JPH01294565A - 超電導体の焼成容器 - Google Patents
超電導体の焼成容器Info
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- JPH01294565A JPH01294565A JP63123639A JP12363988A JPH01294565A JP H01294565 A JPH01294565 A JP H01294565A JP 63123639 A JP63123639 A JP 63123639A JP 12363988 A JP12363988 A JP 12363988A JP H01294565 A JPH01294565 A JP H01294565A
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Landscapes
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、超電導体に係り、特に原料を焼成する際に使
用する焼成容器に関するものである。
用する焼成容器に関するものである。
B1発明の概要
本発明は、ビスマス(Bi)を含有する超電導体、
「例えばビスマス(Bi)、ストロンチウム(Sr)、
カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B i −S
r−Ca−Cu−0系の超電導体、」を製造する際に
原料を入れて焼成する焼成容器であり、ビスマスの飛散
減少を防止するためにこの容器の内壁にビスマス層を設
けたものである。
カルシウム(Ca)、銅(Cu)を含む、B i −S
r−Ca−Cu−0系の超電導体、」を製造する際に
原料を入れて焼成する焼成容器であり、ビスマスの飛散
減少を防止するためにこの容器の内壁にビスマス層を設
けたものである。
C8従来の技術
1911年にカメリング・オンネスにより超電導現象が
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
発見されて以来、実用化に向けてさまざまな研究開発が
進められている。実用化には、臨海温度(Tc)が高け
れば高い程、冷却コストが安くて済むため、より高温で
の超電導の可能性をめぐってその超電導材料の激しい開
発競争が展開されている。
最近、液体窒素の温度77に以上の温度にて超電導現象
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
を生じるものとして、イツトリウム系銅酸化物が発見さ
れ、更には安価な材料でしかもTcが105に程度を示
すB1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体が発見され
るに至っている。
D2発明が解決しようとする課題
面述のような材料は、液体窒素の温度以上の温度で超電
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
導現象を生じることから、この超電導を利用した具体的
な適用範囲が拡大してきた。
しかし、上述のようなり i−S r−Ca−Cu−0
系の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むた
めに、原料を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷によっ
てBiが飛散し、原料混合時の組成と最終生成物の組成
との間で「ずれ」が生じる問題がある。
系の超電導体は、出発物質にビスマス(Bi)を含むた
めに、原料を焼成炉で直接に焼成すると、熱負荷によっ
てBiが飛散し、原料混合時の組成と最終生成物の組成
との間で「ずれ」が生じる問題がある。
発明者らの実験によれば、温度830〜880℃で数時
間焼成した場合、ビスマスの含有量は混合時の量に対し
て、7〜8%減少していることが判った。
間焼成した場合、ビスマスの含有量は混合時の量に対し
て、7〜8%減少していることが判った。
これを解決するには、ビスマスの飛散減少を見込んだ量
のビス7スを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
のビス7スを用いればよいが、そうするとビスマス過剰
となって所定の超電導現象を生じない場合が発生するこ
とが判った。
従って、ビスマスを含有した超電導体の場合にあっては
、超電導性能の低下、不安定を棺来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
、超電導性能の低下、不安定を棺来しやすく、量産化し
た場合には品質にバラツキを生じるおそれがある。
これらの点に鑑み、本発明は、品質の安定したビスマス
含有の超電導体を得るための焼成容器を提供しようとす
るものである。
含有の超電導体を得るための焼成容器を提供しようとす
るものである。
85課題を解決するだめの手段
本発明は、ビスマスを含有する超電導体を製造する際に
、原料を入れて焼成(仮焼成1本焼成)する容器の内壁
にビスマス層を設けて焼成容器を形成したものである。
、原料を入れて焼成(仮焼成1本焼成)する容器の内壁
にビスマス層を設けて焼成容器を形成したものである。
なお、
■焼成容器は、略閉鎖容器でよく、例えば自然に置いた
蓋を有する容器で差し支えない。
蓋を有する容器で差し支えない。
また、塗布物質と著しく反応しない材料(例えばアルミ
ナセラミックス)で形成する。
ナセラミックス)で形成する。
また、容器は緻密質より多孔質の材料にて形成するのが
表面積が大きく取れ、塗布物質を充分施せる点から好ま
しい。
表面積が大きく取れ、塗布物質を充分施せる点から好ま
しい。
■ビスマス層を設ける手段としては、
(イ)ペーストにして塗布する、
(ロ)スラリーにして塗布する、
(ハ)溶液にしてスプレー塗布する、
(ニ)スラリーをスプレー塗布する、
(ホ)塗布後、熱処理して付着安定化する、のいずれで
もよい。
もよい。
■施すビスマスの形態は、Bi単体、Biを含む溶液、
Bi化合物、のいずれであってもよい。またBi化合物
としては、 (イ)BiyOiの他、 (ロ)焼成温度で分解、酸化2反応してBitO5とな
るもの、 また、Bi分子種を放出するもの、 が該当する。
Bi化合物、のいずれであってもよい。またBi化合物
としては、 (イ)BiyOiの他、 (ロ)焼成温度で分解、酸化2反応してBitO5とな
るもの、 また、Bi分子種を放出するもの、 が該当する。
■超電導体の原料の焼成温度は、830〜880℃が好
ましい。
ましい。
また、B1−5r−Ca−Cu−0系の超電導体を製造
する場合にあっては、 (イ)出発原料は、各々酸素と化合したBi、Sr、C
a、Cuの粉末、 例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化 物、の様な化合物粉末を用いる。
する場合にあっては、 (イ)出発原料は、各々酸素と化合したBi、Sr、C
a、Cuの粉末、 例えば、酸化物、炭酸化物、水酸化 物、の様な化合物粉末を用いる。
例えば、ビスマス酸化物(B i to 3)、銅酸化
物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOs)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化I(Sr(OH) t)、カルシ
ウム炭酸化物(CaC03)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)t)、が該当する。
物(Cub)、 ストロンチウム炭酸化物(SrCOs)、ストロンチウ
ム酸化物(SrO)、 ストロンチウム水酸化I(Sr(OH) t)、カルシ
ウム炭酸化物(CaC03)、 カルシウム酸化物(Cab)、 カルシウム水酸化物(Ca(OH)t)、が該当する。
(ロ)焼結体のBi、Sr、Ca、Cuの成分原子比の
関係を出発時(混合時) 換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Ca の関係を、 S r : Ca−1: 0.3〜3゜他のBi、Cu
の関係を、 B i : Cu=1 :1.8〜4゜そしてこれら両
者の関係を、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)= I : 1〜2゜
の範囲とすれば、液体窒素で超電導 現象(抵抗ゼロ又は極微小値)が生 じる焼結体を得ることができる。
関係を出発時(混合時) 換算で、 同じアルカリ土類であるSr、Ca の関係を、 S r : Ca−1: 0.3〜3゜他のBi、Cu
の関係を、 B i : Cu=1 :1.8〜4゜そしてこれら両
者の関係を、 (Sr+Ca):(Bi+Cu)= I : 1〜2゜
の範囲とすれば、液体窒素で超電導 現象(抵抗ゼロ又は極微小値)が生 じる焼結体を得ることができる。
29作用
内壁にビスマス層を設けた容器にて焼成するので、容器
内はビスマスに富む雰囲気となり、この結果原料からの
ビスマスの飛散は抑制できる。
内はビスマスに富む雰囲気となり、この結果原料からの
ビスマスの飛散は抑制できる。
G、実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図に示すものは焼成容器であり、アルミナセラミッ
クスからなる上部か開口した容器本体Iと、蓋2とから
なる。この容器本体lの内壁には、ビスマス層3を設け
ている。
クスからなる上部か開口した容器本体Iと、蓋2とから
なる。この容器本体lの内壁には、ビスマス層3を設け
ている。
このビスマス層は、BiyO*に水を加え充分に混練し
てBit03のペーストを作り、これを容器本体Iの内
壁に塗布した後乾燥し、更に容器本体1を蓋2で覆った
状態でBiyOaの融点(820℃)以上の温度の82
0〜1200℃で加熱処理してBi層の付着安定化を行
っている。
てBit03のペーストを作り、これを容器本体Iの内
壁に塗布した後乾燥し、更に容器本体1を蓋2で覆った
状態でBiyOaの融点(820℃)以上の温度の82
0〜1200℃で加熱処理してBi層の付着安定化を行
っている。
次に焼成する超電導体の材料について説明する。
出発原料として粒径10μm以下のビスマス酸化物(B
isO+)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(S r
COs)の粉末、カルシウム炭酸化物(Cac O3)
の粉末、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11m
o1%、22.22mo1%、22.22mo1%、4
4.44mo1%となるように秤量する。
isO+)の粉末、ストロンチウム炭酸化物(S r
COs)の粉末、カルシウム炭酸化物(Cac O3)
の粉末、銅酸化物(Cub)の粉末を各々11.11m
o1%、22.22mo1%、22.22mo1%、4
4.44mo1%となるように秤量する。
次に、これらの粉末をボールミルで、アルコール(又は
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
原料粉末と反応しない溶媒)と玉石を入れ数時間充分に
混合し、得られたスラリーを約100℃の温度で乾燥す
る。
そして、バインダーとしてポリビニルアルコールを、原
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
料粉末に対して1重量%となるようにポリビニルアルコ
ール溶液の形で添加する。
そしてアルコールを更に加え充分に混練した後、乾燥し
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
、ふるいにて150メツシユ以下の顆粒状の造粒粉を得
る。
次に、この造粒粉を金型に充填した後、1〜2Ton/
cjI”程度の圧力で圧縮成形して、外径403112
、厚み6!Ij!の成形体4を作る。
cjI”程度の圧力で圧縮成形して、外径403112
、厚み6!Ij!の成形体4を作る。
この成形体4を府記容器本体1内にセットする際には、
第2図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ5を
容器底部に置き、その上に前記成形体4と同じ組成の粉
末を敷粉6として薄く置く。
第2図のように、まずアルミナ板から成るスペーサ5を
容器底部に置き、その上に前記成形体4と同じ組成の粉
末を敷粉6として薄く置く。
そして、この敷粉6の上に前記成形体4を載せる。
更に容器本体lの開口部を塞ぐために、蓋2を載せ、こ
の状態の焼成容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で
、且つ830〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体
(セラミックス)を得る。
の状態の焼成容器を焼成炉内に設置し、酸化性雰囲気で
、且つ830〜880℃の温度で数時間加熱して焼結体
