JP3362860B2 - 表面弾性波素子の製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波素子の製造
方法に関し、特に、表面に電極パターンを有する表面弾
性波素子等の高周波素子の製造工程における電極パター
ンの高精度加工方法に関する。
方法に関し、特に、表面に電極パターンを有する表面弾
性波素子等の高周波素子の製造工程における電極パター
ンの高精度加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波素子は、水晶、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電体あるいは焦電体基板表面
上にＩＤＴ（インターディジタル・トランスデューサ）
と呼ばれる櫛形電極を設けることにより、表面弾性波を
励振、受波できることを利用し、高周波のフィルター、
共振器、電気光学素子等に応用したものである（特公平
２−２２５６５号、特公平２−２４０５０号等）。
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電体あるいは焦電体基板表面
上にＩＤＴ（インターディジタル・トランスデューサ）
と呼ばれる櫛形電極を設けることにより、表面弾性波を
励振、受波できることを利用し、高周波のフィルター、
共振器、電気光学素子等に応用したものである（特公平
２−２２５６５号、特公平２−２４０５０号等）。
【０００３】このような表面弾性波素子の製造工程は、
構造的に電極パターンを一層しか持たないので、フォト
リソグラフィー工程が１回のみであるが、電極のパター
ン精度が高周波素子としての電気的特性の精度に直接影
響するため、高い加工精度が要求される。しかも、従来
の製造工程では、エッチングあるいはリフトオフ法によ
り金属薄膜のＩＤＴ電極パターンを形成しているため、
フォトリソグラフィー工程の精度以上の電気的特性精度
が必要な場合は、ＩＤＴ電極パターン形成後に、周波数
特性等の調整工程を施す必要があった。
構造的に電極パターンを一層しか持たないので、フォト
リソグラフィー工程が１回のみであるが、電極のパター
ン精度が高周波素子としての電気的特性の精度に直接影
響するため、高い加工精度が要求される。しかも、従来
の製造工程では、エッチングあるいはリフトオフ法によ
り金属薄膜のＩＤＴ電極パターンを形成しているため、
フォトリソグラフィー工程の精度以上の電気的特性精度
が必要な場合は、ＩＤＴ電極パターン形成後に、周波数
特性等の調整工程を施す必要があった。
【０００４】この様な方法について、フィルター素子の
製造を例にあげて説明すると、電極パターン形成後の基
板に対して、基板が水晶、電極が蒸着アルミニウム膜の
場合、ＩＤＴ電極指の線幅が細すぎるかあるいは膜厚が
薄すぎる場合、中心周波数が高い方にシフトするため、
ＩＤＴ電極パターンをマスクとして基板の水晶をドライ
エッチングによって削ることで、中心周波数を低い方へ
調整する方法や、同じく、ＩＤＴ電極が蒸着アルミニウ
ム膜で構成されている場合、電極アルミニウムパターン
上にＡｌ2 Ｏ3 の酸化膜層を成長させることによって、
中心周波数を高い方へ調整する方法（特開昭６３−１０
９０９号）等がある。
製造を例にあげて説明すると、電極パターン形成後の基
板に対して、基板が水晶、電極が蒸着アルミニウム膜の
場合、ＩＤＴ電極指の線幅が細すぎるかあるいは膜厚が
薄すぎる場合、中心周波数が高い方にシフトするため、
ＩＤＴ電極パターンをマスクとして基板の水晶をドライ
エッチングによって削ることで、中心周波数を低い方へ
調整する方法や、同じく、ＩＤＴ電極が蒸着アルミニウ
ム膜で構成されている場合、電極アルミニウムパターン
上にＡｌ2 Ｏ3 の酸化膜層を成長させることによって、
中心周波数を高い方へ調整する方法（特開昭６３−１０
９０９号）等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
従来の製造方法において、高精度な周波数特性を持つ表
面弾性波素子を製造するには、エッチング法あるいはリ
フトオフ法の何れの電極形成方法を用いても、ＩＤＴ電
極形成後に周波数調整工程を施す必要があった。
従来の製造方法において、高精度な周波数特性を持つ表
面弾性波素子を製造するには、エッチング法あるいはリ
フトオフ法の何れの電極形成方法を用いても、ＩＤＴ電
極形成後に周波数調整工程を施す必要があった。
【０００６】ところで、表面弾性波素子のＩＤＴ電極指
のピッチ及び線幅等の寸法は、動作する周波数領域と密
接な関係にあり、近年、移動体通信システムや衛生放送
システム等の発達から需要が急増している数１００ＭＨ
ｚ〜数ＧＨｚの動作周波数を持つ素子での電極指の設計
