JPH05120990A - 電子放出装置 - Google Patents
電子放出装置Info
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- JPH05120990A JPH05120990A JP20562691A JP20562691A JPH05120990A JP H05120990 A JPH05120990 A JP H05120990A JP 20562691 A JP20562691 A JP 20562691A JP 20562691 A JP20562691 A JP 20562691A JP H05120990 A JPH05120990 A JP H05120990A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/316—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁性基板上に、一対の対向する電極と、該
電極間に微粒子からなる不連続膜を有する表面伝導形電
子放出素子と、該素子の電子放出部から放出された電子
を変調するためのグリッド電極からなる電子放出装置に
おいて、電子放出部とグリッド電極間に電子通過孔を有
する導電性薄膜を有する電子放出素子。 【効果】 絶縁体部分のチャージアップが容易に防止さ
れ、極めて安定な電子放出素子が得られ、放出された電
子の変調、ビーム整形が低電圧で可能となる。
電極間に微粒子からなる不連続膜を有する表面伝導形電
子放出素子と、該素子の電子放出部から放出された電子
を変調するためのグリッド電極からなる電子放出装置に
おいて、電子放出部とグリッド電極間に電子通過孔を有
する導電性薄膜を有する電子放出素子。 【効果】 絶縁体部分のチャージアップが容易に防止さ
れ、極めて安定な電子放出素子が得られ、放出された電
子の変調、ビーム整形が低電圧で可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面伝導形放出素子を
用いた電子放出装置に関し、特に電子放出部近傍に導電
性薄膜を有する電子放出装置に関する。
用いた電子放出装置に関し、特に電子放出部近傍に導電
性薄膜を有する電子放出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、簡単な構造で電子の放出が得られ
る素子として、例えば、エム・アイ・エリンソン（Ｍ．
Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰極素子
が知られている［ラジオ・エンジニアリング・エレクト
ロン・フィジィッス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ． Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ． ｐｈｙｓ．）第１０巻、１２９０〜１２９
６頁、１９６５年］。
る素子として、例えば、エム・アイ・エリンソン（Ｍ．
Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰極素子
が知られている［ラジオ・エンジニアリング・エレクト
ロン・フィジィッス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ． Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ． ｐｈｙｓ．）第１０巻、１２９０〜１２９
６頁、１９６５年］。
【０００３】これは、基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形放出素
子と呼ばれている。
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形放出素
子と呼ばれている。
【０００４】この表面伝導形放出素子としては、前記エ
リンソン等により開発されたＳｎＯ2（Ｓｂ）薄膜を用
いたものの他、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマ
ー：”スイン・ソリド・フィルムス”（Ｇ．Ｄｉｔｔｍ
ｅｒ：”Ｔｈｉｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ”），９巻，
３１７頁．（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの
［エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド：”アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ”（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅ
ＤＣｏｎｆ．”）５１９頁，（１９７５年）］、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久他：”青空”，第２６巻，第
１号，２２頁，（１９８３年）］等が報告されている。
リンソン等により開発されたＳｎＯ2（Ｓｂ）薄膜を用
いたものの他、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマ
ー：”スイン・ソリド・フィルムス”（Ｇ．Ｄｉｔｔｍ
ｅｒ：”Ｔｈｉｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ”），９巻，
３１７頁．（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの
［エム・ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンス
タッド：”アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・
ディー・コンフ”（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅ
ＤＣｏｎｆ．”）５１９頁，（１９７５年）］、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久他：”青空”，第２６巻，第
１号，２２頁，（１９８３年）］等が報告されている。
【０００５】これらの表面伝導形放出素子の典型的な素
子構成を図５に示す。図中、１は絶縁性基板、２及び３
は電気的接続を得るための電極、４は電子放出部、１１
は電子放出材料で形成される薄膜を示す。
子構成を図５に示す。図中、１は絶縁性基板、２及び３
は電気的接続を得るための電極、４は電子放出部、１１
は電子放出材料で形成される薄膜を示す。
【０００６】上述した表面伝導形放出素子は、いずれ
も、薄膜１１を設けた基板１上に電極２、３を設けて、
電極２、３間に電圧を印加し、フォーミングと呼ばれる
通電加熱処理で電子放出部４を形成することによって製
造されている。即ち、電極２、３間への電圧の印加によ
って薄膜１１に通電し、これにより発生するジュール熱
で薄膜１１を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部４を形成するこ
とにより、電子放出機能を付与しているものである。
も、薄膜１１を設けた基板１上に電極２、３を設けて、
電極２、３間に電圧を印加し、フォーミングと呼ばれる
通電加熱処理で電子放出部４を形成することによって製
造されている。即ち、電極２、３間への電圧の印加によ
って薄膜１１に通電し、これにより発生するジュール熱
で薄膜１１を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部４を形成するこ
とにより、電子放出機能を付与しているものである。
【０００７】上記電気的な高抵抗状態とは、薄膜１１の
一部に０．５μｍ〜５μｍの亀裂を有し、かつ亀裂内
が、いわゆる島構造を有する不連続状態となっているこ
とをいう。島構造を有する不連続状態膜とは、一般に数
十Åから数μｍ径の微粒子が基板１上にあり、該微粒子
は空間的に不連続で且つ電気的に連続な膜を形成してい
ることをいう。
一部に０．５μｍ〜５μｍの亀裂を有し、かつ亀裂内
が、いわゆる島構造を有する不連続状態となっているこ
とをいう。島構造を有する不連続状態膜とは、一般に数
十Åから数μｍ径の微粒子が基板１上にあり、該微粒子
は空間的に不連続で且つ電気的に連続な膜を形成してい
ることをいう。
【０００８】また、従来報告されてきた表面伝導形放出
素子では電子放出の放射特性、即ち素子から放出される
電子の方向は、図５のように電極３をプラス電位、電極
２をアース電位、蛍光体を塗布した基板９を＋１０００
Ｖ程度とした場合、同図中１２のように蛍光体の発光輝
点は実際の電子放出部の鉛直上よりもプラス電極側にず
れており、同素子から放出される電子はアース電極側か
ら見ると斜め前方に向かって放出されていることを示し
ている。
素子では電子放出の放射特性、即ち素子から放出される
電子の方向は、図５のように電極３をプラス電位、電極
２をアース電位、蛍光体を塗布した基板９を＋１０００
Ｖ程度とした場合、同図中１２のように蛍光体の発光輝
点は実際の電子放出部の鉛直上よりもプラス電極側にず
れており、同素子から放出される電子はアース電極側か
ら見ると斜め前方に向かって放出されていることを示し
ている。
【０００９】さらに、特開昭６１−２１０５８８号公
報、特願昭６２−２５５０６３号公報、特願昭６２−２
５５０６８号公報等で既に技術開示したような、微小間
隔部と金属、或いは酸化物等の微粒子から形成されるフ
ォーミング工程を必要としない表面伝導形放出素子にお
いても、上記電子放出の方向はアース電極側から見て斜
め前方にずれを生じている。
報、特願昭６２−２５５０６３号公報、特願昭６２−２
５５０６８号公報等で既に技術開示したような、微小間
隔部と金属、或いは酸化物等の微粒子から形成されるフ
ォーミング工程を必要としない表面伝導形放出素子にお
いても、上記電子放出の方向はアース電極側から見て斜
め前方にずれを生じている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表面伝
導形電子放出素子は、微小面積の薄膜に電流を流すこと
により電子放出が生ずる現象を利用するもので、微小部
分に電気的に接続するための素子電極が電子放出部に極
めて近く、真空中に放出された電子は、前記素子電極の
影響を強く受ける。そのため、所望の電子軌道を得るた
めには、複雑な電子光学系が必要となり、表面伝導形放
出素子の応用に著しく妨げとなっていた。
導形電子放出素子は、微小面積の薄膜に電流を流すこと
により電子放出が生ずる現象を利用するもので、微小部
分に電気的に接続するための素子電極が電子放出部に極
めて近く、真空中に放出された電子は、前記素子電極の
影響を強く受ける。そのため、所望の電子軌道を得るた
めには、複雑な電子光学系が必要となり、表面伝導形放
出素子の応用に著しく妨げとなっていた。
【００１１】さらに、従来表面伝導形放出素子は電気的
に絶縁された基板上に形成されるため、素子近傍の絶縁
部に放出された電子が照射された場合、電荷の蓄積が生
じ素子近傍の電界を乱し、電子軌道に著しく影響を与え
るため、表面伝導形素子の設計を困難にしていた。
に絶縁された基板上に形成されるため、素子近傍の絶縁
部に放出された電子が照射された場合、電荷の蓄積が生
じ素子近傍の電界を乱し、電子軌道に著しく影響を与え
るため、表面伝導形素子の設計を困難にしていた。
【００１２】そこで本発明では、表面伝導形放出素子を
用いた電子放出装置において、上記欠点を除去した電子
放出装置を実現することを目的としたものである。
用いた電子放出装置において、上記欠点を除去した電子
放出装置を実現することを目的としたものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するために、本発明では、基板上に設けられた少なく
とも１個の表面伝導形電子放出素子と、その上方に設け
られた該放出素子から放出された電子の変調を行うため
のグリッド電極からなる電子放出装置において、該電子
放出素子とグリッド電極の間の放出素子の極めて近傍に
導電性材料からなる薄膜層を有することを特徴としてい
る。
決するために、本発明では、基板上に設けられた少なく
とも１個の表面伝導形電子放出素子と、その上方に設け
られた該放出素子から放出された電子の変調を行うため
のグリッド電極からなる電子放出装置において、該電子
放出素子とグリッド電極の間の放出素子の極めて近傍に
導電性材料からなる薄膜層を有することを特徴としてい
る。
【００１４】以下に本発明の特徴と図１を用いて詳細に
説明する。図１において、１は絶縁性ガラス基板、２、
３は素子を形成する電極、４は素子電極間に設けられた
微粒子からなる薄膜、５、５’は絶縁層、６は本発明に
より設けられた導電性薄膜、７は放出された電子の変調
を行うグリッド電極である。同図において、素子電極２
をアース電位とし、３に＋１０Ｖ以上の電圧を印加する
と、微粒子からなる薄膜４の部分から電子の放出が生じ
る。グリッド電極７に適当な電圧を印加することで、４
より放出された電子を引き出し、或いはカットオフする
ことができる。
説明する。図１において、１は絶縁性ガラス基板、２、
３は素子を形成する電極、４は素子電極間に設けられた
微粒子からなる薄膜、５、５’は絶縁層、６は本発明に
より設けられた導電性薄膜、７は放出された電子の変調
を行うグリッド電極である。同図において、素子電極２
をアース電位とし、３に＋１０Ｖ以上の電圧を印加する
と、微粒子からなる薄膜４の部分から電子の放出が生じ
る。グリッド電極７に適当な電圧を印加することで、４
より放出された電子を引き出し、或いはカットオフする
ことができる。
【００１５】表面伝導形放出素子は上述のように、電極
２、３間に通電することにより、電極２、３間を流れる
電流に対して直角方向に電子を放出させるため、放出さ
れる電子は通電方向の速度成分を持っており、上部グリ
ッド電極７の印加電圧が小さい場合、放出された電子は
絶縁層に照射、蓄積され電子軌道を乱す。
２、３間に通電することにより、電極２、３間を流れる
電流に対して直角方向に電子を放出させるため、放出さ
れる電子は通電方向の速度成分を持っており、上部グリ
ッド電極７の印加電圧が小さい場合、放出された電子は
絶縁層に照射、蓄積され電子軌道を乱す。
【００１６】そこで本発明では上述表面伝導形放出素子
固有の性質を除外するために放出部近傍に電圧印加可能
な導電姓薄膜を設けることを特徴としている。
固有の性質を除外するために放出部近傍に電圧印加可能
な導電姓薄膜を設けることを特徴としている。
【００１７】また、本発明で設けられた導電性薄膜６
は、電子放出部となる微粒子からなる薄膜４の極めて近
傍にあることが望ましく、図１に示したごとく、素子電
極２の上に絶縁層を介して薄膜６を設けることが望まし
い。
は、電子放出部となる微粒子からなる薄膜４の極めて近
傍にあることが望ましく、図１に示したごとく、素子電
極２の上に絶縁層を介して薄膜６を設けることが望まし
い。
【００１８】さらに、上記薄膜６は素子電極２、３とは
独立に電圧印加可能とすることで、放出された電子の軌
道を任意に補正することができる。
独立に電圧印加可能とすることで、放出された電子の軌
道を任意に補正することができる。
【００１９】
【実施例】実施例１ 図１は本発明の特徴を表す断面図である。同図におい
て、１は絶縁性基板、２、３は表面伝導形放出素子の電
極、４は電子放出部を形成するパラジウム微粒子、５は
絶縁層、６は導電性薄膜、７は電子を変調するためのグ
リッド電極である。
て、１は絶縁性基板、２、３は表面伝導形放出素子の電
極、４は電子放出部を形成するパラジウム微粒子、５は
絶縁層、６は導電性薄膜、７は電子を変調するためのグ
リッド電極である。
【００２０】また、図２は放出素子部の上面図である。
同図中では素子電極２、３と導電性薄膜６を電気的に絶
縁するための絶縁層５、グリッド電極７は省略されてい
る。
同図中では素子電極２、３と導電性薄膜６を電気的に絶
縁するための絶縁層５、グリッド電極７は省略されてい
る。
【００２１】次に、上記構成の製造工程について、図３
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２２】 先ず、絶縁性ガラス基板１上に、ほぼ
１０μｍの間隔を有する一対の電極２、３を通常のフォ
トリソグラフィ技術等を用いて形成する（ａ）。
１０μｍの間隔を有する一対の電極２、３を通常のフォ
トリソグラフィ技術等を用いて形成する（ａ）。
【００２３】 次に、ＲＦスパッタにより第１層目の
絶縁層５をＳｉＯ2で形成した。かかるＳｉＯ2膜の膜厚
は３０００Åである。その後、このＳｉＯ2層の電子放
出部近傍のみをリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）を用いてエッチング除去し、放出部電極を露出させ
た（ｂ）。
絶縁層５をＳｉＯ2で形成した。かかるＳｉＯ2膜の膜厚
は３０００Åである。その後、このＳｉＯ2層の電子放
出部近傍のみをリアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）を用いてエッチング除去し、放出部電極を露出させ
た（ｂ）。
【００２４】 次に、通常の真空蒸着とフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、クロム薄膜によるマスクを形成し
た後、電極間のみに有機パラジウム化合物を含む有機溶
媒（奥野製薬工業製キャタペースト−ｃｃｐ）を回転塗
布し、さらに空気中で３００℃、１０分間の焼成を行
い、パラジウムを微粒子化して電子放出部４を形成し
た。この後、パラジウムのパターニングに使用したクロ
ムマスクを全てエッチング除去し、表面伝導形電子放出
素子部を完成した（ｃ）。
ラフィ技術を用いて、クロム薄膜によるマスクを形成し
た後、電極間のみに有機パラジウム化合物を含む有機溶
媒（奥野製薬工業製キャタペースト−ｃｃｐ）を回転塗
布し、さらに空気中で３００℃、１０分間の焼成を行
い、パラジウムを微粒子化して電子放出部４を形成し
た。この後、パラジウムのパターニングに使用したクロ
ムマスクを全てエッチング除去し、表面伝導形電子放出
素子部を完成した（ｃ）。
【００２５】 次に、導電性薄膜６を通常の真空蒸着
及びフォトリソグラフィ技術を用いて形成した。この
時、導電性薄膜６は、放出部保護膜としても用いるため
に、放出部上に形成された薄膜は最終工程まで除去しな
い（ｄ）。
及びフォトリソグラフィ技術を用いて形成した。この
時、導電性薄膜６は、放出部保護膜としても用いるため
に、放出部上に形成された薄膜は最終工程まで除去しな
い（ｄ）。
【００２６】 次に、上記工程で得られた基板上全面
に、電子放出素子とグリッド電極７とを電気的に絶縁す
るための第２層目の絶縁層５をＳｉＯ2により形成し
た。かかる絶縁層５の膜厚はほぼ１０μｍで、ＲＦスパ
ッタを用いて形成した（ｅ）。
に、電子放出素子とグリッド電極７とを電気的に絶縁す
るための第２層目の絶縁層５をＳｉＯ2により形成し
た。かかる絶縁層５の膜厚はほぼ１０μｍで、ＲＦスパ
ッタを用いて形成した（ｅ）。
【００２７】 次に、上記工程で得られた第２層目の
絶縁層５上に、ニッケル（厚さ５０００Å）を用いてグ
リッド電極７を形成し、さらに、グリッド電極７上に絶
縁層５のエッチングに対する保護層（不図示）を設け、
エッチングにより電子放出部鉛直上にグリッド孔１５０
μｍ×３０μｍを開けた。
絶縁層５上に、ニッケル（厚さ５０００Å）を用いてグ
リッド電極７を形成し、さらに、グリッド電極７上に絶
縁層５のエッチングに対する保護層（不図示）を設け、
エッチングにより電子放出部鉛直上にグリッド孔１５０
μｍ×３０μｍを開けた。
【００２８】 次に、上述電子通過孔を有したグリッ
ド電極７をマスクとして、電子放出部上に積層されたＳ
ｉＯ2膜５をＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）を用いてエッチング除去し、導電性薄膜６を
露出させ、最後に、かかる導電性薄膜たる放出素子上の
アルミニウム薄膜６を除去して電子放出装置を真空容器
中に入れ、表面伝導形電子放出素子に１４Ｖの電圧を印
加し、グリッド電極８に０〜＋１００Ｖの電圧を印加し
て放出される電流を測定したところ、グリッド電圧（Ｖ
ｇ）に比例した放出電流が得られた（ｆ）。
ド電極７をマスクとして、電子放出部上に積層されたＳ
ｉＯ2膜５をＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）を用いてエッチング除去し、導電性薄膜６を
露出させ、最後に、かかる導電性薄膜たる放出素子上の
アルミニウム薄膜６を除去して電子放出装置を真空容器
中に入れ、表面伝導形電子放出素子に１４Ｖの電圧を印
加し、グリッド電極８に０〜＋１００Ｖの電圧を印加し
て放出される電流を測定したところ、グリッド電圧（Ｖ
ｇ）に比例した放出電流が得られた（ｆ）。
【００２９】次に、素子電極２をアース電位、素子電極
３を＋１４Ｖとし、さらに、導電性薄膜６に正の電圧を
印加して電子放出を行ったところ、グリッド電極７の印
加電圧は上述の場合に比べほぼ２分の１で同等の放出電
流が得られた。この結果、導電性薄膜６を設けることで
変調電圧の低減が可能となった。
３を＋１４Ｖとし、さらに、導電性薄膜６に正の電圧を
印加して電子放出を行ったところ、グリッド電極７の印
加電圧は上述の場合に比べほぼ２分の１で同等の放出電
流が得られた。この結果、導電性薄膜６を設けることで
変調電圧の低減が可能となった。
【００３０】実施例２ 次に、第２の実施例として本発明により得られた電子放
出素子を用いて、電子線を用いた画像形成装置を作成し
た。その斜視図を図４に示す。同図において、１はガラ
ス基板、３は素子電極、４は電子放出部、７はグリッド
電極、９は蛍光体基板、１０は真空容器である。
出素子を用いて、電子線を用いた画像形成装置を作成し
た。その斜視図を図４に示す。同図において、１はガラ
ス基板、３は素子電極、４は電子放出部、７はグリッド
電極、９は蛍光体基板、１０は真空容器である。
【００３１】ここで、電子放出素子、グリッド電極、絶
縁層等の形成方法は実施例１と同様であり、１００ｍｍ
×７５ｍｍ角のガラス基板上に、１ライン当たり７２個
の放出素子が並列接続されたものを６４ライン形成し
た。
縁層等の形成方法は実施例１と同様であり、１００ｍｍ
×７５ｍｍ角のガラス基板上に、１ライン当たり７２個
の放出素子が並列接続されたものを６４ライン形成し
た。
【００３２】得られた基板１上にガラススペーサ（不図
示）を介して蛍光体基板９を設け、真空容器１０に入
れ、内部を１×１０-6 Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後、
素子駆動電圧１５Ｖ、蛍光板印加電圧５ＫＶとし、導電
性薄膜をアース電位としてグリッド７に変調電圧を印加
し、パルス駆動したところ、変調が確認され、チャージ
アップによる異常放電等のない良好な画像が得られた。
示）を介して蛍光体基板９を設け、真空容器１０に入
れ、内部を１×１０-6 Ｔｏｒｒ程度に真空排気した後、
素子駆動電圧１５Ｖ、蛍光板印加電圧５ＫＶとし、導電
性薄膜をアース電位としてグリッド７に変調電圧を印加
し、パルス駆動したところ、変調が確認され、チャージ
アップによる異常放電等のない良好な画像が得られた。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子放出
装置によれば、絶縁体部分のチャージアップを容易に防
止でき、極めて安定な電子放出装置が得られ、また、放
出された電子の変調、ビーム整形が低電圧で可能とな
る。といった効果がある。
装置によれば、絶縁体部分のチャージアップを容易に防
止でき、極めて安定な電子放出装置が得られ、また、放
出された電子の変調、ビーム整形が低電圧で可能とな
る。といった効果がある。
【図１】本発明の電子放出装置の実施例の部分断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の電子放出装置の実施例の上面図であ
る。
る。
【図３】本発明の電子放出装置の製造手順を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明の電子放出装置を用いた画像形成装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来の表面伝導形放出素子の断面図である。
１ 絶縁性基板 ２、３ 素子電極 ４ 電子放出部 ５ 絶縁層 ６ 導電性薄膜 ７ グリッド電極 ９ 蛍光体基板 １０ 真空容器 １１ 薄膜
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 電子放出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 治人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鱸 英俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、一対の対向する電極
と、該電極間に微粒子からなる不連続膜を有する表面伝
導形電子放出素子と、該素子の電子放出部から放出され
た電子を変調するためのグリッド電極からなる電子放出
装置において、電子放出部とグリッド電極間に電子通過
孔を有する導電性薄膜を有することを特徴とする電子放
出装置。 - 【請求項２】 導電性薄膜が絶縁性材料を介して前記表
面伝導形電子放出素子上に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の電子放出装置。 - 【請求項３】 グリッド電極が、導電性薄膜と絶縁性材
料を介して形成されていることを特徴とする請求項２記
載の電子放出装置。 - 【請求項４】 導電性薄膜に外部から電圧印加手段を有
することを特徴とする請求項１〜３記載の電子放出素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20562691A JPH05120990A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 電子放出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20562691A JPH05120990A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 電子放出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120990A true JPH05120990A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16510007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20562691A Withdrawn JPH05120990A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 電子放出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943192B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2010-02-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출 표시소자 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP20562691A patent/JPH05120990A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100943192B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2010-02-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출 표시소자 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |