JPH01311532A - 電子放出素子及びそれを用いた電子放出装置並びに発光装置 - Google Patents

電子放出素子及びそれを用いた電子放出装置並びに発光装置

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JPH01311532A
JPH01311532A JP63141564A JP14156488A JPH01311532A JP H01311532 A JPH01311532 A JP H01311532A JP 63141564 A JP63141564 A JP 63141564A JP 14156488 A JP14156488 A JP 14156488A JP H01311532 A JPH01311532 A JP H01311532A
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一郎 野村
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治人 小野
Yoshikazu Sakano
坂野 嘉和
Toshihiko Takeda
俊彦 武田
Tetsuya Kaneko
哲也 金子
Seishiro Yoshioka
吉岡 征四郎
Hidetoshi Suzuki
英俊 鱸
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/316Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes

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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、表面伝導形放出素子及びそれを用いた電子放
出装置に関するもので、特に表面伝導形放出素子から放
出される電子ビームの形状制御並びに−次元(線)又は
二次元(面)状の電子放出を行う電子放出装置に関する
[従来の技術] 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム・アイ・エリンソン(M、 I。
Elinson)等によって発表された冷陰極素子が知
られている。[ラジオ・エンジニアリング・エレクトロ
ン−74ジ4 ックス(Radio Eng、 Ele
ctron。
Phys、)第10巻、 121110〜129B頁、
 1985年]これは、基板上に形成された小面積の薄
膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が
生ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形放出
素子と呼ばれている。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたSm1t (Sb)薄膜を用いたものの
他、 Au薄膜によるもの[ジー・ディットマー“スイ
ン ソリッド フィルムス”(G、 Ditt■er:
“丁hin  5olid  Films” ) 、 
9巻 、317 頁 、  (1972年)]、■↑0
薄膜によるもの[エム・ハートウェル・アンド・シー・
ジー・フォンスタッド“アイ・イー・イー・イー・トラ
ンス・イー・デイ−・コンブ″(M、 Hartwel
l and C,G、 Fonstad:“IEEE 
Trans、 ED Cone、” ) 519頁、 
(1975年)J、カーボン薄膜によるもの[荒木久他
:“真空”、第2B巻、第1号、22頁、 (1983
年)1などが報告されている。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第7
図に示す、同第7図において、!および2は電気的接続
を得る為の電極、3は電子放出材料で形成される薄膜、
4は基板、5は電子放出部を示す。
従来、これらの表面伝導形放出素子に於ては、電子放出
を行なう前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部5を形成する。即ち、前記電
極1と電極2の間に電圧を印加する事により、薄膜3に
通電し、これにより発生するジュール熱で薄膜3を局所
的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な
状態にした電子放出部5を形成することにより電子放出
機能を得ている。
第7図及び第8図において6は、上記表面伝導形放出素
子から放出される電子ビームの広がる面積を目視で測定
できるように、透明基板の電子ビームの照射面に蛍光体
を塗布した蛍光体基板。
7は放出された電子ビームにより発光した発光部である
従来の表面伝導形放出素子の放射特性は、表面伝導形放
出素子から数、麿謄程度離れた空間上に蛍光体基板6を
配置して数百Vから数千Vの電圧を印加し、前記電極l
と電極2の間に駆動電圧を印加した場合、蛍光体基板6
上に発光する発光部7が第7図のごとく、三ケ月形をな
すものとなっている。この放射特性は、従来の表面伝導
層電子放出素子の固有の特性である。
さらに1表面伝導形電子放出素子をライン状にマルチに
配置した場合、第8図のごとく、三ケ月形の発光部7が
ライン状にならんだ、非常に変形されたライン電子源を
構成することになる。
[発明が解決しようとする課題] 上述のように、従来の表面伝導形放出素子は、放出され
た電子ビームが三ケ月状に広がりながら飛翔するため1
次のような欠点がある。
(1)表面伝導形放出素子から放出された電子ビームを
任意の形状に絞るには、非常に複雑な電子光学系を必要
とする。
(2)表面伝導形放出素子を複数個、ライン状に規則正
しくマルチに配置した場合、ライン状に均一な電子放出
を得られない。
以上のような問題点があるため、従来の表面伝導形放出
素子は、素子構造が簡単でかつ、2つ以上の複数の素子
をライン状に配置することが容易であるにもかかわらず
、産業上積極的に応用されるには至っていないのが現状
である。
本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、簡単に電子ビームの形状を制御できるよ
うにすると共に、きれいに揃ったライン状の電子放出が
得られるようにすることを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために本発明において講じられた手
段を、本発明の一実施例に対応する第1図で説明すると
、本発明では、電極ギャップ8を隔てて位置する一対の
電極1.2を有する表面伝導形放出素子において、該電
極ギャップ8を形成する2つの電極1.2の幅を互に異
ならせるという手段を講じているものである。
本発明において、電極ギャップ8を形成する電極の形状
は、直線形状であっても、凹又は凸形状であってもよい
、凹又は凸形状とする場合、第3図に示されるように、
一方の電極lを凸形状で、他方の電極2を凹形状とし、
凹凸を組合わせて用いることが好ましい、この場合、幅
の広い電極2を凹形状、幅の狭い電極1を凸形状とする
ことが更に好ましい。
本発明において、幅の広い電極2と狭い電極1は、どち
らを正極としても、また負極としてもよいが、幅の狭い
電極1を正極とし、幅の広い電極2を負極とすることが
好ましい、ここで、正極とは、正の電位が印加される電
極をいい、負極とは負の電位が印加される電極をいう。
特に本発明では、幅の広い電極2を凹形状かつ負極とし
、幅の狭い電極1を凸形状かつ正極とするのが最適であ
る。
上述した本発明に係る各表面伝導形放出素子は、整った
形状の電子ビームが得やすいことから、当該素子を直線
的に一列に並べて、−次元状の電子放出をなす電子放出
装置を構成するのに適している。また、当該素子を複数
列並べることにより、対象領域全体に均一な電子ビーム
の照射が可能な、二次元状の電子放出を行う電子放出装
置を得ることができる。
更に本発明について説明すると、本発明の表面伝導形放
出素子は、従来と同様に基板4上に形成されるもので、
この基板4としては、例えばガラス、石英等の絶縁材料
が用いられる。
電極1,2は、例えば真空蒸着プロセスとフォトリソプ
ロセス等の通常よく用いられる方法で形成することがで
きる。この電極1.2の材料は。
−殻内な導電材料で、例えば旧、AP、 Gu、 Au
Pt、 Ag等の金属や、 5n03. ITO等の金
属酸化物等を用いることができる。
電極1.2の間隔、即ち電極ギャップ8は、0.1 ミ
クロンメートルから数ミクロンメートルであれば良いが
、これに限定するものではない0幅の狭い電極lの幅W
1は任意の大きさで良いが、通常数十ミクロンから数ミ
リの大きさに形成する。
幅の広い電極2の幅W2は、電極1の幅りlより大きく
設ける必要がある。この画電極1.2の幅の違いは、わ
ずかであっても、ある程度の所望の効果を得ることがで
きるが、一般には一方を他方の数倍以上にすることが好
ましく、理想的には、一方の幅を無視できる程(数十倍
以上)広くすることが望ましい。
電極1.2間における電子放出部5の形成は、従来と同
様に、例えば111203 、5u02 、 PbO等
の金属酸化物、Ag、 Pt、 AR,Cu、 Au等
の金属、カーボン、その他各種半導体等の電子放出材料
を用いた真空蒸着等によって薄[3を成膜し、これにフ
