JPH01312065A - 磁性膜形成装置 - Google Patents

磁性膜形成装置

Info

Publication number
JPH01312065A
JPH01312065A JP14352788A JP14352788A JPH01312065A JP H01312065 A JPH01312065 A JP H01312065A JP 14352788 A JP14352788 A JP 14352788A JP 14352788 A JP14352788 A JP 14352788A JP H01312065 A JPH01312065 A JP H01312065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bar magnet
holder
substrate holder
substrate
bar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP14352788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2622402B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Kamei
亀井 光浩
Hidetsugu Setoyama
英嗣 瀬戸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63143527A priority Critical patent/JP2622402B2/ja
Publication of JPH01312065A publication Critical patent/JPH01312065A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2622402B2 publication Critical patent/JP2622402B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は磁性膜形成装置に係り、特に基板面上に平行磁
界を印加するよう対向配置した棒磁石を有する磁性膜形
成装置に関する。
[従来の技術] 最近、薄膜磁気ヘッドのコア材料等に磁性体を薄膜化す
る要求が高まっている。この要求に対して、スパッタリ
ングにより基板面上に磁性膜を形成する磁性膜形成装置
では、通常、基板面に平行磁界を印加しながらスパッタ
を行なう。このときの平行磁界は、永久磁石あるいは励
磁コイルを用いて得ることができるが、後者の励磁コイ
ルによる場合は、装置が大型化するうえに電源が必要で
あり、また磁界の平行性を高めようとすると比較的広い
範囲に磁場が広がるため、プラズマの分布に偏りを生じ
て磁性膜が不均一となってしまう。
これに対して特開昭61−288067号公報に記載の
装置は前者の永久磁石として棒磁石を用い、基板を保持
する基板ホルダに、対向配置した棒磁石を固定すること
により、基板面近傍の局部に容易に平行磁界を印加する
ことができると共に、小型な磁性膜形成装置とすること
ができる。
[発明が解決しようとする課題] 上述したように従来の磁性膜形成装置では、平行磁界を
得るための棒磁石を基板ホルダに固定していたため、磁
性膜の所定の磁気特性を得るために基板を300’C程
度に加熱するとき、熱伝導によって基板と共に棒磁石も
加熱され、また成膜中のスパッタ粒子の衝突によっても
棒磁石の温度を上昇させてしまう。このように棒磁石は
、成膜中に加えられる熱サイクルによって磁気特性が低
下し、この熱劣化によって磁性膜の磁気特性の低下およ
びばらつきを生じさせてしまう。
本発明の目的は、棒磁石の熱劣化を防いで磁気特性の優
れた磁性膜を形成することのできる磁性膜形成装置を提
供するにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は上記目的を達成するために、基板面に平行磁界
を印加する棒磁石を、基板ホルダとは間隙を有すると共
に独立して支持した棒磁石ホルダに取付けたことを特徴
とする。又、他の発明は、当該棒磁石ホルダに冷却手段
を設けたことを特徴とする。さらに他の発明は、当該棒
磁石ホルダを基板の厚み方向に微調整可能に移動する機
構を設けたことを特徴とする。
[作用] 本発明による磁性膜形成装置は上述の如き構成であるか
ら、基板に加えられた熱が従来のように基板ホルダを介
して棒磁石に伝達されることを防いで、棒磁石の温度上
昇と熱サイクルを抑えることができ、その結果、棒磁石
の熱劣化を防いで磁気特性の優れた磁性膜を形成するこ
とができる。
[実施例] 以下本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図および第2図は本発明の一実施例に係る磁性膜形
成装置の縦断面図および横断面図である。
この磁性膜形成装置には、成膜室1と予備室2とがあり
、両室間は駆動装置13によって開閉制御されるゲート
弁6で仕切られている。図示の例では3枚の基板4が用
いられ、予備室2内に配置した基板ホルダ3にこれら基
板4を配置した後、搬送装置7に沿って成膜室1内に送
り込まれる。なお、基板ホルダ3の構成の詳細は後述す
る第4図(A)、(B)およびその説明で述べる。成膜
室1内には、所定間隔をもって棒磁石5を対向配置した
棒磁石ホルダ16があるが、ベローズ15を介して成膜
室1外へ導出した棒磁石ホルダ16に連結した棒磁石駆
動装置9により、棒磁石ホルダ16を第1図の位置より
も上方へ移動させておくことによって、基板ホルダ3を
支障なく成膜室1内に搬入することができる。棒磁石駆
動装置9は支持台10によって適当な所に保持されてお
り、成膜室1内の真空を保持して棒磁石ホルダ16を駆
動することができる。
次いで第2図の如く基板ホルダ3が成膜室1内に搬入さ
れて所定の位置に達すると、棒磁石駆動装置9が作動し
て、棒磁石ホルダ16に取付けられた棒磁石5が基板4
とほぼ同じ高さになるようにされる。このときの詳細に
ついては第3図(A)。
(B)、第4図(A)、(B)および第5図を用いて後
述するが、この位置関係によって基板4の面に平行な磁
界が棒磁石5によって与えられる。この状態で、ターゲ
ット電極12に保持されたターゲット11に高周波電源
14を接続して放電を引き起こし、ターゲット11をス
パッタして基板4の面上に磁性膜を形成する。この成膜
中、基板4はヒータ18によって一定温度に保たれてい
る。
第3図(A)、(B)は棒磁石ホルダ16を示す背面図
および側面図である。棒磁石ホルダ16には4本の棒磁
石5が棒磁石ケース5aによって取り付けられている。
この棒磁石ホルダ16の棒磁石5の背面には一連の冷却
管17が付設してあり、この冷却管17の両端は棒磁石
ホルダ16の棒磁石駆動装置9との連結部を介して成膜
室1外へ導出されて冷却媒体が供給されている。棒磁石
5は第3図(B)から分かるように基板側に突出して基
板面に平行磁界を印加できるようになっている。
これに対して基板ホルダ3は第4図(A)の平面図およ
