JPH01315930A

JPH01315930A - Ｘ線イメージ管の製造方法

Info

Publication number: JPH01315930A
Application number: JP63327585A
Authority: JP
Inventors: Hideo Abu; 秀郎阿武; Katsuhiro Ono; 勝弘小野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-03-04
Filing date: 1988-12-27
Publication date: 1989-12-20
Anticipated expiration: 2013-10-27
Also published as: CN1036665A; DE68906057D1; JP2815881B2; EP0331019B1; EP0331019B2; DE68906057T3; KR920001843B1; EP0331019A2; KR890015336A; US4935617A; DE68906057T2; EP0331019A3; CN1012773B

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明はＸ線イメージ管に係り、特にその入力面の改良
に関する。

（従来の技術）従来、Ｘ線イメージ管の入力面は、第８図（ａ）に示す
ように、表面が平滑なパノノ基板（３１）と、この入力
基板（３１）上に低真空度の下に蒸着法で形成されＮａ
て活性化されたＣｓ　Ｉを母体とするだ結晶粒子（３？
）からなる第１蛍光層と、結晶粒子（３２）か成長し柱
状となった第２蛍光層（３４）と、この第２蛍光層（３
４）上に順次形成された高真空度の下に蒸着法で形成さ
れた表層（３５）と、光電面（３６）とから構成される
。

そして、第２蛍光Ｐｉ（３４）４Ｊ：、５　μｍ、−５
０μｍの平均直径を有し、かつ入力基板（３１）に対し
ほぼ垂直に成長じた柱状結晶（３４ａ）の集合体であり
、柱状結晶（３４ａ）の長さは約４００μＩｎ、である
。このように、隣接し合ったＣ３　Ｊの柱状結晶（３／
Ｉａ）は、互いに微細な隙間によって分Ｈしているため
、その表面に直接光電面（３６）が形成された場合には
、光電面（３６）も同様に分離した微小鳥状に区画され
でしまい、光電面（３６）の面に平行な方向の電気的な
導通が１ｑられない、、その結果、光電面（３６）から
放出される光電子の数の増力「１に伴い、光電面（３６
）の電位を一定に保つことかできなくなり、Ｘ線イメー
ジ管の電子光学的な均一性か著しく損なわれ、出力像の
歪みヤ）ｌＯ１′ｉ′像特性の劣化か引起こされる。

そのため、第２蛍光層（３／ｌ）の表ｍ１は、約１０μ
ｍ〜３０μＴｎの膜厚の表層（３５）か形成される。表
層（３５）は、比較的連続した表面を右じているため、
この表面に形成される光電面（３６）の面に平行な方向
の電気的導通を確保り−ることかてきる。

しかしなから、表層（３５）の表面（Ｊ、第８図（１〕
）に示すように、第２蛍光層（３４）の柱状結晶（３４
ａ）間の所々に存在する約１μ７ｎの比較的太きｈ隙間
（３９）にス」応じてピンホール（３７）が形成される
。このように、表層（３５）の中に形成されるビン小−
ル（３７）ｔ−，１１、表層（３５）の表面に形成ぎれ
る光電ｉ′ｉ′ｉ′１（３６）の感度に悪影響を及ぽＪ
。光電面（３６）の形成（Ｊｌ、約１００°○以」二の
高温−ｃＦｌ　’ｃＫわれる。従って、光電面（３６）
を構成する物質【Ｊ５、このピンホール（３７）を通し
て表層層（３５）側へと徐々に拡散消失し、光電面形成
工程終了簡には、感度か低モしてしまう。