ォーミング処理を施すことで行うことができる。
また、電子放出部5の他の形成方法としては、上記電子
放出材料の微粒子を分散媒に分散させた分散液を、例え
ばデツピングやスピンコード等で基板4に塗布した後焼
成することによって行うことが挙げられる。この場合の
分散媒としては、微粒子を変質させることなく分散させ
得るものであればよく1例えば酢酸ブチル、アルコール
類、メチルエチルケトン、シクロヘキサン及びこれらの
混合物等が用いられる。また微粒子は、数十A〜数糾鳳
の粒径のものが好ましい。
本発明は、第4図に示されるように、基板4上に設けら
れた段差形成層10の段差部上下端に一対の電極1,2
の各端部が位置し、該電極1.2が該段差部をはさんで
、対向して電極ギャップ8を有しており、該電極ギャッ
プ8である段差部側端面に電子放出部5を形成してなり
、電極1.2間に電圧を印加することにより、電子放出
部5から電子放出することを特徴とする電子放出素子の
構造においても、同様な効果を得ることができる。
上記段差形成層lOとしては、一般に絶縁材料を用いる
0例えば、5i02. MgO,TiO2,Ta205
゜Aj)z03等及びこれらの積層物もしくはこれらの
混合物でも良い、電極ギャップ8は、段差形成層10の
厚みと電極1.2の厚みによって決定されるが、数10
A〜数ルが良い、その他の構成部材は、前述したものと
同様な材料、構成を用いることができる。
[作 用] 本発明によって、電子ビームの形状が制御できる理由は
必ずしも明らかではないが、本発明者等は、電極1.2
の形状が、三次元的な電子光学レンズを形成することが
大きな原因となっていると推測している。そして、本発
明によれば、電子ビームを整った形状のものとすること
ができるため、当該表面伝導層放出素子を直線的に一列
に並べたときに、均一に連なった電子放出状態が得やす
くなるものである。
尚、本発明において、幅の狭い電極lを正極とし1幅の
広い電極2を負極とすると、電子ビームの広がりを抑え
ることができ、正負を逆にすると、電子ビームを広げて
放出させることができる。
[実施例] 実施例1 !s1図は本実施例を説明する概略的説明図である。
通常よく用いられる真空成膜技術とバターニング技術に
より、石英の基板4上に、一対の電極1.2を形成した
。電極ギャップ8(電極間隔)は2ミクロンメートル、
電極1.2の幅wl p ’IJ2をそれぞれ0.5 
ミリメートル、10ミリメートルに形成した。
電極1.2を形成した後、電極1.2間に、スピナー塗
布法で有機パラジウム(実費製薬■CCP−4230)
を塗布する。その後250℃の温度で1時間焼成せしめ
、電極1.2間にパラジウムの微粒子を形成した。
つぎに、電源9により、電極1側がプラスとなるように
素子に電圧を印加し、電子放出させた。電子放出させる
環境は、電子ビームが飛翔できる真空度であれば構わな
いが、一般にはl X lo”torr以上の真空度が
望ましく、本実施例もこれに従った。
蛍光体基板6を石英の基板4から10ミリメートル離し
、電子ビームの飛翔方向を観測した。ここで、蛍光体基
板6に印加する電圧Vaは素子電位よりプラス1000
ボルトにした。
また、従来の素子の一例として電極幅w1.12の等し
い素子を形成し本実施例の効果と比較検討した。従来の
素子は電極幅以外は全て本実施例と同じ方法で形成し、
w、 = w2 = 0.5 ミリメートルとした。
その結果を第1表に示す、尚、電子ビームの広がりのパ
ラメータとして、蛍光体基板6上での一点の暢りで比較
した。
第  1  表 結果からも明らかなように、本発明は、従来の素子と比
較して、電子ビームの広がりの小さな表面伝導形放出素
子を提供するものである。
また、本実施例において、素子に印加する電圧を逆にし
たところ、蛍光体基板6上の輝点の幅りは5.2 ミリ
メートルに拡大した。
以上説明したように、表面伝導形放出素子の電極1,2
の各部を互いに異なるように形成し、かつそれぞれの電
極1.2に印加する電圧の極性を変えることにより、電
子ビームの飛翔方向を変え、ビームの広がりを改善する
ことができた。
実施例2 第2図は本実施例を説明する為の概略的説明図である。
第3図は第2図に於ける電子放出部5付近の拡大図であ
る。
実施例1と同様に、石英の基板4上に、通常良く知られ
る真空成膜技術とパターニング技術により、電極1.2
を形成した。電極1.2の幅%’lI+動はそれぞれ0
.5 ミリメートルと10ミリメートルとした。電極ギ
ャップ8は、輻2ミクロンメートルで、直径065 ミ
リメートルの半円形状で形成し、電極l側を凸形に電゛
極2側を凹形にした。
また、電子放出部5の形成は、実施例1と同様におこな
った。
