JPH01287952A - 高周波素子用パッケージとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高周波素子を収納するパッドアレイパッケー
ジやＰＧＡ　（ピングリッドアレイ）パッケージ等のセ
ラミック製等のパッケージとその製造方法に関する。

［従来の技術］ 近時、情報処理装置の高速化に伴い、該装置に用いる高
周波素子を収納する高周波特性に優れたパッケージの需
要が高まっている。

この高周波素子を収納するパッケージとして、従来、サ
ーフェイスマウント型のパッドアレイパッケージやＰＧ
Ａパッケージ等のセラミック製のパッケージがある。

このパッドアレイパッケージ等のパッケージは、通常、
該パッケージの信号回路と電源回路とグランド回路に金
めつき等の電気めっきを施す際に用いためっき用回路の
一部を備えている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、上記一部のめっき用回路は、一端がパッケー
ジの信号回路に接続され他端がパッケージの外周面に達
する構造をしていて、パッケージの信号回路に反射信号
が流入する原因となる無終端スタブを形成していた。そ
して、上記めっき用回路からなる無終端スタブが、上記
パッケージの高周波特性を低下させていた。

また、従来、高周波素子を収納したパッケージをプリン
ト基板等に搭載して情報処理装置を形成する場合は、特
公昭６３−４７０９号公報に記載されたように、パッケ
ージを搭載するプリント基板等に終端抵抗やバイパスコ
ンデンサを備えたり、または特公昭６３−２１４９号公
報に記載されたように、パッケージを搭載するプリント
基板等に終端抵抗やバイパスコンデンサを複数個備えた
アレイを搭載したりしていた。そして、上記終端抵抗ヤ
バイパスコンデンサやアレイを用いて、上記パッケージ
やプリント基板等の信号回路に無終端スタブから流入す
る反射信号を除去したり、上記パッケージやプリント基
板等の電源回路に混入する高周波雑音を除去したりして
いた。

しかしながら、上記プリント基板等に備えた終端抵抗や
バイパスコンデンサまたはプリント基板等に搭載した終
端抵抗やバイパスコンデンサを備えたアレイは、プリン
ト基板等の表面を多大に占有して、プリント基板等への
他の装置の搭載やプリント基板等の表面への回路の高密
度形成を妨害した。そして、上記高周波素子を収納した
パッケージを搭載して形成する情報処理装置の高密度実
装化を妨げていた。

本発明は、かかる問題点を解消した、パッドアレイパッ
ケージ等の高周波素子用パッケージとその製造方法を提
供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明の第１の高周波素子
用パッケージは、第１図ないし第６図にその構成例を示
したように、高周波素子ｌを収納するパッケージ２にお
いて、該パッケージ２の表面的に余裕のある外周面部分
３に、パッケージの信号回路４とグランド回路６に接続
された終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃｓまたはパッケ
ージの電源回路５とグランド回路６に接続されたバイパ
スコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃの一方またはその
両方を形成したことを特徴とする。

また、本発明の第２の高周波素子用パッケージは、第７
図ないし第１０図にその構成例を示したように、高周波
素子１を収納するパッケージ２において、該パッケージ
２の表面的に余裕のある外周面部分３に、パッケージの
信号回路４とグランド回路６に接続された終端抵抗接続
用の端子７ａ。

７ｃ、またはパッケージの電源回路５とグランド回路６
に接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７
ｃの一方またはその両方を形成するとともに、上記端子
７ａ、７ｂ、７ｃを形成したパッケージ２の外周面部分
３に上記終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接続された
終端抵抗８、または上記バイパスコンデンサ接続用の端
子７ｂ。

７Ｃに接続されたバイパスコンデンサ９の一方またはそ
の両方を備えたことを特徴とする。

また、本発明の第１の高周波素子用パッケージの製造方
法は、高周波素子１を収納するパッケージ２の製造にお
いて、第１１図および第１２図に示したように、パッケ
ージ２の表面的に余裕のある外周面部分３に導体層１０
を形成するとともに、パッケージ２に上記導体層１０を
パッケージの信号回路４と電源回路５とグランド回路６
にそれぞれ接続するめっき用回路１１を形成して、上記
導体層１０とめっき用回路１１を用いてパッケージの信
号回路４と電源回路５とグランド回路６に電気めっきを
施した後、第１４図および第１５図に示したように、上
記導体層１０をパッケージの信号回路４とグランド回路
６にめっき用回路１１を介して接続された終端抵抗接続
用の端子７ａ、７ｃ、＊たはパッケージの電源回路５と
グランド回路６にめっき用回路１１を介して接続された
バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃの一方また
はその両方に形成することを特徴とする。

