JP3332891B2

JP3332891B2 - 電子源及びそれを用いた画像形成装置

Info

Publication number: JP3332891B2
Application number: JP15098599A
Authority: JP
Inventors: 久美岩井; 哲也金子; 一郎野村; 治人小野; 征四郎吉岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-05-31
Filing date: 1999-05-31
Publication date: 2002-10-07
Anticipated expiration: 2017-10-07
Also published as: JPH11354010A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子放出部
を有する電子源及びこの電子源を用いた画像形成装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、簡単な構造で電子の放出が得ら
れる素子として、例えば、エムアイエリンソン
（Ｍ．Ｉ．Ｅ１ｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰
極素子が知られている［ラジオエンジニアリングエ
レクトロンフィジィックス（ＲａｄｉｏＥｎｇ．Ｅ
ｉｅｃｔｒｏｎ．Ｐｈｙｓ）第１０巻，１２９０〜１２
９６頁，１９６５年］。

【０００３】これは、基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形電子放
出素子と呼ばれている。

【０００４】この表面伝導形電子放出素子としては、前
記エリンソン等により開発されたＳｎＯ₂（Ｓｂ）薄膜
を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［ジーディトマー
“スインソリッドフィルムス”（Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅ
ｒ：“ＴｈｉｎＳｏ１ｉｄＦｉｌｍｓ”）９巻，３１
７頁，（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの［エム
ハートウェルアンドシージーフォンスタッド
“アイイーイーイートランス” イーディ
ーコンファレンス（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅ１１ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：“ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅ
ＤＣｏｎｆ．”）５１９頁，（１９７５年）］、カー
ボン薄膜によるもの［荒木久他：“真空”，第２６巻，
第１号，２２頁，（１９８３年）］などが報告されてい
る。

【０００５】これらの表面伝導形電子放出素子の典型的
な素子構成を図９に示す。同図において、１４は電気的
接続を得るための電極、１３は電子放出材料で形成され
る薄膜、１は基板、１５は電子放出部を示す。

【０００６】従来、これらの表面伝導形電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に予めフォーミングと呼ば
れる通電加熱処理によって電子放出部を形成する。即
ち、前記一対の電極１４の間に電圧を印加することによ
り、薄膜１３に通電し、これにより発生するジュール熱
で薄膜１３を局所的に破壊，変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部１５を形成する
ことにより電子放出機能を得ている。

【０００７】しかしながら、上記のような従来の通電加
熱によるフォーミング処理によって製造された電子放出
素子では、通電加熱による薄膜の変化、例えば局所的な
破壊、変形もしくは変質等の程度が同一基板内に形成さ
れる複数の素子間にばらつきがちで、また変化の生じる
場所も一定しない傾向がある。このフォーミングによる
素子では、フォーミングによって膜の一部が高抵抗化
し、この部分では膜内に１μｍ以下の狭い亀裂ができ、
更に、亀裂の間に小さな島状構造を有する膜となってい
る。フォーミングによる素子では、この亀裂の形状、
幅、及び島の形、大きさがフォーミングの条件を一定に
しても複雑に変化し、定形化することは極めて困難であ
る。このため、電子放出素子として機能させた場合、電
流量や効率、電子の放出場所、放出される電子ビームの
形状等が素子毎にばらついており、特性の揃った素子を
１度に多数個得ることは難しかった。

【０００８】更に、フォーミングが完了するまでには、
比較的大電力を必要とするため、同一基板上に多数の素
子を形成し同時にフォーミングを行う場合、大容量の電
源を必要とする。このため、複数の素子を並列に配置し
て配線電極で接続し、線状電子源を作製しようとする
時、同時にフォーミングすることが難しかった。

【０００９】以上のような問題点があるため、表面伝導
形電子放出素子は、素子構造が簡単であるという利点が
あるにもかかわらず、産業上積極的に応用されるには至
っていなかった。

【００１０】上記問題点を鑑みて検討した結果、特開平
１−１０５４４５号公報、特開平１−２００５３２号公
報において、電極間に電子放出体を配置しこれに通電処
理を施すことにより電子放出部を設ける表面伝導形電子
放出素子が提案された。かかる電子放出素子の構成を図
１０に示す。

【００１１】同図において、１８及び２０は電極であ
り、特に１８は下電極、２０は上電極である。また、１
９は絶縁層、１６は電子放出体、１は基板である。ま
た、一般に表面伝導形電子放出素子の電極間隔は、０．
０１μｍ〜１００μｍであり、電子放出部の抵抗は１×
１０³Ω／□〜１×１０⁹Ω／□である。

【００１２】この電子放出素子の特徴としては次のよう
なことが挙げられる。

【００１３】フォーミングという手段によらないで、
電子放出部の亀裂の形状及び幅を一定にした電子放出素
子を提供することができる。

【００１４】電子放出部の亀裂の中の島状構造に相当
するものの構造及び大きさを、一定ならしめる手段を提
供し、それによって特性の揃った電子放出素子を提供す
ることができる。

【００１５】第１０図に示されるような縦型の構造で
あることから、電子放出部の亀裂に相当するものが絶縁
層３の膜厚で決定され、この膜厚は蒸着法，塗布法，そ
の他によって０．０１μｍから１００μｍの範囲まで大
面積で容易に制御して均一に形成できる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記表
面伝導形電子放出素子は、基本的に図９に示される表面
伝導形電子放出素子の一方の電極を絶縁層を介して他方
の電極より高い位置としたもので、上電極と下電極が水
平方向に大きくずれており、しかも単一の電子放出部を
有するものに過ぎない。複数の電子放出部を有する電子
源とする場合、この表面伝導形電子放出素子を複数並べ
て配線電極で接続しなければならず、各素子間のピッチ
をあまり小さくできず、電子放出部を高密度に配置しに
くい問題があった。このため、電子源と、該電子源と対
向して配置された蛍光体とを有する画像形成装置とした
場合に、高精細な画像が得にくいという問題があった。

【００１７】本発明は、上記従来の問題点を解消するも
ので、複数の電子放出部を高密度に配置できる電子源と
すると共に、高精細な画像形成装置が得られるようにす
ることを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、複数
の電子放出部を有する電子源であって、基板上に形成さ
れた、下電極と全体が下電極の直上に位置する上電極と
の間に絶縁層を挟持してなる積層体と、該積層体を構成
する前記絶縁層の両側面に、前記絶縁層を挟むように配
置された電子放出部とを有することを特徴とする電子源
を提供するものである。

【００１９】また、上記本発明は、前記上下電極をつな
ぐ微粒子膜が形成されており、該微粒子膜に前記電子放
出部が形成されていること、前記微粒子膜は、前記積層
体を横断方向に覆っていること、前記微粒子膜が複数箇
所に分かれて配置されていること、前記積層体が前記基
板上に線状に配置されていること、前記積層体が前記基
板上に複数配置されていること、を好ましい態様として
含むものである。

【００２０】また、本発明は、電子源と、該電子源と対
向して配置された蛍光体とを有する画像形成装置であっ
て、該電子源が上記いずれかの電子源であることを特徴
とする画像形成装置を提供するものでもある。

【００２１】本発明によれば、上下電極間に絶縁層を挟
持して積層体を構成しているので、積層体の設置幅が狭
く、しかもこの積層体間のピッチを小さくすることがで
き、電子放出部を高密度に配置することができる。ま
た、上下電極に挟持された絶縁層の側面に複数の電子放
出部を有するので、素子電極でもある上下電極を配線電
極としても用いることができ、配線電極のスペースを省
略することでも高密度化を図ることができる。更には、
上記の一対の上下電極と絶縁層を同一形状とすることに
より、上下電極を同時に形成することが可能で、最低１
回のパターン形成工程で、複雑な形状の電子放出部を形
成することもできる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。

【００２３】図１は、本発明に係る電子源の基本素子構
成を説明するための参考図である。同図において、１は
基板、２及び４は電気的接続を得るための電極で、特に
２は下電極、４は上電極であり、３は絶縁層（中間絶縁
層）、６は電子放出体である微粒子膜、５は電子放出部
である。本電子放出素子を約２×１０^-6Ｔｏｒｒの真空
中内において電極４，２間に電圧を印加すると、上下電
極４，２間の絶縁層３の端面に配置された微粒子膜６内
の線状部分が電子放出部５となり、この電子放出部５よ
り電子が放出されるものである。

