JPH01290540A - ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置 - Google Patents
ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置Info
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- JPH01290540A JPH01290540A JP63118069A JP11806988A JPH01290540A JP H01290540 A JPH01290540 A JP H01290540A JP 63118069 A JP63118069 A JP 63118069A JP 11806988 A JP11806988 A JP 11806988A JP H01290540 A JPH01290540 A JP H01290540A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分計〉
本発明は光ファイバ用母材のガラス原料を所望の供給量
で再現性よく反応容器へ供給しうろガラス原料供給方法
及びガラス原料供給装置に関する。
で再現性よく反応容器へ供給しうろガラス原料供給方法
及びガラス原料供給装置に関する。
〈従来の技術〉
光ファイバ用母材の代表的製造方法としては、内材は法
、外付は法及びＶＡＤ法（気相軸付は法）が知られてい
る。従来のこれらの方法においては、四塩化ケイ素及び
四塩化ゲルマニウム、オキシ塩化リン、三臭化ホウ素等
のドーピング物質を各原料容器内に充填し、流量制御さ
れたキャリアガス、例えばアルゴンガスを各原料容器内
のガラス原料中にパブリングして所望の各原料のガスを
発生させ、該原料蒸気の飽和度を調整した後、これらを
反応領域に輸送供給していた。第４図には従来のガラス
原料供給方法を概念的に示しである。同図において、１
はキャリアガス流量制御器、２はガラス原料容器、３は
ガラス原料、４は反応容器であり、ガラス原料容＠ｌ！
２内のガラス原料３はキャリアガス流量制御器１により
制御されたキャリアガスのパブリングによりｘ気化され
、反応容器４に供給される。
、外付は法及びＶＡＤ法（気相軸付は法）が知られてい
る。従来のこれらの方法においては、四塩化ケイ素及び
四塩化ゲルマニウム、オキシ塩化リン、三臭化ホウ素等
のドーピング物質を各原料容器内に充填し、流量制御さ
れたキャリアガス、例えばアルゴンガスを各原料容器内
のガラス原料中にパブリングして所望の各原料のガスを
発生させ、該原料蒸気の飽和度を調整した後、これらを
反応領域に輸送供給していた。第４図には従来のガラス
原料供給方法を概念的に示しである。同図において、１
はキャリアガス流量制御器、２はガラス原料容器、３は
ガラス原料、４は反応容器であり、ガラス原料容＠ｌ！
２内のガラス原料３はキャリアガス流量制御器１により
制御されたキャリアガスのパブリングによりｘ気化され
、反応容器４に供給される。
このようなガラス原料供給方法における流量ｍは次式で
表されていた。
表されていた。
！１１式中、ｍはガラス原料流量、Ｃは飽和度係数、Ｍ
はキャリアガス流量、Ｔは容器の温度、ＰＩＴ、は温度
Ｔにおけろガラス原料蒸気圧、Ｐｏは原料容器及び反応
容器の存在する空間の圧力である。
はキャリアガス流量、Ｔは容器の温度、ＰＩＴ、は温度
Ｔにおけろガラス原料蒸気圧、Ｐｏは原料容器及び反応
容器の存在する空間の圧力である。
この蒸気化したガラス原料流量ｍを一定にするには（１
）式の右辺に示される各値を一定に保てばよい。そして
、飽和度係数Ｃを一定にする技術としては、例えば特公
昭６１−１３７８号公報に開示されている。この技術に
よると、同一の液状ガラス原料を充填した容器を前・後
段に区分してパブリング用キャリアガス導管により直列
に接続し、且つ前段にある容器の温度を後段にある容器
の温度により高温に保持することにより、飽和度係数Ｃ
を再現性よくほぼ１に保つことができろ。また、容器の
温度Ｔは温度制押装置、キャリアガス流量Ｍは例えばマ
スフローコントローラーによって再現性よく一定に保つ
ことができろ。
）式の右辺に示される各値を一定に保てばよい。そして
、飽和度係数Ｃを一定にする技術としては、例えば特公
昭６１−１３７８号公報に開示されている。この技術に
よると、同一の液状ガラス原料を充填した容器を前・後
段に区分してパブリング用キャリアガス導管により直列
に接続し、且つ前段にある容器の温度を後段にある容器
の温度により高温に保持することにより、飽和度係数Ｃ
を再現性よくほぼ１に保つことができろ。また、容器の
温度Ｔは温度制押装置、キャリアガス流量Ｍは例えばマ
スフローコントローラーによって再現性よく一定に保つ
ことができろ。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、従来のガラス原料供給方法によると、た
とえ、上述したような方法により飽和度係数０１キヤリ
アガス流ｊ１Ｍ及び容器の温度Ｔを一定に保っても、や
はりガラス原料の流量ｍは微妙に変化してしまい、再現
性よ（、一定値に保つことができなかった。
とえ、上述したような方法により飽和度係数０１キヤリ
アガス流ｊ１Ｍ及び容器の温度Ｔを一定に保っても、や
はりガラス原料の流量ｍは微妙に変化してしまい、再現
性よ（、一定値に保つことができなかった。
本発明はこのような事情に鑑み、ガラス原料を所望の供
給量に再現性よく保つことができるガラス原料供給方法
及びガラス原料供給装置を提供することを目的とする。
給量に再現性よく保つことができるガラス原料供給方法
及びガラス原料供給装置を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
前記目的を達成するために、本発明者らは種々検討を重
ねた結果、従来のガラス原料供給方法においては大気圧
の変化によりガラス原料流量ｍが変化してしまうことを
知見した。
ねた結果、従来のガラス原料供給方法においては大気圧
の変化によりガラス原料流量ｍが変化してしまうことを
知見した。
すなわち、次の（２）式において原料容器及び反応容器
の存在する空間の気圧Ｐ０がΔＰ０だけ変化するとガラ
ス原料流量ｍは（３）式で表されるΔｍだけ変化してし
まうことが判明した。
の存在する空間の気圧Ｐ０がΔＰ０だけ変化するとガラ
ス原料流量ｍは（３）式で表されるΔｍだけ変化してし
まうことが判明した。
よって、Δｍの変化を抑えるためには、原料容器及び反
応容器の存在する空間の圧力の変化（ΔＰ）を抑えるよ
うにすればよし１゜かかる知見に基づく本発明の構成は
、光フアイバ用母材の液状ガラス原料を原料容器に充填
し、この液状ガラス原料にキャリアガスをパブリングし
て蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャリアガスの混合
物を反応容器に供給するガラス原料供給方法において、
上記原料容器及び反応容器が存在する空間内の圧力を一
定することにより蒸気状ガラス原料の供給量を一定にす
ることを特徴とし、又一方の本発明に係るガラス原料供
給装置の構成は、光ファイバ用母材の液状ガラス原料を
原料容器に充填し、この液状ガラス原料にキャリアガス
をパブリングして蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャ
リアガスの混合物を反応容器に供給するガラス原料供給
装置であって、上記原料容器及び反応容器を覆う気圧調
節室と、この気圧調節室内の圧力を一定に保持する気圧
補正装置とを有することを特徴とする。
応容器の存在する空間の圧力の変化（ΔＰ）を抑えるよ
うにすればよし１゜かかる知見に基づく本発明の構成は
、光フアイバ用母材の液状ガラス原料を原料容器に充填
し、この液状ガラス原料にキャリアガスをパブリングし
て蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャリアガスの混合
物を反応容器に供給するガラス原料供給方法において、
上記原料容器及び反応容器が存在する空間内の圧力を一
定することにより蒸気状ガラス原料の供給量を一定にす
ることを特徴とし、又一方の本発明に係るガラス原料供
給装置の構成は、光ファイバ用母材の液状ガラス原料を
原料容器に充填し、この液状ガラス原料にキャリアガス
をパブリングして蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャ
リアガスの混合物を反応容器に供給するガラス原料供給
装置であって、上記原料容器及び反応容器を覆う気圧調
節室と、この気圧調節室内の圧力を一定に保持する気圧
補正装置とを有することを特徴とする。
く作 用〉
原料容器及び反応容器が存在する空間外の圧力が変動し
た場合に、該空間内の圧力を常に一定になるよう補正し
て保持することにより蒸気状ガラス原料の供給量を一定
にする。
た場合に、該空間内の圧力を常に一定になるよう補正し
て保持することにより蒸気状ガラス原料の供給量を一定
にする。
〈実 施 例〉
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
第１図は本実施例のガラス原料供給装置を概念的に示す
説明図である。同図に示すようにガラス原料供給袋Ｍ１
００は従来で用いたキャリアガス流量制御器、ガラス原
料容器２、ガラス原料３、反応容器４を覆い、且つある
程度の気密性を有する気圧調節室１０１と、この気圧調
節室１０１内の気圧を測定する気圧センサ１０２と、こ
の気圧センサ１０２の測定値に応じて該気圧調節室１０
１内の圧力を一定に保持するよう補正する気圧補正装置
１０３とを有している。即ち、原料容認２及び反応容＠
