JPH0138061B2 - - Google Patents
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- JPH0138061B2 JPH0138061B2 JP12199084A JP12199084A JPH0138061B2 JP H0138061 B2 JPH0138061 B2 JP H0138061B2 JP 12199084 A JP12199084 A JP 12199084A JP 12199084 A JP12199084 A JP 12199084A JP H0138061 B2 JPH0138061 B2 JP H0138061B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- glass
- glass plate
- lithium metasilicate
- exposed area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は化学切削性感光ガラス板に段付きの溝
又は孔を加工する方法に関するものである。
又は孔を加工する方法に関するものである。
段付きの溝又は孔を有するガラス板は、エレク
トロニクス用セラミツク材料として広く利用され
ているが、本発明は化学切削性感光ガラスを使用
して、露光、結晶化、エツチングの各操作を複数
回繰り返すことにより、当該ガラスに段付きの溝
又は孔を加工する方法を提供する。
トロニクス用セラミツク材料として広く利用され
ているが、本発明は化学切削性感光ガラスを使用
して、露光、結晶化、エツチングの各操作を複数
回繰り返すことにより、当該ガラスに段付きの溝
又は孔を加工する方法を提供する。
［従来の技術］
化学切削性感光ガラスは、その上面にマスク
（ネガ）を置いて紫外域光を照射した後加熱する
と、照射部分にリチウムメタシリケート（SiO2
−LiO2）の微細な結晶が生長する。そこで、こ
れをフツ酸溶液で処理すれば、結晶部分とガラス
部分との溶解速度の差によつて、ガラスの紫外域
光照射部分のみを選択的に溶解して取除く感光ガ
ラスに穿孔、溝付け、切断などの加工を施すこと
は公知である。
（ネガ）を置いて紫外域光を照射した後加熱する
と、照射部分にリチウムメタシリケート（SiO2
−LiO2）の微細な結晶が生長する。そこで、こ
れをフツ酸溶液で処理すれば、結晶部分とガラス
部分との溶解速度の差によつて、ガラスの紫外域
光照射部分のみを選択的に溶解して取除く感光ガ
ラスに穿孔、溝付け、切断などの加工を施すこと
は公知である。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、化学切削性感光ガラスを用いて段付
きの溝又は孔を持つたガラス板を取得する場合、
従来は２枚もしくはそれ以上の化学切削性感光ガ
ラス板に、幅又は広さの異なる溝又は孔をそれぞ
れ加工し、しかる後これらのガラス板を重ね合わ
せて融着するという方法が採用されて来た。しか
し、この方法は重ね合わせ工程でのズレ乃至は融
着工程での変形に原因して充分な加工精度が得ら
れない欠点があるばかりでなく、コストも非常に
高くつく不都合がある。
きの溝又は孔を持つたガラス板を取得する場合、
従来は２枚もしくはそれ以上の化学切削性感光ガ
ラス板に、幅又は広さの異なる溝又は孔をそれぞ
れ加工し、しかる後これらのガラス板を重ね合わ
せて融着するという方法が採用されて来た。しか
し、この方法は重ね合わせ工程でのズレ乃至は融
着工程での変形に原因して充分な加工精度が得ら
れない欠点があるばかりでなく、コストも非常に
高くつく不都合がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は係る段付き溝又は段付き孔の加工方法
は、化学切削性感光ガラスを用いながらも、融着
工程を必要としないものであつて、その方法は化
学切削性感光ガラス板上に所望のパターンの開口
部を有する第１のマスクを載置し、このマスクを
介して紫外域光を照射することにより感光ガラス
板に第１の露光部を形成させた後、熱処理を施し
て第１の露光部に第１のリチウムメタシリケート
晶出域を生成させ、次いでこのガラス板に第１の
マスクより広い開口部を有する第２のマスクを載
置し、第２のマスクを介して改めて紫外域光を照
射することによりガラス板に第２の露光部を形成
させ、しかる後酸処理を施して第１のリチウムメ
タシリケート晶出域を溶出し、次いで得られたガ
ラス板に改めて熱処理を施して第２の露光部に第
２のリチウムメタシリケート晶出域を生成させた
後、当該晶出域を酸処理によつて所望の深さまで
溶出することからなる。
は、化学切削性感光ガラスを用いながらも、融着
工程を必要としないものであつて、その方法は化
学切削性感光ガラス板上に所望のパターンの開口
部を有する第１のマスクを載置し、このマスクを
介して紫外域光を照射することにより感光ガラス
板に第１の露光部を形成させた後、熱処理を施し
て第１の露光部に第１のリチウムメタシリケート
晶出域を生成させ、次いでこのガラス板に第１の
マスクより広い開口部を有する第２のマスクを載
置し、第２のマスクを介して改めて紫外域光を照
射することによりガラス板に第２の露光部を形成
させ、しかる後酸処理を施して第１のリチウムメ
タシリケート晶出域を溶出し、次いで得られたガ
ラス板に改めて熱処理を施して第２の露光部に第
２のリチウムメタシリケート晶出域を生成させた
後、当該晶出域を酸処理によつて所望の深さまで
溶出することからなる。
本発明の加工方法は複数段の段付き溝又は孔を
加工する場合にも適用できることはもちろんであ
つて、例えば第２のリチウムメタシリケート晶出
域を酸で溶出するに先立ち、第２のマスクより広
い開口部を有する第３のマスクをガラス板上に載
置して紫外域光を照射し、第２のリチウムメタシ
リケート晶出域を溶出後、熱処理を施して第３の
リチウムメタシリケート晶出域を生成させ、しか
る後酸処理で第３の晶出域を溶出させれば、２段
の段付き溝又は孔を加工することができる。
加工する場合にも適用できることはもちろんであ
つて、例えば第２のリチウムメタシリケート晶出
域を酸で溶出するに先立ち、第２のマスクより広
い開口部を有する第３のマスクをガラス板上に載
置して紫外域光を照射し、第２のリチウムメタシ
リケート晶出域を溶出後、熱処理を施して第３の
リチウムメタシリケート晶出域を生成させ、しか
る後酸処理で第３の晶出域を溶出させれば、２段
の段付き溝又は孔を加工することができる。
本発明の加工方法を実施するに際し、化学切削
性感光ガラスとしては、例えば特公昭31−5885号
公報に教示されるところの、重量％でSiO270〜
85、LiO29〜15、Na2O＋K2O0〜８の基礎組成に
AgClを0.001〜0.02添加したガラスを使用するこ
とができる。紫外域光源にはキセノンランプが使
用可能で、この場合の照射条件はガラスの厚さな
どにもよるが、例えば、ガラスとの距離30cm、照
射時間20秒を採用することができる。露光部の熱
処理温度は一般に400〜450℃程度を可とし、酸処
理は２〜３％のフツ酸水溶液に20℃で20〜60分間
リチウムメタシリケート晶出域を浸漬することに
より、１mmの深さまで当該晶域を溶出させること
ができる。
性感光ガラスとしては、例えば特公昭31−5885号
公報に教示されるところの、重量％でSiO270〜
85、LiO29〜15、Na2O＋K2O0〜８の基礎組成に
AgClを0.001〜0.02添加したガラスを使用するこ
とができる。紫外域光源にはキセノンランプが使
用可能で、この場合の照射条件はガラスの厚さな
どにもよるが、例えば、ガラスとの距離30cm、照
射時間20秒を採用することができる。露光部の熱
処理温度は一般に400〜450℃程度を可とし、酸処
理は２〜３％のフツ酸水溶液に20℃で20〜60分間
リチウムメタシリケート晶出域を浸漬することに
より、１mmの深さまで当該晶域を溶出させること
ができる。
［実施例］
第１図は本発明による加工工程を化学切削性感
光ガラスの断面で示したものである。第１図のＡ
は露光工程を示し、化学切削性感光ガラス板１上
に所望のパターンの開口部を有する第１のマスク
２を載置し、このマスク２を介して紫外域光線
UVを照射することにより、感光ガラス１に第１
の露光部１０を形成させる。次にＢの熱処理工程
でガラスを400〜450℃で熱処理することにより第
１の露光部１０に対応する領域に第１のリチウム
メタシリケート晶出域２０を生成させる。しかる
後Ｃの再露光工程で第１のマスク２よりも広い開
口部を有する第２のマスク２′を介して改めて紫
外域光線UVを照射し、第１の晶出域２０の周囲
に第２の露光部１０′を形成させる。次いでＤの
酸処理工程に於てガラスを希フツ酸水溶液で処理
することにより、第１のリチウムメタシリケート
晶出域２０を溶出させ、周囲に第２の露光部１
０′を持つた孔をまず加工する。この場合、D′に
示す如く、ガラスの片面を被覆材３で酸から保護
し、酸処理を途中で中断すればガラス１に溝を加
工することができる。
光ガラスの断面で示したものである。第１図のＡ
は露光工程を示し、化学切削性感光ガラス板１上
に所望のパターンの開口部を有する第１のマスク
２を載置し、このマスク２を介して紫外域光線
UVを照射することにより、感光ガラス１に第１
の露光部１０を形成させる。次にＢの熱処理工程
でガラスを400〜450℃で熱処理することにより第
１の露光部１０に対応する領域に第１のリチウム
メタシリケート晶出域２０を生成させる。しかる
後Ｃの再露光工程で第１のマスク２よりも広い開
口部を有する第２のマスク２′を介して改めて紫
外域光線UVを照射し、第１の晶出域２０の周囲
に第２の露光部１０′を形成させる。次いでＤの
酸処理工程に於てガラスを希フツ酸水溶液で処理
することにより、第１のリチウムメタシリケート
晶出域２０を溶出させ、周囲に第２の露光部１
０′を持つた孔をまず加工する。この場合、D′に
示す如く、ガラスの片面を被覆材３で酸から保護
し、酸処理を途中で中断すればガラス１に溝を加
工することができる。
図のＥは再熱処理工程を示し、ここではＤの酸
処理工程を終えたガラス１を改めて熱処理するこ
とにより、第２の露光部１０′に対応する領域に
第２のリチウムメタシリケート晶出域２０′を生
成させる。しかる後、Ｆの再酸処理工程で、ガラ
ス１の片面を被覆材３で保護しながら他方の面か
ら希フツ酸水溶液を用いて晶出域２０′を所望の
深さまで溶出させることにより、段付きの溝又は
孔を得ることができるのである。またＦの再酸処
理に先立ち、第２図に示す如く第２のマスク２′
より広い開口部を有する第３のマスク２″を介し
