JPS61151032A - 光フアイバ母材製造用原料ガス供給装置 - Google Patents

光フアイバ母材製造用原料ガス供給装置

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JPS61151032A
JPS61151032A JP27935284A JP27935284A JPS61151032A JP S61151032 A JPS61151032 A JP S61151032A JP 27935284 A JP27935284 A JP 27935284A JP 27935284 A JP27935284 A JP 27935284A JP S61151032 A JPS61151032 A JP S61151032A
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JP
Japan
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gas
carrier gas
mixed
mixed gas
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Pending
Application number
JP27935284A
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English (en)
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Masaharu Niizawa
新沢 正治
Tsutomu Yabuki
矢吹 勉
Yoshihiro Narita
芳大 成田
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/86Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景と目的〕 本発明は、気相軸付(VAD)法による光コア ・イバ
母材製造用原料ガス供給装置に関するものである。
コアがGe、P等を含む石英ガラスで、クラッドが純粋
石英からなる全石英系の光ファイバは、低損失、広帯域
(GI型ファイバの場合)、製造が容易等の諸条件を満
足し、現在、最も広範囲に使用されている。この光ファ
イバを製作するのに用いられる光ファイバ母材は、近年
、生産性の高いVAD法あるいはこれに類似した方法で
製造されている。これらの方法は、常温では液体の8i
Cft4、GeCf1a、POCL等のガラス原料を、
キャリヤガスのA r 、 02、Hz等でバプリ/グ
し、キャリヤガス中に上記原料液体を気化させて混入し
この混合ガスを酸水素炎等で加熱し、反応を起こさせて
ガラス微粉末(スート)としながらダミーの石英棒の先
端に順次堆積させてできた微粉末母材(スートロッドと
称す)をさらに高温に加熱し透明なカラスに焼結させて
コアガラスを製造している。
ところで、光ファイバを製造する場合に最も重要な点は
、コア屈折率分布形状をいかに目標通りに再現性よく製
造するかと云うことであり、このことは、スートの堆積
条件、ひいては原料ガスの供給状態、燃料用のH!、0
2、あるいは屈折率分布制御用のAr、 Nz、 He
等の各徨ガスの供給状態をいかに安定させるかと云うこ
とにある。しかし、生産性をあげるために、大量のガラ
ス原料を供給しようとした場合、気化熱により原料液が
原料タンクと共に冷却され供給状態が変化する。あるい
は原料タンクを加熱した場合、混合ガスの配管内で原料
ガスが液化し、供給状態が大幅に変化する等の問題が生
じている。これらの対策として、従来から原料タンクを
外部から加熱すると共に、混合ガス配管系全体を保温、
あるいは加熱する方法がとられているが、配管の加熱効
率が悪く、原料の液化を完全に防止することができなか
った。また、配管の加熱設備も容易な作業ではないなど
の問題があった。
本発明は上記の状況に鑑みなされたものであり簡単な構
造で安定して混合ガスの供給ができる光ファイバ母材製
造用原料ガス供給装置を提供することを目的としたもの
である。
〔発明の概要〕
本発明の光ファイバ母材製造用原料ガス供給装置は、キ
ャリヤガスを送入されて内部の原料液が混合され混合ガ
ス化される原料タンクを設け、該原料タンクからの混合
ガスを原料ガス供給装置を通して光ファイバ母材製造装
置の反応系バーナに供給してなり、上記混合ガスの配管
の途中に連通され該配管内に加熱キャリヤガスを案内す
る加熱キャリヤガス配管と、該加熱キャリヤガス配管の
上記配管に対する上記連通した部分より上流位置に取り
付けられ上記混合ガスの温度より高温にキャリヤガスを
加熱するキャリヤガス加熱装置とを設けたものである。