又、製品か作り終わった後で・し、徐々に光電ｍ１（３
Ｇ）を構成する物質か、ピンホール（３７）を通して、
表層（３！ｉ）側へと拡散しで行くため、次第に光電面
の感度か低下しで行き、製品寿命か短くなってしまう１
゜光電面の初回感度か低下してしまう他の要因として、蛍
光面の表面の形状か凹凸であることが挙げられる１、こ
の原因は、特開昭５２−９３２６５号公報で）ホペられ
ている様に、凹凸面の凹の部分に形成された光電面から
放出される光電子は、その一部が電界によって有効に引
き出されないことが原因であると堆定される３、第２蛍
光層（３４）の表面の凹凸に比べて、表層（３５）の表
面の凹凸は、緩慢となり平坦に近くなることも、光電面
の感度向上の一因と考えられる。２表層（３５）の膜厚か大きい程、ピンホール（３７）の
数（ｊ１少なくかつ小さくなり、表面形状もより平坦に
近づくため、光電面の感度はより向上する。従って表層
（３５）の膜厚はより厚い方が望ましい。

一方、表層（：３５）の膜厚か増大するにつれて、入力
面の解像度は劣化し、それに伴ってＸ線イメージ管の解
像度も劣化することかわかっている。そのため、表層（
３５）の膜厚は、約１０μｍ〜３０μｍの範囲内に５１
３いて実用化されている。

入力面の解像度をより向上させるために（Ｊｌ、表層（
３５）を構成する柱状結晶の間の隙間をより大きくする
か、また（３２表層（３り）の膜厚をより小さくすると
いったことか考えられるか、いずれの場合にも、上述し
たように表層（３５）に形成されるピンホール（３旬の
数や大ぎざが増大したり、表層（３５）の表面の凹凸が
より激しくなるため光電面（３６）の感度イバ下が引ぎ
起こされる。

光電面の４オ料によって（Ｊｌ、光電面白身の電気抵抗
値が高く、上述したような連続した表面状態を有する表
層（３５）の表面に形成させた場合でも表面の電気抵抗
か高すぎて実用化てぎないものかある。

その場合に１．ｌＩ：、表層（３５）と光電面（３６）
の間に導電′［」の中間層を形成することによって実用
化される。

透明度の優れた導電膜として、酸化インジウム膜や酸化
インジウム錫膜等が知られている。しかし、これらを使
用した場合でも、Ｎａで活性化されたＣ３　Ｉ蛍光層に
よるＸ線蛍光に対して実用化できる程度の透過率（約７
０％以上）を得るためには、これらの中間層の膜厚を０
．３μｍ以下にする必要−〇　− かある。従って、上）ホしたような表層中に介在するピ
ンホールは、導電性の中間層がある場合でも全く改良す
ることができない。

また、表層を蛍光体以外の透明物質を材料とする蒸＠膜
を用いた場合においても、上述した問題点を全く改良す
ることかできない。

特開昭５９−２４３００号公報及び特開昭５９−４’１
１４１号公報には、鏡面となっている凹面を有する基板
にＣｓＩ蛍光層を蒸着した後、基板からＣｓ　Ｉ蛍光層
を剥離させて、自己保持型の入力蛍光層を得る発明かな
されている。この発明によれば、蛍光層の光電面が形成
される側の表面は、基板の表面形状か転写されるため、
結果として鏡面となり光電面の感度向上が期待されると
述べられている。しかし、その表面には、第８図（ｂ）
のピンホール（３７）と同様に、多数のピンホールが存
在することが確認されｌこ。このピンホールは、結晶粒
子の表面に、光電面の下地となる保護層を形成し・でも
、埋めることは困難である。従って、光電面の初期感度
は、表面か鏡面となったことにより、従来よりも上昇す
るものの、従来と同程度の大きざと、数を有する多数の
ピンホールが存在するために牛じる光電面の初期感度不
足や、経時劣化の問題を解決することはできないと予想
される。

特開昭５２−９３２６５号公報に【（ｌｌ、入力蛍光面
の表面を溶融状態になるまてｉＪＤ然して、平坦化する
ことによって、光電面感度を向上させる技術か開示され
ている。本発明者等の実験によれば、Ｃ３Ｉ蒸着蛍光面
の表面を加熱して溶かずことにより、表面は平坦になる
と同時に、柱状結晶間の隙間も消失して、ピンホールも
ない理想的な表面状態となった。ざらに、この表面に導
電性の保護層を形成させたごｂのを入力蛍光面としてＸ
線イメージ管に使用した所、輝度が従来に比して大幅に
向上することがわかった。しかしながら、Ｃ３Ｔ蒸着蛍
光面の表面か溶融するまで加熱すると、蛍光層の内部も
加熱され、柱状結晶同士の隅台が進行する結果、入力蛍
光面の解像特性か著しく劣化覆るため、実用化すること
はできなかった。

また、特開昭６３−８８７３２号公報には、完全離散分
離した第１層ＣｓＩの表面を削り、その上に第２＠Ｃ５
■を蒸着して連続面を形成する技術が開示されている。

しかしながら、先端部端部間を第２層で連結させること
は可能であるが、ピンホールを防止することはむずかし
く実用上好ましくない。

以上は、従来のＸ線イメージ管の輝度及び輝度の経時劣
化の問題点について述べて来たが、更に、従来のＸ線イ
メージ管は、そのＸ線入側面上で、中心部から周辺部ま
で強度が−様なＸ線を入射させた場合でも、その出力像
の光量分布は、一般に中心部から周辺部に向かうに従っ
て光量が減少する特性をもっている。このため、出力像
の中心部と周辺部とては、被写体の透過Ｘ線像を撮像す
る際に、最適なＸ線線質やＸ線強度を変えたり、または
Ｘ線イメージ管の出力像を撮像するための撮像素子の感
度調整を変えたりする必要があった。

そのため、Ｘ線撮影時間が長くなり、被写体は必要以上
にＸ線による被曝を被っていた。上記したＸ線イメージ
管の出力像の光量分布をより均一化させる目的で、出力
面もしくは入力面を改良する発明は、数多くなされてい
る。

しかしそれらの発明の全ては、出力面もしくは入力面の
感度特性を周辺部から中心部に向かうに従ってより劣化
せしめるという原理に基くものであり、Ｘ線イメージ管
の最も重要な特性の一つである輝度特性を犠牲にするも
のであった。

（発明か解決しようとする課題）上記説明した様に、蛍光層の表面は平坦でないと同時に
、多数のピンホールが形成されるため、高感度でかつ長
寿命の光電面を形成することができない。

また、入力面の解像特性を向上させると、光電面の感度
が低下してしまい、逆に光電面の感度を向上させると、
入力面の解像特性の劣化を生じる原因となる課題がある
。

更に又、Ｘ線イメージ管の輝度特性を従来に比べて低下
させることなく、出力面の輝度の一様性を向上させる課
題がある。

本発明は、上記問題点を解決し、解像特性や輝度特性ま
たは輝度の一様性の向−トが得られるＸ線イメージ管お
にびその製造方法を提供覆ることを目的とする、。

［発明の構成］（課題を解決するだめの手段）上記課題を解決するために、本発明のＸ線イメージ管は
、真空外囲器内のＸ線入力側に配設される入力基板と、
この基板上に少なくとも柱状結晶を右する蛍光層と、こ
の蛍光層」−に直接又は間接的に形成される光電面を形
成してなる入力面を備えたＸ線イメージ管にａ３いて、
前記柱状結晶の頂部を変形させ前記柱状結晶間の隙間を
埋める構造としたことを特徴とするものである。

また、本発明のＸ線イメージ管は、真空外囲器内のＸ線
入力側に配設される入力基板と、この基板上に少なくと
も柱状結晶をイアする蛍光層と、この蛍光層」−に直接
又は間接的に形成される光電面を形成してなる入力面を
備えたＸ線イメージ管に（１３いて、前記蛍光層にあ【
りる前記柱状結晶の頭部か他の柱状部断面より人なる大
ぎさの膨大部を有じ、かつこの膨大部を実質的に亙いに
密着してなることを特徴とするもので必る。