【００２４】次に、この電子放出素子の動作について説
明する。図１において、上下電極４，２間の絶縁層３の
厚みが０．０１μｍ〜１００μｍであり、且つ微粒子膜
６がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属材料もしく
はそれらの合金、もしくはＳｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｄＯ
等の酸化物もしくは前記金属材料、合金、酸化物の混合
物等である場合、上下電極４，２の間に数Ｖ〜数１００
Ｖの電圧を印加すると、上下電極４，２間の絶縁層３の
表面に高電界が生じ、電子放出部５の付近から電子が放
出される。電子が放出される印加電圧には閾値があり、
この閾値は上下電極４，２間の距離や微粒子膜６及び上
下電極４，２の材料等に依存する。

【００２５】尚、上記電子放出素子から電子が放出され
るメカニズムについては定説はないが、ほぼ以下の如く
であろうと考えられている。

【００２６】即ち、狭い絶縁層３間に電圧がかかること
による電界放出や、微粒子膜６から放出された電子が、
島状構造の膜や電極によって回折されたり、散乱された
り、或いは衝突による二次電子放出や、熱電子、ホッピ
ング電子、オージェ電子等が考えられている。

【００２７】このように、上記のような電子放出素子に
おいては、図１０に示した表面伝導形電子放出素子と同
様、フォーミングという手段によらないで上記亀裂の形
状および幅を一定にした素子を提供することができる。

【００２８】次に、上記電子放出素子の製造方法の概略
を図２を用いて説明する。図２において、１は基板、２
及び４は電気的接続を得るための電極で、特に２は下電
極、４は上電極であり、３は絶縁層（中間絶縁層）、７
はレジスト膜である。

【００２９】先ず、下電極２となる電極材を、基板１
上全面に成膜する。この電極材は、通常使用される電極
材であれば良く、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ等で、
基板密着性、耐表面酸化性等、電極材としての取り扱い
性が良いものが好ましい。その膜厚は特に限定されるこ
とはないが、通常数１００Åから数１００μｍ程度が良
い。

【００３０】続いて、絶縁層３及び上電極４を、下電
極２とは一辺のみ端面がずれるように成膜形成する。上
電極４は下電極２と同様の電極材を用い、絶縁層３はＳ
ｉＯ ₂，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃等及びこ
れらの積層物や混合物でも良く、厚みは０．０１μｍ〜
１００μｍであれば良いが、特に０．１〜１０μｍが好
ましい。また、下電極２に対して、絶縁層３の一辺を下
電極２の内側にずらすのは、下電極２の導通がとれるよ
うにするためである。よって、精密な位置合せは不要
で、例えば蒸着マスク等を用いて端面がずれていれば良
い。

【００３１】次に、通常よく用いられるフォトリソ行
程を用いて不要な部分を１度にエッチングで取り除く。
この場合エッチングの方法は、ドライエッチ，イオンミ
リング等、成膜膜面の鉛直方向にのみエッチング進行す
る異方性エッチングの可能なものが好ましい。

【００３２】このように、かかる電子放出素子は、上下
電極４，２、と該上下電極４，２間に配置された電子放
出部５の端面が同じであれば良い。すなわち、上下電極
４，２間で位置合せ等のアライメント精度を要するプロ
セスを経なくても、下電極２、絶縁層３、上電極４を順
次基板１の全面に配置し、その後不要な部分のみエッチ
ングを行うことで容易にかつ精度良く電子放出素子を作
ることができる。

【００３３】また、電子放出部５となる端面が同一で、
かつ、上下電極４，２が重なっているため、オーバーエ
ッチ等による下電極２のダメージ等の問題もなく、安定
して多数の電子放出素子を作成することができる。

【００３４】次に、上下電極４，２間の一端面に電子放
出体である微粒子膜６を配置して電子放出素子とする。
このようにしてできあがった電子放出素子は、図１０の
電子放出素子と同様島状構造に相当するものの構造およ
び大きさを一定にでき、また従来例の狭い亀裂に相当す
るものが絶縁層３の膜厚で決定でき、大面積で容易に均
一に形成できる。

