JPH01287965A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01287965A JPH01287965A JP11738588A JP11738588A JPH01287965A JP H01287965 A JPH01287965 A JP H01287965A JP 11738588 A JP11738588 A JP 11738588A JP 11738588 A JP11738588 A JP 11738588A JP H01287965 A JPH01287965 A JP H01287965A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は絶縁ゲート型トランジスタのターンオフ時間
短縮を図った半導体装置の製造方法に関するものである
。
短縮を図った半導体装置の製造方法に関するものである
。
第４図は従来のｎチャネル電圧駆動形の伝導度変調素子
Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂ
ｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔａｒ）を示す断面図で
ある。
Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂ
ｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔａｒ）を示す断面図で
ある。
同図において、１はｐ＋半導体基板から成るｐ＋ドレイ
ン層であり、その−力士面上にはキャリアを制御するた
めのｎ＋バッファ層２が形成されている。このｎ＋バッ
ファ層２の表面上にはｎボデ４層３が形成されている。
ン層であり、その−力士面上にはキャリアを制御するた
めのｎ＋バッファ層２が形成されている。このｎ＋バッ
ファ層２の表面上にはｎボデ４層３が形成されている。
このｎボデ４層３の表面の一部領域には、ｐ形不純物を
イオン注入あるいは拡散することによりｐベース領域４
が形成され、さらにこのｐベース領域４の表面の一部領
域には、高濃度のｎ形不純物をイオン注入あるいは拡散
することによりｎ＋ソース領域５が形成されている。ｎ
ボデ４層３の表面とｎ＋ソース領域５の表面とで挟まれ
たｐベース領域４の表面上にはゲート酸化膜６が形成さ
れ、このゲート酸化１！６は隣接するＩＧＢＴセル間で
一体となるようｎボデ４層３の表面上にも形成されてい
る。ゲート酸化膜６上には例えばポリシリコンから成る
ゲート電極７が形成され、またｐベース領域４およびｎ
＋ソース領域５の両方に電気的に接続するように例えば
アルミなどの金属のソース電極８が形成されている。ま
た、ｐ＋ドレイン層１の裏面には金属のドレイン電極９
が全ＩＧＢＴセルに対し一体に形成されている。
イオン注入あるいは拡散することによりｐベース領域４
が形成され、さらにこのｐベース領域４の表面の一部領
域には、高濃度のｎ形不純物をイオン注入あるいは拡散
することによりｎ＋ソース領域５が形成されている。ｎ
ボデ４層３の表面とｎ＋ソース領域５の表面とで挟まれ
たｐベース領域４の表面上にはゲート酸化膜６が形成さ
れ、このゲート酸化１！６は隣接するＩＧＢＴセル間で
一体となるようｎボデ４層３の表面上にも形成されてい
る。ゲート酸化膜６上には例えばポリシリコンから成る
ゲート電極７が形成され、またｐベース領域４およびｎ
＋ソース領域５の両方に電気的に接続するように例えば
アルミなどの金属のソース電極８が形成されている。ま
た、ｐ＋ドレイン層１の裏面には金属のドレイン電極９
が全ＩＧＢＴセルに対し一体に形成されている。
ｎボッィ層３とｎ＋ソース領域５とで挟まれたｐベース
領［４の近傍はｎチャネルのＭＯ８構造となっており、
ゲート電極７が正、ンース電極８が負となるゲート電圧