さらに、本発明のＸ線イメージ管の製造方法は、真空外
囲器内のＸ線入力側に入力基板を配設する工程と、前記
基板上に少なくとも柱状結晶をイアする蛍光層を形成す
る工程と、この蛍光層上に直接又は間接的に光電面を形
成し入力面を形成する工程とを具備するＸ線イメージ管
の製造方法にｄ３いて、前記柱状結晶の頂部を押しつ・
Ｓし、かつ前記（−１状結晶間の隙間を埋めて前記蛍光
層を形成する工程を具備することを特徴と規るものでお
る。

（作　用）本発明にＪ、れば、蛍光層表面のビンボールを埋め合わ
Ｊことができる。従って、蛍光層の上に直接又は間接的
に形成される光電面を構成する物質の拡散浦失か生じな
いため、光電面の初期感度の低下および経時劣化を防止
覆ることができる。特に入力雷光面の中心部に比べて周
辺部をより変形量が増大する様に調整′りることにより
、Ｘ線イメージ管の輝度の一様性を改良することかでき
る。

（実施例）以下、本発明のＸ線イメージ管の実施例を図面を参照し
て説明する３、なお、本発明はＸ線イメージ管の入力蛍
光面を改良したもので、入力蛍光面について説明する。

実施例−１第２図に示すように、表面が平滑な入力基板（１）にＮ
ａ−Ｃ活性化されたＣｓ　Ｉを母体とする蛍光層（３）
を蒸着−Ｖしめた。この蛍光層（３）は４００μ’＃’
Ｌの膜厚で、５５・〜１０μｍの径を有する柱状結晶（
３ｒｉ）の集合体を形成し、Ｖｆｊ像特性の優れるもの
とした。この柱状結晶（３ａ）間（Ｊ、頂部（７）を有
し、′ｂＸつｑいに隙間（２）をイ１している。この状
態で、第３図（ａ）（ｂ）に示すような仙磨装置より、
Ｃｓ　Ｉ蛍光層（３）を蒸看せしめた入力基板（１）は
、ターンデーフル（８）に固定され、回転させる。パフ
やラップ紙等の研ＩＰｉ丁具（１１）は、アーム（９）
の先端（こ設りられ、任意の１）１１圧力により蛍光層
（３）表面に抑圧される。また、アーム（９）をシャツ
１〜（１０）と共に回転移動させることにより、蛍光層
（３）の表面の中心部から周辺部に向って入力蛍光面の
曲面に沿って研磨することが可能である。ｒ！１磨工具
（１１）の加圧力（Ｊｌ、蛍光層（３）の表面か変形を
開始する臨界圧力よりも約５０％高めに設定する１、こ
れにより、研磨」■具（１１）と蛍光層（３）の表面と
の摩１察力により、蛍光層（３）の表面は変形され次第
に滑らかになる。十分な連続層（４）か得られると、摩
擦力は１７２以下に減少し、変形はそれ以」二進性しな
くなる。次いで、連続層（４）の十に表層（５）および
光電面（６）を順次形成して入力蛍光面を作製した。こ
のような入力面を協えたＸ線イメージ管は、入力蛍光層
の膜厚が４００μｍでおる従来のＸ線イメージ管に比べ
て、感度が約５０％向上すると共に、限界解像度は従来
値の５０１［）／ｃｍから５２１Ｍｃｍに向上した。さ
らに、空間周波数２０１１）／Ｃ〃＋でのＭＴＦ値も従
来値の４０％から／１５％に向上した。

実施例−２第４図に示すにうに表面が平滑な入力基板（１）に平均
１０μｍ以下の人ぎざのＮａで活性化されたＣｓ　Ｉを
母体とした蛍光体の結晶粒子（１２ａ）を蒸盾し、結晶
粒子（１２ａ）を形成する。次いて結晶粒子（１２ａ）
の各突起部分を種として結晶粒子の太さてほぼ単一に成
長し、互いに離隔した第２蛍光層（１３）を蒸着せしめ
た。この第２蛍光層（１３）は４００μｍの膜厚で、５
・〜１０μ瓦の径を有し、解像特性の優れた柱状結晶（
１３ａ）からなり、この柱状結晶（１３ａ）間は隙間を
有している。