また、本発明の第２の高周波素子用パッケージの製造方
法は、高周波素子ｌを収納するパッケージ２の製造にお
いて、第１１図および第１２図に示したように、パッケ
ージ２の表面的に余裕のある外周面部分３に導体層１０
を形成するとともに、パッケージ２に上記導体層１０を
パッケージの信号回路４と電源回路５とグランド回路６
にそれぞれ接続するめっき用回路１１を形成して、上記
導体層１０とめっき用回路１１を用いてパッケージの信
号回路４と電源回路５とグランド回路６に電気めっきを
施した後、第１４図および第１５図に示したように、上
記導体層１０をパッケージの信号回路４とグランド回路
６にめっき用回路１１を介して接続された終端抵抗接続
用の端子７ａ、７Ｃ１またはパッケージの電源回路５と
グランド回路６にめっき用回路１１を介して接続された
バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃの一方また
はその両方に形成するとともに、第１６図および第１７
図に示したように、上記端子７　ａ、　　７　ｂｒ７ｃ
を形成したパッケージの外周面部分３に上記終端抵抗接
続用の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗８、または
上記バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに接続
されたバイパスコンデンサ９の一方またはその両方を備
えることを特徴とする。

［作用］ 本発明の第１の高周波素子用パッケージにおいて、該パ
ッケージ２の表面的に余裕のある外周面部分３に該外周
面部分の終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接続された
終端抵抗を備えれば、該終端抵抗がパッケージ２や該パ
ッケージを搭載するプリント基板等の信号回路４にめっ
き用回路１１等の無終端スタブから流入する反射信号を
除去する。

また、上記パッケージ２の表面的に余裕のある外周面部
分３に該外周面部分のバイパスコンデンサ接続用の端子
７ｂ、７ｃに接続されたバイパスコンデンサを備えれば
、該バイパスコンデンサがパッケージ２や該パッケージ
を搭載するプリント基板等の電源回路５に混入する高周
波雑音を除去する。

本発明の第２の高周波素子用パッケージにおいては、該
パッケージ２の表面的に余裕のある外周面部分３に備え
た該外周面部分の終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接
続された終端抵抗８が、パッケージ２や該パッケージを
搭載するプリント基板等の信号回路４にめっき用回路１
１等の無終端スタブから流入する反射信号を除去する。

また、上記パッケージ２の表面的に余裕のある外周面部
分３に備えた該外周面部分のバイパスコンデンサ接続用
の端子７ｂ、７ｃに接続されたバイパスコンデンサ９が
、パッケージ２や該パッケージを搭載するプリント基板
等の電源回路５に混入する高周波雑音を除去する。

本発明の第１、第２の高周波素子用パッケージの製造方
法によれば、パッケージの信号回路４と電源回路５とグ
ランド回路６に電気めっきを施す際に用いた導体層１０
とめっき用回路１１を用いて、パッケージの表面的に余
裕のある外周面部分３にパッケージの信号回路４とグラ
ンド回路６に接続された終端抵抗接続用の端子７ａ、７
ｃ、またはパッケージの電源回路５とグランド回路６に
接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ。

７Ｃの一方またはその両方を形成できる。

またそれとともに、本発明の第１の製造方法により製造
したパッケージにおいて、該パッケージ２の表面的に余
裕のある外周面部分３に該外周面部分の終端抵抗接続用
の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗を備えれば、該
終端抵抗が上記終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃを構成
する導体層１０とめっき用回路１１からなる無終端スタ
ブからパッケージの信号回路４に流入する反射信号を直
接に除去する。

