようにす
る。そして、Al膜３３をプラズマエツチング工
程等によつて、第３図ｄに示してあるように、ホ
トレジスト膜パターンと同じ形状になる迄エツチ
ングして、インターデイジタル電極及びグレーテ
イング反射器を形成させれば、以前のホトエツチ
ング工程のようにホトレジスト膜が弾性表面定在
波を吸収したり、質量効果をもたらすこともな
い。しかも、Cr膜をAl膜に対して十分に薄くす
ることにより、Cr膜の質量効果は無視できるの
で、正確な共振周波数を測定することが可能とな
る。また、Cr膜３２はAl膜３３の表面を保護す
る役目を果すので、Al膜の劣化を防止する働き
もする。なお、Cr膜の変わりにTi膜を用いても
何らさしつかえはない。
第１図は、弾性表面波共振子の構造例を示す
図、第２図ａおよび第２図ｂは、従来の弾性表面
波共振子の製造方法を示す図、第３図ａ〜第３図
ｄは、本発明の弾性表面波共振子の製造方法を示
す図である。 １１……インターデイジタル電極、１２……グ
レーテイング反射器、３１……ホトレジスト膜、
３２……Cr膜、３３……Al膜、３４……圧電基
板。
図、第２図ａおよび第２図ｂは、従来の弾性表面
波共振子の製造方法を示す図、第３図ａ〜第３図
ｄは、本発明の弾性表面波共振子の製造方法を示
す図である。 １１……インターデイジタル電極、１２……グ
レーテイング反射器、３１……ホトレジスト膜、
３２……Cr膜、３３……Al膜、３４……圧電基
板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電基板上に電極と反射器となる金属膜を一
様に形成し、その上に異種金属の保護膜を形成す
る工程と、 前記保護膜を前記電極と前記反射器とのパター
ンに応じてエツチングする工程と、 このエツチングにより残された保護膜をマスク
パターンとして前記電極と前記反射器とからなる
金属膜をエツチングする工程と、 前記電極に電気信号を印加し電気的特性を測定
し所望の共振周波数を得られないとき、再びエツ
チングを行ない、所望の共振周波数とする工程と
からなることを特徴とする弾性表面波共振子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP73281A JPS57115011A (en) | 1981-01-08 | 1981-01-08 | Manufacture for surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP73281A JPS57115011A (en) | 1981-01-08 | 1981-01-08 | Manufacture for surface acoustic wave element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57115011A JPS57115011A (en) | 1982-07-17 |
| JPH0145246B2 true JPH0145246B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=11481898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP73281A Granted JPS57115011A (en) | 1981-01-08 | 1981-01-08 | Manufacture for surface acoustic wave element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57115011A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2596534B2 (ja) * | 1984-01-17 | 1997-04-02 | 株式会社日立製作所 | 表面弾性波素子 |
| JPH0683006B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1994-10-19 | 株式会社東芝 | 導体パタ−ンの製造方法 |
| JPH02268505A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618429A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Minute electrode formation |
-
1981
- 1981-01-08 JP JP73281A patent/JPS57115011A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618429A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Minute electrode formation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57115011A (en) | 1982-07-17 |
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