実施例−１と同様に機械的研磨を行うと第２蛍光層（１
３）の表面は変形され次第に滑らかになり、十分な平滑
面か得られると、摩擦力は１７２以下に減少し、変形は
それ以上進行しなくなる。次いて、連続層（１４）の表
面に３μｍの膜厚を有する表層（１６）と光電面（１７
）を順次形成した入力蛍光面である。変形した３μｍ以
下の滑らかな連続層（１４）下には、加工によって変形
を受けない柱状結晶（１３）が連続しており、表層（１
６）にはピンホールは全く生じなかった。連続層（１４
）の表面は約１μｍのピンホールは全て埋め合わされて
いるが、厳密に観ると、研磨加工によって０．１μｍ以
下の微細なりランク（１５）が多く形成される。しかし
ながら、約１μ７ｒＬ以上の膜厚を有する表Ｆｉ　（１
６）をその表面に蒸着することにより、これら微細なり
ラック（１５）は完全にふさぐことができる。従って、
表層（１６）の表面は、ミクロ的にも滑らかになってい
るので、その表面に形成される光電面の感度は、従来に
比べ約５０％向上した。

このような入力面を備えたＸ線イメージ管は、入力蛍光
層の膜厚が４００μｍである従来のＸ線イメージ管に比
べて、感度が約５０％向上すると共に、限界解像度は従
来値の５０１ｐ、／ｃｍから５２１ｐ／ｃａに向上した
。さらに、空間周波数２０１ｐ／ｃｍでのＭＴＦ値も従
来値の４０％から４５％に向上した。

実施例−３実施例−２と同様に第１蛍光層及び第２蛍光層を形成し
た後、柱状結晶からなる蛍光層（１３）の頭部（頂部）
を押しつぶして膨大部を形成し連結層とした。この膨大
部は製法上第２蛍光層の表面から２０μｍ以内の領域に
おいて形成することが好ましい。、第５図（ａ）に示す
ように、柱状結晶（１３ａ）の表面において、頂部（２
２ａ）がある方向に曲がって相互に連結するように連結
層（２２）を形成するか、又は第６図（ａ）に示すよう
に柱状結晶（１３ａ）の頂部（２５ａ）を釘状に変形さ
せて相互に連結するように連結層（２５）を形成する。

次に第５図（ｂ）及び第６図（ｂ）に示すように、蛍光
層としてＣｓ　Ｉからなる２０ｔ１ｍ以下の膜厚を有す
る表層（１９）を連結層（２２）（２５）の上に形成し
、酸化インジウム等からなる中間１＠ｉ　（２０）　（
２７）光電面（２１Ｎ２５）を順次形成し入力面を作製
した。変形した３μ７ｎ以下の滑らかな連結層（２２）
（２５）の下には、加工によって変形を受（プない柱状
結晶（１３ａ）　（２４ａ）が隣接しており、表層（１
５）にはピンホールはほとんどみられなかつｌこ。

さらに、第７図に示ずように、高真空下で蒸着した平均
的１００μｍ程度の結晶粒（２９）の集合体で２０μｍ
以下の膜厚を有する第３蛍光層を形成した、７その結果
、結晶粒（２９）の径は第１蛍光層の粒径より約１．５
倍以上となり、柱状結晶（１３ａ）の粒界に一致しない
ものである。

実施例−４１７一実施例−１と同様の方法で行ない、研磨加工において、
連続層の中心部から周辺部に向って変化させた。即ち、
連続層の中心部に比べて周辺部に近くなる程研磨工具の
押圧力を大きくし、より滑らかになるように設定し、入
力面を形成ゼしめた。

次いで３μ瓦の膜厚を有づる第２蛍光層と光電面を形成
せしめた。これにより、光電面の感度を入力面の中心部
から周辺部に向って高くなるように調整することが可能
となる。