線幅は、数ミクロンからサブミクロンにも達している。
これは、遠紫外線ランプを光源に用いたアライナー露光
によるパターン解像の限界に達しており、フォトリソグ
ラフィー工程のレジストパターン寸法の制御による電極
寸法制御つまり周波数特性制御が極めて困難になってい
るという問題が生じていた。
のピッチ及び線幅等の寸法は、動作する周波数領域と密
接な関係にあり、近年、移動体通信システムや衛生放送
システム等の発達から需要が急増している数１００ＭＨ
ｚ〜数ＧＨｚの動作周波数を持つ素子での電極指の設計
線幅は、数ミクロンからサブミクロンにも達している。
これは、遠紫外線ランプを光源に用いたアライナー露光
によるパターン解像の限界に達しており、フォトリソグ
ラフィー工程のレジストパターン寸法の制御による電極
寸法制御つまり周波数特性制御が極めて困難になってい
るという問題が生じていた。
【０００７】また、周波数特性はＩＤＴ電極金属の膜厚
にも影響されることが知られており、例えば蒸着アルミ
ニウム電極の場合、アルミニウムの蒸着工程において、
ロット間及びバッチ内でのアルミニウム膜厚が均一であ
ることが要求されるが、実際には、最低でも数パーセン
トの膜厚のバラツキが生じる。このため、周波数特性上
では、膜厚が厚いと低周波側に、薄いと高周波側にそれ
ぞれシフトし、数１００ＭＨｚの仕様に対し数１０ｋＨ
ｚ程度のズレが生じる等の問題もあった。
にも影響されることが知られており、例えば蒸着アルミ
ニウム電極の場合、アルミニウムの蒸着工程において、
ロット間及びバッチ内でのアルミニウム膜厚が均一であ
ることが要求されるが、実際には、最低でも数パーセン
トの膜厚のバラツキが生じる。このため、周波数特性上
では、膜厚が厚いと低周波側に、薄いと高周波側にそれ
ぞれシフトし、数１００ＭＨｚの仕様に対し数１０ｋＨ
ｚ程度のズレが生じる等の問題もあった。
【０００８】この様な理由により、高精度型の表面弾性
波素子の製造においては、ＩＤＴ電極形成後、枚葉処理
（各枚の処理）での周波数調整工程が不可欠であった。
したがって、従来の製造方法においては、工程数が多く
なり、スループット等の点で問題があった。
波素子の製造においては、ＩＤＴ電極形成後、枚葉処理
（各枚の処理）での周波数調整工程が不可欠であった。
したがって、従来の製造方法においては、工程数が多く
なり、スループット等の点で問題があった。
【０００９】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、従来技術の上記のような問題
点を解決して、電極形成後に周波数調整工程を施さず
に、高精度の周波数特性を有する表面弾性波素子を工程
数を増やすことなく高スループットで製造する方法を提
供することである。
ものであり、その目的は、従来技術の上記のような問題
点を解決して、電極形成後に周波数調整工程を施さず
に、高精度の周波数特性を有する表面弾性波素子を工程
数を増やすことなく高スループットで製造する方法を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による表面弾性波
素子の製造方法は、ドライエッチング装置に、エッチン
グ中の電極層を実際に動作させるための電気的特性測定
装置を組み合わせ、その測定値が目標特性を示した時点
で、エッチングを停止するようにするようにして、ＩＤ
Ｔ電極パターンのエッチング加工を行うことと、被加工
基板上の素子のチップ面付けにおいて、基板上の任意の
チップの電気的特性をモニターできるような配線パター
ンを設けることと、その配線パターンに接続される終点
検出プローブ接触用パッド部を、何れの被加工基板にお
いても上記のような処理を可能とするため、共通の位置
に設け、しかも、エッチング均一性を損なわないよう
に、基板外周部に設けたことを特徴とする方法である。
素子の製造方法は、ドライエッチング装置に、エッチン
グ中の電極層を実際に動作させるための電気的特性測定
装置を組み合わせ、その測定値が目標特性を示した時点
で、エッチングを停止するようにするようにして、ＩＤ
Ｔ電極パターンのエッチング加工を行うことと、被加工
基板上の素子のチップ面付けにおいて、基板上の任意の
チップの電気的特性をモニターできるような配線パター
ンを設けることと、その配線パターンに接続される終点
検出プローブ接触用パッド部を、何れの被加工基板にお
いても上記のような処理を可能とするため、共通の位置
に設け、しかも、エッチング均一性を損なわないよう
に、基板外周部に設けたことを特徴とする方法である。
【００１１】すなわち、本発明の表面弾性波素子の製造
方法は、少なくとも、圧電性もしくは焦電性を有する基
板上に金属薄膜を形成する工程と、この基板上に櫛型電
極のレジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして露出した金属薄膜をドライエッ
チングする工程と、ドライエッチング後に残存したレジ
スト膜を剥離する工程とからなる表面弾性波素子の製造
方法において、前記レジストパターンの寸法を、形成す
べき櫛型電極の寸法よりも太く形成し、前記ドライエッ
チングを、製造中の表面弾性波素子の周波数特性が目標
値に到達した時点でそのエッチングを終了する終点検出
機能を備えたドライエッチング装置によって行い、周波
数特性モニター用のプローブ接触用パッド部を、前記基
板の外周部であって、前記ドライエッチング装置の周波
数特性測定用のプローブ位置に対応した所定の一定位置
に設け、櫛形電極パターンをドライエッチングにより形
成する際、前記パッド部に前記周波数特性測定用のプロ
ーブを接触して、製造中の表面弾性波素子の周波数特性
を前記プローブでモニターしながらドライエッチングを
制御することを特徴とする方法である。
方法は、少なくとも、圧電性もしくは焦電性を有する基
板上に金属薄膜を形成する工程と、この基板上に櫛型電
極のレジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターンをマスクとして露出した金属薄膜をドライエッ
チングする工程と、ドライエッチング後に残存したレジ
スト膜を剥離する工程とからなる表面弾性波素子の製造
方法において、前記レジストパターンの寸法を、形成す
べき櫛型電極の寸法よりも太く形成し、前記ドライエッ
チングを、製造中の表面弾性波素子の周波数特性が目標
値に到達した時点でそのエッチングを終了する終点検出
機能を備えたドライエッチング装置によって行い、周波
数特性モニター用のプローブ接触用パッド部を、前記基
板の外周部であって、前記ドライエッチング装置の周波
数特性測定用のプローブ位置に対応した所定の一定位置
に設け、櫛形電極パターンをドライエッチングにより形
成する際、前記パッド部に前記周波数特性測定用のプロ
ーブを接触して、製造中の表面弾性波素子の周波数特性
を前記プローブでモニターしながらドライエッチングを
制御することを特徴とする方法である。
【００１２】この場合、プローブ接触用パッド部と基板
上の任意の表面弾性波素子チップとを電気的に接続する
ように配線パターンを配列するのが望ましい。さらに、
そのプローブ接触用パッド部として、プローブ接触用パ
ッドパターン数組を設けることができる。
上の任意の表面弾性波素子チップとを電気的に接続する
ように配線パターンを配列するのが望ましい。さらに、
そのプローブ接触用パッド部として、プローブ接触用パ
ッドパターン数組を設けることができる。
【００１３】
【作用】本発明の方法においては、従来の方法に比べ
て、エッチング工程と周波数調整工程が１段階で行える
ため、工程の簡略化、スループットの向上、歩留まりの
向上、周波数特性の高精度化の点において優れている。
て、エッチング工程と周波数調整工程が１段階で行える
ため、工程の簡略化、スループットの向上、歩留まりの
向上、周波数特性の高精度化の点において優れている。
【００１４】さらに、本発明の方法によると、ドライエ
ッチング装置の被加工基板に対する汎用性が拡大し、エ
ッチングチャンバー内において被加工基板上部のエッチ
ングに寄付するプラズマを均一に保ったままプローブを
接触させることができ、また、被加工基板の任意のチッ
プをモニターすることが可能となる。
ッチング装置の被加工基板に対する汎用性が拡大し、エ
ッチングチャンバー内において被加工基板上部のエッチ
ングに寄付するプラズマを均一に保ったままプローブを
接触させることができ、また、被加工基板の任意のチッ
プをモニターすることが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照にして、本発明の表面弾性
波素子の製造方法の実施例について説明する。
波素子の製造方法の実施例について説明する。
【００１６】図１は、本発明に基づく表面弾性波素子の
製造工程を説明するための図であり、フォトリソグラフ
ィー工程にネガ型のレジストを用いた場合を示す。図
中、１は水晶、ＬｉＮｂＯ３ 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電
体あるいは焦電体からなる基板、２はアルミニウム等の
電極金属薄膜、３はレジスト層、４はフォトマスク、５
は紫外線、６はレジストパターン、７は反応性イオン、
８は櫛形電極、９はプローブ接続用パット部、１０は針
状のプローブを示す。
製造工程を説明するための図であり、フォトリソグラフ
ィー工程にネガ型のレジストを用いた場合を示す。図
中、１は水晶、ＬｉＮｂＯ３ 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電