てガラス１に紫外域光線を照射することにより、
第２の晶出域２０′の周囲に第３の露光部１０″を
形成させ、しかる後にＦの酸処理を行ない、次い
でＥの熱処理とＦの酸処理を実施すれば、ガラス
に２段付き溝又は孔を加工することも可能であ
る。
処理工程を終えたガラス１を改めて熱処理するこ
とにより、第２の露光部１０′に対応する領域に
第２のリチウムメタシリケート晶出域２０′を生
成させる。しかる後、Ｆの再酸処理工程で、ガラ
ス１の片面を被覆材３で保護しながら他方の面か
ら希フツ酸水溶液を用いて晶出域２０′を所望の
深さまで溶出させることにより、段付きの溝又は
孔を得ることができるのである。またＦの再酸処
理に先立ち、第２図に示す如く第２のマスク２′
より広い開口部を有する第３のマスク２″を介し
てガラス１に紫外域光線を照射することにより、
第２の晶出域２０′の周囲に第３の露光部１０″を
形成させ、しかる後にＦの酸処理を行ない、次い
でＥの熱処理とＦの酸処理を実施すれば、ガラス
に２段付き溝又は孔を加工することも可能であ
る。
［発明の効果］
以上の通り、本発明の方法によれば、化学切削
性感光ガラスを使用して、露光−熱処理−露光−
酸処理の各工程を適宜組合わせて繰り返すだけ
で、所望の段数を持つ溝又は孔を加工することが
できるので、既述した重ね合わせて融着する従来
法に比較して精度の高い加工品を低コストで得る
こと。
性感光ガラスを使用して、露光−熱処理−露光−
酸処理の各工程を適宜組合わせて繰り返すだけ
で、所望の段数を持つ溝又は孔を加工することが
できるので、既述した重ね合わせて融着する従来
法に比較して精度の高い加工品を低コストで得る
こと。
第１図は本発明の加工工程をガラス板の断面で
示す工程説明図であり、第２図は本発明の−変形
例をガラスの断面で示す図面である。 １……化学切削性感光ガラス、２，２′，２″…
…マスク、３……被覆材、１０，１０′，１０″…
…露光部、２０，２０′……リチウムメタシリケ
ート晶出域、UV……紫外域光線。
示す工程説明図であり、第２図は本発明の−変形
例をガラスの断面で示す図面である。 １……化学切削性感光ガラス、２，２′，２″…
…マスク、３……被覆材、１０，１０′，１０″…
…露光部、２０，２０′……リチウムメタシリケ
ート晶出域、UV……紫外域光線。
Claims (1)
- １ 化学切削性感光ガラス板上に所望のパターン
の開口部を有する第１のマスクを載置し、このマ
スクを介して紫外域光を照射することにより感光
ガラス板に第１の露光部を形成させた後、熱処理
を施して第１の露光部に第１のリチウムメタシリ
ケート晶出域を生成せしめ、次いでこのガラス板
に第１のマスクより広い開口部を有する第２のマ
スクを載置し、第２のマスクを介して改めて紫外
域光を照射することによりガラス板に第２の露光
部を形成させ、しかる後酸処理を施して第１のリ
チウムメタシリケート晶出域を溶出し、次いで得
られたガラス板に改めて熱処理を施すことにより
第２の露光部に第２のリチウムメタシリケート晶
出域を生成させた後、当該晶出域を酸処理によつ
て所望の深さまで溶出することからなるガラスに
段付きの溝又は孔を加工する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199084A JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199084A JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616143A JPS616143A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0138061B2 true JPH0138061B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=14824829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12199084A Granted JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616143A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4780240A (en) | 1985-08-02 | 1988-10-25 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| US7132054B1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-11-07 | Sandia Corporation | Method to fabricate hollow microneedle arrays |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12199084A patent/JPS616143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS616143A (ja) | 1986-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |