JPH01310518A - 平面インダクタ - Google Patents
平面インダクタInfo
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- JPH01310518A JPH01310518A JP63142043A JP14204388A JPH01310518A JP H01310518 A JPH01310518 A JP H01310518A JP 63142043 A JP63142043 A JP 63142043A JP 14204388 A JP14204388 A JP 14204388A JP H01310518 A JPH01310518 A JP H01310518A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は平面インダクタに関する。
（従来の技術）
従来よりスパイラル状導体コイルの両面を絶縁層を介し
て強磁性体層で挟んだ構造の平面インダクタが知られて
いる。第３図（Ａ）及び（Ｂ）はスパイラル状２層導体
コイルを用いた従来の平面インダクタの一例である。な
お、同図（Ａ）はこの平面インダクタの平面図であり、
同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ″線に沿う断面図であ
る。
て強磁性体層で挟んだ構造の平面インダクタが知られて
いる。第３図（Ａ）及び（Ｂ）はスパイラル状２層導体
コイルを用いた従来の平面インダクタの一例である。な
お、同図（Ａ）はこの平面インダクタの平面図であり、
同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ″線に沿う断面図であ
る。
第３図（Ａ）及び（Ｂ）において、スパイラル状導体コ
イル１は絶縁層３ｂの両面にスパイラルコイル２ａ、２
ｂを設け、これらスパイラルコイル２ａ及び２ｂをスル
ーホール４で電気的にかつ各スパイラルコイル２ａ、２
ｂに同方向の電流が流れるように接続した構造を有して
いる。ここで、第３図（Ａ）中の実線及び破線はそれぞ
れ絶縁層３ｂの表面側及び裏面側にあるスパイラルコイ
ル２ａ、２ｂの中心の軌跡を表わしている。このスパイ
ラル状導体コイル１の両面を絶縁層３ａ。
イル１は絶縁層３ｂの両面にスパイラルコイル２ａ、２
ｂを設け、これらスパイラルコイル２ａ及び２ｂをスル
ーホール４で電気的にかつ各スパイラルコイル２ａ、２
ｂに同方向の電流が流れるように接続した構造を有して
いる。ここで、第３図（Ａ）中の実線及び破線はそれぞ
れ絶縁層３ｂの表面側及び裏面側にあるスパイラルコイ
ル２ａ、２ｂの中心の軌跡を表わしている。このスパイ
ラル状導体コイル１の両面を絶縁層３ａ。
３Ｃを介して強磁性体層（強磁性薄帯又は強磁性薄膜）
５ａ、５ｂで挟むことにより平面インダクタが構成され
ている。以上の各部材からなる平面インダクタの端子６
ａ、６ｂ間にインダクタンスが形成される。
５ａ、５ｂで挟むことにより平面インダクタが構成され
ている。以上の各部材からなる平面インダクタの端子６
ａ、６ｂ間にインダクタンスが形成される。
（発明が解決しようとする課８）
上述した構成の平面インダクタを用いて太きなインダク
タンスを得るためには、これらの平面インダクタンスを
複数個積層して使用することが考えられる。
タンスを得るためには、これらの平面インダクタンスを
複数個積層して使用することが考えられる。
しかしながら、上述したようなスパイラル状導体コイル
１の両面を絶縁層３ａ、３ｃを介して強磁性体層５ａ、
５ｂで挟んで平面インダクタを構成し、このような平面
インダクタを複数個積層すると、全体の厚さが増すこと
になり、単位体積当りのインダクタンス値が小さくなる
ため好ましくない。
１の両面を絶縁層３ａ、３ｃを介して強磁性体層５ａ、
５ｂで挟んで平面インダクタを構成し、このような平面
インダクタを複数個積層すると、全体の厚さが増すこと
になり、単位体積当りのインダクタンス値が小さくなる
ため好ましくない。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、全体の厚さが薄く、単位体積当りのインダクタンス
値が大きい平面インダクタを提供することを目的とする
。
り、全体の厚さが薄く、単位体積当りのインダクタンス
値が大きい平面インダクタを提供することを目的とする
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の平面インダクタは、複数層のスパイラル状導体
コイルを絶縁層を介して積層し、各スパイラル状導体コ
イルを電気的に直列にかつ各スパイラル状導体コイルに
同方向の電流が流れるように接続し、上記スパイラル状
導体コイル及び絶縁層の積層体の両面を絶縁層を介して
強磁性体層で挟んだことを特徴とするものである。
コイルを絶縁層を介して積層し、各スパイラル状導体コ
イルを電気的に直列にかつ各スパイラル状導体コイルに
同方向の電流が流れるように接続し、上記スパイラル状
導体コイル及び絶縁層の積層体の両面を絶縁層を介して
強磁性体層で挟んだことを特徴とするものである。
上記のように本発明の平面インダクタにおいては、隣接
するスパイラル状導体コイルどうしの間には絶縁層のみ
が存在し、強磁性体層は存在しない。
するスパイラル状導体コイルどうしの間には絶縁層のみ
が存在し、強磁性体層は存在しない。
本発明の平面インダクタにおけるスパイラル状導体コイ
ルとは、通常、例えば第３図に示されるように絶縁層の
表面及び裏面にスパイラルコイルを設けて各スパイラル
コイルをスルーホールで接続した構造のスパイラル状２
層導体コイルを指す。
ルとは、通常、例えば第３図に示されるように絶縁層の
表面及び裏面にスパイラルコイルを設けて各スパイラル
コイルをスルーホールで接続した構造のスパイラル状２
層導体コイルを指す。
なお、端子の取出しに支障が生じなければ、スパイラル
状導体コイルとしてはスパイラルコイルが１層だけのも
のでもよい。
状導体コイルとしてはスパイラルコイルが１層だけのも
のでもよい。
なお、強磁性体層の平均厚さは４〜２０４であることが
望ましい。また、強磁性体層に関しては、厚さ（１）と
−辺の長さ（ｉｔ）との比（ｔ／Ｊ２）がＩ Ｘ １０
−’以上であることが望ましい。
望ましい。また、強磁性体層に関しては、厚さ（１）と
−辺の長さ（ｉｔ）との比（ｔ／Ｊ２）がＩ Ｘ １０
−’以上であることが望ましい。
（作用）
積層構造の平面インダクタを作製する場合、上述したよ
うにスパイラル状導体コイルを絶縁層を介して強磁性体
層で挟んで平面インダクタを構成し、このような平面イ
ンダクタを複数層積層した構造のもの（タイプＩ）と、
本発明のように複数層のスパイラル状導体コイルを絶縁
層を介して積層し、スパイラル状導体コイル及び絶縁層
の積層体の両面を絶縁層を介して強磁性体層で挟んだ構
造のもの（タイプ■）とが考えられる。上記タイプＩで
は隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間には絶縁
層、強磁性体層（２層）、絶縁層が存在する。一方、タ
イプ■では隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間
には絶縁層だけしか存在しない。
うにスパイラル状導体コイルを絶縁層を介して強磁性体
層で挟んで平面インダクタを構成し、このような平面イ
ンダクタを複数層積層した構造のもの（タイプＩ）と、
本発明のように複数層のスパイラル状導体コイルを絶縁
層を介して積層し、スパイラル状導体コイル及び絶縁層
の積層体の両面を絶縁層を介して強磁性体層で挟んだ構
造のもの（タイプ■）とが考えられる。上記タイプＩで
は隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間には絶縁
層、強磁性体層（２層）、絶縁層が存在する。一方、タ
イプ■では隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間
には絶縁層だけしか存在しない。
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、タイプＩのよう
に隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間に強磁性
体層が存在しても、この強磁性体層は積層構造の平面イ
ンダクタのインダクタンスを増大させるのにほとんど寄
与しないことを見出した。そして、タイプ■のように隣
接するスパイラル状導体コイルどうしの間に絶縁層だけ
が存在し強磁性体層がなくても、タイプＩとほとんど同
じインダクタンス値が得られることを見出した。
に隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間に強磁性
体層が存在しても、この強磁性体層は積層構造の平面イ
ンダクタのインダクタンスを増大させるのにほとんど寄
与しないことを見出した。そして、タイプ■のように隣
接するスパイラル状導体コイルどうしの間に絶縁層だけ
が存在し強磁性体層がなくても、タイプＩとほとんど同
じインダクタンス値が得られることを見出した。
したがって、本発明の平面インダクタ（タイプ■）では
隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間に強磁性体
層が存在しない分だけタイプＩよりも全体の厚さが薄く
、かつ全体のインダクタンス値はタイプｌとほとんど同
じであるので、単位体積当りのインダクタンス値が大き
くなる。
隣接するスパイラル状導体コイルどうしの間に強磁性体
層が存在しない分だけタイプＩよりも全体の厚さが薄く
、かつ全体のインダクタンス値はタイプｌとほとんど同
じであるので、単位体積当りのインダクタンス値が大き
くなる。
本発明においては、強磁性体層の平均厚さを４〜２０．
ａとすることにより、単位体積当りのインダクタンス値
の低下を防止できる。すなわち、強磁性体層の厚さが４
層未満であると、スパイラル状導体コイルに電流が流れ
ることによって生じる磁束がすべて通るのに必要な断面
積が得られないために漏れ磁束が多くなってインダクタ
ンスが著しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値
Ｌ／Ｖが低下する。一方、強磁性体層の厚さが２０ｐを
超えると磁気回路における強磁性体層の断面積はスパイ
ラル状導体コイルに電流が流れることによって生じる磁
束のすべてを通すには十分大きくなり、磁気抵抗は減り
、洩れ磁束は少なくなってインダクタンスは大きくなる
が、平面インダクタの体積も増加するので、Ｌ／Ｖはか
えって低下する。
ａとすることにより、単位体積当りのインダクタンス値
の低下を防止できる。すなわち、強磁性体層の厚さが４
層未満であると、スパイラル状導体コイルに電流が流れ
ることによって生じる磁束がすべて通るのに必要な断面
積が得られないために漏れ磁束が多くなってインダクタ
ンスが著しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値
Ｌ／Ｖが低下する。一方、強磁性体層の厚さが２０ｐを
超えると磁気回路における強磁性体層の断面積はスパイ
ラル状導体コイルに電流が流れることによって生じる磁
束のすべてを通すには十分大きくなり、磁気抵抗は減り
、洩れ磁束は少なくなってインダクタンスは大きくなる
が、平面インダクタの体積も増加するので、Ｌ／Ｖはか
えって低下する。
本発明において、強磁性体層の厚さ（１）と−辺の長さ
Ｈ））との比（１＃）は１×ｌＯづ以上であることが望
ましいとしたのは以下のような理由による。
Ｈ））との比（１＃）は１×ｌＯづ以上であることが望
ましいとしたのは以下のような理由による。
一般に、本発明に係る平面インダクタがＤＣ−ＤＣコン
バータの出力側に使用される場合、直流が重畳された状
態となるため、このような分野に使用するときには平面
インダクタには良好な直流重畳特性が要求される。この
直流重畳電流は少なくとも ０．２Ａ以上であると見込
まれる。
バータの出力側に使用される場合、直流が重畳された状
態となるため、このような分野に使用するときには平面
インダクタには良好な直流重畳特性が要求される。この
直流重畳電流は少なくとも ０．２Ａ以上であると見込
まれる。
本発明に係る平面インダクタでは、磁束は両面の強磁性
体層の面内方向に流れるものと思われるが、その場合強
磁性体層の面内方向の反磁界係数が面内方向の磁気抵抗
に影響し、反磁界係数が大きいほど磁気抵抗は増加する
。すなわち、磁気抵抗の増加は面内に磁気ギャップを設
けたことと同じ効果を示し、インダクタンスの直流重畳
特性を向上させる。なお、強磁性体層としては高透磁率
非晶質合金を用いることが望ましい。
体層の面内方向に流れるものと思われるが、その場合強
磁性体層の面内方向の反磁界係数が面内方向の磁気抵抗
に影響し、反磁界係数が大きいほど磁気抵抗は増加する
。すなわち、磁気抵抗の増加は面内に磁気ギャップを設
けたことと同じ効果を示し、インダクタンスの直流重畳
特性を向上させる。なお、強磁性体層としては高透磁率
非晶質合金を用いることが望ましい。
例えば、正方形の平面インダクタにおいては、両面の強
磁性体層の面内方向の反磁界係数はその厚さと１辺の長
さとの比が大きいほど、すなわち厚さが厚く、１辺の長
さが短いほど反磁界係数は大きくなる。そして、強磁性
体層の厚さと１辺の長さとの比を１０−３以上にとれば
、磁気抵抗は増加し、インダクタンスの直流重畳特性は
向上する。
磁性体層の面内方向の反磁界係数はその厚さと１辺の長
さとの比が大きいほど、すなわち厚さが厚く、１辺の長
さが短いほど反磁界係数は大きくなる。そして、強磁性
体層の厚さと１辺の長さとの比を１０−３以上にとれば
、磁気抵抗は増加し、インダクタンスの直流重畳特性は
向上する。
また、スパイラル状導体コイル又はその積層体の形状が
円形をなし、その両面を絶縁層を介して挟む強磁性体層
の形状が円形をなす場合には、強磁性体層の厚さと直径
との比を１Ｏ−３以上にとれば、磁気抵抗は増加し、イ
ンダクタンスの直流重畳特性は向上する。ここで、強磁
性体層の厚さを厚くするためには、例えば複数枚の強磁
性薄帯の積層体を用いることが考えられる。なお、この
ような作用は積層構造を採用しない第３図の平面インダ
クタでも同様に得られる。
円形をなし、その両面を絶縁層を介して挟む強磁性体層
の形状が円形をなす場合には、強磁性体層の厚さと直径
との比を１Ｏ−３以上にとれば、磁気抵抗は増加し、イ
ンダクタンスの直流重畳特性は向上する。ここで、強磁
性体層の厚さを厚くするためには、例えば複数枚の強磁
性薄帯の積層体を用いることが考えられる。なお、この
ような作用は積層構造を採用しない第３図の平面インダ
クタでも同様に得られる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例における平面インダクタの断面
図、第２図は比較例として作製された平面インダクタの
断面図である。なお、いずれの場合も平面図は第３図（
Ａ）と同様であるので省略する。第１図及び第２図にお
いて、スパイラル状導体コイル１は、２５ｐのポリイミ
ドフィルム（絶縁層３ｂ）の両面に３５．厚のＣｕ箔を
両張りして中央部のスルーホール４を通して接続した両
面ＦＰＣ板を用い、両面のＣｕ箔をエツチングして外形
寸法２０ｍｍ Ｘ ２０關、コイル線幅２５０１ｍ、コ
イルピッチ５００Ｉ！Ｍ、コイル巻線数４０回（各面２
０回）のスパイラルコイル２ａ、２ｂに加工したもので
ある。
図、第２図は比較例として作製された平面インダクタの
断面図である。なお、いずれの場合も平面図は第３図（
Ａ）と同様であるので省略する。第１図及び第２図にお
いて、スパイラル状導体コイル１は、２５ｐのポリイミ
ドフィルム（絶縁層３ｂ）の両面に３５．厚のＣｕ箔を
両張りして中央部のスルーホール４を通して接続した両
面ＦＰＣ板を用い、両面のＣｕ箔をエツチングして外形
寸法２０ｍｍ Ｘ ２０關、コイル線幅２５０１ｍ、コ
イルピッチ５００Ｉ！Ｍ、コイル巻線数４０回（各面２
０回）のスパイラルコイル２ａ、２ｂに加工したもので
ある。
第１図（実施例）に示すように、こうした構造のスパイ
ラル状導体コイル１を７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶
縁層３ｄ）を介して３層積層し、更にこの積層体の上下
両面に７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ｅ、３ｆ
）を介して単ロール法により作製した厚み１８ｍ、幅２
５ ｍｍのＣｏ系高透磁率非晶質合金リボンより切り出
した１辺の長さが２５ ｍｍの正方形薄帯（強磁性体層
５ａ、５ｂ）で挟んだ。そして、この積層構造の平面イ
ンダクタの側面を瞬間接着剤で接着した。
ラル状導体コイル１を７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶
縁層３ｄ）を介して３層積層し、更にこの積層体の上下
両面に７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ｅ、３ｆ
）を介して単ロール法により作製した厚み１８ｍ、幅２
５ ｍｍのＣｏ系高透磁率非晶質合金リボンより切り出
した１辺の長さが２５ ｍｍの正方形薄帯（強磁性体層
５ａ、５ｂ）で挟んだ。そして、この積層構造の平面イ
ンダクタの側面を瞬間接着剤で接着した。
これと比較するために、第２図（比較例）に示すように
、上記と同一の２５．のポリイミドフィルム（絶縁層３
ｂ）の両面に外形寸法２０ｍｍ Ｘ ２０＋ｎｎ＋ 。
、上記と同一の２５．のポリイミドフィルム（絶縁層３
ｂ）の両面に外形寸法２０ｍｍ Ｘ ２０＋ｎｎ＋ 。
コイル線幅２５０．ｓ、コイルピッチ５００，１／＋Ｉ
＋、コイル巻線数４０回（各面２０回）のスパイラルコ
イル２ａ、２ｂを設けたスパイラル状導体コイル１の両
面を、７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ａ、３ｃ
）を介して上記と同一の厚み１８７ｇ、１辺の長さが２
５報の正方形薄帯（強磁性体層５ａ、５ｂ）で挟んで構
成された平面インダクタを３層積層した。そして、この
積層構造の平面インダクタの側面を瞬間接着剤で接着し
た。
＋、コイル巻線数４０回（各面２０回）のスパイラルコ
イル２ａ、２ｂを設けたスパイラル状導体コイル１の両
面を、７ｐ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ａ、３ｃ
）を介して上記と同一の厚み１８７ｇ、１辺の長さが２
５報の正方形薄帯（強磁性体層５ａ、５ｂ）で挟んで構
成された平面インダクタを３層積層した。そして、この
積層構造の平面インダクタの側面を瞬間接着剤で接着し
た。
なお、実施例、比較例のいずれの平面インダクタでも、
３個のスパイラル状導体コイル１はそれぞれに同相の電
流が流れるように“相互に接続されている。
３個のスパイラル状導体コイル１はそれぞれに同相の電
流が流れるように“相互に接続されている。
上記各平面インダクタの厚さは、実施例のものが５１０
．、比較例のものが６０５ｐであった。
．、比較例のものが６０５ｐであった。
これらの各平面インダクタについて、インダクタンスＬ
の周波数特性を第４図に、単位体積当りのインダクタン
スＬ／Ｖの周波数特性を第５図にそれぞれ示す。
の周波数特性を第４図に、単位体積当りのインダクタン
スＬ／Ｖの周波数特性を第５図にそれぞれ示す。
第４図より、インダクタンスしに関しては、実施例と比
較例の平面インダクタでほぼ同じ値を示し、高周波側に
おいては厚さの薄い実施例の方がかえってインダクタン
スが大きくなっていることがわかる。
較例の平面インダクタでほぼ同じ値を示し、高周波側に
おいては厚さの薄い実施例の方がかえってインダクタン
スが大きくなっていることがわかる。
そして、第５図より、単位体積当りのインダクタンスＬ
／Ｖに関しては、厚さの薄い実施例の方が比較例よりも
２割程度大きな値を示すことがわかる。
／Ｖに関しては、厚さの薄い実施例の方が比較例よりも
２割程度大きな値を示すことがわかる。
次に、基本的な構成は第１図と同様で、強磁性体層５ａ
、５ｂとして厚み１８ＩＩＭ、１辺の長さが２５ｍｍの
正方形状のＣｏ系高透磁率非晶質合金薄帯を１〜１０枚
の範囲で積層枚数を変化させたものを用いた平面インダ
クタについて直流重畳特性を調べた。これらの結果を第
６図〜第８図に示す。
、５ｂとして厚み１８ＩＩＭ、１辺の長さが２５ｍｍの
正方形状のＣｏ系高透磁率非晶質合金薄帯を１〜１０枚
の範囲で積層枚数を変化させたものを用いた平面インダ
クタについて直流重畳特性を調べた。これらの結果を第
６図〜第８図に示す。
なお、第６図は直流重畳電流とインダクタンスとの関係
を非晶質合金薄帯の積層枚数をパラメータとして示す特
性図、第７図は直流重畳電流と（直流重畳電流を流した
ときのインダクタンス）／（直流重畳電流を流さないと
きのインダクタンス）の比との関係を非晶質合金薄帯の
積層枚数をパラメータとして示す特性図、第８図は非晶
質合金薄帯の積層体の（厚さ）／（−辺の長さ）の比と
（０，２Ａの直流重畳電流を流したときのインダクタン
ス）／（直流重畳電流を流さないときのインダクタンス
）の比との関係を示す特性図である。
を非晶質合金薄帯の積層枚数をパラメータとして示す特
性図、第７図は直流重畳電流と（直流重畳電流を流した
ときのインダクタンス）／（直流重畳電流を流さないと
きのインダクタンス）の比との関係を非晶質合金薄帯の
積層枚数をパラメータとして示す特性図、第８図は非晶
質合金薄帯の積層体の（厚さ）／（−辺の長さ）の比と
（０，２Ａの直流重畳電流を流したときのインダクタン
ス）／（直流重畳電流を流さないときのインダクタンス
）の比との関係を示す特性図である。
なお、インダクタンス値はいずれも５０ｋＨｚでａｌｌ
ｌ定した。
ｌ定した。
第６図に示されるように、直流重畳電流を流さないとき
のインダクタンスＬ０は、積層枚数ｎを増やしても、ｎ
ｍｌのときの値のｎ倍よりもはるかに小さい値にしかな
らない。しかし、第６図及び第７図から、積層枚数ｎが
多くなるほど直流重畳電流の増加に伴うインダクタンス
の減少度合は小さくなり、直流重畳特性が改善されるこ
とがわかる。
のインダクタンスＬ０は、積層枚数ｎを増やしても、ｎ
ｍｌのときの値のｎ倍よりもはるかに小さい値にしかな
らない。しかし、第６図及び第７図から、積層枚数ｎが
多くなるほど直流重畳電流の増加に伴うインダクタンス
の減少度合は小さくなり、直流重畳特性が改善されるこ
とがわかる。
また、第８図から、（０，２Ａの直流重畳電流を流した
ときのインダクタンス）／（直流重畳電流を流さないと
きのインダクタンス）の比Ｌ０．２／ＬＯに関しては、
非晶質合金薄帯の積層体の（厚さ）／（−辺の長さ）の
比ｔ／１１がｌロー３より小さいとり。、２／ＬＯは０
，３以下となり直流重畳特性は悪いが、ｔ、ｌが１０−
３以上ではＬｏ、２／ＬＯは０．３よりも大きくなって
充分に実用に耐え、更にｔ／、ＩＪが３．５ Ｘｌ０−
３を超えるとＬｏ、２／ＬＯは０．８以上となって直流
重畳特性は大幅に改善されることがわかる。
ときのインダクタンス）／（直流重畳電流を流さないと
きのインダクタンス）の比Ｌ０．２／ＬＯに関しては、
非晶質合金薄帯の積層体の（厚さ）／（−辺の長さ）の
比ｔ／１１がｌロー３より小さいとり。、２／ＬＯは０
，３以下となり直流重畳特性は悪いが、ｔ、ｌが１０−
３以上ではＬｏ、２／ＬＯは０．３よりも大きくなって
充分に実用に耐え、更にｔ／、ＩＪが３．５ Ｘｌ０−
３を超えるとＬｏ、２／ＬＯは０．８以上となって直流
重畳特性は大幅に改善されることがわかる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、単位体積当りのイ
ンダクタンス値（Ｌ／Ｖ）が大きく、更には直流重畳特
性の改善された平面インダクタを提供することができ、
その工業的価値は大きい。
ンダクタンス値（Ｌ／Ｖ）が大きく、更には直流重畳特
性の改善された平面インダクタを提供することができ、
その工業的価値は大きい。
第１図は本発明の実施例における平面インダクタの断面
図、第２図は比較例として作製された平面インダクタの
断面図、第３図（Ａ）は従来の平面インダクタの平面図
、同図（Ｂ）は従来の平面インダクタの断面図、第４図
は本発明の実施例及び比較例の平面インダクタのインダ
クタンスＬの周波数特性を示す特性図、第５図は本発明
の実施例及び比較例の平面インダクタの単位体積当りの
インダクタンスＬ／Ｖの周波数特性を示す特性図、第６
図は本発明の他の実施例における平面インダクタについ
て直流重畳電流とインダクタンスとの関係を非晶質合金
薄帯の積層枚数をパラメータとして示す特性図、第７図
は本発明の他の実施例における平面インダクタについて
直流重畳電流と（直流重畳電流を流したときのインダク
タンス）／（直流重畳電流を流さないときのインダクタ
ンス）の比との関係を非晶質合金薄帯の積層枚数をパラ
メータとして示す特性図、第８図は本発明の他の実施例
における平面インダクタについて非晶質合金薄帯の積層
体の（厚さ）／（−辺の長さ）の比と（０，２Ａの直流
重畳電流を流したときのインダクタンス）／（直流重畳
電流を流さないときのインダクタンス）の比との関係を
示す特性図である。 １・・・スパイラル状導体コイル、２ａ、２ｂ・・・ス
パイラルコイル、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ。 ３ｅ・・・絶縁層、４・・・スルーホール、５ａｌ ５
ｂ・・・強磁性体層、６ａ、６ｂ・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 ０４Ｆ ゛（ ］０ 「 １ Ｔｏ １０’
ｔｏ３周ス数（にＨＸ） 第 ４０ 沼近松 （にＨＸ） ０ ０．１ ０．２ ０．３
０．４ ０．５直魚１１１電ン九 （Ａ） 第７図 第８因
図、第２図は比較例として作製された平面インダクタの
断面図、第３図（Ａ）は従来の平面インダクタの平面図
、同図（Ｂ）は従来の平面インダクタの断面図、第４図
は本発明の実施例及び比較例の平面インダクタのインダ
クタンスＬの周波数特性を示す特性図、第５図は本発明
の実施例及び比較例の平面インダクタの単位体積当りの
インダクタンスＬ／Ｖの周波数特性を示す特性図、第６
図は本発明の他の実施例における平面インダクタについ
て直流重畳電流とインダクタンスとの関係を非晶質合金
薄帯の積層枚数をパラメータとして示す特性図、第７図
は本発明の他の実施例における平面インダクタについて
直流重畳電流と（直流重畳電流を流したときのインダク
タンス）／（直流重畳電流を流さないときのインダクタ
ンス）の比との関係を非晶質合金薄帯の積層枚数をパラ
メータとして示す特性図、第８図は本発明の他の実施例
における平面インダクタについて非晶質合金薄帯の積層
体の（厚さ）／（−辺の長さ）の比と（０，２Ａの直流
重畳電流を流したときのインダクタンス）／（直流重畳
電流を流さないときのインダクタンス）の比との関係を
示す特性図である。 １・・・スパイラル状導体コイル、２ａ、２ｂ・・・ス
パイラルコイル、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ。 ３ｅ・・・絶縁層、４・・・スルーホール、５ａｌ ５
ｂ・・・強磁性体層、６ａ、６ｂ・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 ０４Ｆ ゛（ ］０ 「 １ Ｔｏ １０’
ｔｏ３周ス数（にＨＸ） 第 ４０ 沼近松 （にＨＸ） ０ ０．１ ０．２ ０．３
０．４ ０．５直魚１１１電ン九 （Ａ） 第７図 第８因
Claims (1)
- 複数層のスパイラル状導体コイルを絶縁層を介して積層
し、各スパイラル状導体コイルを電気的に直列にかつ各
スパイラル状導体コイルに同方向の電流が流れるように
接続し、上記スパイラル状導体コイル及び絶縁層の積層
体の両面を絶縁層を介して強磁性体層で挟んだことを特
徴とする平面インダクタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142043A JP2958892B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 平面インダクタ |
| US07/250,401 US4959631A (en) | 1987-09-29 | 1988-09-28 | Planar inductor |
| KR1019880012666A KR910003292B1 (ko) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | 평면인덕터 |
| EP88309056A EP0310396B1 (en) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | Planar inductor |
| DE3854177T DE3854177T2 (de) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | Planarspule. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142043A JP2958892B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 平面インダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01310518A true JPH01310518A (ja) | 1989-12-14 |
| JP2958892B2 JP2958892B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=15306060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142043A Expired - Lifetime JP2958892B2 (ja) | 1987-09-29 | 1988-06-09 | 平面インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2958892B2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2958892B2 (ja) | 1999-10-06 |
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