JPH0629149B2 - 光フアイバ用多孔質母材焼結装置 - Google Patents
光フアイバ用多孔質母材焼結装置Info
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- JPH0629149B2 JPH0629149B2 JP484486A JP484486A JPH0629149B2 JP H0629149 B2 JPH0629149 B2 JP H0629149B2 JP 484486 A JP484486 A JP 484486A JP 484486 A JP484486 A JP 484486A JP H0629149 B2 JPH0629149 B2 JP H0629149B2
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- JP
- Japan
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- core tube
- furnace core
- optical fiber
- base material
- porous base
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01486—Means for supporting, rotating or translating the preforms being formed, e.g. lathes
-
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- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光ファイバ用多孔質母材の焼結装置に係り、特
にＶＡＤ法等で形成された多孔質母材を透明ガラス化す
る焼結装置の炉芯管内圧の安定化に関する。
にＶＡＤ法等で形成された多孔質母材を透明ガラス化す
る焼結装置の炉芯管内圧の安定化に関する。
［従来の技術］ 光ファイバ母材の製造において、ＶＡＤ法等により形成
された多孔質母材を透明ガラス化するために従来第４図
に示すような焼結装置が用いられていた。すなわち、ま
ず引上ロッド１の先端にターゲットホルダー２が設置さ
れ、このターゲットホルダー２に多孔質母材３が堆積し
ているターゲット４を取り付ける。次に、これらを炉芯
管５の内部に挿入した後、炉芯管５下部の吸気口６から
HeガスおよびCl2ガスを流し込み、内圧調整弁７でガス
排気孔径を調整することによって炉芯管５の内圧を所定
の値（＋２〜５mmH2O程度）に保持する。そして、ロッ
ド１を回転しながら一定速度で引き下げ、炉芯管５の外
側部に設置されているカーボンヒータ８により多孔質母
材３を約1800℃に加熱して透明ガラス化された光ファイ
バ母材９を得ていた。
された多孔質母材を透明ガラス化するために従来第４図
に示すような焼結装置が用いられていた。すなわち、ま
ず引上ロッド１の先端にターゲットホルダー２が設置さ
れ、このターゲットホルダー２に多孔質母材３が堆積し
ているターゲット４を取り付ける。次に、これらを炉芯
管５の内部に挿入した後、炉芯管５下部の吸気口６から
HeガスおよびCl2ガスを流し込み、内圧調整弁７でガス
排気孔径を調整することによって炉芯管５の内圧を所定
の値（＋２〜５mmH2O程度）に保持する。そして、ロッ
ド１を回転しながら一定速度で引き下げ、炉芯管５の外
側部に設置されているカーボンヒータ８により多孔質母
材３を約1800℃に加熱して透明ガラス化された光ファイ
バ母材９を得ていた。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、多孔質母材３は通常約60〜70mmの外径を有す
るが、加熱されて透明ガラス化すると収縮し、製造され
た光ファイバ母材９は多孔質母材３の約10分の１の大き
さとなる。従って、ロッド１により多孔質母材３が引き
下げられて焼結工程が始まると、それに伴って炉芯管５
内のガスの流れ方が経時的に変化しあるいは煙突効果に
よる部分的な圧力変動が生じやすく、内圧調整弁７が設
けられているにも拘らず、炉芯管５の内圧は変動し、そ
の大きさを差圧計１０で測定したところほぼ１〜２mmH2
O程度にまで達することがわかった。
るが、加熱されて透明ガラス化すると収縮し、製造され
た光ファイバ母材９は多孔質母材３の約10分の１の大き
さとなる。従って、ロッド１により多孔質母材３が引き
下げられて焼結工程が始まると、それに伴って炉芯管５
内のガスの流れ方が経時的に変化しあるいは煙突効果に