【００３５】更に、この電子放出素子の電子放出部５を
同一面に多数並列に並べることにより、本発明の電子源
とすることができる。この場合、素子電極でもある上下
電極４，２が配線電極をも兼ねることができる。このた
め、製造方法の容易化も図れる。また、画像表示装置の
電子源とした際、配線電極が不要な分、各々の電子放出
素子間隔を小さくすることができ、より高精細な画像表
示装置を作ることが可能となる。また、配線電極が不要
でありかつ上下電極４，２が同形状であることから、複
雑で細かい形状の電子放出部５をも容易に形成すること
ができる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００３７】参考例図１において、１は石英の基板、２，４は素子電極で２
は下電極，４は上電極である。３は絶縁層、５は電子放
出部、６は微粒子膜である。

【００３８】以下、製造方法について説明する。

【００３９】最初に充分脱脂、洗浄を行った２５．４
ｍｍ×３８．１ｍｍ（１ｉｎｃｈ×１．５ｉｎｃｈ）角
の石英の基板１上全面に、通常よく用いられる真空成膜
技術により下電極２を形成した。電極材料としては、膜
厚５０ÅのＣｒを下引き層とした膜厚９５０ÅのＮｉを
用いた。

【００４０】次に、スパッタ法を用いて、絶縁層３で
あるＳｉＯ₂を５０００Å蒸着マスクを用いて必要な部
分に配置し、その後下電極２と同様の方法で上電極４を
形成した。

【００４１】この後、通常用いられるフォトリソエッ
チング技術を用いて、図１のような形状となるように、
上下電極４，２及び絶縁層３を同時にイオンミーリング
処理し、不要な部分を一気にエッチングした。

【００４２】この上に、有機Ｐｄ化合物溶液（奥野製
薬工業社製）を分散塗布し、３００℃で１３分間の熱処
理を行うことにより、上下電極４，２間に電子放出体で
ある微粒子膜６を形成した。

【００４３】このようにして得られた複数個の電子放出
素子を約２×１０^-6Ｔｏｒｒの真空容器内に入れ、それ
ぞれの上下電極２，４間に１４Ｖの電圧を印加し、更に
電子放出素子から５ｍｍ鉛直上に１ＫＶの電圧を印加し
た蛍光体基板を配置したところ、ビームサイズの揃った
輝点が見られた。

【００４４】このように、本例の電子放出素子では、従
来例の狭い亀裂に相当するものが絶縁層３の膜厚で決定
され、この膜厚は蒸着法，塗布法，その他によって０．
０１μｍから１００μｍの範囲まで大面積で容易に制御
して均一に形成できる。また、電子放出部５を形成する
電子放出体として、本例では有機Ｐｄ化合物溶液をスピ
ンコートすることで配置したが、Ａｕ，Ａｇ等の有機金
属化合物でも良く、また電子放出体の配置は、上記有機
金属化合物溶液へのディッピングや、上記金属の微粒子
のガスデポジション法による配置で行っても良い。更に
は、上記有機金属化合物溶液をＳｉＯ₂液体コーティン
グ材（東京応化工業製ＯＣＤ）に混合したものを下電極
２を配した基板１上に塗布焼成し、上電極４を配置した
後、これらを形成することにより、電子放出体である微
粒子を含むＳｉＯ₂の絶縁層３の端面を得てもよい。

【００４５】即ち、薄膜を通電加熱により島状構造とな
す従来の例と異なり、電子放出部５を形成するものが微
粒子であることにより、特性の揃った電子放出素子を容
易に多数個作ることが可能となった。

【００４６】実施例１図３は、本実施例に係る電子源の一部を示す概略的説明
図である。尚、図４（ａ）は図３中のＡ−Ａ断面図であ
り、図４（ｂ）は図３中のＢ−Ｂ断面図である。１は石
英基板、２，４は素子電極（２は下電極、４は上電極）
であり、かつ配線電極としての役割も果たす。３及び１
７は絶縁層（３は中間絶縁層、１７は被服絶縁層）、５
は電子放出部である。

【００４７】以下、製造方法を述べる。

【００４８】最初に、一般に良く用いられる真空堆積
法を用いて、下引き層としてＣｒを５０Å蒸着した後、
Ｎｉを９５０Åの厚みに基板１の全面に下電極２の材料
として蒸着した。

【００４９】次に、スパッタ法を用いて、絶縁層３と
してＳｉＯ₂を５０００Å成膜し、更にその上に下引き
層としてＣｒを５０Åの厚みに蒸着した後、Ｎｉを９５
０Åの厚みに上電極４の材料として一面に蒸着した。

【００５０】この上に、通常用いられるフォトリソエ
ッチング技術を用いて、図３に見られるような線状の形
状となるように、上下電極４，２及び絶縁層３を同時に
イオンミーリング処理し、不要な部分を一気にエッチン
グした。この製造方法は、上下電極４，２及び絶縁層３
を１度のフォトリソエッチング工程を通すことにより容
易に成形でき、しかも電子放出部５の位置が絶縁層３の
膜厚で決定でき、上下電極４，２間のショート等の心配
もないことから、容易に安定した電子放出をする電子放
出素子が得られる。

【００５１】更に、この上に、絶縁をとるためにＳｉ
Ｏ₂液体コーティング材（東京応化工業製ＯＣＤ）をス
ピンナーでスピンコートし、４００℃で焼成したものを
再びフォトリソエッチング技術を用いて不要部分のＯＣ
Ｄをウエットエッチして取り除き、絶縁層１７とした。

【００５２】この上に有機Ｐｄ化合物溶液（奥野製薬
工業製）を全面に分散塗布し、熱処理を加えて微粒子膜
６を形成した。

【００５３】このようにして得られた線状電子源に、参
考例と全く同様に真空中で電圧を印加したところ、絶縁
層１７で覆われていない所から電子が放出した。即ち、
複数の電子放出素子の素子電極を配線電極でつないで電
圧を印加したのと同様の効果をより簡単な製法で作った
電子源で得ることができた。

【００５４】また、配線電極を省くことができるため、
より高密度に電子放出部５を配置することができた。

【００５５】実施例２図５は、本実施例に係る電子源の一部を示す概略的説明
図であり、図６は図５のＣ−Ｃ断面図である。本図中、
１は石英の基板、２，４は素子電極（２は下電極，４は
上電極）であり、かつ配線電極としての役割も果たす。
３は絶縁層、５は電子放出部、６は微粒子膜である。

【００５６】かかる電子放出素子の製造については、最
初に実施例１と同様にして、一対の上下電極４，２間に
絶縁層３を形成し、次にフォトリソエッチング技術を用
いて電子放出部５としたい部分にＰｄ微粒子をパターニ
ングした。

【００５７】このようにして得られた線状電子源に、参
考例と同様に真空中で電圧を印加したところ、全ての電
子放出素子の電子放出部５から電子が放出するのを蛍光
体上の輝点スポットにより確認することができた。ま
た、この輝点は輝度のばらつきも少なかった。更に、配
線電極を省くことができたため、より高密度に電子放出
部５を配置することができた。即ち、より簡単な製法に
より、電子源として用いられる多数の電子放出素子を安
定して作製でき、その上高密度に並べることが可能であ
った。

【００５８】実施例３図７は、本発明に係る画像表示装置の一実施例の一部を
示す概略的説明図である。本装置の構成要素である電子
源としては、実施例２で示した線状電子源を用いた。ま
た、８は変調電極、９は電子通過孔、１０はフェースプ
レート、１１は蛍光体、１２は蛍光体の輝点である。

【００５９】本図において、複数の線状電子源群と変調
電極群を、絶縁を保持したまま直交させた。更に、線状
電子源群の各電子源ごとに変調電極８の電子通過孔９を
各電子源鉛直上へ位置するように設けてある。次に、画
像形成部材である蛍光体１１を有するフェースプレート
１０を電子源から５ｍｍ離して設け、画像表示装置を作
製した。

【００６０】かかる画像表示装置を約２×１０^-6Ｔｏｒ
ｒの真空容器内に入れ、上下電極４，２間に１４Ｖの電
圧を印加し、フェースプレート１０に設けた透明電極
（不図示）に１ＫＶの電圧を印加することにより、順次
ライン状に線状電子源より電子を放出させ、変調電極８
に適当な電圧を任意に印加することにより、線状電子源
の任意の電子源から電子を引き出し、変調電極８中の電
子通過孔９を通過して蛍光体１１に電子を衝突きせ、蛍
光体１１上の輝点１２として任意の画像を表示すること
ができた。

