JPH02268505A - 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの周波数調整方法Info
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- JPH02268505A JPH02268505A JP9132089A JP9132089A JPH02268505A JP H02268505 A JPH02268505 A JP H02268505A JP 9132089 A JP9132089 A JP 9132089A JP 9132089 A JP9132089 A JP 9132089A JP H02268505 A JPH02268505 A JP H02268505A
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- acoustic wave
- surface acoustic
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
圧電体の表面にそって伝搬する弾性波を利用した弾性表
面波デバイスはフィルタ、遅延線、共娠子２発振子等の
信号処理用デバイスとして、各種の映像機器や通信器等
に広（応用されている。
面波デバイスはフィルタ、遅延線、共娠子２発振子等の
信号処理用デバイスとして、各種の映像機器や通信器等
に広（応用されている。
本発明はそれらの弾性表面波デバイスの中で特に、圧電
体の表面に表面波変換装置（以下、ＩＤＴ電極とする）
と、反射格子を有するキャビティものの、中心周波数の
調整方法に関するものである。
体の表面に表面波変換装置（以下、ＩＤＴ電極とする）
と、反射格子を有するキャビティものの、中心周波数の
調整方法に関するものである。
従来の技術
弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極は、水晶、タンタル酸
リチウム、酸化亜鉛薄膜などの圧電性を有する基板表面
に、フォトリソグラフィー技術により所望の電極形状に
加工し形成する方法が一般的である。従って、この弾性
表面波デバイスの中心周波数は、基板に用いた材料と形
成したＩＤＴ電極の形状から計算式により決定し、電極
形成後に大きく変化させることは困難である。
リチウム、酸化亜鉛薄膜などの圧電性を有する基板表面
に、フォトリソグラフィー技術により所望の電極形状に
加工し形成する方法が一般的である。従って、この弾性
表面波デバイスの中心周波数は、基板に用いた材料と形
成したＩＤＴ電極の形状から計算式により決定し、電極
形成後に大きく変化させることは困難である。
そこで、従来は中心周波数を微調整する方法として以下
の様なものがあった。即ち、ＩＤＴ電極を陽極酸化処理
等により酸化し、ＩＤＴ電極の表面波伝搬速度を変える
方法、ＩＤＴ電極の膜厚をエツチングにより減少させ、
表面波伝搬速度を変える方法、ＩＤＴ電極上に誘伝体膜
を設け、表面波伝搬速度を変える方法など、表面波伝搬
速度を変えることにより中心周波数を調整する方法であ
った。
の様なものがあった。即ち、ＩＤＴ電極を陽極酸化処理
等により酸化し、ＩＤＴ電極の表面波伝搬速度を変える
方法、ＩＤＴ電極の膜厚をエツチングにより減少させ、
表面波伝搬速度を変える方法、ＩＤＴ電極上に誘伝体膜
を設け、表面波伝搬速度を変える方法など、表面波伝搬
速度を変えることにより中心周波数を調整する方法であ
った。
発明が解決しようとする課題
従来の様な中心周波数の調整方法では、圧電性を有する
基板の表面に、−旦ＩＤＴ電極を形成した後、そのＩＤ
Ｔ電極全体に陽極酸化処理やエツチング等の処理を施さ
なければならず、中心周波数を測定しながら調整するこ
とは、はぼ不可能であった。従って、従来の中心周波数
の調整方法を用いて調整を行った弾性表面波デバイスで
は、得られた中心周波数が所望の中心周波数よりも高い
あるいは低いなど、所望する値とずれる場合があるとい
う課題があった。
基板の表面に、−旦ＩＤＴ電極を形成した後、そのＩＤ
Ｔ電極全体に陽極酸化処理やエツチング等の処理を施さ
なければならず、中心周波数を測定しながら調整するこ
とは、はぼ不可能であった。従って、従来の中心周波数
の調整方法を用いて調整を行った弾性表面波デバイスで
は、得られた中心周波数が所望の中心周波数よりも高い
あるいは低いなど、所望する値とずれる場合があるとい
う課題があった。
そこで本発明は、所望の中心周波数を得るための弾性表
面波デバイスの周波数調整方法を提供することを目的と
する。
面波デバイスの周波数調整方法を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、上記表面波変換装
置の一部を切断して微調整するものである。
置の一部を切断して微調整するものである。
作用
本発明によれば、圧電性を有する基板表面に形成した表
面波変換装置（■ＤＴ電極）の一部を、中心周波数を測
定しながら所望の中心周波数を得るように切断するため
、精度良く表面波デバイスの周波数を調整することが可
能である。
面波変換装置（■ＤＴ電極）の一部を、中心周波数を測
定しながら所望の中心周波数を得るように切断するため
、精度良く表面波デバイスの周波数を調整することが可
能である。
実施例
以下本発明の一実施例について説明する。
まず第１図（Ａ）に示すように、水晶基板１の表面にＩ
ＤＴ電極２および反射格子３を設ける。次にこの弾性表
面波共振子のＩＤＴ電極２を電気的に接続し、共振特性