また同様に、本発明の第２の製造方法により製造したパ
ッケージにおいては、該パッケージ２の表面的に余裕の
ある外周面部分３に備えた該外周面部分の終端抵抗接続
用の端子？ａ、７ｃに接続された終端抵抗８が、上記終
端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃを構成する導体層ｌＯと
めっき用回路１１からなる無終端スタブからパッケージ
の信号回路４に流入する反射信号を直接に除去する。

［実施例］ 次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。

第１図ないし第６図は本発明の第１の高周波素子用パッ
ケージの好適な実施例を示し、第１図と第２図は該パッ
ケージの断面図と正面図、第３図と第４図はもう一つの
該パッケージの一部省略平面図と断面図、第５図と第６
図はさらにもう一つの該パッケージの一部省略平面図と
断面図である。

以下、上記図中の実施例を説明する。

上記図中に示したものは、いずれも上方に開口したキャ
ビティ１２を持つ高周波素子１を収納するセラミック製
のバッドアレイパッケージ２である。

このパッケージ２は、キャビティ１２内に収容する半導
体素子の電極１ａとパッケージ２下面に備えた外部回路
接続用のパッド１３をワイヤ１４を介して接続する、タ
ングステンメタライズ等からなる信号回路４と電源回路
５とグランド回路６を複数備えている。

以上は、従来のパッケージと同様であるが、本発明の第
１の高周波素子用パッケージでは、上記パッケージ２の
表面的に余裕のある外周面部分３の外側面部分３ａまた
は上側面部分３ｂに、パッケージの信号回路４とグラン
ド回路６に接続された終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃ
およびパッケージの電源回路５とグランド回路６に接続
されたバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃを形
成しである。

詳しくは、第１図および第２図に示したパッケージ２に
あっては、該パッケージの外側面部分３ａ上部に、パッ
ケージの信号回路４に接続された終端抵抗接続用のタン
グステンメタライズ等の端子７ａを小間隔ずつあけて複
数並べて形成しであるとともに、該端子７ａの両脇に小
間隔あけてパッケージの電源回路５に接続されたバイパ
スコンデンサ接続用のタングステンメタライズ等の端子
７ｂを形成しである。また、上記パッケージの外側面部
分３ａ下部に、パッケージのグランド回路６に接続され
た終端抵抗とバイパスコンデンサ接続用のタングステン
メタライズ等の帯状の端子７Ｃを形成しである。

また、第３図および第４図に示したパッケージ２にあっ
ては、該パッケージのキャビティ１２周囲４方の上側面
部分３ｂ内側に、パッケージの信号回路４に接続された
終端抵抗接続用のタングステンメタライズ等の端子７ａ
を小間隔ずつあけて複数並べて形成しであるとともに、
上記端子７ａの両脇に小間隔あけてパッケージの電源回
路５に接続されたバイパスコンデンサ接続用のタングス
テンメタライズ等の端子７ｂを形成しである。まり、上
記パッケージのキャビティ１２周囲４方の上側面部分３
ｂ外側に、パッケージのグランド回路６に接続された終
端抵抗とバイパスコンデンサ接続用のタングステンメタ
ライズ等の帯状の端子７ｂを形成しである。

なお、上記第３図および第４図に示したパッケージ２に
おいて、場合によっては、第５図および第６図に示した
ように、パッケージのキャビティ１２周囲４方の上側面
部分３ｂ外側に、パッケージの信号回路４と電源回路５
に接続された端子７ａ、７ｂを形成するとともに、上記
パッケージのキャビティ１２周囲４方の上側面部分３ｂ
内側にパッケージのグランド回路６に接続された帯状の
端子７ｃを形成しても良い。

またここで、上記第５図および第６図に示したパッケー
ジ２において、パッケージのキャビティ１２周縁４方に
備えたキャップ１６取着用のタングステンメタライズ等
からなるシール層１７の幅を広げて、該シール層１７を
上記パッケージのキャピテイ１２周囲４方の上側面部分
３ｂ内側に形成するパッケージのグランド回路６に接続
された終端抵抗とバイパスコンデンサ接続用の端子７Ｃ
と兼用させても良い。

また、上記第１図ないし第６図に示したパッケージでは
、その外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに形成した
端子７ａ、７ｂ、７ｃとパッケージの信号回路４と電源
回路５とグランド回路６を、パッケージの信号回路４と
電源回路５とグランド回路６に金めつき等の電気めっき
を施す際に用いためっき用回路１１や、パッケージ２に
新たに設けたタングステンメタライズ等の導体を充填し
たグイアホール１８を用いて接続しである。

第１図ないし第６図に示した高周波素子用パッケージは
、以上のように構成しである。

次に、その使用例とその作用を説明する。

上記パッケージの端子７ａ、７ｂ、７ｃを形成した表面
的に余裕のある外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに
、該外側面部分または上側面部分の終端抵抗接続用の端
子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗（図示せず。）を備
える。

またそれとともに、上記パッケージの表面的に余裕のあ
る外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに、該外側面部
分や上側面部分のバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ
、７ｃに接続されたバイパスコンデンサ（図示せず。）
を備える。

ここで、上記パッケージの外側面部分３ａまたは上側面
部分３ｂに備える終端抵抗とバイパスコンデンサは、ス
パッタリングまたは蒸着等による薄膜または印刷等によ
る厚膜からなる抵抗体やキャパシタ体、または上記パッ
ケージ２と別個に形成した終端抵抗を複数個持つアレイ
やバイパスコンデンサを複数個持つアレイあるいは終端
抵抗とバイパスコンデンサを複数個持つアレイなどとす
る。

すると、上記終端抵抗がパッケージ２や該パッケージを
搭載するプリント基板等の信号回路４にめっき用回路１
１等の無終端スタブから流入する反射信号を除去し、上
記バイパスコンデンサがパッケージ２や該パッケージを
搭載するプリント基板等の電源回路５に混入する高周波
雑音を除去する。

なお、場合によっては、上述実施例の第１の高周波素子
用パッケージを、その外側面部分３ａまたは上側面部分
３ｂに終端抵抗接続用の端子７　ａ　＋７０またはバイ
パスコンデンサ接続用の端子７ｂ。

７ｃの一方のみを形成した、パッケージの外側面部分３
ａまたは上側面部分３ｂに上記終端抵抗接続用の端子７
ａ、７ｃに接続された終端抵抗または上記バイパスコン
デンサ接続用の端子７ｂ、７Ｃに接続されたバイパスコ
ンデンサの一方を備えて、パッケージ２や該パッケージ
を搭載するプリント基板等の信号回路４に流入する反射
信号を除去するパッケージまたはパッケージ２や該パッ
ケージを搭載するプリント基板等の電源回路に混入する
高周波雑音を除去するパッケージに構成しても良い。

第７図ないし第１０図は本発明の第２の高周波素子用パ
ッケージの好適な実施例を示し、第７図と第８図は該パ
ッケージの断面図と正面図、第９図と第１０図はもう一
つの該パッケージの一部省略平面図と正面図である。以
下、上記図中の実施例を説明する。

上記図中に示したものは、いずれも既述第１図ないし第
６図に示した第１の高周波素子用パッケージと同じ構造
をした、上方に開口したキャピテイ１２を持つバッドア
レイパッケージ２である。

このパッケージ２の表面的に余裕のある外周面部分３の
外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに、既述第１図な
いし第６図のパッケージと同様な、パッケージの信号回
路４とグランド回路６に接続された終端抵抗接続用の端
子７ａ、７ｃ、およびパッケージの電源回路５とグラン
ド回路６に接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子
７ｂ、７Ｃを形成しである。

以上の構造は、既述第１図ないし第６図に示したパッケ
ージと同様であるが、本発明の第２の高周波素子用パッ
ケージにおいては、さらに上記端子７ａ、７ｂ、７ｃを
形成したパッケージの外側面部分３ａまたは上側面部分
３ｂに、該外側面部分または上側面部分の上記終端抵抗
接続用の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗８、およ
び上記バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに接
続されたバイパスコンデンサ９を備えである。

ここで、上記終端抵抗８とバイパスコンデンサ９には、
既述第１図ないし第６図の第１の高周波素子用パッケー
ジの使用例で説明したものと同様な、厚膜または薄膜法
等により形成した終端抵抗８とバイパスコンデンサ９を
用いている。

第７図ないし第１０図に示したパッケージは、以上のよ
うに構成してあり、上記パッケージ２においては、上記
終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗
８が、パッケージ２や該パッケージを搭載するプリント
基板等の信号回路４にめっき用回路１１等の無終端スタ
ブから流入する反射信号を除去し、上記バイパスコンデ
ンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに接続されたバイパスコン
デンサ９が、パッケージ２や該パッケージを搭載するプ
リント基板等の電源回路５に混入する高周波雑音を除去
する。

なお、場合によっては、上述実施例の第２の高周波素子
用パッケージを、その外側面部分３ａまたは上側面部分
３ｂに終端抵抗接続用の端子７ａ。

７ｃまたはバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ。

７ｃの一方のみを形成するとともに、パッケージの外側
面部分３ａまたは上側面部分３ｂに上記終端抵抗接続用
の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗８または上記バ
イパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに接続された
バイパスコンデンサ９の一方を備えた、パッケージ２や
該パッケージを搭載するプリント基板等の信号回路４に
流入する反射信号を除去するパッケージまたはパッケー
ジ２や該パッケージを搭載するプリント基板等の電源回
路５に混入する高周波雑音を除去するパッケージに形成
しても良い。

第１１図および第１２図と第１４図および第１５図は本
発明の第１の高周波素子用パッケージの製造方法の好適
な実施例を示し、第１１図と第１２図は該製造方法に用
いる外側面部分に導体層を形成したパッケージの断面図
と正面図、第１４図と第１５図は該製造方法を用いて形
成した第１の高周波素子用パッケージの断面図と正面図
である。

以下、上記図中に示した製造方法を説明する。

上記図中に示したものは、いずれも既述第１図および第
２図に示したパッケージと同様な構造をした、セラミッ
クのグリーンシートを複数枚積層して焼成して形成する
パッドアレイパッケージ２である。

このパッケージ２の製造において、焼成前のセラミック
のグリーンシートを複数枚積層してなるパッケージ形成
部材（図示せず。）の表面的に余裕のある外側面部分ま
たは上側面部分に、導体層１０形成用のタングステンメ
タライズペースト等のメタライズ層を形成する。

またそれとともに、パッケージ形成部材に、上記メタラ
イズ層をパッケージ形成部材の信号回路４と電源回路５
とグランド回路６形成用のタングステンメタライズペー
スト等の回路にそれぞれ−連に連結するめっき用回路１
１形成用のタングステンメタライズペースト等の回路を
形成する。

そして、上記パッケージ形成部材を焼成して、第１１図
および第１２図に示したような、表面的に余裕のある外
側面部分３ａまたは上側面部分３ｂ（図では外側面部分
３ａとした。）にめっき用回路１１を介してパッケージ
の信号回路４と電源回路５とグランド回路６にそれぞれ
接続された導体層１０を形成したパッケージ２を形成す
る。

そして、上記焼成したパッケージ２に形成した導体層１
０とめっき用回路１１を用いて、パッケージの信号回路
４と電源回路５とグランド回路６の一部にワイヤボンデ
ィング用等の金めつき等の電気めっきを施す。

その後、上記パッケージの外側面部分３ａまたは上側面
部分３ｂの導体層１０の一部を除去して、第１４図およ
び第１５図に示したように、パッケージの外側面部分３
ａまたは上側面部分３ｂに、パッケージの信号回路４と
グランド回路６にめっき用回路１１を介して接続された
終端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃ、およびパッケージの
電源回路５とグランド回路６にめっき用回路１１を介し
て接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ。

７Ｃを、上記導体層１０を用いて形成する。

第１１図および第１２図と第１４図および第１５図に示
した高周波素子用パッケージの製造方法は以上の製造工
程からなり、該方法により製造した高周波素子用パッケ
ージの使用例およびその作用は、既述第１図および第２
図に示した第１の高周波素子用パッケージと同様であり
、その説明を省略する。