Ｖ。（＞Ｖ、ｈ（ＩＩ値電圧））を印加することより、
ゲート電極７直下のｐベース領域４の表面近傍のチャネ
ル領域１ｏがｎ型に反転し、このチャネル領域１０を通
じて、電子がｎ＋ソース領域５よりｎボッィ層３へと流
れる。
領［４の近傍はｎチャネルのＭＯ８構造となっており、
ゲート電極７が正、ンース電極８が負となるゲート電圧
Ｖ。（＞Ｖ、ｈ（ＩＩ値電圧））を印加することより、
ゲート電極７直下のｐベース領域４の表面近傍のチャネ
ル領域１ｏがｎ型に反転し、このチャネル領域１０を通
じて、電子がｎ＋ソース領域５よりｎボッィ層３へと流
れる。
一方、ｐ＋ドレイン層１からは少数キャリアである正孔
がｎボッィ層３に注入され、その一部は上記電子と再結
合して消滅し、残りは正孔電流としてｐベース領域３を
流れる。この様にＩＧＢＴは、基本的にバイポーラ的な
動作をし、ｎボッィ層３では、正孔による伝導度変調の
効果により伝導度が増大することにより、従来のパワー
ＭＯ８に比べて低いオン電圧、大きい電流容置を実現で
きる利点がある。
がｎボッィ層３に注入され、その一部は上記電子と再結
合して消滅し、残りは正孔電流としてｐベース領域３を
流れる。この様にＩＧＢＴは、基本的にバイポーラ的な
動作をし、ｎボッィ層３では、正孔による伝導度変調の
効果により伝導度が増大することにより、従来のパワー
ＭＯ８に比べて低いオン電圧、大きい電流容置を実現で
きる利点がある。
通常（７）ＭＯ８ＦＥＴｔ’は、５ｏｏｖを越えルヨう
な高耐圧素子ではｎボッィ層３のオン抵抗を非常に大き
くする必要があるが、ＩＧＢＴでは伝導度変調により高
耐圧なｎボッィ層３の抵抗値を著しく下げることが可能
となり、高耐圧でかつオン電圧の低い素子を実現できる
。
な高耐圧素子ではｎボッィ層３のオン抵抗を非常に大き
くする必要があるが、ＩＧＢＴでは伝導度変調により高
耐圧なｎボッィ層３の抵抗値を著しく下げることが可能
となり、高耐圧でかつオン電圧の低い素子を実現できる
。
従来のＩＧＢＴは以上のように構成されていた。
また、負のグー１−電圧（−Ｖｏ）を印加する・ことで
、ｒＧＢＴをオフさせることができるが、チャネル領域
１０の導電型がｎ−）ｐに戻ると電子はすぐに消滅する
が、ｐ＋ドレイン層１から注入された正孔は自己消滅す
る以外にない。従って、正孔のライフタイムが長いとタ
ーンオフ時間が長くなり高速動作に支障をきたす問題点
があった。
、ｒＧＢＴをオフさせることができるが、チャネル領域
１０の導電型がｎ−）ｐに戻ると電子はすぐに消滅する
が、ｐ＋ドレイン層１から注入された正孔は自己消滅す
る以外にない。従って、正孔のライフタイムが長いとタ
ーンオフ時間が長くなり高速動作に支障をきたす問題点
があった。
正孔の寿命を短くする方法の一〇として完成したｒＧＢ
Ｔへの電子線の照射が挙げられる。この電子線の照射に
よりｎボッィ層３に損傷を与えることで、正孔のライフ
タイムを短くできる。
Ｔへの電子線の照射が挙げられる。この電子線の照射に
よりｎボッィ層３に損傷を与えることで、正孔のライフ
タイムを短くできる。
しかしながら、電子線を照射することによりゲート酸化
膜６にも損傷を与え、さらに照射する電子線が空気中の
酸素と反応しオゾンが大間に発生する。このオゾン等の
イオンがＩＧＢＴウェハ表面に吸着することでチャネル
領１ｉｉ！１０がｎ型に反転しやすくなりＩＧＢＴの閾
値電圧ｖｔｈが変化（低下）してしまう。第５図は電子
線の照射量と閾値電圧Ｖｔｈの変化ΔＶｔｈを示したグ
ラフであるが、同図に示すように、電子線の照射量の増
加に伴い、閾値電圧■ｔｈが大きく低下している。
膜６にも損傷を与え、さらに照射する電子線が空気中の
酸素と反応しオゾンが大間に発生する。このオゾン等の
イオンがＩＧＢＴウェハ表面に吸着することでチャネル
領１ｉｉ！１０がｎ型に反転しやすくなりＩＧＢＴの閾
値電圧ｖｔｈが変化（低下）してしまう。第５図は電子
線の照射量と閾値電圧Ｖｔｈの変化ΔＶｔｈを示したグ
ラフであるが、同図に示すように、電子線の照射量の増
加に伴い、閾値電圧■ｔｈが大きく低下している。
そこで３００℃程度の熱処理（２時間程度）により電子
線照射後の閾値電圧ｖｔｈの低下及びｎボッィ層３の損
傷を回復（アニール）させている。
線照射後の閾値電圧ｖｔｈの低下及びｎボッィ層３の損
傷を回復（アニール）させている。
また、ＩＧ８Ｔ動作時の温度上昇に伴うアニールにより
、動作中における閾値電圧■ｔｈ及びターンオフ時間の
変動を防ぐためにも、予め３００℃程度の熱処理による
アニールが必要である。
、動作中における閾値電圧■ｔｈ及びターンオフ時間の
変動を防ぐためにも、予め３００℃程度の熱処理による
アニールが必要である。
しかし■ｔｈの低下が大きすぎると、■ｔｈの低下を許
容範囲内に回復させるために４５０℃程度の高温での熱
処理が必要となり、ｎボッィ層３の損傷をほとんど回復
させてしまうことになってしまい、結局正孔のライフタ
イムは電子線照射前の状態に戻ってしまうという問題点
があった。
容範囲内に回復させるために４５０℃程度の高温での熱
処理が必要となり、ｎボッィ層３の損傷をほとんど回復
させてしまうことになってしまい、結局正孔のライフタ
イムは電子線照射前の状態に戻ってしまうという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、閾値電圧値の低下を許容範囲内に抑え高速動
作を可能にした半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
たもので、閾値電圧値の低下を許容範囲内に抑え高速動
作を可能にした半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板
を準備する第１工程と、前記半導体基板上に絶縁ゲート
型トランジスタを製造する第２工程と、前記第２工程で
製造された前記トランジスタの表面上を被覆物で覆う第
３工程と、前記トランジスタの前記被覆物上より電子線
を照射する第４工程とを含んでいる。
を準備する第１工程と、前記半導体基板上に絶縁ゲート
型トランジスタを製造する第２工程と、前記第２工程で
製造された前記トランジスタの表面上を被覆物で覆う第
３工程と、前記トランジスタの前記被覆物上より電子線
を照射する第４工程とを含んでいる。
この発明におけるトランジスタへの電子線の照射は、被
覆物を介して行われるため、空気中のオゾン等のイオン
がトランジスタ表面に吸着することはない。
覆物を介して行われるため、空気中のオゾン等のイオン
がトランジスタ表面に吸着することはない。
第１図はこの発明の一実施例であるＩ ＧＢＴの製造方
法説明用の断面図である。
法説明用の断面図である。
以下、第１図を参照してＩＧＢＴの製造方法を示す。ま
ず、ボロン等の不純物を有する比抵抗０．０１ΩＣ１程
度のｐ＋ドレイン層層上上、厚さ２０μｍ、比抵抗０．
０８ΩｃｌＩｌのｎ バッファ層２をエピタキシャル成
長により形成する。さらに連続的にエピタキシャル成長
により約５００Ｃ１の高比抵抗のｎボッィ層３を１００
μｍ程度の厚さで形成する。ｎボッィ層３は上記した厚
さ、比抵抗で１０００ｖ程度の耐圧性がある。
ず、ボロン等の不純物を有する比抵抗０．０１ΩＣ１程
度のｐ＋ドレイン層層上上、厚さ２０μｍ、比抵抗０．
０８ΩｃｌＩｌのｎ バッファ層２をエピタキシャル成
長により形成する。さらに連続的にエピタキシャル成長
により約５００Ｃ１の高比抵抗のｎボッィ層３を１００
μｍ程度の厚さで形成する。ｎボッィ層３は上記した厚
さ、比抵抗で１０００ｖ程度の耐圧性がある。
ｎボディ層３上全面に厚さｉ ｏｏｏ人程度の酸化膜を
形成し、この酸化股上にポリシリコン層を形成する。こ
れらの酸化膜、ポリシリコン層に対する写真製版によっ
てゲート酸化膜６及びゲート電極７を形成し、このゲー
ト電極７をマスクとしてイオン注入法によりボロンを注
入し、ｐベース領域４を形成する。ざらに同じくゲート
電極７をマスクとしてリン、ヒ素等の不純物を有するｎ
ソース領［５を拡散又はイオン注入法によって形成する
。次にｎソース領域５とｐベース領域４を電気的に接続
したアルミ等の金属よりなるソース電極８を形成し、ざ
らにｐ＋ドレイン層にオーミック接続されるドレイン電
極９が形成される。
形成し、この酸化股上にポリシリコン層を形成する。こ
れらの酸化膜、ポリシリコン層に対する写真製版によっ
てゲート酸化膜６及びゲート電極７を形成し、このゲー
ト電極７をマスクとしてイオン注入法によりボロンを注
入し、ｐベース領域４を形成する。ざらに同じくゲート
電極７をマスクとしてリン、ヒ素等の不純物を有するｎ
ソース領［５を拡散又はイオン注入法によって形成する
。次にｎソース領域５とｐベース領域４を電気的に接続
したアルミ等の金属よりなるソース電極８を形成し、ざ
らにｐ＋ドレイン層にオーミック接続されるドレイン電
極９が形成される。
このようして形成されたＩＧＢＴウェハの表面を約１０
０μｍ程度の薄いフィルム膜１１で覆う。
０μｍ程度の薄いフィルム膜１１で覆う。
このフィルム膜１１による被覆は、ポリイミドやレジス
ト等を液状にしスピナー等でコーディングすることで熱
的に重合させフィルム化することで行われる。そして、
第１図で示すようにフィルム膜１１上から電子線１２を
照射することでｎボッィ層３に損傷を与え、正孔のライ
フタイムを短くする。第２図はフィルム膜１１の有無に
よるＩＧＢＴの電子線照射］と閾値電圧変化ΔＶｔｈの
関係を示すグラフである。同図に示すようにフィルム膜
１１を有するＩＧＢＴ（図中Ｌ１で示す）の方が、フィ
ルム膜を有さないＩＧＢＴ （図中Ｌ２で示す）より、
電子線照射に基づく閾値電圧変化ΔＶｔｈは半分以下程
度に抑えられていることがわかる。−例を示すと、厚さ
１５００人のゲート酸化膜６を有するＩＧＢＴに加速電
圧１Ｍｅｖ、ドーズｆｆ１５Ｘ１０”／ｃｍの電子線を
照射した場合、フィルム膜１１を有したＩＧＢＴで一１
０ｖ程度、フィルム膜を有さなかったＩ ＧＢＴで一２
８Ｖ程度の閾値電圧変化Δｖｔｈがみられた。
ト等を液状にしスピナー等でコーディングすることで熱
的に重合させフィルム化することで行われる。そして、
第１図で示すようにフィルム膜１１上から電子線１２を
照射することでｎボッィ層３に損傷を与え、正孔のライ
フタイムを短くする。第２図はフィルム膜１１の有無に
よるＩＧＢＴの電子線照射］と閾値電圧変化ΔＶｔｈの
関係を示すグラフである。同図に示すようにフィルム膜
１１を有するＩＧＢＴ（図中Ｌ１で示す）の方が、フィ
ルム膜を有さないＩＧＢＴ （図中Ｌ２で示す）より、
電子線照射に基づく閾値電圧変化ΔＶｔｈは半分以下程
度に抑えられていることがわかる。−例を示すと、厚さ
１５００人のゲート酸化膜６を有するＩＧＢＴに加速電
圧１Ｍｅｖ、ドーズｆｆ１５Ｘ１０”／ｃｍの電子線を
照射した場合、フィルム膜１１を有したＩＧＢＴで一１
０ｖ程度、フィルム膜を有さなかったＩ ＧＢＴで一２
８Ｖ程度の閾値電圧変化Δｖｔｈがみられた。
次に、フィルム膜１１を取去り、閾値電圧変化Δ■ｔｈ
回復のための熱処理を行う。第３図は、フィルム膜の有
無による電子線照射後のＩＧＢＴのアニール温度とａｍ
電圧の関係、及びアニール温度とターンオフ時間の関係
を示したグラフである。
回復のための熱処理を行う。第３図は、フィルム膜の有
無による電子線照射後のＩＧＢＴのアニール温度とａｍ
電圧の関係、及びアニール温度とターンオフ時間の関係
を示したグラフである。
同図に示すように、−２，−３Ｖ程度の閾ｍ電圧変化Δ
■ｔｈを許容範囲とすれば、電子線照射時にフィルム膜
１１を有したＩＧＢＴ（図中Ｌ３で示す）の閾値電圧■
ｔｈは３２０〜３３０℃程度で回復する。一方、フィル
ム１１１１を有さなかったＩＧＢＴ （図中Ｌ４で示す
）は３８０℃以上のアニール温度が要求される。
■ｔｈを許容範囲とすれば、電子線照射時にフィルム膜
１１を有したＩＧＢＴ（図中Ｌ３で示す）の閾値電圧■
ｔｈは３２０〜３３０℃程度で回復する。一方、フィル
ム１１１１を有さなかったＩＧＢＴ （図中Ｌ４で示す
）は３８０℃以上のアニール温度が要求される。
一方、アニール温度によりｎボッィ層３が回復すること
によるターンオフ時間は電子線照射時のフィルム膜の有
無に関係なく同一である（図中Ｌ５で示す。）。従って
、電子線照射時にフィルム膜１１を有したＩＧＢＴは３
２０〜３３０℃程度の熱処理で閾値電圧Ｖ、−回復する
ためターンオフ時間は１μｓ程度であるのに対して、電
子照射時にフィルム膜１１無しのＩＧＢＴは３８０℃以
上の熱処理で閾値電圧ｖｔｈが回復するため、４〜５μ
ｓと、電子線照射以前の状態に戻ってしまう。
によるターンオフ時間は電子線照射時のフィルム膜の有
無に関係なく同一である（図中Ｌ５で示す。）。従って
、電子線照射時にフィルム膜１１を有したＩＧＢＴは３
２０〜３３０℃程度の熱処理で閾値電圧Ｖ、−回復する
ためターンオフ時間は１μｓ程度であるのに対して、電
子照射時にフィルム膜１１無しのＩＧＢＴは３８０℃以
上の熱処理で閾値電圧ｖｔｈが回復するため、４〜５μ
ｓと、電子線照射以前の状態に戻ってしまう。
このように、フィルム膜１１を形成したＩＧＢＴ上より
電子線照射することで、オゾン等のイオンがＩＧＢＴウ
ェハ表面に吸着するのを確実に防止し、閾値電圧変化Δ
■ｔｈを最小限に抑制できる。
電子線照射することで、オゾン等のイオンがＩＧＢＴウ
ェハ表面に吸着するのを確実に防止し、閾値電圧変化Δ
■ｔｈを最小限に抑制できる。
このため、ｎボッィ層３がほぼ完全に回復する以前のア
ニール温度で閾値電圧Ｖｔｈの熱処理における回復が図
れる。従ってターンオフ時間の短縮を維持できる。
ニール温度で閾値電圧Ｖｔｈの熱処理における回復が図
れる。従ってターンオフ時間の短縮を維持できる。
なお、フィルム膜１１の形成方法は実施例に示した以外
にも薬包紙やポリエチレンで袋をつくり、その袋の中に
ＩＧＢＴウェハを入れても良く、薄膜を表面に着けても
よい。しかしながら、ＩＧＢＴの製造ラインに電子線装
置がイオン注入機のように装備されている場合は、実施
例で示した方法が自動化に適している。
にも薬包紙やポリエチレンで袋をつくり、その袋の中に
ＩＧＢＴウェハを入れても良く、薄膜を表面に着けても
よい。しかしながら、ＩＧＢＴの製造ラインに電子線装
置がイオン注入機のように装備されている場合は、実施
例で示した方法が自動化に適している。
また、フィルム膜１１の厚みはＩＧＢＴへの電子線の透
過性を考えて十分に薄くする必要がある。
過性を考えて十分に薄くする必要がある。
加速電圧０．７〜１ｌｙｌａｖ程度で照射する場合は１
００〜２００μｍ程度以下にすることが望ましい。
００〜２００μｍ程度以下にすることが望ましい。
また、この実施例ではｎチャネルＩＧＢＴに関して述べ
たが、ｐチャネルＩＧＢＴにも勿論適用できる。
たが、ｐチャネルＩＧＢＴにも勿論適用できる。
〔発明の効果）
以上説明したように、この発明によれば、トランジスタ
への電子線の照射を被覆物を介して行ったため、比較的
低いアニール温度で安定した閾値電圧に回復することが
できるため、ターンオフ時間の短い絶縁ゲート型トラン
ジスタを製造することができる効果がある。
への電子線の照射を被覆物を介して行ったため、比較的
低いアニール温度で安定した閾値電圧に回復することが
できるため、ターンオフ時間の短い絶縁ゲート型トラン
ジスタを製造することができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例であるＩＧＢＴの製造方法
を示すＩＧＢＴの断面図、第２図はこの発明により製造
されたＩＧＢＴにおける電子線照射量と閾値電圧変化の
関係を示すグラフ、第３図はアニール温度とＩＧＢＴの
閾値電圧変化及びターンオフ時間の関係を示すグラフ、
第４図は従来のＩＧＢＴを示す断面図、第５図は従来の
ＩＧＢＴにおける電子線照射量と閾値電圧変化の関係を
示すグラフである。 図において、１１はフィルム膜、１２は電子線である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示すＩＧＢＴの断面図、第２図はこの発明により製造
されたＩＧＢＴにおける電子線照射量と閾値電圧変化の
関係を示すグラフ、第３図はアニール温度とＩＧＢＴの
閾値電圧変化及びターンオフ時間の関係を示すグラフ、
第４図は従来のＩＧＢＴを示す断面図、第５図は従来の
ＩＧＢＴにおける電子線照射量と閾値電圧変化の関係を
示すグラフである。 図において、１１はフィルム膜、１２は電子線である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板を準備する第１工程と、 前記半導体基板上に絶縁ゲート型トランジスタを製造す
る第２工程と、 前記第２工程で製造された前記トランジスタの表面上を
被覆物で覆う第３工程と、 前記トランジスタの前記被覆物上より電子線を照射する
第４工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738588A JPH01287965A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11738588A JPH01287965A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287965A true JPH01287965A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14710340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11738588A Pending JPH01287965A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287965A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04229660A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-08-19 | Internatl Rectifier Corp | 非常に深い濃度増加領域を備えたパワートランジスタデバイス |
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| KR100390893B1 (ko) * | 1996-10-30 | 2003-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| US7468304B2 (en) | 2005-09-06 | 2008-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating oxide semiconductor device |
Citations (3)
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| JPS62219664A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11738588A patent/JPH01287965A/ja active Pending
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