び第4図(E)の側面図に示すように、基板4を保持さ
せる段又は傾斜を周縁に有する開口部3aと、棒磁石5
および棒磁石ケース5aに対応する位置にこれらより大
きく形成した切欠き3bを有している。従って、基板ホ
ルダ3の上方から棒磁石ホルダ16を下げてくると、対
向配置された1対の棒磁石5間に基板4もしくは凹部3
aが位置すると共に、中心側の2つの棒磁石5が第4図
(B)の切欠き3b内に間隙を介して嵌入され、第5図
に示す状態となる。
このようにして棒磁石5は、基板4の面に平行磁界を印
加することができるような位置関係になる。しかも、こ
のとき棒磁石5と基板ホルダ3間には間隙があるので、
第3図の棒磁石ホルダ16の空間部を介して第1図のヒ
ータ18で基板ホルダ3を加熱しても棒磁石5を同様に
加熱することはない。逆に冷却管17で代表する冷却手
段で棒磁石ホルダ16を冷却しても、これによって基板
ホルダ3まで影響を与えることがない。棒磁石5は、ヒ
ータ18の輻射熱やスパッタ粒子の衝突によって熱を受
けるが、従来のように基板ホルダ3へ棒磁石5を取り付
けていた場合に比べれば、はとんど問題がない。しかも
、冷却管17を使用するなら、これらによる棒磁石5の
温度上昇も抑制することができる。従って、従来のよう
な棒磁石5の熱劣化はなく、基板4の面に常に一定の磁
界を加えることができ、良好な磁気特性をもつ磁性膜が
得られる。
上述のようにして磁性膜を得た後、第1図に示す棒磁石
駆動装置9によって棒磁石ホルダ16を上方に移動させ
、基板ホルダ3を搬送装置7によって予備室2へ戻し、
予備室2内から基板4を取り出して作業を終える。この
説明から分かるように棒磁石ホルダ16を成膜室1内に
構成し、これを上下動させる構造とすることによって、
従来、基板ホルダ3毎に棒磁石を固定していた方式に比
べて、基板ホルダからの熱伝導を防止して棒磁石の熱劣
化を防止することができ、これにより、各基板に常に一
定の磁界を与えることができ、安定した磁気特性をもつ
磁性膜が得られる。
第6図は本発明の他の実施例による磁性膜形成装置を示
す縦断面図である。この実施例では予備室2や搬入袋W
7や棒磁石駆動装置9がなく、固定された基板ホルダ3
へ基板4を配置する毎に成膜室lの真空を解除するが、
先の実施例との主な相違点は、基板ホルダ3および棒磁
石ホルダ16の支持構造にある。つまり基板ホルダ3は
熱抵抗の大きな支持部材19で成膜室容器へ支持してい
るのに対して、棒磁石ホルダ16は銅等の熱伝導性の良
い支持部材16aで支持している。
従って、基板ホルダ3は図示しないヒータ等によって効
率良く加熱でき、一方、棒磁石ホルダ16は支持部材1
6aによって熱を放出して温度上昇を抑えることができ
る。勿論、先の実施例と同じく基板ホルダ3と棒磁石ホ
ルダ16との間には間隙が形成されているので、基板ホ
ルダ3から棒磁石ホルダ16への熱の伝達は大幅に抑制
され、先の実施例と同様の効果が得られる。
第7図は本発明の更に異なる実施例による磁性膜形成装
置を示している。この実施例において基板ホルダ3と棒
磁石ホルダ16との間に間隙が存在する点で第6図に示
す実施例と同様であるが、棒磁石ホルダ16は気密を保
持して成膜室1外へ導出された後、螺合部16bで成る
移動機構を有する点で相違する。従って基板ホルダ3か
ら棒磁石ホルダ16への熱伝導を抑制でき、また螺合部
16bの近傍に設けたつまみ20を回転させることによ
って棒磁石ホルダ16の高さを微調整できる。この棒磁
石ホルダ16の微調整は、基板4の厚さが異なる場合や
、成膜すべき面の下地膜の厚さによる違いがある場合で
も、常に成膜面に平行な最適磁界が印加できるように、
基板との位置関係を良好に保持させることになる。この
ようにして基板4の厚みなどの違いによる条件差はなく
なり、常に良好な磁気特性をもつ磁性膜が得られる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、棒磁石ホルダと基板ホル
ダ間に間隙を形成し、棒磁石ホルダを基板ホルダとは異
なる支持構造としたため、基板ホルダから棒磁石への熱
の影響を抑制すると共に、それぞれ望ましい温度に保持
することができるので、棒磁石の熱劣化を防いで、磁気
特性の優れた磁性膜を形成する磁性膜形成装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例に係る磁性膜形
成装置の縦断面図および横断面図、第3図(A)、(B
)は第2図の棒磁石ホルダの背面図および平面図、第4
図(A)、(B)は第1図の基板ホルダの平面図および
側面図、第5図は第2図の要部拡大図、第6図および第
7図はそれぞれ異なる本発明の他の実施例による磁性膜
形成装置の縦断面図である。 1・・・・・・成膜室、3・・・・・・基板ホルダ、4
・・・・・基板、5・・・・・棒磁石、9・・・・・棒
磁石駆動装置、11・・・・・・ターゲット、12・・
・・・・ターゲット電極、16・・・・・・棒磁石ホル
ダ、16a・・・・・・支持部材、16b・・・・・螺
合部、18・・・・・・ヒータ、19・・・・・・支持
部材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空の成膜室内に、基板を保持する基板ホルダと、
    上記基板の面に平行磁界を印加するよう対向配置した棒
    磁石とを有する磁性膜形成装置において、上記棒磁石を
    上記基板ホルダとは間隙を有し、かつ、独立して支持す
    る棒磁石ホルダを設けたことを特徴とする磁性膜形成装
    置。 2、請求項1において、上記棒磁石ホルダの支持部は、
    熱伝導性の良い支持部材で構成されていることを特徴と
    する磁性膜形成装置。 3、請求項1記載のものにおいて、上記棒磁石ホルダに
    上記棒磁石の温度上昇を防ぐ冷却手段を設けたことを特
    徴とする磁性膜形成装置。 4、請求項1記載のものにおいて、上記棒磁石ホルダに
    、上記成膜室外から上記基板に対してその厚み方向へ微
    調整可能に移動する機構を設けたことを特徴とする磁性
    膜形成装置。
JP63143527A 1988-06-13 1988-06-13 磁性膜形成装置 Expired - Fee Related JP2622402B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63143527A JP2622402B2 (ja) 1988-06-13 1988-06-13 磁性膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63143527A JP2622402B2 (ja) 1988-06-13 1988-06-13 磁性膜形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01312065A true JPH01312065A (ja) 1989-12-15
JP2622402B2 JP2622402B2 (ja) 1997-06-18

