KR100267757B1 - 마스크 제조방법 - Google Patents
마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100267757B1 KR100267757B1 KR1019920024912A KR920024912A KR100267757B1 KR 100267757 B1 KR100267757 B1 KR 100267757B1 KR 1019920024912 A KR1019920024912 A KR 1019920024912A KR 920024912 A KR920024912 A KR 920024912A KR 100267757 B1 KR100267757 B1 KR 100267757B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hsg
- mask
- polysilicon
- electron beam
- tone
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
본 발명은 하프-톤 마스크 제조시 마스크상의 전자빔 묘화시간을 대폭 단축 하기에 적당하도록 한 마스크 제조방법에 관한 것으로, 석영기판(1) 위에 폴리실리콘을 570℃의 N2분위기에서 30분 열처리한 후 상기 N2가스 공급을 중단한 상태에서 상기 폴리실리콘을 계속 열처리하여 주름 형상의(반구형의) HSG(5)를 형성하는 단계와, 상기 HSG(5)에 건식이나 습식식각을 실시하여 블랭크 마스크 형태를 만드는 단계와, 전면에 전자빔 레지스트(3)를 도포하고 노광하여 하프-톤 블랭크 마스크를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
제1도는 종래의 마스크 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 마스크 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 석영기판 3 : 레지스트
5 : HSG
본 발명은 마스크(Mask) 제조방법에 관한 것으로 특히 하프-톤(Half-tone)마스크 제조시 마스크상의 전자빔 묘화시간을 대폭 단축하기에 적당하도록 한 것이다.
종래 크롬층을 차광막으로 이용하는 마스크 제조공정에 있어서 하프-톤 마스크 효과를 얻기 위해 크로마층에 전자빔 노광 방법에 의해 개개의 구멍을 형성하였다.
종래 마스크 제조공정을 제1도를 참고로 하여 설명하면 다음과 같다.
즉, (a)와 같이 석경기판(1) 위에 크롬층(2)을 도포하고 그 위에 전자빔 레지스트(3)를 도포한다.
그리고 (b)와 같이 전자빔 노광장치를 이용하여 규칙적 혹은 불규칙적인 홀 형성을 위해 전자빔 레지스트(3)를 노광하고 (c)와 같이 크롬층(2)을 에칭한 후 레지스트(3)를 제거한다.
다음에 (d)와 같이 전면에 전자빔 레지스트(4)를 도포하고 (e)와 같이 전자빔 노광장치를 이용하여 레지스트(4)를 제거하고 (f)와 같이 크롬층(2)을 에칭한 후 레지스트(3)를 제거한다.
이어, 통상의 PSM(Phase Shift Mask) 공정을 실시한다.
그러나, 상기와 같은 종래 마스크 제조공정에 있어서는 하프-톤 패턴 형성시 전자빔 노광공정을 실시하여 공정시간이 길어지고 균일한 패턴이 형성되지 않아 투과도의 균일성이 저하되는 결점이 있다.
본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 폴리실리콘의 HSG(Hemi Spherical Glass) 성장을 이용하여 하프-톤 홀을 형성하는 마스크 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 공정단면도로 석영기판(1) 위에 폴리실리콘을 증착한 후에 가열로에서 570℃ 정도의 N2분위기에서 약 30분 열처리한 후, N2가스 공급을 중단한 상태에서 계속 폴리실리콘을 열처리하여 제2도와 같이 규칙적인 주름형상의(반구형의) HSG(5)를 형성한다.
이후에 규칙적인 반구형을 이루는 HSG(5)에 건식 또는 습식식각을 실시하면 HSG(5)의 규칙적인 형상에 따른 식각전사가 일어나서 (b)에서와 같이 통상적인 블랭크 마스크 형태를 이루게 된다.
다음에 (c)와 같이 전면에 전자빔(E-beam) 레지스트(3)를 도포하고 노광하면(d)와 같이 하프-톤 블랭크 마스크(Half-tone blank resist)가 되며 이어 통상의 PSM공정을 진행한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 하프-톤 형성시 폴리실리콘 HSG(5)를 기존의 전자빔 노광 대신 사용하므로 공정시간이 단축되며, HSG(5) 특성에 의해 균일한 패턴이 형성되어 투과도의 균일성을 얻을 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 석영기판(1) 위에 폴리실리콘을 570℃ 의 N2분위기에서 30분 열처리한 후 상기 N2가스 공급을 중단한 상태에서 상기 폴리실리콘을 계속 열처리하여 주름형상의(반구형의) HSG(5)를 형성하는 단계와,상기 HSG에 건식이나 습식식각을 실시하여 블랭크 마스크 형태를 만드는 단계와,전면에 전자빔 레지스트(3)를 도포하고 노광하여 하프-톤 블랭크 마스크를 형성하는 단계를 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920024912A KR100267757B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920024912A KR100267757B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 마스크 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940016969A KR940016969A (ko) | 1994-07-25 |
KR100267757B1 true KR100267757B1 (ko) | 2000-10-16 |
Family
ID=19346106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920024912A KR100267757B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100267757B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-21 KR KR1019920024912A patent/KR100267757B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940016969A (ko) | 1994-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0553289A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
JPH11258772A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
KR100267757B1 (ko) | 마스크 제조방법 | |
US5104481A (en) | Method for fabricating laser generated I.C. masks | |
GB2291982A (en) | Photo masks | |
KR100465067B1 (ko) | 노광 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 감광막 패턴형성 방법 | |
KR950004966B1 (ko) | 하프톤블랭크마스크 제작방법 | |
US5928814A (en) | Photomask controlling transmissivity by using an impurity-containing film formed on a transparent substrate | |
KR0140647B1 (ko) | 위상반전마스크의 제조방법 | |
KR100215906B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
KR970009826B1 (ko) | 하프톤(Half-Tone)형 위상반전마스크 형성방법 | |
JPH04127149A (ja) | ホトマスク及びその製造方法 | |
KR19980057145A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토마스크 | |
JP3151732B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの欠陥修正法 | |
KR100399924B1 (ko) | 반도체소자의패턴형성방법 | |
KR0144676B1 (ko) | 반도체의 미세패턴 형성 방법 | |
KR960000183B1 (ko) | 크롬막이 부가된 위상반전마스크 및 그 제조 방법 | |
EP0627123A4 (en) | LASER SHAPED INTEGRATED CIRCUIT MASK. | |
KR940001502B1 (ko) | 위상편이 마스크 제조방법 | |
KR100244304B1 (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
JPH0756319A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
JPH04190352A (ja) | フォトマスク | |
JPH07295205A (ja) | リソグラフイマスクの製造方法 | |
JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
JPH04304452A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090624 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |