JPH0332501Y2 - - Google Patents

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JPH0332501Y2
JPH0332501Y2 JP19232886U JP19232886U JPH0332501Y2 JP H0332501 Y2 JPH0332501 Y2 JP H0332501Y2 JP 19232886 U JP19232886 U JP 19232886U JP 19232886 U JP19232886 U JP 19232886U JP H0332501 Y2 JPH0332501 Y2 JP H0332501Y2
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flow rate
heating container
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optical fiber
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  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は光フアイバ母材製造装置に係り、特に
加熱気化された原料を供給する装置(以下、ベー
キング装置とする)を用いた光フアイバ母材製造
装置に関するものである。
[従来の技術] 光フアイバ母材の製造方法の一つとして、気化
させた原料ガス(SiCl4及びGeCl4)を反応容器内
のバーナで燃焼させ、発生したガラス微粒子を堆
積させるVAD法がある。このときの原料ガスの
供給方法としては、原料を沸点以上に加熱し、気
化させた原料ガスを直接供給する方法があり、こ
の方法を実施するための従来のベーキング装置の
構成を第2図に示す。
加熱容器1内の液体原料はヒータ2によつて沸
点以上に加熱される。そして、気化した原料ガス
は流量計3で計量され、必要流量が反応装置に供
給される。また、加熱容器1内の液体原料の量は
重量計4によつて上限と下限が検知されるように
なつており、下限になると重量計4に連動するバ
ルブ5が開き、上限になるまで原料を補給する。
補給は通常バルブ5につながる外部タンクより行
なわれる。現在使用している一般的な加熱容器1
としては、例えば上限6Kg、下限4Kgにセツトさ
れており、バルブ5の開閉で1回に2Kgの液体原
料を補給するように構成されている。
このようなベーキング装置を用いて例えばシン
グルモード光フアイバ母材を製造する際のシステ
ム構成を第3図に示す。SiCl4用の加熱容器11
には並列に設けられた4つの流量計12〜15を
介してそれぞれクラツド用バーナ16〜18及び
コア用バーナ19が接続されている。また、コア
用バーナ19は屈折率を増加させるための添加物
GeCl4用の加熱容器20にも流量計21を介して
接続されている。そして、加熱容器11内にて温
度70℃に加熱気化されたSiCl4がクラツド用バー
ナ16〜18から、またこのSiCl4と加熱容器2
0内にて温度100℃に加熱気化されたGeCl4とが
混合されてコア用バーナ19からそれぞれ噴出さ
れると共に各バーナ16〜19にH2,O2等の燃
料ガスが送り込まれる。これにより、火炎加水分
解反応が生じてガラス微粒子が生成され、このガ
ラス微粒子を堆積して母材22を形成する。
[考案が解決しようとする問題点] このようにして用いられるベーキング装置で
は、第2図において述べた如く加熱容器1への液
体原料の補給が、バルブ5によつて行なわれてい
た。このため原料補給が間歇的にならざるを得な
かつた。したがつて、沸点以上に加熱(例えば、
SiCl4の場合70℃程度)されている加熱容器1内
へ室温程度の低温の液体原料を補給した場合、加
熱容器1内の圧力や温度が変化してしまい、気化
したガス流量の安定性の面ではなく好ましくな
い。実際に従来の方法で70℃に加熱され、4Kgの
原料の入つている加熱容器内へ2Kgの常温の原料
を補給した場合、加熱容器内の原料の温度が約5
℃低下し、原料ガス流量が数%変動した。一般に
加熱容器には温度調節機能が付いているが、原料
温度が70℃に復帰するまでには2〜3分間かか
り、このときの流量変動によつて光フアイバ母材
の引上速度が変わり、このため母材の外径変動や
長手方向の不均一が起るという問題があつた。し
たがつて、光フアイバ母材を長時間に亘つて安定
に製造するためには、液体原料の補給を行なつて
も加熱容器内の温度や圧力が変動しないようにす
る必要がある。
かくして本考案の目的は上記した従来技術の問
題点を解消し、長時間に亘つて安定した光フアイ
バ母材の製造を行なうことができる光フアイバ母
材製造装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 本考案の光フアイバ母材製造装置は上記目的を
達成するために、液体原料を加熱容器内に送り込