を測定しながら、上記ＩＤＴ電極２の一部を第１図（Ｂ
）に示す様にレーザカッター装置を用いて切断する。４
はその切断部である。なお切断は、所望の中心周波数が
得られるまでＩＤＴ電極２の両端部より続けて行い、中
心周波数の調整をする。ＩＤＴ電極２の対数１００対、
反射格子３の反射格子が左右各２５０本の弾性表面波共
振子の中心周波数を上記方法で調整した時の共振特性の
結果を第２図に示す。この第２図より、ＩＤＴ電極２を
切断すると、共振周波数（中心周波数）の値は低下する
が、電圧減衰量の値にほとんど変化ないことがわかる。
ＤＴ電極２および反射格子３を設ける。次にこの弾性表
面波共振子のＩＤＴ電極２を電気的に接続し、共振特性
を測定しながら、上記ＩＤＴ電極２の一部を第１図（Ｂ
）に示す様にレーザカッター装置を用いて切断する。４
はその切断部である。なお切断は、所望の中心周波数が
得られるまでＩＤＴ電極２の両端部より続けて行い、中
心周波数の調整をする。ＩＤＴ電極２の対数１００対、
反射格子３の反射格子が左右各２５０本の弾性表面波共
振子の中心周波数を上記方法で調整した時の共振特性の
結果を第２図に示す。この第２図より、ＩＤＴ電極２を
切断すると、共振周波数（中心周波数）の値は低下する
が、電圧減衰量の値にほとんど変化ないことがわかる。
更に第３図に、ＩＤＴ電極２の切断対数と共振周波数の
値の関係を示しである。共振周波数の値は切断対数に対
してほぼ直線的に変化し、３０対の切断により約２６０
Ｈｚ周波数が低下していることがわかる。
値の関係を示しである。共振周波数の値は切断対数に対
してほぼ直線的に変化し、３０対の切断により約２６０
Ｈｚ周波数が低下していることがわかる。
以上のように本実施例によれば、弾性表面波共振子のＩ
ＤＴ電極２を共振特性を測定しながら切断しているため
、所望の中心周波数を確実１こ得ることができ、従来の
ような所望値とのずれという問題はおこらない。
ＤＴ電極２を共振特性を測定しながら切断しているため
、所望の中心周波数を確実１こ得ることができ、従来の
ような所望値とのずれという問題はおこらない。
また切断にはレーザカッター装置を使用しているので希
望の切断位置を拡大して目視し確実に切断することがで
き、位置あわせも容易である。しかもレーザを用いて切
断部４だけを瞬時に溶融して切断しているので、残った
ＩＤＴ電極２に何ら影響を及ぼさないし、水晶基板１を
傷つけることもないので共振特性の劣化がおこらない。
望の切断位置を拡大して目視し確実に切断することがで
き、位置あわせも容易である。しかもレーザを用いて切
断部４だけを瞬時に溶融して切断しているので、残った
ＩＤＴ電極２に何ら影響を及ぼさないし、水晶基板１を
傷つけることもないので共振特性の劣化がおこらない。
もし１０μｍ程度の巾で切断部４を切断できるようなカ
ッターナイフがあったとしても、希望する位置だけを確
実に、且つ他に影響しないように切断することは非常に
困難であり、非能率的である。更に、従来のように誘電
体膜をＩＤＴ電極２上に形成する方法では、ＩＤＴ電極
２にかかる誘電体膜の重みのため、表面波の伝搬損失が
大きくなり、共振特性の劣化を招いていたが、本実施例
によれば、ＩＤＴ電極２の一部が切断部４で切断されて
実効対数が減少し、中心周波数が低下するだけで、共振
特性の劣化はほとんどおこらない。
ッターナイフがあったとしても、希望する位置だけを確
実に、且つ他に影響しないように切断することは非常に
困難であり、非能率的である。更に、従来のように誘電
体膜をＩＤＴ電極２上に形成する方法では、ＩＤＴ電極
２にかかる誘電体膜の重みのため、表面波の伝搬損失が
大きくなり、共振特性の劣化を招いていたが、本実施例
によれば、ＩＤＴ電極２の一部が切断部４で切断されて
実効対数が減少し、中心周波数が低下するだけで、共振
特性の劣化はほとんどおこらない。
更に、本実施例において切断部４はＩＤＴ電極２の両端
より中心に向かって順次切断してい（ようにした。実効
対数を減少するだけなら、ＩＤＴ電極２の櫛歯を無作為
に切断する方法もあるが、切断した場所を通過する際表
面波の速度がわずか、なから遅くなるので、伝搬損失得
を考えると切断部４はＩＤＴ電極２の両端部に同様に位
置する方が良い。
より中心に向かって順次切断してい（ようにした。実効
対数を減少するだけなら、ＩＤＴ電極２の櫛歯を無作為
に切断する方法もあるが、切断した場所を通過する際表
面波の速度がわずか、なから遅くなるので、伝搬損失得
を考えると切断部４はＩＤＴ電極２の両端部に同様に位
置する方が良い。
本実施例は弾性表面共振子の周波数を調整する方法とし
たが、弾性表面共振子と同様の反射格子−表面波変換装
置−反射格子構造を持つ共振子型フィルタ等の中心周波
数も調整することができる。
たが、弾性表面共振子と同様の反射格子−表面波変換装
置−反射格子構造を持つ共振子型フィルタ等の中心周波
数も調整することができる。
発明の効果
本発明の弾性表面波デバイスの周波数調整方法によれば
、圧電性を有する基板表面に形成された表面波変換装置
の一部を中心周波数を測定しながら切断できるので、弾
性表面波デバイスの周波数精度が大幅に向上した。
、圧電性を有する基板表面に形成された表面波変換装置
の一部を中心周波数を測定しながら切断できるので、弾
性表面波デバイスの周波数精度が大幅に向上した。
また本実施例のように、切断の際レーザカッター装置を
用いることにより、従来とは違い周波数の微調整を行っ
ても弾性表面波共振子の共振特性を劣化させない。
用いることにより、従来とは違い周波数の微調整を行っ
ても弾性表面波共振子の共振特性を劣化させない。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例による弾性表面波共振
子の平面図、第１図（Ｂ）はその周波数の微調整を行っ
た後の平面図、第２図は本発明の一実施例による弾性表
面波共振子の周波数調整前後の共振特性を示す特性図、
第３図は表面波変換装置の切断対数と周波数の変化の関
係を示す特性図である。 １・・・・・・水晶基板、２・・・・・・ＩＤＴ電極、
３・・・・・・反射格子、４・・・・・・切断部。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｉ−−−水
晶基板 ２−−−ＩＤＴ 電 僑 ３−・−反１１傷子 ４−・−ｔｏｓｒｒ部 第 図 Ｏ 周波数 （ｒＩ＃ｚ） 竺 う７ 図 ｔｎ ＃ ７ｆｕ （奎）
子の平面図、第１図（Ｂ）はその周波数の微調整を行っ
た後の平面図、第２図は本発明の一実施例による弾性表
面波共振子の周波数調整前後の共振特性を示す特性図、
第３図は表面波変換装置の切断対数と周波数の変化の関
係を示す特性図である。 １・・・・・・水晶基板、２・・・・・・ＩＤＴ電極、
３・・・・・・反射格子、４・・・・・・切断部。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｉ−−−水
晶基板 ２−−−ＩＤＴ 電 僑 ３−・−反１１傷子 ４−・−ｔｏｓｒｒ部 第 図 Ｏ 周波数 （ｒＩ＃ｚ） 竺 う７ 図 ｔｎ ＃ ７ｆｕ （奎）
Claims (1)
- 圧電性を有する基板と、上記基板の表面において設けら
れた櫛歯状の電極を有する少なくとも一対の表面波変換
装置と、上記表面波変換装置の両側に表面波を反射する
ために設けられた複数個の反射格子とを有する表面波デ
バイスの中心周波数を、上記表面波変換装置の一部を切
断して微調整する、弾性表面波デバイスの周波数調整方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9132089A JPH02268505A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9132089A JPH02268505A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268505A true JPH02268505A (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=14023168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9132089A Pending JPH02268505A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02268505A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5196263A (ja) * | 1975-01-15 | 1976-08-24 | ||
| JPS5258340A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Toko Inc | Surface acoustic wave device |
| JPS57115011A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-17 | Toshiba Corp | Manufacture for surface acoustic wave element |
| JPS5994910A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 周波数微細調整方法 |
| JPS60230710A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子の実装方法 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9132089A patent/JPH02268505A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5196263A (ja) * | 1975-01-15 | 1976-08-24 | ||
| JPS5258340A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Toko Inc | Surface acoustic wave device |
| JPS57115011A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-17 | Toshiba Corp | Manufacture for surface acoustic wave element |
| JPS5994910A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 周波数微細調整方法 |
| JPS60230710A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子の実装方法 |
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