JPS616143A - ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 - Google Patents
ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法Info
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- JPS616143A JPS616143A JP12199084A JP12199084A JPS616143A JP S616143 A JPS616143 A JP S616143A JP 12199084 A JP12199084 A JP 12199084A JP 12199084 A JP12199084 A JP 12199084A JP S616143 A JPS616143 A JP S616143A
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Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野」
本発明は化学切削性感光ガラス板に段付ぎの潜又１よ孔
を加工する方法に関りるｂのである。
を加工する方法に関りるｂのである。
段付きの満又ｆＪ孔を右りるガラス板は、Ｔレフ１〜１
］ニクス用し少ミック材料としＣ広く利用されているが
、本発明は化学切削性感光ガラスを使用して、露光、結
晶化、■ツブングの各操作を複数回繰り返りことにより
、当該ガラスに段付きの潜又は孔を加■ηる方法を提供
覆る。
］ニクス用し少ミック材料としＣ広く利用されているが
、本発明は化学切削性感光ガラスを使用して、露光、結
晶化、■ツブングの各操作を複数回繰り返りことにより
、当該ガラスに段付きの潜又は孔を加■ηる方法を提供
覆る。
［従来の技術１
化学切削性感光ガラスは、その土面にマスク（ネガ）を
買いて紫外域）にを照射した後加熱づると、照射部分に
リヂウムメタシリクート（ＳｉＯｚ−Ｌ：０２）の微細
な結晶が生抜（る。そこで、これをフッ酸溶液で処理づ
れば、結晶部分とガラス部分との溶ｗＩ速度の差によっ
て、ガラスの紫外域光照射部分のみを選択的に溶解して
取除く感光ガラスに穿孔、溝付け、１，７Ｊ断などの加
工を流づことは公知である。
買いて紫外域）にを照射した後加熱づると、照射部分に
リヂウムメタシリクート（ＳｉＯｚ−Ｌ：０２）の微細
な結晶が生抜（る。そこで、これをフッ酸溶液で処理づ
れば、結晶部分とガラス部分との溶ｗＩ速度の差によっ
て、ガラスの紫外域光照射部分のみを選択的に溶解して
取除く感光ガラスに穿孔、溝付け、１，７Ｊ断などの加
工を流づことは公知である。
［発明が解決しようとする問題点１
どころで、化学切削性感光ガラスを用いて段付きの溝又
は孔を持ったガラス様を取ｖ３９る場合、従来は２枚り
＋、＜はそれ以りの化学切削性Ｉｉ！ｌｉ光ガラス仮に
、幅又は広さの異４する溝又は孔をイれぞれ加工し、し
かる後これらのガラス機をｉ［、ｌａ合わせて融着する
という方法が採用され′Ｃ来た。しかし、この方法は重
ね合わせ工程でのズレ乃至は融着工程での変形に原因し
て充分な加工粘麿が冑られない欠点があるばかりでなく
、］ストｔ）非富に高くつく不都合がある。
は孔を持ったガラス様を取ｖ３９る場合、従来は２枚り
＋、＜はそれ以りの化学切削性Ｉｉ！ｌｉ光ガラス仮に
、幅又は広さの異４する溝又は孔をイれぞれ加工し、し
かる後これらのガラス機をｉ［、ｌａ合わせて融着する
という方法が採用され′Ｃ来た。しかし、この方法は重
ね合わせ工程でのズレ乃至は融着工程での変形に原因し
て充分な加工粘麿が冑られない欠点があるばかりでなく
、］ストｔ）非富に高くつく不都合がある。
［問題点を解決するための手段１
本弁明に係る段付き満又は段付き孔の加二［方法は、化
学切削性感光ガラスを用いながらし、融右Ｔ程を必要と
しないものであって、その方γ）、は化学切削性感光ガ
ラス板上に所望のパターンの開口価を有する第１のぐス
フを載置し、このマスクを介して紫外域光を照ＤＩ ｉ
ることにより感光ガラス板に第１の露光部を形成させた
後、熱処理を施して第１の露光部に第１のリチウムメタ
シリケート晶出域を生成さυ、次いでこのガラス機に第
１のマスクより広い開Ｌ１部を有Ｊる第２のマスクを載
置し、第２のマスクを介して改めて紫外域光を照射する
ことにＪ、リガラス板に第２の露光部を形成させ、しか
る後酸処理を施して第１のり升つムメタシリケート晶出
域を溶出し、次いで得られたガラス板に改めて熱処理を
施して第２の露光部に第２のりヂウムメクシリケー１〜
晶出域を４１成させた後、当該晶出域を酸処理によって
所望の深さまで溶出することから４する。
学切削性感光ガラスを用いながらし、融右Ｔ程を必要と
しないものであって、その方γ）、は化学切削性感光ガ
ラス板上に所望のパターンの開口価を有する第１のぐス
フを載置し、このマスクを介して紫外域光を照ＤＩ ｉ
ることにより感光ガラス板に第１の露光部を形成させた
後、熱処理を施して第１の露光部に第１のリチウムメタ
シリケート晶出域を生成さυ、次いでこのガラス機に第
１のマスクより広い開Ｌ１部を有Ｊる第２のマスクを載
置し、第２のマスクを介して改めて紫外域光を照射する
ことにＪ、リガラス板に第２の露光部を形成させ、しか
る後酸処理を施して第１のり升つムメタシリケート晶出
域を溶出し、次いで得られたガラス板に改めて熱処理を
施して第２の露光部に第２のりヂウムメクシリケー１〜
晶出域を４１成させた後、当該晶出域を酸処理によって
所望の深さまで溶出することから４する。
本発明の加より法は複数段の段付き満又は孔を加工する
場合に６適用できることはもちろｌυであって、例えば
第２のリチウムメタシリク−１・晶出域を酸で溶出づる
に先立ち、第２のマスクより広い間口部を右する第３の
マスクをガラス板１−に載置して紫外域光を照射し、第
２のリチウムメタシリケート晶出域を溶出後、熱処理を
施して第３のリチウムメタシリケート晶出域を１成させ
、しかる後酸処理で第３の晶出域を溶出さければ、２段
の段イ」きｉＭ又は孔を加−［することができる。
場合に６適用できることはもちろｌυであって、例えば
第２のリチウムメタシリク−１・晶出域を酸で溶出づる
に先立ち、第２のマスクより広い間口部を右する第３の
マスクをガラス板１−に載置して紫外域光を照射し、第
２のリチウムメタシリケート晶出域を溶出後、熱処理を
施して第３のリチウムメタシリケート晶出域を１成させ
、しかる後酸処理で第３の晶出域を溶出さければ、２段
の段イ」きｉＭ又は孔を加−［することができる。
本発明の加工方法を実施づるに際し、化学切削性感光ガ
ラスとしては、例えば特公昭３１−５８８５号公報に教
示されるところの°、Ｖｆｆｆｉ％でＳｉＯ？７０〜８
５、ｌ−！０２９〜１５、Ｎａ２０４−に２０ ０〜８
の基礎組成に／ＩｃＮを０．００１〜００２添加したガ
ラスを使用づることができる。紫外域光源にはキレノン
ランプが使用可能で、この場合の照射条件はガラスの厚
さなどにもよるが、例えば、ガラスどの距１１１３０ｃ
ｍ、照射時間２０秒を採用づることかできる。露光部の
熱処理温度は一般に４００−・４５０℃程度を可とし、
酸処理は２〜３％のフッ酸水溶液に２０℃で２０〜６０
分間リチウムメタシリケート晶出域を浸漬することによ
り、１ｍｍの深さ；Ｌで当該晶域を溶出さけることがで
きる。
ラスとしては、例えば特公昭３１−５８８５号公報に教
示されるところの°、Ｖｆｆｆｉ％でＳｉＯ？７０〜８
５、ｌ−！０２９〜１５、Ｎａ２０４−に２０ ０〜８
の基礎組成に／ＩｃＮを０．００１〜００２添加したガ
ラスを使用づることができる。紫外域光源にはキレノン
ランプが使用可能で、この場合の照射条件はガラスの厚
さなどにもよるが、例えば、ガラスどの距１１１３０ｃ
ｍ、照射時間２０秒を採用づることかできる。露光部の
熱処理温度は一般に４００−・４５０℃程度を可とし、
酸処理は２〜３％のフッ酸水溶液に２０℃で２０〜６０
分間リチウムメタシリケート晶出域を浸漬することによ
り、１ｍｍの深さ；Ｌで当該晶域を溶出さけることがで
きる。
［実施例］
第１図は本発明による加エエ稈を化学切削ｆ［感光ガラ
スの断面で示したものである。第１図の式は露光１稈を
示し、化学切削性感光ガラス板１上に所望のパターンの
開口部を有する第１のマスク２を載置し、このマスク２
を介して紫外域光線（Ｕ Ｖ ）を照射りることにより
、感光ガラス１に第１の露光部１０を形成させる。次に
８）の熱処理Ｉ稈でガラスを４００〜４５０℃ぐ熱処理
づることにより第１の露光部１０に対応づる領域に第１
のリチウムメタシリク−１・晶出域２０をイ１−成ざけ
る。しかる後（０の再露光Ｊ稈で第１のマスク２よりも
広い間口部を有する第２のマスク２′を介して改め（紫
外域光線（ＵＶ）を照射し、第１の晶出域２０の周囲に
第２の露光部１０′を形成さける。次いで＋Ｄ＋の酸処
理工程に於てガラスを希フッ醸水溶液ぐ処理ηることに
より、第１のリチウムメタシリク−１〜晶出［２０を溶
出さけ、周囲に第２の露光部１０′を持った孔をまず加
工づる。この場合、（Ｄ’）に示η如く、ガラスの片面
を被覆材３で酸から保護し、酸処理を途中で中Ｉｇｉづ
ればガラス１に溝を加工づることができる。
スの断面で示したものである。第１図の式は露光１稈を
示し、化学切削性感光ガラス板１上に所望のパターンの
開口部を有する第１のマスク２を載置し、このマスク２
を介して紫外域光線（Ｕ Ｖ ）を照射りることにより
、感光ガラス１に第１の露光部１０を形成させる。次に
８）の熱処理Ｉ稈でガラスを４００〜４５０℃ぐ熱処理
づることにより第１の露光部１０に対応づる領域に第１
のリチウムメタシリク−１・晶出域２０をイ１−成ざけ
る。しかる後（０の再露光Ｊ稈で第１のマスク２よりも
広い間口部を有する第２のマスク２′を介して改め（紫
外域光線（ＵＶ）を照射し、第１の晶出域２０の周囲に
第２の露光部１０′を形成さける。次いで＋Ｄ＋の酸処
理工程に於てガラスを希フッ醸水溶液ぐ処理ηることに
より、第１のリチウムメタシリク−１〜晶出［２０を溶
出さけ、周囲に第２の露光部１０′を持った孔をまず加
工づる。この場合、（Ｄ’）に示η如く、ガラスの片面
を被覆材３で酸から保護し、酸処理を途中で中Ｉｇｉづ
ればガラス１に溝を加工づることができる。
図の（Ｅ）は再熱処１！Ｊ！ Ｉ 稈を示し、ここでは
０）の酸処理工程を終えたガラス１を改めて熱処理ηる
ことにより、第２の露光部１０′に対応覆る領域に第２
のリチウムメタシリケート晶出域２０′を生成させる。
０）の酸処理工程を終えたガラス１を改めて熱処理ηる
ことにより、第２の露光部１０′に対応覆る領域に第２
のリチウムメタシリケート晶出域２０′を生成させる。
しかる後、１日の再酸処理り稈で、ガラス１の片面を被
覆材３で保護しながら他方の面から希フッ酸水溶液を用
いて品出域２０’を所望の深さまで溶出さけることによ
り、段（＝Ｊきの溝又ｔよ孔を（ｑることがでさるので
ある。また（１→の再酸処理に先立ら、第２図に示づ如
く第２のマスク２′より広い開口部を有する第３のマス
ク２パを介し、てガラス１に紫外域光線を照射づること
により、第２の晶出１＊２０’の周囲に第３の７Ｊ九部
１０″を形成させ、しかる後に（［−１の酸処理を行な
い、次いで（１）の熱処理ど（口の酸処理を実１１１！
づれば、ガラスに２段イ」３洛又は孔を加工することも
可能である。
覆材３で保護しながら他方の面から希フッ酸水溶液を用
いて品出域２０’を所望の深さまで溶出さけることによ
り、段（＝Ｊきの溝又ｔよ孔を（ｑることがでさるので
ある。また（１→の再酸処理に先立ら、第２図に示づ如
く第２のマスク２′より広い開口部を有する第３のマス
ク２パを介し、てガラス１に紫外域光線を照射づること
により、第２の晶出１＊２０’の周囲に第３の７Ｊ九部
１０″を形成させ、しかる後に（［−１の酸処理を行な
い、次いで（１）の熱処理ど（口の酸処理を実１１１！
づれば、ガラスに２段イ」３洛又は孔を加工することも
可能である。
［発明の効果１
以上の通り、本発明の方法によれば、化学切削性感光ガ
ラスを使用して、露光−熱処理一露光一酸処理の各■稈
を適宜組合わせて繰り返りだｔプで、所望の段数を持つ
７；４又は孔を加］−づることか′Ｃさるので、既述し
た重ね合わけて融着りる従来法に比較してＩＳａの高い
加−Ｌ品を低コストてｅＪるＣと
ラスを使用して、露光−熱処理一露光一酸処理の各■稈
を適宜組合わせて繰り返りだｔプで、所望の段数を持つ
７；４又は孔を加］−づることか′Ｃさるので、既述し
た重ね合わけて融着りる従来法に比較してＩＳａの高い
加−Ｌ品を低コストてｅＪるＣと
第１図１Ｊ本発明の加エエ稈をガラス板の断面【示づ■
稈説明図であり、第２図ｔま本発明の一変形例をガラス
の断面ぐ示す図面Ｃある。 ］・・・化学切削ｖ１感光ガフス、２．２’ 、２°゛
・・・ンスク、３・・被覆材、１０．４０’ 、 １０
”・・・露光部、２０゜２０′・・・リヂウｌ＼メタシ
リケ−１・晶出域、ＵＶ・・・紫外域光線 出 Ｋイ） 人 株式会ン１ 保谷蛸了代 理
人 朝 ｎ ｉ■ 幸第２図 ７２゛ １σ’ ２０’ １
稈説明図であり、第２図ｔま本発明の一変形例をガラス
の断面ぐ示す図面Ｃある。 ］・・・化学切削ｖ１感光ガフス、２．２’ 、２°゛
・・・ンスク、３・・被覆材、１０．４０’ 、 １０
”・・・露光部、２０゜２０′・・・リヂウｌ＼メタシ
リケ−１・晶出域、ＵＶ・・・紫外域光線 出 Ｋイ） 人 株式会ン１ 保谷蛸了代 理
人 朝 ｎ ｉ■ 幸第２図 ７２゛ １σ’ ２０’ １
Claims (1)
- １ 化学切削性感光ガラス板上に所望のパターンの開口
部を有する第１のマスクを載置し、このマスクを介して
紫外域光を照射することにより感光ガラス板に第１の露
光部を形成させた後、熱処理を施して第１の露光部に第
１のリチウムメタシリケート晶出域を生成せしめ、次い
でこのガラス板に第１のマスクより広い開口部を有する
第２のマスクを載置し、第２のマスクを介して改めて紫
外域光を照射することによりガラス板に第２の露光部を
形成させ、しかる後酸処理を施して第１のリチウムメタ
シリケート晶出域を溶出し、次いで得られたガラス板に
改めて熱処理を施すことにより第２の露光部に第２のリ
チウムメタシリケート晶出域を生成させた後、当該晶出
域を酸処理によって所望の深さまで溶出することからな
るガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199084A JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199084A JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616143A true JPS616143A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0138061B2 JPH0138061B2 (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=14824829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12199084A Granted JPS616143A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | ガラスに段付きの溝又は孔を加工する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616143A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0211646A2 (en) | 1985-08-02 | 1987-02-25 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| US7132054B1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-11-07 | Sandia Corporation | Method to fabricate hollow microneedle arrays |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12199084A patent/JPS616143A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0211646A2 (en) | 1985-08-02 | 1987-02-25 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| US7132054B1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-11-07 | Sandia Corporation | Method to fabricate hollow microneedle arrays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138061B2 (ja) | 1989-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |