JPS6237778B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237778B2 JPS6237778B2 JP11123480A JP11123480A JPS6237778B2 JP S6237778 B2 JPS6237778 B2 JP S6237778B2 JP 11123480 A JP11123480 A JP 11123480A JP 11123480 A JP11123480 A JP 11123480A JP S6237778 B2 JPS6237778 B2 JP S6237778B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chromium
- metal
- metal thin
- photoresist film
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製置の製造等に用いられるホト
マスクの製造方法に関する。
マスクの製造方法に関する。
集積回路装置（IC）等微細パターンの半導体
装置の製造工程において、クロム（Cr）等より
なる金属薄膜を遮光膜とするホトマスクが多く用
いられている。
装置の製造工程において、クロム（Cr）等より
なる金属薄膜を遮光膜とするホトマスクが多く用
いられている。
上述の金属膜マスクを製作するには周知のごと
く、ガラス基板上にクロム（Cr）膜のような金
属薄膜を被着し、該金属薄膜上にホトレジスト膜
を所定のパターンに従つて形成する。そして該ホ
トレジスト膜をマスクとして前記金属薄膜をエツ
チングした後、ホトレジスト膜を除去する。
く、ガラス基板上にクロム（Cr）膜のような金
属薄膜を被着し、該金属薄膜上にホトレジスト膜
を所定のパターンに従つて形成する。そして該ホ
トレジスト膜をマスクとして前記金属薄膜をエツ
チングした後、ホトレジスト膜を除去する。
このようにして所望の金属マスクが得られるの
であるが、上記金属薄膜に対するホトレジスト膜
の付着力は必らずしも充分とは言えない。その為
金属薄膜とホトレジスト膜との界面にエツチング
液がしみ込み、第１図に示すごとく残留すべき金
属薄膜１表面に欠損部２が発生する。なお３はガ
ラス基板を示す。
であるが、上記金属薄膜に対するホトレジスト膜
の付着力は必らずしも充分とは言えない。その為
金属薄膜とホトレジスト膜との界面にエツチング
液がしみ込み、第１図に示すごとく残留すべき金
属薄膜１表面に欠損部２が発生する。なお３はガ
ラス基板を示す。
本発明の目的は金属薄膜とホトレジスト膜との
密着性を改善してエツチング液のしみ込みを防止
することにある。
密着性を改善してエツチング液のしみ込みを防止
することにある。
本発明の特徴は、ガラス基板表面に被着した金
属薄膜に加熱処理を施こした後、該金属薄膜上に
ホトレジスト膜を選択的に形成する工程を含むこ
とにある。
属薄膜に加熱処理を施こした後、該金属薄膜上に
ホトレジスト膜を選択的に形成する工程を含むこ
とにある。
以下本発明の一実施例を第２図により説明す
る。
る。
先ず同図ａに示すようにガラス基板３上にクロ
ム（Cr）のような金属をスパツタリング法ある
いは蒸着法により被着し、クロム膜１を形成す
る。
ム（Cr）のような金属をスパツタリング法ある
いは蒸着法により被着し、クロム膜１を形成す
る。
次いで該クロム膜１上にホトレジスト膜を形成
するに先立つて、該クロム膜１に80〔℃〕〜150
〔℃〕の温度で加熱処理を施こす。その方法は特
に限定する必要はなく、例えば恒温槽内に上記ク
ロム膜１を形成したガラス基板を入れて加熱する
方法、或いはクロム膜１にレーザ照射を行なう方
法等適宜選択してよい。
するに先立つて、該クロム膜１に80〔℃〕〜150
〔℃〕の温度で加熱処理を施こす。その方法は特
に限定する必要はなく、例えば恒温槽内に上記ク
ロム膜１を形成したガラス基板を入れて加熱する
方法、或いはクロム膜１にレーザ照射を行なう方
法等適宜選択してよい。
次いで同図ｂに示すように加熱処理を施こした
クロム膜１上に所定のパターンに従つてホトレジ
スト膜４を選択的に形成する。
クロム膜１上に所定のパターンに従つてホトレジ
スト膜４を選択的に形成する。
このあとは通常の工程に従つて進めてよく、即
ち上記ホトレジスト膜４をマスクとしてエツチン
グを行ない、クロム膜１の露出せる部分を除去
し、次いで上記ホトレジスト膜４を除去して同図
ｃに示すように所望の金属マスクが得られる。
ち上記ホトレジスト膜４をマスクとしてエツチン
グを行ない、クロム膜１の露出せる部分を除去
し、次いで上記ホトレジスト膜４を除去して同図
ｃに示すように所望の金属マスクが得られる。
本実施例においては、クロム膜１に加熱処理を
施こしてからホトレジスト膜４を形成することに
より、両者の密着性が向上する。そのためクロム
膜１を選択的にエツチングする工程においてエツ
チング液がクロム膜１とホトレジスト膜４との界
面にしみ込むことがない。そのため残留せるクロ
ム膜１の表面に欠損部を生じることがなくなつ
た。
施こしてからホトレジスト膜４を形成することに
より、両者の密着性が向上する。そのためクロム
膜１を選択的にエツチングする工程においてエツ
チング液がクロム膜１とホトレジスト膜４との界
面にしみ込むことがない。そのため残留せるクロ
ム膜１の表面に欠損部を生じることがなくなつ
た。
以上説明したごとく、本発明によれば遮光膜に
欠損部のない良好な金属膜マスクが得られる。
欠損部のない良好な金属膜マスクが得られる。
第１図は従来の金属膜マスクを示す要部断面
図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図
である。図において、１は金属薄膜、３はガラス
基板、４はホトレジスト膜を示す。
図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図
である。図において、１は金属薄膜、３はガラス
基板、４はホトレジスト膜を示す。
Claims (1)
- １ ガラス基板表面に金属薄膜を被着し、該金属
薄膜に加熱処理を施こした後、該金属薄膜上にホ
トレジスト膜を選択的に形成する工程を含むこと
を特徴とするホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123480A JPS5735860A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123480A JPS5735860A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735860A JPS5735860A (en) | 1982-02-26 |
| JPS6237778B2 true JPS6237778B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=14555958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11123480A Granted JPS5735860A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5735860A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09216850A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | カルボン酸エステルの製造方法 |
| CN110676156A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-10 | 昆山百利合电子材料有限公司 | 一种光刻半导体加工工艺 |
-
1980
- 1980-08-13 JP JP11123480A patent/JPS5735860A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735860A (en) | 1982-02-26 |
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