次に実施例1と同様に素子上に蛍光体基板6を設け、蛍
光体基板6上の輝点7で電子ビームの飛翔方向を観測し
た。
その結果、半径0.4 ミリメートルのほぼ円形の輝点
7を得ることができた。又、素子に印加する電圧を変化
することにより、輝点の半径を変えることもできた。つ
まり、本実施例の電極形状は、電子ビームの飛翔方向を
変え、ビームを絞ることができる、いわゆる収束電極の
効果を持つものである。
実施例3 第4図は本実施例を説明する為の概略的説明図である。
第5図はその電子放出部5を説明する為の概略的断面図
である。
石英の基板4上に段差形成層lOとして、S i02の
液体コーテイング材(東京応化工業社製0CD)を塗布
、乾燥し、厚み3000Aの5iOz層を作成した0次
に、電子放出部5の平面形状となるように1段差形成層
lOをHFエツチング液によりパターンエッチし、段差
部を設けた。さらに、該段差部上へ、マスク真空蒸着法
により、旧を厚み500A成膜し、電極1.2を実施例
1と同様の形状に形成した。
この時、電極ギャップ8部分には、成膜時のステップカ
バレージを悪くして、Niが堆積しないようにした。そ
の後、前述実施例と同様にして、微粒子を形成して、電
極ギャップ8に電子放出部5を配置した。
電極1.2の幅Wl、W2はそれぞれ0.5 ミリメー
トルと10ミリメートルに形成した。
電極1側をプラスの電位になるように素子に電圧を印加
し、実施例1と同様な評価をした結果、同様な効果が得
られた。
実施例4 第6図は本実施例を説明する為の概略的説明図である0
本実施例は、実施例1の素子をライン状に規則正しくマ
ルチに配置せしめたものである。
電極1,2および電子放出部5は、実施例1と同様な方
法により形成した。電子放出部5の幅Wを0.5 ミリ
メートル、素子ピッチPを!、2ミリメートルに作成し
た。
実施例1と同様に蛍光体基板6上の輝点を観測したとこ
ろ、従来の問題点が解決し、非常に−様なライン状の輝
線が得られた。
以上説明した様に本実施例は、複雑な電子光学レンズを
使わずに、ライン状の電子放出源を形成するものである
[発明の効果] 以上説明したように、表面伝導形放出素子の電子放出部
において、2つの電極の幅を互いに変えることにより次
のような効果がある。
l、電子ビームの飛翔方向を変える(電子ビームの広が
りを変える)ことができる。
2、電極幅の狭い方をプラス電位、電極幅の広い方ヲマ
イナス電位にせしめ電子放出させることにより、電子ビ
ームの広がりを改善することができる。
3、凸形状電極の幅を狭く、凹形状電極の幅を広く構成
しかつ凸形状電極をプラス電位、凹形状電極をマイナス
電位にせしめて電子放出させることにより、電子ビーム
の広がりを改善させるだけでなく、電子ビームを収束飛
翔させる効果がある。
4、素子を直線状にマルチに配置することにより、−様
な線状電子源を得るのに効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は各々実施例1及び実施例2を説明す
るための概略的説明図、第3図は第2図における電子放
出部付近の拡大図、第4図は実施例3を説明するための
概略的説明図、第5図はその電子放出部を説明するため
の概略的断面図、第6図は実施例4を説明するための概
略的説明図、$7図及び第8図は従来技術の説明図であ
る。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電極ギャップを隔てて位置する一対の電極を有す
    る表面伝導形放出素子において、該電極ギャップを形成
    する2つの電極の幅が互いに異なることを特徴とする表
    面伝導形放出素子。
  2. (2)電極ギャップを形成する電極が直線形状であるこ
    とを特徴とする請求項第1項記載の表面伝導形放出素子
  3. (3)電極ギャップを形成する電極の一方が凸形状で他
    方が凹形状であることを特徴とする請求項第1項記載の
    表面伝導形放出素子。
  4. (4)電極幅の狭い電極が正極、電極幅の広い電極が負
    極であることを特徴とする請求項第1項記載の表面伝導
    形放出素子。
  5. (5)凸形状の電極の幅が狭く、凹形状の電極の幅が広
    く構成され、かつ凸形状の電極が正極、凹形状の電極が
    負極であることを特徴とする請求項第3項記載の表面伝
    導形放出素子。
  6. (6)請求項第1〜第5項記載のいずれかの表面伝導形
    放出素子が、各素子の電子放出部を直線的に位置させて
    、規則正しくマルチに配列されていることを特徴とする
    電子放出装置。
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