JPH01319476A - トリオキサンの製造方法 - Google Patents

トリオキサンの製造方法

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JPH01319476A
JPH01319476A JP63152399A JP15239988A JPH01319476A JP H01319476 A JPH01319476 A JP H01319476A JP 63152399 A JP63152399 A JP 63152399A JP 15239988 A JP15239988 A JP 15239988A JP H01319476 A JPH01319476 A JP H01319476A
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JP
Japan
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trioxane
catalyst
reaction
mordenite
molar ratio
Prior art date
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Application number
JP63152399A
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English (en)
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JPH0520437B2 (ja
Inventor
Hirohisa Morishita
森下 廣久
Junzo Masamoto
正本 順三
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ゼオライトを触媒とするトリオキサンの製造
方法に関するものである。更に詳しくは、ホルムアルデ
ヒドをSiO□/A1203(モル比)が20を越え5
00以下の範囲にあるモルデナイト型ゼオライトと接触
させる事を特徴とするトリオキサンの製造方法に関する
ものである。
(従来の技術) トリオキサンは、ホルムアルデヒドの環状3量体であり
、主にポリオキシメチレンの製造の原料として用いられ
る。満足な分子量を持つポリオキシメチレンを得るため
には、極めて純粋なトリオキサンが要求され、特に連鎖
移動剤となる水、ギ酸、及びメタノールをはじめ、メチ
ラール、ギ酸メチル及び低分子量ポリオキシメチレンジ
メトキシドなどの副生物の含量が少ないことが必要であ
る。このような要請を満たすためのトリオキサンの合成
法については、数多くの検討が成されているが、慣用的
な製造法はホルムアルデヒドを酸性触媒、例えば、硫酸
、燐酸、ホウ酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホ
ン酸、酸性イオン交換樹脂、あるいは硫酸アルミナ、シ
リカなどの固体酸性触媒の存在下で加熱することに依っ
てトリオキサンを得るものである。なかでも、硫酸は反
応速度が早く入手し易いので最も一般的に用いられてい
る。しかし、硫酸法においては幾つかの解決すべき問題
点が有る。例えば、1)副生物が多い、2)パラホルム
が生成しやすい、3)反応器および塔壁の腐食を引き起
こすなど、工業的規模での応用には幾多の問題がある。
また、強酸性イオン交換樹脂を用いた場合には、腐食の
問題に対しては有効であるが樹脂の機械的強度及び耐熱
性に問題があり、無機固体酸であるシリカアルミナ、T
−アルミナ、シリカ或は、H−A型ゼオライト、H−Y
型ゼオライト等を触媒として用いても、反応がほとんど
進行せず、触媒として使用できなかった。又さらに、特
開昭58−203985号公報においては、アルミナに
対するシリカのモル比が10以上である結晶性ゼオライ
トを触媒として用いる方法が開示されている。
(発明が解決すべき課題) しかしながら、この触媒においては副反応が多く工業的
に、トリオキサンを効率よく合成するためには、十分と
はいえない。
本発明者らは、このような問題点を解決すべく、鋭意研
究を重ねた結果、SiO□/Al□03(モル比)が2
0を越え500以下の範囲にあるモルデナイト型ゼオラ
イトを触媒として用いた場合、きわめて顕著な高活性を
示し、且つ副反応が少な(トリオキサンの合成の選択率
が高いことを見出し、本発明を完成するに至った。
(課題解決の手段) すなわち本発明は、ホルムアルデヒドを5iOz/A 
l zo3(モル比)が20を越え500以下の範囲に
あるモルデナイト型ゼオライトと接触させる事を特徴と
するトリオキサンの製造方法を提供する。
本発明の特徴は、反応触媒として、5in2/A1□0
3(モル比)が20を越え500以下の範囲にあるモル
デナイト型ゼオライトをもちいることであり、本触媒は
、通常のシリカおよびアルミナ系固体酸或は、A型、X
型、Y型、さらには、モービル・オイル・コーポレーシ
ョン社が開発したZSM系のゼオライト、5iOz/A
l□03(モル比)=1〜20のモルデナイト型等の結
晶性ゼオライトに比較しきわめて顕著な高活性と、高j
’ls択性を有することである。
これらの事実は、これまで知られていなかった驚くべき
ことであり、理由は明らかではないが、SiO□/A+
□03が高いことによる酸強度の高さと、モルデナイト
型の細孔構造である1次元12員環と2次元8員環構造
に起因するものと考えられる。 本発明に用いられるモ
ルデナイト型ゼオライトとは、S i O,/A I 
O4との3次元網目構造物であり構造内の4面体は酸素
原子の架橋によって交差結合されており、網目構造の孔
の部分が12員環1次元と8員環2次元の3次元構造を
形成し、更にSiO□/Al□O,(モル比)が20を
越え500以下、好ましくは25〜200、さらに好ま
しくは60〜200、もっとも好ましくは40〜150
の範囲にあることで特徴ずけられる。S i oz /
A 1203(モル比)が20以下ではトリオキサン合
成の活性と選択性が著しく低下し、500を越えると活
性点が少なく反応活性がなくなり好ましくない。
また、O/(Si+AI)原子比は2であり全体の荷電
に関しては、Si”をAI”に置換したことにより生ず
る A’1044面体の電荷不足を補・)ために結晶内
にカチオンを含存しており本発明においてはカチオンを
プロトンに置換した物が有効である。この例としては合
成のハイシリカモルデナイト(東ソー■TSZ−600
シリーズなど)等があげられる。
本発明に用いられるモルデナイト型ゼオライトは、粉体
、あるいは球状、円柱状に成形した物などを使用できる
が、取扱の点からは球状または円柱状などに成形した物
が好ましい。
本発明の実施において、触媒量は、ホルムアルデヒドに
対し重量比でo、oot〜1.0好ましくは0.01〜
0.1の範囲である。反応時間は0.01〜180分好
ましくは0.5〜60分の範囲である。反応;′11度
は0〜200°C好ましくは50〜150 ”Cの範囲
で行われる。
(実施例) 次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例1〜7、比較例1〜8 第1図に示す反応装置を用い、丸底フラスコに表−1に
示す触媒と、ホルムアルデヒ)”65wL%のホルマリ
ン水溶液200gを仕込み、表−1の条件で、C1i蒸
溜方式で反応を行った。図中、■は受器、2は溜出液、
3は反応液、4はマントルヒ−ター、5は丸底フラスコ
、6は保温用ヒーター、7は温度計、8は回転子、9は
マグネントスクーラー、10は冷却器を示す。
反応開始後1時間後の漏出液をサンプリングし届出液組
成を測定した。この結果を比較例と共に表−1に示す。
比較例に比較し実施例がトリオキサン濃度及び選択率と
もに非常に高いことが解る。
ここで選択率は、次式により計算した値である。
以下余白
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例及び比較例に用いた反応装置の概略図
である。図中、1は受器、2は溜出液、3は反応液、4
はマントルヒーター、5は丸底フラスコ、6は保温用ヒ
ーター、7は温度計、8は回転子、9はまグネットスク
ーラー、10は冷却器を示す。 特許出願人  旭化成工業株式会社 第1図 手続補正書 昭和63年7月1日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 2、発明の名称 トリオキサンの製造方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号4、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、補正の内容 明細書を下記のとおり補正する。 ■)第5頁第9行の「60jを「4o」に補正する。 2) 同頁第10行の「40」を「6o」に補正する。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ホルムアルデヒドをSiO_2/Al_2O_3(モル
    比)が20を越え500以下の範囲にあるモルデナイト
    型ゼオライトと接触させる事を特徴とするトリオキサン
    製造方法
JP63152399A 1988-06-22 1988-06-22 トリオキサンの製造方法 Granted JPH01319476A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63152399A JPH01319476A (ja) 1988-06-22 1988-06-22 トリオキサンの製造方法

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JP63152399A JPH01319476A (ja) 1988-06-22 1988-06-22 トリオキサンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01319476A true JPH01319476A (ja) 1989-12-25
JPH0520437B2 JPH0520437B2 (ja) 1993-03-19

Family

ID=15539663

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JP63152399A Granted JPH01319476A (ja) 1988-06-22 1988-06-22 トリオキサンの製造方法

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58203985A (ja) * 1982-05-25 1983-11-28 Asahi Chem Ind Co Ltd トリオキサンの製造法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS58203985A (ja) * 1982-05-25 1983-11-28 Asahi Chem Ind Co Ltd トリオキサンの製造法

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JPH0520437B2 (ja) 1993-03-19

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