ｓ４が設置されている気圧調節室１０１内の気圧は、気
圧センサ１０２の測定結果に応じて気圧補正袋［１０３
によって空気等の気体を排出もしくは吸入することによ
り常に一定気圧になるように制御されている。
説明図である。同図に示すようにガラス原料供給袋Ｍ１
００は従来で用いたキャリアガス流量制御器、ガラス原
料容器２、ガラス原料３、反応容器４を覆い、且つある
程度の気密性を有する気圧調節室１０１と、この気圧調
節室１０１内の気圧を測定する気圧センサ１０２と、こ
の気圧センサ１０２の測定値に応じて該気圧調節室１０
１内の圧力を一定に保持するよう補正する気圧補正装置
１０３とを有している。即ち、原料容認２及び反応容＠
ｓ４が設置されている気圧調節室１０１内の気圧は、気
圧センサ１０２の測定結果に応じて気圧補正袋［１０３
によって空気等の気体を排出もしくは吸入することによ
り常に一定気圧になるように制御されている。
これにより、例えば低気圧又は高気圧の接近等によって
気圧調節室１０１外の大気圧が変化しても、再現性よく
光ファイバ用ガラス母材を得ることができる。
気圧調節室１０１外の大気圧が変化しても、再現性よく
光ファイバ用ガラス母材を得ることができる。
次に実験例を説明する。
上述の実施例において、キャリアガス制御ｆｃｔｌとし
てマスフローコントローラーを用い、キャリアガスとし
てのアルゴンガスを毎分２００ ｃｃ流して、３６．０
℃に保った原料容ｌ＃２に送口パブリングきせることに
より輸送されたガラス原料３である四塩化ケイ素の流量
を反応容器４において測定した。この際、気圧調節室１
０１外の気圧ヲ７４０ ｍｍＨｇ カら７６０ ｍｍＨ
ｇに変化させたときの結果を第２図に示す。
てマスフローコントローラーを用い、キャリアガスとし
てのアルゴンガスを毎分２００ ｃｃ流して、３６．０
℃に保った原料容ｌ＃２に送口パブリングきせることに
より輸送されたガラス原料３である四塩化ケイ素の流量
を反応容器４において測定した。この際、気圧調節室１
０１外の気圧ヲ７４０ ｍｍＨｇ カら７６０ ｍｍＨ
ｇに変化させたときの結果を第２図に示す。
比較のため、第４図に示す従来の方法によって上述の条
件と同様な実験を行い、この結果を第５図に示す。
件と同様な実験を行い、この結果を第５図に示す。
第２図及び第５図に示すように、従来の方法では大気圧
が変化するとガラス原料流量が変化してしまうが、本発
明方法によれば、大気圧が変化しても、ガラス原料流量
が一定に保たれることが確認された。
が変化するとガラス原料流量が変化してしまうが、本発
明方法によれば、大気圧が変化しても、ガラス原料流量
が一定に保たれることが確認された。
さらに、上記実施例の方法により、実際にグレイテッド
インデックス型光ファイバを１００本製造し、その１．
３μｍにおける伝送帯域について調べたところ、第３図
に示す結果を得た。
インデックス型光ファイバを１００本製造し、その１．
３μｍにおける伝送帯域について調べたところ、第３図
に示す結果を得た。
また、比較のため、第４図に示す従来の方法により同様
にグレイテッドインデックス型 ４光ファイバを１００
本製造し、その１．３μｍにおけろ伝送帯域について調
べたところ、第６図に示す結果を得た。
にグレイテッドインデックス型 ４光ファイバを１００
本製造し、その１．３μｍにおけろ伝送帯域について調
べたところ、第６図に示す結果を得た。
現在の技術水準では大気圧の変動以外の要因も伝送帯域
に影響するので、まったく同質の光ファイバを製造する
ことは不可能であるが、第３図及び第６図に示す結果か
ら、本発明方法を用いることにより伝送帯域値のちらぼ
り具合が低減できる乙とが明らかである。
に影響するので、まったく同質の光ファイバを製造する
ことは不可能であるが、第３図及び第６図に示す結果か
ら、本発明方法を用いることにより伝送帯域値のちらぼ
り具合が低減できる乙とが明らかである。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように、本発明
によれば、ガラス原料が大気圧の変動に影響されずに一
定流量で供給されるので、再現性よく同質の光ファイバ
母材を得ることができる。。
によれば、ガラス原料が大気圧の変動に影響されずに一
定流量で供給されるので、再現性よく同質の光ファイバ
母材を得ることができる。。
また、本発明は、光ファイバ母材の製造のみならず、覆
々の気相状態で堆積成長させる結晶育成、材料製造分野
における原料供給に応用しても同様の理由から有用であ
る。
々の気相状態で堆積成長させる結晶育成、材料製造分野
における原料供給に応用しても同様の理由から有用であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の実施例にかかり、第１図はそ
の構成を概念的に示す説明図、第２図は大気圧の変動に
対するガラス原料の輸送量の変化を示すグラフ、第３図
は伝送帯域に対するファイバ数を示すヒストグラム、第
４図〜第６図は従来技術にかかり、第４図はその構成を
示す説明図、第５図は大気圧の変動に対するガラス原料
の輸送量の変化を示すグラフ、第６図は伝送帯域に対す
るファイバ数を示すヒストグラムである。 図 面 中、 １はキャリアガス制御装置１ ２はガラス原料容器、 ３はガラス原料、 ４は反応容器、 １００はガラス原料供給装置、 １０１は気圧調節室、 １０２は気圧センサ、 １０３は気圧補正装置である。
の構成を概念的に示す説明図、第２図は大気圧の変動に
対するガラス原料の輸送量の変化を示すグラフ、第３図
は伝送帯域に対するファイバ数を示すヒストグラム、第
４図〜第６図は従来技術にかかり、第４図はその構成を
示す説明図、第５図は大気圧の変動に対するガラス原料
の輸送量の変化を示すグラフ、第６図は伝送帯域に対す
るファイバ数を示すヒストグラムである。 図 面 中、 １はキャリアガス制御装置１ ２はガラス原料容器、 ３はガラス原料、 ４は反応容器、 １００はガラス原料供給装置、 １０１は気圧調節室、 １０２は気圧センサ、 １０３は気圧補正装置である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光ファイバ用母材の液状ガラス原料を原料容器に充
填し、この液状ガラス原料にキャリアガスをパブリング
して蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャリアガスの混
合物を反応容器に供給するガラス原料供給方法において
、上記原料容器及び反応容器が存在する空間内の圧力を
一定することにより蒸気状ガラス原料の供給量を一定に
することを特徴とするガラス原料供給方法。 ２）光ファイバ用母材の液状ガラス原料を原料容器に充
填し、この液状ガラス原料にキャリアガスをパブリング
して蒸気化し、蒸気状ガラス原料及びキャリアガスの混
合物を反応容器に供給するガラス原料供給装置であって
、上記原料容器及び反応容器を覆う気圧調節室と、この
気圧調節室内の圧力を一定に保持する気圧補正装置とを
有することを特徴とするガラス原料供給装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118069A JP2554356B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置 |
| AU34793/89A AU608978B2 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-15 | Method and apparatus for supplying glass forming raw material |
| ZA893642A ZA893642B (en) | 1988-05-17 | 1989-05-16 | Method and apparatus for supplying glass forming raw material |
| KR1019890006592A KR910009178B1 (ko) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | 유리원료 공급방법 및 유리원료 공급장치 |
| US07/353,033 US4894079A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method and apparatus for supplying glass forming raw material |
| EP89108936A EP0397902B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-18 | Method and apparatus for supplying glass forming raw material |
| ES198989108936T ES2037905T3 (es) | 1988-05-17 | 1989-05-18 | Metodo y aparato para suministrar materia prima para la fabricacion de vidrio. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118069A JP2554356B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | ガラス原料供給方法及びガラス原料供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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