んでここで沸点以上にまで加熱し気化させた後、
この原料ガスを反応容器内に供給して光フアイバ
母材を製造する装置において、上記加熱容器の上
流側に設けられると共に上記液体原料の流量を調
節するための流量調節器と、上記加熱容器の下流
側に設けられると共に上記原料ガスの流量を検出
するための流量計と、該流量計にて検出された上
記原料ガスの流量に基づいて上記加熱容器内の液
体原料の量が一定となるように上記流量調節器に
よる上記液体原料の流量を制御する制御部とを備
えたものである。
[作用] すなわち、本考案の要旨は、反応容器へ供給す
る原料ガス流量を流量計にて検出し、この検出値
に基づいて制御部が加熱容器へ補給される液体原
料の流量を流量調節器により制御することにあ
る。このようにすることによつて、加熱容器内の
液体原料を常に一定量とすることができ、加熱容
器内の温度や圧力の変動が抑えられる。すなわ
ち、安定した母材の製造が可能となる。
[実施例] 以下、本考案の実施例を添付図面に従つて説明
する。
第1図は本考案の一実施例に係る光フアイバ母
材製造装置に用いられたベーキング装置の構成図
である。加熱容器1の外周部にヒータ2が設けら
れている。また、加熱容器1には原料ガス供給配
管6及び液体原料補給配管7が接続されており、
前者は流量計3を介して反応容器(図示せず)
に、後者は流量調節器8を介して外部タンク(図
示せず)にそれぞれ接続されている。さらに、流
量計3には流量調節器8を作動させて液体原料の
流量を制御する制御部9が接続されている。
次に本実施例の作用を述べる。
まず、液体原料としてSiCl4(あるいはGeCl4
を外部タンク内に収容すると共に外部タンク内を
所定温度に維持させる。この状態で外部タンク内
にAr等のガスを注入して液体原料の液面を押圧
し、これにより液体原料を配管7に通して加熱容
器1内に供給する。このようにして加熱容器1内
に供給された液体原料はここでヒータ2により温
度70℃(GeCl4の場合は100℃)に加熱され気化
されて原料ガスとなる。そして、原料ガスは流量
計3で計量され、必要流量が反応容器へ供給され
る。
このとき、流量計3で検出された原料ガス流量
Qが制御部9に伝送される。そして、この制御部
9において原料ガス流量Qから加熱容器1内に収
容されている液体原料の単位時間当りの減少分が
算出されると共にこの減少分の液体原料を補うべ
く加熱容器1に補給する液体原料の流量を指定す
る制御信号Sが制御部9から流量調節器8に出力
される。この制御信号Sを入力した流量調節器8
は配管7を通る液体原料の流量を制御信号Sによ
つて指定された流量に調節する。
このようにして原料ガス流量Qに基づいて液体
原料の流量が制御され、これにより加熱容器1内
の液体原料は常に一定量となる。このため、原料
補給による加熱容器1内の温度変動や圧力変動が
抑えられる。
以上のようにすることによつて、長時間にわた
り安定した原料ガスの供給を行なうことができ
る。
[考案の効果] 以上説明したように本考案によれば、次の如き
優れた効果が発揮される。
(1) 加熱容器内の温度や圧力を常に一定に保つこ
とが可能となり、原料ガスの流量が安定化され
る。
(2) その結果、光フアイバ母材の引上速度を安定
化することができ、母材の外径や長手方向の均
一化が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例に係る光フアイバ母
材製造装置に用いられたベーキング装置の構成
図、第2図は従来例の構成図、第3図は従来例を
用いてシングルモード光フアイバ母材を製造する
際のシステム構成図である。 図中、1は加熱容器、3は流量計、8は流量調
節器、9は制御部である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 液体原料を加熱容器内に送り込んでここで沸点
    以上にまで加熱し気化させた後、この原料ガスを
    反応容器内に供給して光フアイバ母材を製造する
    装置において、上記加熱容器の上流側に設けられ
    ると共に上記液体原料の流量を調節するための流
    量調節器と、上記加熱容器の下流側に設けられる
    と共に上記原料ガスの流量を検出するための流量
    計と、該流量計にて検出された上記原料ガスの流
    量に基づいて上記加熱容器内の液体原料の量が一
    定となるように上記流量調節器による上記液体原
    料の流量を制御する制御部とを備えたことを特徴
    とする光フアイバ母材製造装置。
JP19232886U 1986-12-16 1986-12-16 Expired JPH0332501Y2 (ja)

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JPS6398349U JPS6398349U (ja) 1988-06-25
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