よる部分的な圧力変動が生じやすく、内圧調整弁７が設
けられているにも拘らず、炉芯管５の内圧は変動し、そ
の大きさを差圧計１０で測定したところほぼ１〜２mmH2
O程度にまで達することがわかった。
この炉芯管内圧は、多孔質母材３内に含有され多孔質母
材３の屈折率分布を決定するドーパントであるGeO2等の
蒸発の割合およびCl2ガスとの反応の度合いを左右する
ものである。このため、炉芯管内圧が変動すると多孔質
母材３内のGeO2の濃度が変化するので、焼結された光フ
ァイバ母材９は長手方向において不均一な屈折率分布を
有することになる。
材３の屈折率分布を決定するドーパントであるGeO2等の
蒸発の割合およびCl2ガスとの反応の度合いを左右する
ものである。このため、炉芯管内圧が変動すると多孔質
母材３内のGeO2の濃度が変化するので、焼結された光フ
ァイバ母材９は長手方向において不均一な屈折率分布を
有することになる。
このように従来は炉芯管内圧の変動に伴って光ファイバ
母材の屈折率分布の均一性および再現性が劣化するとい
う問題点があった。
母材の屈折率分布の均一性および再現性が劣化するとい
う問題点があった。
［発明の目的］ 本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解消し、
多孔質母材焼結時の炉芯管内圧を安定化して屈折率分布
に乱れのない良質な光ファイバ母材を製造し得る光ファ
イバ用多孔質母材焼結装置を提供することにある。
多孔質母材焼結時の炉芯管内圧を安定化して屈折率分布
に乱れのない良質な光ファイバ母材を製造し得る光ファ
イバ用多孔質母材焼結装置を提供することにある。
［発明の概要］ 上記の目的を達成するために、本発明は、炉芯管内のHe
＋Cl2ガス流に対して多孔質母材を保持するターゲット
より下流側にガス流量を制御するための仕切部材を設け
たものである。
＋Cl2ガス流に対して多孔質母材を保持するターゲット
より下流側にガス流量を制御するための仕切部材を設け
たものである。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について添付図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例に係る光ファイバ用多孔質母
材焼結装置の概略構成図である。図中、１は引上ロッド
であり、引上ロッド１の先端に内径15mm，外径20mmのタ
ーゲットホルダー２が設置され、さらにターゲットホル
ダー２の上部に第２図に示すような外径85mm，厚さ５mm
の円盤状の仕切部材１１が設けられている。なお、これ
ら引上ロッド１，ターゲットホルダー２および仕切部材
１１は石英ガラスからなっている。一方、５は内径90m
m，外径95mm，長さ1500mmの石英ガラス製炉芯管で、ガ
ス供給装置（図示せず）によって炉芯管下部に設けられ
た吸気口６からHe＋Cl2ガスを導入し、上部に設けられ
た内圧調整弁７を介して排気する。さらに、炉芯管５の
下部には内圧の変動を測定する差圧計１０が、また炉芯
管５の外側部には加熱用のカーボンヒータ８がそれぞれ
設置されている。
材焼結装置の概略構成図である。図中、１は引上ロッド
であり、引上ロッド１の先端に内径15mm，外径20mmのタ
ーゲットホルダー２が設置され、さらにターゲットホル
ダー２の上部に第２図に示すような外径85mm，厚さ５mm
の円盤状の仕切部材１１が設けられている。なお、これ
ら引上ロッド１，ターゲットホルダー２および仕切部材
１１は石英ガラスからなっている。一方、５は内径90m
m，外径95mm，長さ1500mmの石英ガラス製炉芯管で、ガ
ス供給装置（図示せず）によって炉芯管下部に設けられ
た吸気口６からHe＋Cl2ガスを導入し、上部に設けられ
た内圧調整弁７を介して排気する。さらに、炉芯管５の
下部には内圧の変動を測定する差圧計１０が、また炉芯
管５の外側部には加熱用のカーボンヒータ８がそれぞれ
設置されている。
すなわち、本実施例の焼結装置は第４図の従来例におい
て、ターゲットホルダー２の上部に仕切部材１１を設け
たものである。この仕切部材１１の外径(85mm)は炉芯管
５の内径(90mm)より小さく構成されているので、仕切部
材１１と炉芯管５の内壁との間には一定の大きさの空隙
が形成され、炉芯管５の下部から導入されたHe＋Cl2ガ
スはこのわずかな空隙を通って上部へと流れることとな
る。このため、炉芯管５内のHe＋Cl2ガスの流量は多孔
質母材の位置あるいは体積変化に左右されず、仕切部材
１１と炉芯管５の内壁との間に形成された空隙によって
ほぼ一定に保持される。
て、ターゲットホルダー２の上部に仕切部材１１を設け
たものである。この仕切部材１１の外径(85mm)は炉芯管
５の内径(90mm)より小さく構成されているので、仕切部
材１１と炉芯管５の内壁との間には一定の大きさの空隙
が形成され、炉芯管５の下部から導入されたHe＋Cl2ガ
スはこのわずかな空隙を通って上部へと流れることとな
る。このため、炉芯管５内のHe＋Cl2ガスの流量は多孔
質母材の位置あるいは体積変化に左右されず、仕切部材
１１と炉芯管５の内壁との間に形成された空隙によって
ほぼ一定に保持される。
次に、本実施例の動作を説明する。
まず、多孔質母材３が堆積形成されている外径15mmの石
英ガラス製ターゲット４をターゲットホルダー２に取り
付け、これらを炉芯管５内に挿入する。さらに、ガス供
給装置によって吸気口６から流量7.5〜15／minのHeガ
スおよびCl2ガスを炉芯管５内に送り込むと共に、内圧
調整弁７によりガス排気孔径を調整させて炉芯管５の内
圧を＋５mmH2Oに保持させる。次に、引上ロッド１を約
0.5rpmの回転数で回転しながら速度1.5〜５mm/minで引
き下げ、多孔質母材３を炉芯管５の外側部に設置されて
いるカーボンヒータ８によって約1800℃に加熱して透明
ガラス化し光ファイバ母材９を形成する。
英ガラス製ターゲット４をターゲットホルダー２に取り
付け、これらを炉芯管５内に挿入する。さらに、ガス供
給装置によって吸気口６から流量7.5〜15／minのHeガ
スおよびCl2ガスを炉芯管５内に送り込むと共に、内圧
調整弁７によりガス排気孔径を調整させて炉芯管５の内
圧を＋５mmH2Oに保持させる。次に、引上ロッド１を約
0.5rpmの回転数で回転しながら速度1.5〜５mm/minで引
き下げ、多孔質母材３を炉芯管５の外側部に設置されて
いるカーボンヒータ８によって約1800℃に加熱して透明
ガラス化し光ファイバ母材９を形成する。
上記の焼結装置を用いて長さ640mmの多孔質母材を約12
時間にわたって焼結し、この間の炉芯管５の内圧変動を
差圧計１０によって測定したところ±0.2mmH2Oであっ
た。従って、本実施例の装置では従来に比べて炉芯管の
内圧変動が極めて小さくなっていることがわかる。
時間にわたって焼結し、この間の炉芯管５の内圧変動を
差圧計１０によって測定したところ±0.2mmH2Oであっ
た。従って、本実施例の装置では従来に比べて炉芯管の
内圧変動が極めて小さくなっていることがわかる。
なお、上記実施例では仕切部材１１が円盤状をなして炉
芯管５の内壁との間に空隙を形成したが、これに限るも
のではなく、例えば第３図のように少なくとも１つ以上
の通気孔１２ａが設けられている仕切部材１２を用い、
この通気孔１２ａが上記の空隙の役目を果たすように構
成してもよい。
芯管５の内壁との間に空隙を形成したが、これに限るも
のではなく、例えば第３図のように少なくとも１つ以上
の通気孔１２ａが設けられている仕切部材１２を用い、
この通気孔１２ａが上記の空隙の役目を果たすように構
成してもよい。
さらに、仕切部材をターゲットホルダー２に設置するの
ではなく、中心に引上ロッド１を通す孔が設けられてい
る仕切部材を炉芯管５の内壁に設置してもよい。ただ
し、この場合には仕切部材を固定式とすると多孔質母材
３の挿入が妨げられてしまうので、例えば多孔質母材３
を挿入した後に絞り込めるような可変式の仕切部材が必
要となる。
ではなく、中心に引上ロッド１を通す孔が設けられてい
る仕切部材を炉芯管５の内壁に設置してもよい。ただ
し、この場合には仕切部材を固定式とすると多孔質母材
３の挿入が妨げられてしまうので、例えば多孔質母材３
を挿入した後に絞り込めるような可変式の仕切部材が必
要となる。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば次のごとき優れた効
果を発揮する。
果を発揮する。
(1)仕切部材を設けることによって炉芯管内のガス流量
を一定に保持することができる。従って、多孔質母材の
位置および体積変化に拘らずに炉芯管の内圧の安定化が
達成される。このため、屈折率分布に乱れがなく、伝送
帯域および伝送損失等の特性が安定した光ファイバ母材
を製造することができる。
を一定に保持することができる。従って、多孔質母材の
位置および体積変化に拘らずに炉芯管の内圧の安定化が
達成される。このため、屈折率分布に乱れがなく、伝送
帯域および伝送損失等の特性が安定した光ファイバ母材
を製造することができる。
(2)炉芯管内に仕切部材を設けるだけでよいので、安価
に実施できると共に既存設備にも容易に適用でき有用性
が高い。
に実施できると共に既存設備にも容易に適用でき有用性
が高い。
第１図は本発明の光ファイバ用多孔質母材焼結装置の一
実施例を示す概略構成図、第２図は第１図の実施例で用
いられた仕切部材の斜視図、第３図は仕切部材の変形例
を示す斜視図、第４図は従来の焼結装置を示す概略構成
図である。 図中、１は引上ロッド、２はターゲットホルダー、３は
多孔質母材、４はターゲット、５は炉芯管、６は吸気
口、７は内圧調整弁、８はカーボンヒータ、９は光ファ
イバ母材、１０は差圧計、１１および１２は仕切部材、
１２ａは通気孔である。
実施例を示す概略構成図、第２図は第１図の実施例で用
いられた仕切部材の斜視図、第３図は仕切部材の変形例
を示す斜視図、第４図は従来の焼結装置を示す概略構成
図である。 図中、１は引上ロッド、２はターゲットホルダー、３は
多孔質母材、４はターゲット、５は炉芯管、６は吸気
口、７は内圧調整弁、８はカーボンヒータ、９は光ファ
イバ母材、１０は差圧計、１１および１２は仕切部材、
１２ａは通気孔である。
Claims (2)
- 【請求項１】炉芯管の下部よりHe＋Cl2ガスを導入する
と共に上部より排気しつつ多孔質母材を保持させたター
ゲットを上部から上記ガス流に向って挿入させて焼結す
る装置において、上記炉芯管内に、上記ガス流に対して
上記ターゲットより下流側にガス流量を制御するための
仕切部材が設けられていることを特徴とする光ファイバ
用多孔質母材焼結装置。 - 【請求項２】上記仕切部材が上記ターゲットを保持する
ターゲットホルダーに設けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ用多孔質母材焼
結装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP484486A JPH0629149B2 (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 光フアイバ用多孔質母材焼結装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP484486A JPH0629149B2 (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 光フアイバ用多孔質母材焼結装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162636A JPS62162636A (ja) | 1987-07-18 |
| JPH0629149B2 true JPH0629149B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=11594989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP484486A Expired - Lifetime JPH0629149B2 (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 光フアイバ用多孔質母材焼結装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629149B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711141Y2 (ja) * | 1986-03-07 | 1995-03-15 | 古河電気工業株式会社 | 光フアイバ母材製造用の支持棒 |
| JP3060782B2 (ja) * | 1993-06-08 | 2000-07-10 | 住友電気工業株式会社 | 高純度透明ガラスの製造方法 |
| JP2007145671A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱炉、ガラスの加熱方法及び加熱炉の維持方法 |
| JP2014201513A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 焼結装置 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP484486A patent/JPH0629149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62162636A (ja) | 1987-07-18 |
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