体あるいは焦電体からなる基板、２はアルミニウム等の
電極金属薄膜、３はレジスト層、４はフォトマスク、５
は紫外線、６はレジストパターン、７は反応性イオン、
８は櫛形電極、９はプローブ接続用パット部、１０は針
状のプローブを示す。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、光学研磨
された基板１に、電極金属薄膜２を蒸着等の手法により
形成する。金属薄膜２の厚さは、電極指の幅の１０分の
１程度に形成される。次いで、図（ｂ）に示すように、
金属薄膜２の上にネガレジストをスピンコーティング等
の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ
０．１〜２．０μｍ程度のレジスト層３を形成する。そ
の上に、図（ｃ）に示すように、フォトマスク４を密着
して、紫外線５を照射してこのレジスト層３を露光し、
露光されたレジスト層３を所定の現像液で現像、リンス
後、同図（ｄ）に示すようなレジストパターン６を形成
する。次に、必要に応じて加熱処理、及び、デスカム処
理を行って、レジストパターン６のエッジ部分等に残存
したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した後、
基板をプラズマエッチング装置の電極上に設置し、同図
（ｅ）に示すように、レジストパターン６の開口部より
露出する金属薄膜２を反応性イオン７によりドライエッ
チングする。この際、エッチング装置の真空チャンバー
内に取り付けられている周波数特性測定装置のプローブ
１０が、パット部９に相当する位置にレジストパターン
６を通して刺し込み接続され、エッチング中の表面弾性
波素子の周波数特性が測定される。素子の特性が所定の
値に達したと判断されたとき、エッチングを停止し、レ
ジストパターン６を灰化除去等により除去して、同図
（ｆ）に示すような電極を形成した基板が完する。次い
で、基板をチップ毎に切断して、実装することにより、
表面弾性波素子が出来上がる。
された基板１に、電極金属薄膜２を蒸着等の手法により
形成する。金属薄膜２の厚さは、電極指の幅の１０分の
１程度に形成される。次いで、図（ｂ）に示すように、
金属薄膜２の上にネガレジストをスピンコーティング等
の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ
０．１〜２．０μｍ程度のレジスト層３を形成する。そ
の上に、図（ｃ）に示すように、フォトマスク４を密着
して、紫外線５を照射してこのレジスト層３を露光し、
露光されたレジスト層３を所定の現像液で現像、リンス
後、同図（ｄ）に示すようなレジストパターン６を形成
する。次に、必要に応じて加熱処理、及び、デスカム処
理を行って、レジストパターン６のエッジ部分等に残存
したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去した後、
基板をプラズマエッチング装置の電極上に設置し、同図
（ｅ）に示すように、レジストパターン６の開口部より
露出する金属薄膜２を反応性イオン７によりドライエッ
チングする。この際、エッチング装置の真空チャンバー
内に取り付けられている周波数特性測定装置のプローブ
１０が、パット部９に相当する位置にレジストパターン
６を通して刺し込み接続され、エッチング中の表面弾性
波素子の周波数特性が測定される。素子の特性が所定の
値に達したと判断されたとき、エッチングを停止し、レ
ジストパターン６を灰化除去等により除去して、同図
（ｆ）に示すような電極を形成した基板が完する。次い
で、基板をチップ毎に切断して、実装することにより、
表面弾性波素子が出来上がる。
【００１８】さて、図２は本発明の製造方法を実施する
ために用いるドライエッチング装置の１例の構成を示す
概略図である。この装置は、アルミニウム膜のドライエ
ッチングによく用いられる平行平板型プラズマエッチン
グ装置を用いるものとしている。真空チャンバー１１内
には平行平板の対向電極１２が設けてあり、その一方の
電極上に、被加工基板（ウエーハ）１３をオリエンテー
ションフラット（回転位置出し面）を利用して、電極中
心に回転ズレもないように正確に固定する。チャンバー
１１内にはＣＣｌ4 等の反応ガスが入口１４より導入さ
れ、排気口１５からの排気量を調整することで、チャン
バー１１内は所定の圧力に保たれる。エッチング加工中
の素子の動作モニター用のプローブ１０は、基板１３導
入後、チャンバー内の基板１３の予め決められた一定の
場所に設けられたパット部９（図１）に接触される。Ｒ
Ｆパワージェネレータ１６から対向電極へＲＦパワーが
供給されるが、プローブ１０を通じて基板１３上の任意
のチップを動作させ、周波数特性を測定する測定装置１
７により、表面弾性波素子で最も重要な周波数特性が最
適になるエッチング量が得られた時点を終点と判断し、
ＲＦパワージェネレータ７に対してパワー停止の信号が
送られ、これに基づいてエッチング動作が停止する。
ために用いるドライエッチング装置の１例の構成を示す
概略図である。この装置は、アルミニウム膜のドライエ
ッチングによく用いられる平行平板型プラズマエッチン
グ装置を用いるものとしている。真空チャンバー１１内
には平行平板の対向電極１２が設けてあり、その一方の
電極上に、被加工基板（ウエーハ）１３をオリエンテー
ションフラット（回転位置出し面）を利用して、電極中
心に回転ズレもないように正確に固定する。チャンバー
１１内にはＣＣｌ4 等の反応ガスが入口１４より導入さ
れ、排気口１５からの排気量を調整することで、チャン
バー１１内は所定の圧力に保たれる。エッチング加工中
の素子の動作モニター用のプローブ１０は、基板１３導
入後、チャンバー内の基板１３の予め決められた一定の
場所に設けられたパット部９（図１）に接触される。Ｒ
Ｆパワージェネレータ１６から対向電極へＲＦパワーが
供給されるが、プローブ１０を通じて基板１３上の任意
のチップを動作させ、周波数特性を測定する測定装置１
７により、表面弾性波素子で最も重要な周波数特性が最
適になるエッチング量が得られた時点を終点と判断し、
ＲＦパワージェネレータ７に対してパワー停止の信号が
送られ、これに基づいてエッチング動作が停止する。
【００１９】図３は、径が３インチの被加工基板１３上
のチップ２１、プローブ接触用のパッド部２２、及び、
被測定チップへの配線パターン２３の面付けの１例を示
す図であり、パッド部２２の位置、形状、数はプローブ
１０と対になっており、異なるチップサイズにより、チ
ップ面付けの配列が変化しても、パッド部２２部分はウ
ェーハによらず共通となるように、マスク設計時より同
じ位置に設けられる。なお、図３の場合は、パッドパタ
ーンは２個しか設けてないが、これ以上例えば数組設け
てもよい。また、パット部は基板周囲に設けるのが望ま
しく、ドライエッチング装置のプローブの位置に対応し
た所定の一定位置に設けるのが望ましい。
のチップ２１、プローブ接触用のパッド部２２、及び、
被測定チップへの配線パターン２３の面付けの１例を示
す図であり、パッド部２２の位置、形状、数はプローブ
１０と対になっており、異なるチップサイズにより、チ
ップ面付けの配列が変化しても、パッド部２２部分はウ
ェーハによらず共通となるように、マスク設計時より同
じ位置に設けられる。なお、図３の場合は、パッドパタ
ーンは２個しか設けてないが、これ以上例えば数組設け
てもよい。また、パット部は基板周囲に設けるのが望ま
しく、ドライエッチング装置のプローブの位置に対応し
た所定の一定位置に設けるのが望ましい。
【００２０】次に、以上のような配置のフォトマスクに
よりレジストパターンを形成したアルミニウム蒸着膜付
き水晶基板を、図２に示したドライエッチング装置内に
設置して、アルミニウム膜をエッチング加工する際の様
子を説明する。図３に示した被加工基板１３上には、図
１に示したようなフォトリソグラフィー工程によって、
ＩＤＴ電極形状レジストパターンが形成されている（図
１（ｄ））。このパターンがエッチング時にアルミニウ
ム膜をマスクすることで、アルミニウム膜ＩＤＴ電極が
形成される。このとき、レジストパターンの寸法は、形
成すべきＩＤＴ電極の設計寸法より５〜２０％程度周囲
を太くして形成する。これは、エッチングしろとドライ
エッチングによる寸法細りを考慮したためである。図４
にエッチング時間と素子の動作周波数の関係を示すが、
この図において、ドライエッチング開始後ｔ0 からｔ1
点までは、Ａｌパターンはエッチングが不完全なために
ショート状態にあり、素子としては動作しないが、エッ
チングの進行に伴いｔ1 時点において電極パターンが個
々に独立し、ショート状態を脱出して動作するようにな
る。しかし、ＩＤＴ電極指寸法が太い場合、動作周波数
は低くなるため、ｔ1 では動作周波数はｆ1 である。こ
こで、エッチングをさらに進めると、アンダーカット状
態になり、電極指寸法は次第に細くなり、それに伴いプ
ローブ１０を経て測定装置１７で測定される周波数も高
くなって行く。周波数が目標のｆ0 を示した時点で、Ｒ
Ｆパワージェネレータ７にバワー停止の信号を送り、こ
れに基づいてエッチング動作が停止される。
よりレジストパターンを形成したアルミニウム蒸着膜付
き水晶基板を、図２に示したドライエッチング装置内に
設置して、アルミニウム膜をエッチング加工する際の様
子を説明する。図３に示した被加工基板１３上には、図
１に示したようなフォトリソグラフィー工程によって、