この結果、Ｘ線イメージ管の出力像の光量分布は、中心
部から周辺部まで均一になった。

実施例−５実施例−１のように研磨して連続化せしめた蛍光層の表
面に、第２蛍光層の代わりに、厚さ１μｍの中間層を形
成した。蛍光層の表面に形成せしめる中間層の物質とし
て、Ｉ　ｉ　Ｆ、　Ｎａ　Ｆ、　ＣａＦ２　、　ＩＶＩ
Ｉ　Ｆ２　、Ｓｌ　０２の中から選択される。

例えば５ｉ０２を選択した場合、膜厚４００μｍの入力
蛍光層を有する入力面を価えたＸ線イメージ管は、従来
のＸ線イメージ管に比べ、限界解像度か従来の５０１ｐ
／ｃ〃ｔから６４１ｐ／Ｃｍに向上した。ざらに、空間
周波数２０１ｐ／ＣｍでのＭ丁Ｆ値も従来値４０％に対
し５０％に向上した。

実施例−６実施例−１，２，３では、入力基板の蛍光層が形成され
る側の表面は平滑面でおる場合を示したか、表面に互い
に独立し７ｊ多数の突起部を規則的に配設させ、この入
力基板の表面にＮａて活性化されたＣ５　＋を母体とす
る蛍光層を４００μｍの膜厚になるように蒸るざぜた。

基板上の突起部の間の潜にＣ５１蛍光層の内部に隙間か
形成され、この隙間によりＣ３Ｉ蛍光層は、柱状ブロッ
クに分離される３、この柱状、ｆ　Ｄツクは、Ｃｓ　Ｉ
蛍光層（２０）内部で発光した光に対するライ１〜カイ
ト効果の役割を果たす。各柱状ブ［］ツタは５〜１０μ
ｍの径を有し、微細な柱状結晶の集合体となる。

上記蛍光層の表面を実施例−１に示した方法により、研
磨を行なった後、３μ７ｎの膜厚を有する第２蛍光層と
光電面を順次形成せしめた。第２蛍光層は表１含１が滑
らかな面となり、ピンホールか形−］９− 成されなかった。

この結果、上記入力面を使用したＸ線イメージ管は、入
力蛍光層の膜厚が４００μｍである従来のＸ線−イメー
ジ管に比べて、感度か約３０％向上した３゜ざらに、限
界解像度は、従来値５０１１）／ｃｍから６０１ｐ／ｃ
ｍに向上し、空間周波数２０１１）／ｃｍでのＭ丁Ｆ値
も従来値４０％から６０％に向上した。

なｄ３、実施例−１，２，３，／′ｌ、６においては、
蛍光層の表面に中間層を形成しない場合についてのみ述
べたが、蛍光層の表面に中間層を形成しても同程度の効
果が得られる。

例えば、中間層として、導電性の膜を形成した後、その
表面に光電面を形成した場合にも適用できる。叉、第２
蛍光層の代わりに同程度の厚み（１〜５μ７ｒＬ）の任
意の透明な中間層を使用しても良い。

以上の研磨工具を使用した実施例においては、仙磨丁具
白身ｌｊ、固定した場合について述べたか、研磨工具白
身を回転させたり、振動させることにより、より短時間
に滑らかな面を得ることか可能てある。又、湿式１ｉＪ
ｌ磨法として、ω１磨中、研磨］−具と入力蛍光面の間
に、例えばフフルコール液の様な蛍光面を溶かし９！１
１い液体を介在させても良い。

液体を介在させることにより、研磨工具と入力蛍光面の
間の摩１察係数を低下さけることができ、荒れの少ない
平滑面を得ることか可能である。又、ある程度ビンボー
ルかふざがれるまてω１磨した後、水又は耐酸エヂルの
様にＣ３Ｉ蛍光層を溶かし易い液体を少量だ（丹月磨工
具に浸み込ませてから仕上げωｌ磨を行イｙつでも良い
。、この場合には、Ｃ３１蛍光層の表面は、実施例−２
で）ホべた様な０．１μ７ｒＬ以下の微細なりラックも
生じることかなく、ミグ１旧１′月こも滑らかな面を得
ることができるため、その表面に直接光電面を形成させ
たり、０．１μ汎程度の膜厚を１１？＋−る導電性保護
膜をつけた後、光電面を形成ざ刊ることかできる。

又、機械的に蛍光層表面を変形させる方法としては、ω
１磨法以外にも、ローラーの様な転動体を蛍光層表面に
押圧したり、ソフ１へ圧でのショツＩ〜ブラスティング
７Ｊ１丁等の方法を採用することかで−２１＝きる。また、入力蛍光面の表面に球体をららして入力基
板を振動させることにより、加工することかできる１、［発明の効果］本発明のＸ線イメージ管によれは、光電面の下地となる
層の表面が滑らかな面となると同時に、ピンホールが形
成されなくなるため、光電面の感度の向上が実現される
。

よって、Ｘ線イメージ管の主要特性Ｃある解像特性や輝
度特性または輝度−様性の向トが実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＸ線イメージ管の入力蛍光面の一実施
例を示す要部拡大断面図、第２図は入力基板に柱状結晶
を蒸着した状態を示す要部拡大断面図、第３図（ａＨｂ
）は本発明の入力面を研磨−する研磨装置を示す概略図
、第４図は本発明のＸ線イメージ管の入力蛍光面の伯の
実施例を示ず要部拡大断面図、第５図は本発明のＸ線、
イメージ管の入力蛍光面の一実施例を示しくａ）は柱状
結晶の先端部を押しつぶした状態を示す要部拡大断面図
で（ｂ）は（ａ）を用いた入力蛍光面を示す要部拡大断
面図、第６図は第５図に係る他の実施例を示しくａ）は
柱状結晶の先端部を押しつぶした状態を示す要部拡大断
面図で（ｂ）は［ａ）を用いた入力蛍光面を示す要部拡
大断面図、第７図は本発明のＸ線イメージ管の入力蛍光
面の他の実施例を示しくａ）はその入力蛍光面を示す要
部拡大断面図、（ｂ）は（ａ）に係る入力蛍光面を示す
要部拡大断面図、第８図は、従来のＸ線イメージ管の入
力蛍光面を示しくａ）はその入力蛍光面を示す要部拡大
断面図で（ｂ）はその表面状態を示ず要部拡大図である
。（１）・・・入力基板（２Ｈ３３）・・・隙間（３）　（１３）　（２４）・・・蛍光層（３ａ）　（
１３ａＨ２４ａ）・・・柱状結晶（４）（１４）・・・
連続層（６）　（１７）　（２１）　（２８）・・・光電面（
７）・・・頂部（２２）（２５）・・・連結層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空外囲器内のＸ線入力側に配設される入力基板
と、この基板上に少なくとも柱状結晶を有する蛍光層と
、この蛍光層上に直接又は間接的に形成される光電面を
形成してなる入力面を備えたＸ線イメージ管において、前記柱状結晶の頂部を変形させ前記柱状結晶間の隙間を
埋める構造としたことを特徴とするＸ線イメージ管。
（２）真空外囲器内のＸ線入力側に配設される入力基板
と、この基板上に少なくとも柱状結晶を有する蛍光層と
、この蛍光層上に直接又は間接的に形成される光電面を
形成してなる入力面を備えたＸ線イメージ管において、前記蛍光層におりる前記柱状結晶の頭部が他の柱状部断
面より大なる大きさの膨大部を有し、かつこの膨大部を
実質的に互いに密着してなることを特徴とするＸ線イメ
ージ管。
（３）真空外囲器内のＸ線入力側に入力基板を配設する
工程と、前記基板上に少なくとも柱状結晶を有する蛍光
層を形成する工程と、この蛍光層上に直接又は間接的に
光電面を形成し入力面を形成する工程とを具備するＸ線
イメージ管の製造方法において、前記柱状結晶の頂部を押しつぶし、かつ前記柱状結晶間
の隙間を埋めて前記蛍光層を形成する工程を具備するこ
とを特徴とするＸ線イメージ管の製造方法。