なお、上述実施例の第１の高周波素子用パッケージの製
造方法を実施する際は、導体層１０の一部を除去して形
成する終端抵抗接続用の端子７ａ。

７Ｃとバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７Ｃの形
成を容易化するために、導体層ＩＯを、第１３図に示し
たように、上記端子７ａ、７ｂ、７Ｃの形状に合わせて
櫛歯状に形成し、該導体層１０の中途部を図中の破線で
示したように横方向に研削などにより除去するだけで上
記端子７ａ、７ｂ、７ｃを形成できるようにすると良い
。

また、場合によっては、上述筒１の製造方法により製造
するパッケージを、その外側面部分３ａまたは上側面部
分３ｂに形成した導体層１０を終端抵抗接続用の端子７
ａ、７ｃまたはバイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、
７ｃの一方のみに形成シた、パッケージの外側面部分３
ａまたは上側面部分３ｂに上記終端抵抗接続用の端子７
ａ、７Ｃに接続された終端抵抗または上記バイパスコン
デンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに接続されたバイパスコ
ンデンサの一方を備えて、パッケージ２や該パッケージ
を搭載するプリント基板等の信号回路４に流入する反射
信号を除去するパッケージまたはパッケージ２や該パッ
ケージを搭載する電源回路５に混入する高周波雑音を除
去するパッケージに形成しても良い。

第１１図および第１２図と第１４図ないし第１７図は本
発明の第２の高周波素子用パッケージの製造方法の好適
な実施例を示し、第１１図と第１２図は該製造方法に用
いる外側面部分に導体層を形成したパッケージの断面図
と正面図、第１４図と第１５図は該製造方法に用いる上
記外側面部分の導体層を端子に形成したパッケージの断
面図と正面図、第１６図と第１７図は該製造方法を用い
て形成したパッケージの断面図と正面図である。

以下、上記図中の実施例を説明する。

既述実施例の第１の高周波素子用パッケージの製造方法
で説明したパッケージと同様な構造をした、第１１図お
よび第１２図に示したような、表面的に余裕のある外周
面部分３の外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂ（図で
は外側面部分３ａとした。）に、めっき用回路ｔｉを介
してパッケージの信号回路４と電源回路５とグランド回
路６にそれぞれ接続された導体層１０を形成したパッケ
ージ２を形成して、上記導体層１０とめっき用回路１１
を用いて、パッケージ２の信号回路４と電源回路５とグ
ランド回路６の一部に電気めっきを施す。

その後、上記パッケージ２の外側面部分３ａまたは上側
面部分３ｂの導体層１０の一部を除去して、第１４図お
よび第１５図に示したように、パッケージの外側面部分
３ａまたは上側面部分３ｂ（図では外側面部分３ａとし
た。）に、パッケージの信号回路４とグランド回路６に
めっき用回路１１を介して接続された終端抵抗接続用の
端子７ａ、７ｃおよびパッケージの電源回路５とグラン
ド回路６にめっき用回路１１を介して接続されたバイパ
スコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃを、上記導体層ｌ
Ｏを用いて形成する。

そして、上記端子７ａ、７ｂ、７ｃを形成したパッケー
ジの外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに、第１６図
および第１７図に示したように、既述第１の高周波素子
用パッケージの使用例で説明したものと同様な、上記終
端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗８
と、上記バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ、７ｃに
接続されたバイパスコンデンサ９を備える。

第１１図および第１２図と第１４図ないし第１７図に示
した高周波素子用パッケージの製造方法は以上の製造工
程からなり、該方法により製造した高周波素子用パッケ
ージの作用は、既述第７図および第８図に示した第２の
高周波素子用パッケージと同様であり、その説明を省略
する。

なお、場合によっては、上述筒２のパッケージの製造方
法により製造するパッケージを、その外側面部分３ａま
たは上側面部分３ｂに形成した導体層ＩＯを終端抵抗接
続用の端子７ａ、７ｃまたはバイパスコンデンサ接続用
の端子７ｂ、７ｃの一方のみに形成するとともに、パッ
ケージの外側面部分３ａまたは上側面部分３ｂに上記終
端抵抗接続用の端子７ａ、７ｃに接続された終端抵抗８
または上記バイパスコンデンサ接続用の端子７ｂ。

７ｃに接続されたバイパスコンデンサ９の一方を備えた
、パッケージ２や該パッケージを搭載するプリント基板
等の信号回路４に流入する反射信号を除去するパッケー
ジまたはパッケージ２や該パッケージに搭載するプリン
ト基板等の電源回路５に混入する高周波雑音を除去する
パッケージに形成しても良い。

また、上述筒１と第２の高周波素子用パッケージ、およ
び上述筒１と第２の高周波素子用パッケージの製造方法
は、いずれも他のＰＧＡパッケージ等の各種パッケージ
にも利用可能であることは言うまでもない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の第１の高周波素子用パッ
ケージにおいては、該パッケージの表面的に余裕のある
外周面部分に、該外周面部分に形成した終端抵抗接続用
の端子に接続された終端抵抗、またはバイパスコンデン
サ接続用の端子に接続されたバイパスコンデンサの一方
またはその両方を備えれば、上記終端抵抗がパッケージ
や該パッケージを搭載するプリント基板等の信号回路に
めっき用回路等の無終端スタブから流入する反射信号を
除去し、上記バイパスコンデンサがパッケージや該パッ
ケージを搭載するプリント基板等の電源回路に混入する
高周波雑音を除去する。

そのため、本発明の第１の高周波素子用パッケージを用
いれば、該パッケージを搭載するプリント基板等に、終
端抵抗やバイパスコンデンサを備えたり、終端抵抗やバ
イパスコンデンサを備えたアレイを搭載したりする必要
がなくなり、高周波特性に優れた高密度実装化した情報
処理装置を形成できる。

また、本発明の第２の高周波素子用パッケージにおいて
は、該パッケージの表面的に余裕のある外周面部分に備
えた終端抵抗接続用の端子に接続された終端抵抗が、パ
ッケージや該パッケージを搭載するプリント基板等の信
号回路にめっき用回路等の無終端スタブから流入する反
射信号を除去し、該パッケージの表面的に余裕のある外
周面部分に備えたバイパスコンデンサ接続用の端子に接
続されたバイパスコンデンサが、パッケージや該パッケ
ージを搭載するプリント基板等の電源回路に混入する高
周波雑音を除去する。

そのため、本発明の第２の高周波素子用パッケージを用
いれば、該パッケージを搭載するプリント基板等に、終
端抵抗やバイパスコンデンサを備えたり、終端抵抗やバ
イパスコンデンサを備えたアレイを搭載したりする必要
がな（なり、高周波特性に優れた高密度実装化した情報
処理装置を形成できる。

また、本発明の第１１第２の高周波素子用パッケージの
製造方法においては、パッケージの信号回路と電源回路
とグランド回路に電気めっきを施す際に用いた導体層と
めっき用回路を用いて、パッケージの表面的に余裕のあ
る外周面部分に、パッケージの信号回路とグランド回路
に接続された終端抵抗接続用の端子、またはパッケージ
の電源回路とグランド回路に接続されたバイパスコンデ
ンサ接続用の端子の一方またはその両方を形成したため
、パッケージに、該パッケージの信号回路とグランド回
路に接続された終端抵抗接続用の端子や、パッケージの
電源回路とグランド回路に接続されたバイパスコンデン
サ接続用の端子を新たに備える必要がない。

またそれとともに、本発明の第１の製造方法により製造
したパッケージにおいて、該パッケージの表面的に余裕
のある外周面部分に該外周面部分の終端抵抗接続用の端
子に接続された終端抵抗を備えれば、該終端抵抗が上記
終端抵抗接続用の端子を形成する導体層とめっき用回路
からなる無終端スタブからパッケージの信号回路に流入
する反射信号を直接に的確に除去する。

また同様に、本発明の第２の製造方法により製造したパ
ッケージにおいては、パッケージの表面的に余裕のある
外周面部分に備えた該外周面部分の終端抵抗接続用の端
子に接続された終端抵抗が、上記終端抵抗接続用の端子
を形成する導体層とめっき用回路からなる無終端スタブ
からパッケージの信号回路に流入する反射信号を直接に
的確に除去する。

そのため、本発明の第１、第２の製造方法により高周波
素子用パッケージを形成すれば、高周波特性に優れたパ
ッケージを手数を掛けずに容易に形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は本発明の第１の高周波素子用パッケー
ジの断面図と正面図、第３図と第４図は本発明の第１の
高周波素子用パッケージの一部省略平面図と断面図、第
５図と第６図は本発明の第１の高周波素子用パッケージ
の一部省略平面図と断面図、第７図と第８図は本発明の
第２の高周波素子用パッケージの断面図と正面図、第９
図と第１０図は本発明の第２の高周波素子用パッケージ
の一部省略平面図と断面図、第１１図と第１２図と第１
３図は本発明の第１、第２の高周波素子用パッケージの
製造方法に用いるパッケージの断面図と正面図、第１４
図と第１５図は本発明の第１の高周波素子用パッケージ
の製造方法により製造したパッケージまたは本発明の第
２の高周波素子用パッケージの製造方法に用いるパッケ
ージの断面図と正面図、第１６図と第１７図は本発明の
第２の高周波素子用パッケージの製造方法により製造し
たパッケージの断面図と正面図である。 ■・・高周波素子、　２・・パッケージ、３・・外周面
部分、　３ａ・・外側面部分、３ｂ・・上側面部分、　
４・・信号回路、５・・電源回路、　６・・グランド回
路、７．７ａ、７ｂ・・端子、　８・・終端抵抗、９・
・バイパスコンデンサ、　　１０・・導体層、１１・・
めっき用回路。 特許出願人　新光電気工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、高周波素子を収納するパッケージにおいて、該パッ
   ケージの表面的に余裕のある外周面部分に、パッケージ
   の信号回路とグランド回路に接続された終端抵抗接続用
   の端子、またはパッケージの電源回路とグランド回路に
   接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子の一方また
   はその両方を形成したことを特徴とする高周波素子用パ
   ッケージ。 ２、高周波素子を収納するパッケージにおいて、該パッ
   ケージの表面的に余裕のある外周面部分に、パッケージ
   の信号回路とグランド回路に接続された終端抵抗接続用
   の端子、またはパッケージの電源回路とグランド回路に
   接続されたバイパスコンデンサ接続用の端子の一方また
   はその両方を形成するとともに、上記端子を形成したパ
   ッケージの外周面部分に上記終端抵抗接続用の端子に接
   続された終端抵抗、または上記バイパスコンデンサ接続
   用の端子に接続されたバイパスコンデンサの一方または
   その両方を備えたことを特徴とする高周波素子用パッケ
   ージ。 ３、高周波素子を収納するパッケージの製造において、
   該パッケージの表面的に余裕のある外周面部分に導体層
   を形成するとともに、パッケージに上記導体層をパッケ
   ージの信号回路と電源回路とグランド回路にそれぞれ接
   続するめっき用回路を形成して、上記導体層とめっき用
   回路を用いてパッケージの信号回路と電源回路とグラン
   ド回路に電気めっきを施した後、上記導体層をパッケー
   ジの信号回路とグランド回路にめっき用回路を介して接
   続された終端抵抗接続用の端子、またはパッケージの電
   源回路とグランド回路にめっき用回路を介して接続され
   たバイパスコンデンサ接続用の端子の一方またはその両
   方に形成することを特徴とする高周波素子用パッケージ
   の製造方法。 ４、高周波素子を収納するパッケージの製造において、
   該パッケージの表面的に余裕のある外周面部分に導体層
   を形成するとともに、パッケージに上記導体層をパッケ
   ージの信号回路と電源回路とグランド回路にそれぞれ接
   続するめっき用回路を形成して、上記導体層とめっき用
   回路を用いてパッケージの信号回路と電源回路とグラン
   ド回路に電気めっきを施した後、上記導体層をパッケー
   ジの信号回路とグランド回路にめっき用回路を介して接
   続された終端抵抗接続用の端子、またはパッケージの電
   源回路とグランド回路にめっき用回路を介して接続され
   たバイパスコンデンサ接続用の端子の一方またはその両
   方に形成するとともに、上記端子を形成したパッケージ
   の外周面部分に上記終端抵抗接続用の端子に接続された
   終端抵抗、または上記バイパスコンデンサ接続用の端子
   に接続されたバイパスコンデンサの一方またはその両方
   を備えることを特徴とする高周波素子用パッケージの製
   造方法。