Family

ID=15340815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63143527A Expired - Fee Related JP2622402B2 (ja) 1988-06-13 1988-06-13 磁性膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2622402B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211366B2 (en) 2003-02-21 2007-05-01 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep ultraviolet lithography

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6270430U (ja) * 1985-10-23 1987-05-02

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6270430U (ja) * 1985-10-23 1987-05-02

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211366B2 (en) 2003-02-21 2007-05-01 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoresist composition for deep ultraviolet lithography

Also Published As

Publication number Publication date
JP2622402B2 (ja) 1997-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272189B1 (ko) 플라즈마 처리장치
US6558508B1 (en) Processing apparatus having dielectric plates linked together by electrostatic force
JP4256503B2 (ja) 真空処理装置
US5783492A (en) Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
TWI317150B (ja)
JP2000236015A (ja) ホットプレートおよび半導体装置の製造方法
JP2003257943A (ja) 表面処理装置
JP2002540610A (ja) セラミック箔にギザギザをつけたプレートとガスアシストとを有する複合型ヒータ
JPH08191059A (ja) プラズマ処理装置
JP3150027B2 (ja) プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を用いたプラズマ処理装置
US4911815A (en) Sputtering apparatus for production of thin films of magnetic materials
JPH01312065A (ja) 磁性膜形成装置
JP2901317B2 (ja) スパッタ装置及びそれを用いた成膜方法
JPH11111829A (ja) 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
JPH0718323A (ja) 熱処理装置
JPH05234944A (ja) ウエハ温度制御方法及び装置
JPS6250462A (ja) スパツタリング装置
JP3109339B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2012124362A (ja) 絶縁性基板の静電吸着方法
JP3050710B2 (ja) サセプタ温度制御方法
JPH08176819A (ja) 薄膜処理装置
JP2000124096A (ja) 熱処理炉装置
JPH01208394A (ja) 真空成膜装置の基板加熱機構
JP2846157B2 (ja) 静電吸着電極
JPS58197719A (ja) 基板の加熱構造および加熱方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees