JPH01303799A - 冷媒流路構造 - Google Patents

冷媒流路構造

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JPH01303799A
JPH01303799A JP63132693A JP13269388A JPH01303799A JP H01303799 A JPH01303799 A JP H01303799A JP 63132693 A JP63132693 A JP 63132693A JP 13269388 A JP13269388 A JP 13269388A JP H01303799 A JPH01303799 A JP H01303799A
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JP
Japan
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flow path
path structure
joining material
ring
male
Prior art date
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Pending
Application number
JP63132693A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Fujita
祐治 藤田
Kenichi Mizuishi
賢一 水石
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は冷媒流路構造に係り、特に電子計算機等に使用
される火消*電力の集積回路チップの発熱を効果的に取
り去り、かつ耐用年数の長い冷却装置の冷媒流路構造に
関する。
〔従来の技術〕
電子計算機等において回路動作を高速に行なうためには
、火消*電力の集積回路チップを配線基板上に高密度に
実装する必要がある。将来、配線基板上の発熱は111
1000ワツトに達する事が予想され、この発熱を取り
去る強力でコンパクトな冷却系を実現することが高速な
計算機を実現する上で必須の技術となる。
このような冷却系を実現するための一例として特願昭5
8−72896号が挙げられる。これは内部に冷媒が循
環する空間を有する冷却部材を集積回路チップ個別に接
触または固着し、該冷却部材に、柔軟なパイプを用いて
冷媒を供給して該集積回路チップの冷却を行なうもので
ある。この冷却方式によれば、接触面積1dの冷却部材
を用いた場合。
約0.5℃/W以下の低熱抵抗を実現できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術においては、冷媒を供給、排出するハウジ
ングに複数の柔軟なパイプを高密度に接続する必要があ
る。この場合、微細かつ複雑な形状の気密接合を行なう
ので銀ろう材や半10を用いるのが望ましいが、溶融接
合時にこれらの接合材が流出してしまい、接合部につい
て十分な気密性あるいは十分な耐食寿命が得られない等
の問題があった。
本発明の目的は、大消費電力の集積回路チップの冷却装
置として十分な気密性あるいは耐食寿命を有する冷媒流
路構造を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
かかる目的を達成するために本発明では、溶融した接合
材との濡れ性が悪い材料で形成されたリングを上記パイ
プに嵌合することを特徴とする。
〔作用〕
本発明では、溶融した接合材がリング部分に接すると、
それ以上濡れが拡がらずに上記パイプとハウジングの間
に保持される。この作用により接合材の流出を防ぐこと
ができる。したがって接合材が保持される範囲で接合材
の量を増して接合長を増すことができるので、接合部の
気密性および耐食寿命が向上する。また、リングは直接
冷媒と接触しないので、リング部による異種金属腐食の
問題は生じない。
〔実施例〕
以下図面により本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例である冷媒流路構造を示す断
面図である。冷媒は接合材4により気密接合された雌型
流路構造1と雄型流路構造2の内部を流れる。リング3
は接合材4との濡れ性が悪い月料からなり、溶融した接
合材4の流出を防ぐ。
接合材4としては低融点の半田材あるいは高融点ろう材
を用いてもよい。リング3としてはステンレス等を用い
ればよい。
以ド木実施例の冷媒流路構造の組み立て手順を説明する
。まず、リング3を予め雄型流路構造2に嵌合しておく
。雄型流路構造2を雌型流路構造1の鉛直下方から挿入
する。挿入前あるいは挿入後に雌型流路構造2の外周に
接合材4を供給する。
接合材4は雄型流路構造2の外周のサイズに合せて予め
加工成型しておけば良い。最後に流路構造全体を加熱し
て接合材4を溶融し、雌型流路構造1と雄型流路構造2
を接合する。
本実施例では、溶融した接合材4はリング3との濡れ性
が悪いので、接合材がリング部分を超えて刈れ拡がるこ
とはなく、接合材4の流出を防ぐことができる。このた
め、接合材4が保持される範囲で接合材4の量を増加し
て接合長を増すことができるので、接合部の気密性およ
び耐食寿命が向上する。また、リング3は雄型流路構造
2と嵌合しているので、直接冷媒と接触しない。したが
って、リング3と雌型流路構造1あるいは雄型流路構造
2とが接触することによる異種金属腐食の問題は生じな
い。
第2図は本発明の第二の実施例を示す断面図である0本
実施例において冷媒はハウジング5からベローズ6に流
入し、キャップ7を循環して再びベローズ6に流入し、
ハウジング5へ排出される。
キャップ7は配線基板9上に半田バンプ10を用いて搭
載したチップ8とそれぞれ接触しており、冷媒を供給す
ることで個々のチップを冷却する。
これにより大消費電力の集積回路チップを動作させるこ
とができる。
本実施例では、接合材4の流出を防止できるので接合材
4の量を増加して接合長を増すことができる。このため
接合部4の気密性および耐食寿命が向上する。また、リ
ング3は直接冷媒と接触しないので、リング3を用いた
ことにより新たに異種金属腐食の問題が生じることはな
い。
〔発明の効果〕
以上の如く本発明によれば、冷媒流路構造として気密性
及び耐食寿命を向上できるので、信頼性の高い集積回路
チップの冷却装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す断面図である。第
2図は本発明の第2の実施例を示す断面図である。 1・・・雌型流路構造、2・・・雄型流路構造、3・・
・リング、4・・・接合材、5・・・ハウジング、6・
・・ベローズ。 7・・・キャップ、8・・・チップ、9・・・配線基板
、10第1図 znν流烙構羨 3  I)>7” i捧合棲 第2図 !5b

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、雄型流路構造と雌型流路構造をはめあわせて形成す
    る冷媒流路構造において、雄型流路構造に接合材との濡
    れ性が悪い材料で形成されたリングを嵌合したことを特
    徴とする冷媒流路構造。 2、上記特許請求の範囲第1項記載の冷媒流路構造を用
    いた集積回路チップ冷却装置。
JP63132693A 1988-06-01 1988-06-01 冷媒流路構造 Pending JPH01303799A (ja)

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JP63132693A JPH01303799A (ja) 1988-06-01 1988-06-01 冷媒流路構造

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ID=15087334

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04221843A (ja) * 1990-03-21 1992-08-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 除熱装置
JP2007053307A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Denso Corp 積層型熱交換器及びその製造方法

Cited By (3)

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JP2007053307A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Denso Corp 積層型熱交換器及びその製造方法
JP4552805B2 (ja) * 2005-08-19 2010-09-29 株式会社デンソー 積層型熱交換器及びその製造方法

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