ＩＤＴ電極形状レジストパターンが形成されている（図
１（ｄ））。このパターンがエッチング時にアルミニウ
ム膜をマスクすることで、アルミニウム膜ＩＤＴ電極が
形成される。このとき、レジストパターンの寸法は、形
成すべきＩＤＴ電極の設計寸法より５〜２０％程度周囲
を太くして形成する。これは、エッチングしろとドライ
エッチングによる寸法細りを考慮したためである。図４
にエッチング時間と素子の動作周波数の関係を示すが、
この図において、ドライエッチング開始後ｔ0 からｔ1
点までは、Ａｌパターンはエッチングが不完全なために
ショート状態にあり、素子としては動作しないが、エッ
チングの進行に伴いｔ1 時点において電極パターンが個
々に独立し、ショート状態を脱出して動作するようにな
る。しかし、ＩＤＴ電極指寸法が太い場合、動作周波数
は低くなるため、ｔ1 では動作周波数はｆ1 である。こ
こで、エッチングをさらに進めると、アンダーカット状
態になり、電極指寸法は次第に細くなり、それに伴いプ
ローブ１０を経て測定装置１７で測定される周波数も高
くなって行く。周波数が目標のｆ0 を示した時点で、Ｒ
Ｆパワージェネレータ７にバワー停止の信号を送り、こ
れに基づいてエッチング動作が停止される。
【００２１】以上、本発明の表面弾性波素子の製造方法
について、実施例を参照にしながら説明してきたが、本
発明はこれら実施例に限定されず、種々の変形が可能で
ある。例えば、ドライエッチング装置として、図２に示
したような反応性イオンエッチング装置に限らず、公知
の種々の装置を用いることができる。
について、実施例を参照にしながら説明してきたが、本
発明はこれら実施例に限定されず、種々の変形が可能で
ある。例えば、ドライエッチング装置として、図２に示
したような反応性イオンエッチング装置に限らず、公知
の種々の装置を用いることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面弾性
波素子の製造方法によると、従来の方法に比べて、エッ
チング工程と周波数調整工程が１段階で行えるため、工
程の簡略化、スループットの向上、歩留まりの向上、周
波数特性の高精度化の点において優れている。
波素子の製造方法によると、従来の方法に比べて、エッ
チング工程と周波数調整工程が１段階で行えるため、工
程の簡略化、スループットの向上、歩留まりの向上、周
波数特性の高精度化の点において優れている。
【００２３】さらに、本発明の方法によると、ドライエ
ッチング装置の被加工基板に対する汎用性が拡大し、エ
ッチングチャンバー内において被加工基板上部のエッチ
ングに寄付するプラズマを均一に保ったままプローブを
接触させることができ、また、被加工基板の任意のチッ
プをモニターすることが可能となる。
ッチング装置の被加工基板に対する汎用性が拡大し、エ
ッチングチャンバー内において被加工基板上部のエッチ
ングに寄付するプラズマを均一に保ったままプローブを
接触させることができ、また、被加工基板の任意のチッ
プをモニターすることが可能となる。
【図１】本発明に基づく表面弾性波素子の製造工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】本発明の製造方法を実施するために用いるドラ
イエッチング装置の１例の構成を示す概略図である。
イエッチング装置の１例の構成を示す概略図である。
【図３】被加工基板上のチップ、プローブ接触用のパッ
ド部、及び、被測定チップへの配線パターンの面付けの
１例を示す図である。
ド部、及び、被測定チップへの配線パターンの面付けの
１例を示す図である。
【図４】本発明によりドライエッチングを行うときのエ
ッチング時間と素子の動作周波の関係を表す図である。
ッチング時間と素子の動作周波の関係を表す図である。
１…基板
２…電極金属薄膜
３…レジスト層
４…フォトマスク
５…紫外線
６…レジストパターン
７…反応性イオン
８…櫛形電極
９…プローブ接続用パット部
１０…プローブ
１１…真空チャンバー
１２…対向電極
１３…被加工基板（ウエーハ）
１４…反応ガス入口
１５…排気口
１６…ＲＦパワージェネレータ
１７…周波数特性測定装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−233815（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−141807（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−6913（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−36971（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−189011（ＪＰ，Ａ)
特公 平１−45246（ＪＰ，Ｂ２)
特公 昭59−31976（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/00
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも、圧電性もしくは焦電性を有
する基板上に金属薄膜を形成する工程と、この基板上に
櫛型電極のレジストパターンを形成する工程と、このレ
ジストパターンをマスクとして露出した金属薄膜をドラ
イエッチングする工程と、ドライエッチング後に残存し
たレジスト膜を剥離する工程とからなる表面弾性波素子
の製造方法において、 前記レジストパターンの寸法を、形成すべき櫛型電極の
寸法よりも太く形成し、 前記ドライエッチングを、製造中の表面弾性波素子の周
波数特性が目標値に到達した時点でそのエッチングを終
了する終点検出機能を備えたドライエッチング装置によ
って行い、周波数特性モニター用のプローブ接触用パッド部を、前
記基板の外周部であって、前記ドライエッチング装置の
周波数特性測定用のプローブ位置に対応した所定の一定
位置に設け、 櫛形電極パターンをドライエッチングにより形成する
際、前記パッド部に前記周波数特性測定用のプローブを
接触して、製造中の表面弾性波素子の周波数特性を前記
プローブでモニターしながらドライエッチングを制御す
ることを特徴とする表面弾性波素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記プローブ接触用パッド部と基板上の
任意の表面弾性波素子チップとを電気的に接続するよう
に配線パターンが配列されていることを特徴とする請求
項１記載の表面弾性波素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記プローブ接触用パッド部として、プ
ローブ接触用パッドパターン数組を設けることを特徴と
する請求項２記載の表面弾性波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00096891A JP3362860B2 (ja) | 1991-01-09 | 1991-01-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00096891A JP3362860B2 (ja) | 1991-01-09 | 1991-01-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04235404A JPH04235404A (ja) | 1992-08-24 |
| JP3362860B2 true JP3362860B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=11488432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00096891A Expired - Fee Related JP3362860B2 (ja) | 1991-01-09 | 1991-01-09 | 表面弾性波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3362860B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420202B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-07-16 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for shaping thin film resonators to shape acoustic modes therein |
| JP4676237B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-04-27 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | Ａｆｍを用いたフォトマスク欠陥修正装置及び方法 |
-
1991
- 1991-01-09 JP JP00096891A patent/JP3362860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04235404A (ja) | 1992-08-24 |
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