【００６１】また、この画像表示装置の電子源の製造方
法は、実施例２と同様非常に容易であると共に、従来例
に見られるフォーミング時の素子ダメージ等もなく、安
定な電子放出が認められた。更に、本電子放出素子は上
下電極４，２が配線電極をも兼ねる構造となっているこ
とから、一定面積内により多数配置することができ、よ
り高精細な画像を得ることができた。

【００６２】実施例４図８は、本発明に係る画像形成装置の他の実施例の一部
を示す概略的説明図である。本図中、１は石英の基板、
２，４は素子電極（２は下電極，４は上電極）、３は絶
縁層、１０はフェースプレート、１１は蛍光体、１２は
蛍光体の輝点である。

【００６３】本実施例では、実施例２と同様にして下電
極２、絶縁層３、上電極４を図８に見られるような文字
形状に作製し、この３層の端面及び近傍にＰｄ微粒子を
パターニンクし、電子放出部５とした。

【００６４】このようにして得られた電子源を、約２×
１０^-6Ｔｏｒｒの真空容器中に入れ、それぞれの電子放
出素子の上下電極４，２間に独立に電圧を印加すること
により、蛍光体１１上に任意の電子源の形状と同じ文字
の形状をした輝点のできることが確認できた。

【００６５】このような曲線部分を持つ形状や複雑な形
状の電子放出部５を作るには、従来のような構造の素子
では難しいが、本発明においては、かかる形状の電子放
出部５を容易に再現性良く作製することが可能である。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上下電極４，２間に絶縁層３を挟持して積層体を構成し
ており、積層体の設置幅が狭くてすむため、この積層体
間のピッチを小さくすることができ、電子放出部５を高
密度に配置することができる。また、上下電極４，２に
挟持された絶縁層３の側面に複数の電子放出部５を有す
るので、素子電極でもある上下電極４，２を配線電極と
しても用いることができ、配線電極のスペースを省略す
ることでも高密度化を図ることができる。更には、上記
の一対の上下電極４，２と絶縁層３を同一形状とするこ
とにより、上下電極４，２を同時に形成することが可能
で、最低１回のパターン形成工程で、複雑な形状の電子
放出部５を形成することもできるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的素子構成を説明するための参考
図である。

【図２】図１に示される電子放出素子の製作方法の概略
工程図である。

【図３】実施例１に係る電子源の概略図である。

【図４】図３に示される電子源の断面図である。

【図５】実施例２に係る電子源の概略図である。

【図６】図５に示される電子源の断面図である。

【図７】実施例３に係る画像表示装置の概略図である。

【図８】実施例４に係る画像表示装置の概略図である。

【図９】従来の表面伝導形電子放出素子の典型的な概略
図である。

【図１０】素子電極が上下に位置する従来の表面伝導形
電子放出素子の概略図である。

【符号の説明】

１基板２，１８下電極３，１７，１９絶縁層４，２０上電極５，１５電子放出部６微粒子膜７レジスト膜８変調電極９電子通過孔１０フェースプレート１１蛍光体（画像形成部材）１２蛍光体の輝点１３薄膜１４電極１６電子放出体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉岡征四郎東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内審査官村田尚英 (56)参考文献特開平１−105445（ＪＰ，Ａ) 特開平１−296532（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 1/316 H01J 29/40 H01J 31/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電子放出部を有する電子源であっ
て、基板上に形成された、下電極と全体が下電極の直上に位
置する上電極との間に絶縁層を挟持してなる積層体と、該積層体を構成する前記絶縁層の両側面に、前記絶縁層
を挟むように配置された電子放出部とを有することを特
徴とする電子源。
【請求項２】前記上下電極をつなぐ微粒子膜が形成さ
れており、該微粒子膜に前記電子放出部が形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の電子源。
【請求項３】前記微粒子膜は、前記積層体を横断方向
に覆っていることを特徴とする請求項２に記載の電子
源。
【請求項４】前記微粒子膜が複数箇所に分かれて配置
されていることを特徴とする請求項３に記載の電子源。
【請求項５】前記積層体が前記基板上に線状に配置さ
れていることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載
の電子源。
【請求項６】前記積層体が前記基板上に複数配置され
ていることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の
電子源。
【請求項７】電子源と、該電子源と対向して配置され
た蛍光体とを有する画像形成装置であって、該電子源が
請求項１〜６いずれかの電子源であることを特徴とする
画像形成装置。