(セラミックス)を得る。
上記の製造方法により得られた焼結体と、幅4xx、厚
さ4 xx、長さ40xxの形状に切り出して第3図に
示すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗
を測定した。
さ4 xx、長さ40xxの形状に切り出して第3図に
示すように電極を設けて4端子法により、焼結体の抵抗
を測定した。
即ち第3図は、抵抗値を測定するための説明図で、焼結
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子λ
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(lで測定して端子す、b’間の電圧
降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を示
す。
体Sの長方向の両端側に電流を流すための端子a、a’
を設け、その内側に抵抗値を測定するための電圧端子す
、b’を設け、これを液体窒素の低温槽に入れ、端子λ
、a′に1アンペアの安定化電流を流して端子す、b’
間の電圧を電圧計(lで測定して端子す、b’間の電圧
降下によって抵抗値を測定する。なお、Aは電流計を示
す。
その結果、絶対温度約110にで超電導現象が始まり約
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
85Kに至って電気抵抗がゼロになることが確認された
。
また、焼成後の焼結体のビスマス量を測定した結果、混
合時の量に対して2〜3%の減少に留どまりでいた。
合時の量に対して2〜3%の減少に留どまりでいた。
H、発明の効果
以上のように本発明による焼成容器を用いて焼成した焼
結体にあっては、容器内壁にビスマス層を設けているこ
とから、原料はビスマスに富む雰囲気にて焼成されるこ
とから、原料からのビスマスの飛散は抑制でき、ビスマ
スの減少は初期混合時の2〜3%の減少に留どまり、組
成が安定化し、結果として品質の安定した超電導体を得
ることができる。
結体にあっては、容器内壁にビスマス層を設けているこ
とから、原料はビスマスに富む雰囲気にて焼成されるこ
とから、原料からのビスマスの飛散は抑制でき、ビスマ
スの減少は初期混合時の2〜3%の減少に留どまり、組
成が安定化し、結果として品質の安定した超電導体を得
ることができる。
第1図は本発明のビスマス層を内壁に設けた焼成容器の
断面図、第2図は焼成時において容器内に原料をセット
した説明図、第3図は本発明の焼結体の抵抗値測定の方
法を説明するための説明図である。 1・・・容器本体、2・・・蓋、3・・・ビスマス層、
4・・・成形体、λ、a′・・・電流供給用端子、b、
b’・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。 社 区 % lv 性
断面図、第2図は焼成時において容器内に原料をセット
した説明図、第3図は本発明の焼結体の抵抗値測定の方
法を説明するための説明図である。 1・・・容器本体、2・・・蓋、3・・・ビスマス層、
4・・・成形体、λ、a′・・・電流供給用端子、b、
b’・・・電圧測定端子、S・・・焼結体。 社 区 % lv 性
Claims (1)
- (1)ビスマスを含有する超電導体の原料を焼成時に収
納する容器であって、 容器内壁にビスマス層を設けたことを特徴とする超電導
体の焼成容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63123639A JPH01294565A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の焼成容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63123639A JPH01294565A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の焼成容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01294565A true JPH01294565A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14865566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63123639A Pending JPH01294565A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 超電導体の焼成容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01294565A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59139688A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物薄膜の熱処理方法 |
JPS60210575A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製法 |
JPS6346381A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-27 | 旭硝子株式会社 | 厘および窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123639A patent/JPH01294565A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59139688A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物薄膜の熱処理方法 |
JPS60210575A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製法 |
JPS6346381A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-27 | 旭硝子株式会社 | 厘および窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
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