JPH01294565A - 超電導体の焼成容器 - Google Patents

超電導体の焼成容器

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JPH01294565A
JPH01294565A JP63123639A JP12363988A JPH01294565A JP H01294565 A JPH01294565 A JP H01294565A JP 63123639 A JP63123639 A JP 63123639A JP 12363988 A JP12363988 A JP 12363988A JP H01294565 A JPH01294565 A JP H01294565A
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JP
Japan
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vessel
calcination
superconductor
raw material
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP63123639A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Yoshioka
信行 吉岡
Yoshiyuki Kashiwagi
佳行 柏木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、超電導体に係り、特に原料を焼成する際に使
用する焼成容器に関するものである。
B1発明の概要 本発明は、ビスマス(Bi)を含有する超電導体、 「例えばビスマス(Bi)、ストロンチウム(Sr)、
カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B i −S
 r−Ca−Cu−0系の超電導体、」を製造する際に
原料を入れて焼成する焼成容器であり、ビスマスの飛散
減少を防止するためにこの容器の内壁にビスマス層を設
けたものである。
C8従来の技術 1911年にカメリング・オンネスにより超電導現象が
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
D2発明が解決しようとする課題 面述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり i−S r−Ca−Cu−0
系の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むた
めに、原料を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷によっ
てBiが飛散し、原料混合時の組成と最終生成物の組成
との間で「ずれ」が生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合、ビスマスの含有量は混合時の量に対し
て、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマスの飛散減少を見込んだ量
のビス7スを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
従って、ビスマスを含有した超電導体の場合にあっては
、超電導性能の低下、不安定を棺来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したビスマス
含有の超電導体を得るための焼成容器を提供しようとす
るものである。
85課題を解決するだめの手段 本発明は、ビスマスを含有する超電導体を製造する際に
、原料を入れて焼成(仮焼成1本焼成)する容器の内壁
にビスマス層を設けて焼成容器を形成したものである。
なお、 ■焼成容器は、略閉鎖容器でよく、例えば自然に置いた
蓋を有する容器で差し支えない。
また、塗布物質と著しく反応しない材料(例えばアルミ
ナセラミックス)で形成する。
また、容器は緻密質より多孔質の材料にて形成するのが
表面積が大きく取れ、塗布物質を充分施せる点から好ま
しい。
■ビスマス層を設ける手段としては、 (イ)ペーストにして塗布する、 (ロ)スラリーにして塗布する、 (ハ)溶液にしてスプレー塗布する、 (ニ)スラリーをスプレー塗布する、 (ホ)塗布後、熱処理して付着安定化する、のいずれで
もよい。
■施すビスマスの形態は、Bi単体、Biを含む溶液、
Bi化合物、のいずれであってもよい。またBi化合物
としては、 (イ)BiyOiの他、 (ロ)焼成温度で分解、酸化2反応してBitO5とな
るもの、 また、Bi分子種を放出するもの、 が該当する。
■超電導体の原料の焼成温度は、830〜880℃が好
ましい。
また、B1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体を製造
する場合にあっては、 (イ)出発原料は、各々酸素と化合したBi、Sr、C
a、Cuの粉末、 例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化 物、の様な化合物粉末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(B i to 3)、銅酸化
物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOs)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化I(Sr(OH) t)、カルシ
ウム炭酸化物(CaC03)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)t)、が該当する。
(ロ)焼結体のBi、Sr、Ca、Cuの成分原子比の
関係を出発時(混合時) 換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Ca の関係を、 S r : Ca−1: 0.3〜3゜他のBi、Cu
の関係を、 B i : Cu=1 :1.8〜4゜そしてこれら両
者の関係を、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)= I : 1〜2゜
の範囲とすれば、液体窒素で超電導 現象(抵抗ゼロ又は極微小値)が生 じる焼結体を得ることができる。
29作用 内壁にビスマス層を設けた容器にて焼成するので、容器
内はビスマスに富む雰囲気となり、この結果原料からの
ビスマスの飛散は抑制できる。
G、実施例 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図に示すものは焼成容器であり、アルミナセラミッ
クスからなる上部か開口した容器本体Iと、蓋2とから
なる。この容器本体lの内壁には、ビスマス層3を設け
ている。
このビスマス層は、BiyO*に水を加え充分に混練し
てBit03のペーストを作り、これを容器本体Iの内
壁に塗布した後乾燥し、更に容器本体1を蓋2で覆った
状態でBiyOaの融点(820℃)以上の温度の82
0〜1200℃で加熱処理してBi層の付着安定化を行
っている。
次に焼成する超電導体の材料について説明する。
出発原料として粒径10μm以下のビスマス酸化物(B
isO+)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(S r 
COs)の粉末、カルシウム炭酸化物(Cac O3)
の粉末、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11m
o1%、22.22mo1%、22.22mo1%、4
4.44mo1%となるように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
そしてアルコールを更に加え充分に混練した後、乾燥し
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、1〜2Ton/
cjI”程度の圧力で圧縮成形して、外径403112
、厚み6!Ij!の成形体4を作る。
この成形体4を府記容器本体1内にセットする際には、
第2図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ5を
容器底部に置き、その上に前記成形体4と同じ組成の粉
末を敷粉6として薄く置く。
そして、この敷粉6の上に前記成形体4を載せる。
更に容器本体lの開口部を塞ぐために、蓋2を載せ、こ
の状態の焼成容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で
、且つ830〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体
(セラミックス)を得る。
上記の製造方法により得られた焼結体と、幅4xx、厚
さ4 xx、長さ40xxの形状に切り出して第3図に
示すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗
を測定した。
即ち第3図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子λ
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(lで測定して端子す、b’間の電圧
降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を示
す。
その結果、絶対温度約110にで超電導現象が始まり約
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
また、焼成後の焼結体のビスマス量を測定した結果、混
合時の量に対して2〜3%の減少に留どまりでいた。
H、発明の効果 以上のように本発明による焼成容器を用いて焼成した焼
結体にあっては、容器内壁にビスマス層を設けているこ
とから、原料はビスマスに富む雰囲気にて焼成されるこ
とから、原料からのビスマスの飛散は抑制でき、ビスマ
スの減少は初期混合時の2〜3%の減少に留どまり、組
成が安定化し、結果として品質の安定した超電導体を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のビスマス層を内壁に設けた焼成容器の
断面図、第2図は焼成時において容器内に原料をセット
した説明図、第3図は本発明の焼結体の抵抗値測定の方
法を説明するための説明図である。 1・・・容器本体、2・・・蓋、3・・・ビスマス層、
4・・・成形体、λ、a′・・・電流供給用端子、b、
b’・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。 社  区 %   lv 性

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ビスマスを含有する超電導体の原料を焼成時に収
    納する容器であって、 容器内壁にビスマス層を設けたことを特徴とする超電導
    体の焼成容器。
JP63123639A 1988-05-20 1988-05-20 超電導体の焼成容器 Pending JPH01294565A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59139688A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 酸化物薄膜の熱処理方法
JPS60210575A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 日本碍子株式会社 窒化珪素質焼結体の製法
JPS6346381A (ja) * 1986-08-12 1988-02-27 旭硝子株式会社 厘および窒化アルミニウム焼結体の製造法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS60210575A (ja) * 1984-04-04 1985-10-23 日本碍子株式会社 窒化珪素質焼結体の製法
JPS6346381A (ja) * 1986-08-12 1988-02-27 旭硝子株式会社 厘および窒化アルミニウム焼結体の製造法

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