即ち、原料タンク内においてキャリヤガスのハンプリン
グ等によりほぼ飽和状態の混合ガスを製造し、この混合
ガスの配管の途中に連通した配管から混合ガスよシも高
温のキャリヤガスを導入し、混合ガスを希釈するととも
に温度を高めることによシ連通部分以降の管路で原料ガ
スの結露を防止できるようにしたものである。
〔実施例〕
以下本発明の光ファイバ母材製造用原料ガス供給装置を
実施例を用い図面により説明する。図は概略図である。
図において、1はキャリヤガス導入管、2.3はそれぞ
れキャリヤガス流量制御装置、4は原料タンクで内部に
原料液5が充填されている。6はバブリング装置、7は
恒温槽、8はミストラップ、9はキャリヤガス加熱装置
、10は混合ガス配管12と加熱キャリヤガス配管13
との連通部、11はミキシングチャンバである。
ミキシングチャンバ11を出た混合ガスは混合ガス配管
12を経て反応系バーナ(図示せず)へ供給されるよう
になっており、また、キャリヤガス導入管1には矢印の
ようにArガスなどのキャリヤガスが導入されるように
なっている。
キャリヤガス導入管1からのキャリヤガスはキャリヤガ
ス流量制御装置2.3に分岐され、キャリヤガス流量制
御装置2に導入されたキャリヤガスは原料タンク4内に
導入されバブリング装置6によシ原料液5をバブリング
しほぼ飽和に近い混合ガスとし混合ガスはミストラップ
8を経て混合ガス配管12から導出される。一方、キャ
リヤガス流量制御装置3に導入されたキャリヤガスはキ
ャリヤガス加熱装置9にてミストラップ8を出だ混合ガ
スよシ高温に加熱された後、加熱キャリヤガス配管13
を経て連通部10にて混合ガス配管12内に導入され混
合ガスとミキシングチャンバ11で混合されるようにな
っている。ここで混合された混合ガスは反応系バーナに
供給される。
そして、キャリヤガスとしてArガスを用い、キャリヤ
ガス流量制御装置2に1.5 Il、 /minを、一
方、キャリヤガス流量制御装置3に0.5n/minの
流量を流し、キャリヤガス加熱装置9の加熱温度を10
0℃、恒温槽7の温度を27℃に設定し、約6p/mi
nのS 1C44を、配管系内の結露なしに反応系バー
ナに供給することが可能となった。そして、恒温槽7の
温度、キャリヤガス加熱装置9のキャリヤガス加熱の温
度を調節することにより5i(J4では、LOP/mi
n以上のガス流量を管路における結露なしに安定し供給
できる。
このように本実施例の光ファイバ母材製造用原料ガス供
給装置は、原料液にキャリヤガスを添加し混合ガスを生
成させた後、この混合ガスより高温に加熱された加熱キ
ャリヤガスが添加されるようにしたので、81C44、
GeC4,等のガラス原料ガスを多量に供給する場合に
、配管系、バーナ等で原料ガスが結露することなく安定
した状態で供給することができる。従って、伝送特性(
特に帯域特性)の安定した光ファイバ用母材を製造でき
る。
しかも、配管を加熱、保温したり、原料タンクを加熱す
ることに比べ構造が簡単である。
〔発明の効果〕  。
以上記述した如く本発明の光ファイバ母材製造用原料ガ
ス供給装置は、簡単な構造で、安定した状態で混合ガス
を供給できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の光ファイバ母材製造用原料ガス供給装置の
実施例の概略図である。 1・・・・・・キャリヤガス導入管、2.3・・・・・
・キャリヤガス流量制御装置、4・・・・・・原料タン
ク、5・・・・・・原料液、6・・・・・・バブリング
装置、9・・・・・・キャリヤガス加熱装置、10・・
・・・・連通部、12・・・・・・混合ガス配管、13
・・・・・加熱キャリヤガス配管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)キャリヤガスを送入されて内部の原料液が混合さ
    れ混合ガス化される原料タンクを設け、該原料タンクか
    らの混合ガスを原料ガス供給装置を通して光ファイバ母
    材製造装置の反応系バーナに供給するものにおいて、上
    記混合ガスの配管の途中に連通され該配管内に加熱キャ
    リヤガスを案内する加熱キャリヤガス配管と、該加熱キ
    ャリヤガス配管の上記配管に対する上記連通した部分よ
    り上流位置に取り付けられ上記混合ガスの温度より高温
    にキャリヤガスを加熱するキャリヤガス加熱装置とを設
    けたことを特徴とする光ファイバ母材製造用原料ガス供
    給装置。
JP27935284A 1984-12-24 1984-12-24 光フアイバ母材製造用原料ガス供給装置 Pending JPS61151032A (ja)

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