JPH0135534B2 - - Google Patents

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JPH0135534B2
JPH0135534B2 JP55157873A JP15787380A JPH0135534B2 JP H0135534 B2 JPH0135534 B2 JP H0135534B2 JP 55157873 A JP55157873 A JP 55157873A JP 15787380 A JP15787380 A JP 15787380A JP H0135534 B2 JPH0135534 B2 JP H0135534B2
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JP
Japan
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amplifier
output
bias
transistor
circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP55157873A
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English (en)
Other versions
JPS5781711A (en
Inventor
Takuzo Kamimura
Junichi Hikita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP55157873A priority Critical patent/JPS5781711A/ja
Publication of JPS5781711A publication Critical patent/JPS5781711A/ja
Publication of JPH0135534B2 publication Critical patent/JPH0135534B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、磁気ヘツドの再生出力を増幅する
いわゆるヘツドアンプ等に用いられる増幅器に関
する。
第1図は、二段直結型増幅器で構成されたデツ
キ用プリアンプを示す。増幅器2はトランジスタ
4,6、抵抗8,10,12,14,16,18
及びコンデンサ20から構成され、トランジスタ
4のベースに接続された入力端子22には、カツ
プリングコンデンサ24を介して磁気ヘツド26
より再生信号が加えられる。
この増幅器2の増幅出力は、トランジスタ6の
コレクタに接続された出力端子28から取り出さ
れるとともに、トランジスタ4のエミツタに接続
された帰還端子30に帰還素子32を介して帰還
されている。
そして、この増幅器2の入力系の電位基準点
は、接地(GND)ラインに設定されている。
このような増幅器2には、次のような欠点があ
る。
(a) 各コンデンサ20,24によつて2個の低域
時定数が存在するため、低域特性が不安定であ
る。
(b) この増幅器2をIC化する場合、外付けコン
デンサ、とりわけカツプリングコンデンサ24
を外付けする必要があるため、プリアンプ自体
はコスト高になる。特に、この増幅器2では、
入力信号の基準点が接地(GND)電位にある
ため、配線を行う上で接地(GND)ラインの
リツプルが増幅されてノイズが出力される。
(c) 電源(VCC)の投入に伴い、立上り時間が長
く、ポツプ音が発生し易い。
そこで、この発明は、外乱ノイズの増幅を防止
するとともに、カツプリングコンデンサを除くこ
とにより、低域の安定度を向上させた増幅器の提
供を目的とする。
即ち、この発明の増幅器は、エミツタが共通に
接続された第1及び第2のトランジスタを有する
差動増幅器と、一定電圧のバイアス電圧を発生す
るバイアス回路と、前記第1のトランジスタのベ
ースが接続された信号入力端子と、前記バイアス
回路のバイアス出力点との間に接続されて前記差
動増幅器に増幅すべき信号を与える信号源と、前
記差動増幅器の出力側に設置され、前記差動増幅
器の出力を増幅して取り出す出力側回路と、前記
第2のトランジスタのベースが接続されるととも
に、前記出力側回路の出力がイコライザ素子を介
して帰還される帰還端子と、前記バイアス回路の
バイアス出力点との間に接続されたインビーダン
ス素子とから構成したことを特徴とするものであ
る。
以下、この発明を図面に示した実施例に基づき
詳細に説明する。
第2図は、この発明の増幅器の一実施例である
ヘツドアンプの基本構成を示す。
第2図において、増幅器40には、バイアス回
路42、入力段増幅器として差動増幅器44、中
段増幅器45及び出力段増幅器46が設けられて
いる。差動増幅器44の出力側に設置された中段
増幅器45及び出力段増幅器46は、差動増幅器
44の出力を増幅して取り出す出力側回路を構成
している。
バイアス回路42は、定電流源48、例えばツ
エナーダイオードで構成された定電圧源50、ト
ランジスタ52及び抵抗54,56で構成され、
一定のバイアス電圧を発生する。トランジスタ5
2のエミツタには、バイアス電圧を取り出すため
のバイアス出力端子58が接続され、このバイア
ス出力端子58は、増幅器40の専用の外部端子
として設けられている。
差動増幅器44には、能動負荷としてカレント
ミラー回路を成すトランジスタ60,62が設置
されるとともに、エミツタが共通に接続された第
1のトランジスタ64及び第2のトランジスタ6
6が設置され、トランジスタ64,66のエミツ
タ側には定電流源68が接続されている。トラン
ジスタ64のベースは信号入力端子70に接続さ
れ、トランジスタ66のベースは帰還端子72に
接続されている。
また、中段及び出力段増幅器45,46はトラ
ンジスタ74,76、抵抗78及び高域位相補正
用のコンデンサ80から構成されている。トラン
ジスタ76及び抵抗78からなるエミツタフオロ
ワ回路は、バツフアアンプを構成しており、トラ
ンジスタ76のエミツタには出力端子82が接続
されている。なお、端子84は直流電圧VCCが印
加される電源供給端子であり、また、端子86は
接地端子(GND)である。
この実施例では、信号入力端子70及びバイア
ス出力端子58間には、差動増幅器44に増幅す
べき信号を与える信号源として再生用の磁気ヘツ
ド88がカツプリングコンデンサを介さずに直結
されている。
そして、帰還端子72及びバイアス出力端子5
8間には、抵抗89及びコンデンサ90の直列回
路で構成されるインビーダンス素子92が接続さ
れているとともに、出力端子82と帰還端子72
との間には、出力を帰還端子72に帰還して任意
の補正をする抵抗94,96及びコンデンサ98
からなるイコライザ素子100が接続されてい
る。
以上のように構成したので、磁気ヘツド88に
検出された再生入力は、差動増幅器44で増幅さ
れた後、出力段増幅器46で増幅され、その増幅
出力は出力端子82より取り出される。
そして、バイアス回路42においては、トラン
ジスタ52のベースに、定電圧源50より一定の
ベース電圧が加えられるとともに、定電流源48
より一定のベース電流が加えられることから、ト
ランジスタ52のエミツタ側の抵抗56には一定
のバイアス電圧が発生する。トランジスタ52の
エミツタに発生したバイアス電圧は、バイアス回
路42のバイアス出力端子58から磁気ヘツド8
8を介して信号入力端子70に加えられるととも
に、インビーダンス素子92を介して帰還端子7
2に加えられる。
ところで、平衡状態にある差動増幅器44で
は、各トランジスタ64,66の各ベース電圧が
等しくなることから、トランジスタ64のベース
電圧がバイアス回路42のバイアス電圧によつて
設定されると、その平衡状態を維持するためにト
ランジスタ66のベース電圧もそのバイアス電圧
に維持されることになる。このような関係から、
信号入力端子70及び帰還端子72の直流電位が
バイアス電圧によつて設定されるので、入力系及
び帰還系の直流電位がそのバイアス電圧に保持さ
れる。この結果、入力系及び帰還系の直流電位が
一定のバイアス電圧を以てフローテイング状態に
維持され、インビーダンス素子92の端子間はバ
イアス電圧によつて等直流電位に保持される。
そして、このような入力系及び帰還系の電位が
バイアス電圧によつて設定されるので、差動増幅
器44、中段増幅器45及び出力段増幅器46と
ともにイコライザ素子100を含めた帰還増幅器
の帰還動作によつて出力端子82の直流出力電圧
もバイアス電圧に等しくなる。
そこで、増幅動作中において入力側に何等かの
外乱ノイズが混入しても、差動増幅器44の差動
増幅動作により相殺され、外乱ノイズは出力とし
て発生しない。即ち、トランジスタ64,66は
前記のような接続形態によりほぼ同相同電位レベ
ルで外乱ノイズの影響を受けるので、出力段増幅
器46の入力側には、何等の変化分をも生じさせ
ないためである。この場合、交流(AC)利得を
GVCとすれば、交流利得GVCは、 GVC≒20log(ZN100/ZN92) …(1) となる。但し、ZN100はイコライザ素子100の
インビーダンス、ZN92はインビーダンス素子92
のインビーダンスである。
このような動作により、接地(GND)ライン
からのノイズの影響、特に、ハムの影響を受け難
く、増幅器40のS/Nが改善されるとともに、
入力カツプリングコンデンサが不要になるために
コスト低減が図られ、しかも、低減時定数の減少
により、低減の安定度の向上を図ることができ
る。
次に、第3図は、この発明の増幅器の応用例で
あるIC増幅器の等価回路を示す。前記実施例で
は、単一入力のプリアンプについて説明したが、
この発明の増幅器は片チヤンネル2入力のオート
リバースデツキ用のプリアンプに好適な入力切換
増幅器にも適用できるものである。
即ち、オートリバースデツキでは、録音テープ
の再生方向が自動的に反転可能に構成されている
ことから、ステレオ再生のために左右各チヤンネ
ル毎に2組の磁気ヘツド88A,88Bが並設さ
れている。これに対応して、増幅器102には、
2組の差動増幅器44A,44Bとともに、これ
ら差動増幅器44A,44Bの動作を切り換える
切換回路104が設置されている。
差動増幅器44A,44Bには、トランジスタ
60,62からなるカレントミラー回路と、トラ
ンジスタ106及び抵抗108からなる定電流源
68とが共通に設置されるとともに、第1のトラ
ンジスタ64A,64B及び第2のトランジスタ
66A,66Bが設置されている。また、切換回
路104は、トランジスタ110,112及び抵
抗114,116,118から構成されている。
この増幅器102の場合、バイアス回路42
は、差動増幅器44A,44Bの入力系及び帰還
系の基準電圧を付与するだけでなく、定電流源6
8のトランジスタ106並びに切換回路104の
トランジスタ110にも、バイアス電圧を与える
ように構成されている。即ち、バイアス回路42
において、定電流源48はトランジスタ120,
122、ダイオード124及び抵抗126,12
8から構成され、定電圧源50はダイオード13
0,132,134,136,138,140で
構成されている。トランジスタ106のベースに
は、定電圧ダイオード138,140で設定され
るバイアス電圧が与えられ、また、トランジスタ
110のベースにはダイオード136,138,
140で設定されるバイアス電圧が与えられてい
る。
そして、前記実施例と同様にトランジスタ52
のエミツタに接続されたバイアス出力端子58に
は、一定のバイアス電圧が発生し、このバイアス
電圧は、トランジスタ64A,64Bのベースに
接続された信号入力端子70A,70Bに信号源
としての各磁気ヘツド88A,88Bを介して加
えられるとともに、トランジスタ66A,66B
のベースに接続された帰還端子72にもインビー
ダンス素子92を介して加えられ、入力系及び帰
還系の基準電位に成つている。
また、切換回路104において、トランジスタ
112のベースに接続された制御入力端子142
には、切換制御回路144から制御入力が与えら
れる。この実施例の場合、切換制御回路144は
録音テープの再生方向を検出してオン、オフする
オートリバーススイツチ146で構成され、この
スイツチ146がオンするとき、制御入力端子1
42は電圧VCCの印加で高レベルに維持される。
増幅器102では、中段増幅器45は、トラン
ジスタ74及びコンデンサ80に抵抗81を加え
て構成され、出力段増幅器46のトランジスタ7
6のエミツタに接続された出力端子82には、ト
ーンコントロール回路148が接続され、さら
に、この出力端子82と帰還端子72との間に
は、前記実施例と同様にイコライザ素子100が
挿入されている。
また、この増幅器102の場合、電源投入時の
急激な電位変化に伴うポツプ音の発生防止を図る
ため、トランジスタ66A,66Bのベースとト
ランジスタ52のエミツタとの間には、電位調整
用の抵抗150が挿入されている。
このような構成によれば、制御入力端子142
に与えられるオートリバーススイツチ146のオ
ン、オフに伴う電位変化によつて切換回路104
のトランジスタ110,112が交互に切り換え
られ、これによつて差動増幅器44A,44Bの
何れか一方の動作が選択されることになる。この
結果、磁気ヘツド88A又は磁気ヘツド88Bの
再生入力が増幅されて出力端子82からトーンコ
ントロール回路148に出力される。
このような入力切換えが可能にされた増幅器1
02においても、入力側及び負帰還側の基準電位
がバイアス出力端子58からのバイアス電圧で与
えられているので、差動増幅器44A,44Bの
差動増幅動作により前記と同様の効果が得られる
ものである。
以上説明したように、この発明によれば、入力
系及び帰還系の基準電位がバイアス回路が発生す
る一定のバイアス電圧に保持されるので、増幅動
作中において入力側に何等かの外乱ノイズが混入
しても、差動増幅器の増幅動作により相殺され、
外乱ノイズを出力として発生させることがないの
で、外乱ノイズによる悪影響を除去できるととも
に、入力側のカツプリングコンデンサが不要に成
るので、コスト低減とともに低減の安定度を向上
させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のヘツドアンプの一例を示す回路
図、第2図はこの発明の増幅器の一実施例を示す
回路図、第3図はこの発明の増幅器の応用例であ
るIC増幅器の等価回路を示す回路図である。 40,102……増幅器、42……バイアス回
路、44,44A,44B……差動増幅器、45
……中段増幅器(出力側回路)、46……出力段
増幅器(出力側回路)、58……バイアス出力端
子、70,70A,70B……信号入力端子、7
2……帰還端子、64,64A,64B……第1
のトランジスタ、66,66A,66B……第2
のトランジスタ、88,88A,88B……磁気
ヘツド(信号源)、92……インピーダンス素子、
100……イコライザ素子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 エミツタが共通に接続された第1及び第2の
    トランジスタを有する差動増幅器と、 一定電圧のバイアス電圧を発生するバイアス回
    路と、 前記第1のトランジスタのベースが接続された
    信号入力端子と、前記バイアス回路のバイアス出
    力点との間に接続されて前記差動増幅器に増幅す
    べき信号を与える信号源と、 前記差動増幅器の出力側に設置され、前記差動
    増幅器の出力を増幅して取り出す出力側回路と、 前記第2のトランジスタのベースが接続される
    とともに、前記出力側回路の出力がイコライザ素
    子を介して帰還される帰還端子と、前記バイアス
    回路のバイアス出力点との間に接続されたインピ
    ーダンス素子とから構成したことを特徴とする増
    幅器。
JP55157873A 1980-11-10 1980-11-10 Amplifier Granted JPS5781711A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2615005B2 (ja) * 1984-11-07 1997-05-28 株式会社日立製作所 半導体集積回路
IT1236927B (it) * 1989-12-22 1993-04-26 St Microelectronics Srl Stadio di preamplificazione a basso rumore, in particolare per testine magnetiche.
JPH04104505A (ja) * 1990-08-23 1992-04-07 Fujitsu Ltd 半導体集積回路

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JPS5781711A (en) 1982-05-21

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