JPH0128681Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0128681Y2 JPH0128681Y2 JP20213584U JP20213584U JPH0128681Y2 JP H0128681 Y2 JPH0128681 Y2 JP H0128681Y2 JP 20213584 U JP20213584 U JP 20213584U JP 20213584 U JP20213584 U JP 20213584U JP H0128681 Y2 JPH0128681 Y2 JP H0128681Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor element
- shuttle
- cavity
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、半導体素子を付着した粘着テープな
どのようなフイルムから該半導体素子を1個ずつ
剥離する半導体素子剥離機構に関するものであ
る。
どのようなフイルムから該半導体素子を1個ずつ
剥離する半導体素子剥離機構に関するものであ
る。
半導体ウエハから半導体素子を分離して使用す
る場合、半導体ウエハをスクライブして得た半導
体素子を一旦粘着テープなどのようなフイルムに
付着して保持し、該フイルムから半導体素子を1
個ずつ剥離して使用する方法がある。この方法に
おけるフイルムに付着した半導体素子を剥離する
機構として、従来、種々の方式のものが使用され
ているが、次に示す方式のものが最も広く使用さ
れている。
る場合、半導体ウエハをスクライブして得た半導
体素子を一旦粘着テープなどのようなフイルムに
付着して保持し、該フイルムから半導体素子を1
個ずつ剥離して使用する方法がある。この方法に
おけるフイルムに付着した半導体素子を剥離する
機構として、従来、種々の方式のものが使用され
ているが、次に示す方式のものが最も広く使用さ
れている。
第2図は従来の半導体素子剥離機構の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
フイルム保持台1の中央部に突起11周辺部の
上端に平面部分をもつ側壁12を備え、突起11
の上端と側壁12の上端平面部分がほぼ同一平面
に位置するように構成されていて、側壁11の周
囲には窪み13が設けられ、窪み13はバキユー
ム溝14,14′によつて空洞部15に連結され
ている。空洞部15はフイルム保持台1の下部に
設置された真空ポンプ(図示してない)に連結さ
れている。
上端に平面部分をもつ側壁12を備え、突起11
の上端と側壁12の上端平面部分がほぼ同一平面
に位置するように構成されていて、側壁11の周
囲には窪み13が設けられ、窪み13はバキユー
ム溝14,14′によつて空洞部15に連結され
ている。空洞部15はフイルム保持台1の下部に
設置された真空ポンプ(図示してない)に連結さ
れている。
このフイルム保持台1の上に半導体素子3を付
着したフイルム2を、半導体素子3の中心部が突
起11の上端に位置するように配置する。
着したフイルム2を、半導体素子3の中心部が突
起11の上端に位置するように配置する。
次いで、空洞部15の気圧を下げると窪み13
部の気圧が下り窪み13部に面するフイルム2部
分に吸引力が加わる。
部の気圧が下り窪み13部に面するフイルム2部
分に吸引力が加わる。
したがつて突起11で支持されている半導体素
子3は固定され伸縮性並びに可塑性のあるフイル
ム2の突起11で支えられている部分以外は窪み
13内に吸引され、半導体素子3がフイルム2か
ら剥離する。
子3は固定され伸縮性並びに可塑性のあるフイル
ム2の突起11で支えられている部分以外は窪み
13内に吸引され、半導体素子3がフイルム2か
ら剥離する。
この状態でコレツト(図示してない)により半
導体素子3を上から吸着すれば容易に取得できて
次工程へ送ることができる。
導体素子3を上から吸着すれば容易に取得できて
次工程へ送ることができる。
この剥離作業を半導体素子のパターン認識を行
いながら実施する場合、パターン認識装置の設置
位置の関係からフイルム2の面を水平面に対して
少し傾斜させた方が正確なパターン認識がえられ
る場合がある。
いながら実施する場合、パターン認識装置の設置
位置の関係からフイルム2の面を水平面に対して
少し傾斜させた方が正確なパターン認識がえられ
る場合がある。
上記の場合に適合する機構として、従来、次に
示す方式のものが使用されてきた。
示す方式のものが使用されてきた。
第3図は従来の半導体素子剥離機構の他の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
フイルム保持台4の頂部は山頂形状になつてお
り、フイルム保持台4の内部空洞部42内に挿入
された針状物体41はカム45リンク46等によ
り構成された駆動機構によつて上下に駆動され、
内部空洞部42の側壁に沿つて摺動する。
り、フイルム保持台4の内部空洞部42内に挿入
された針状物体41はカム45リンク46等によ
り構成された駆動機構によつて上下に駆動され、
内部空洞部42の側壁に沿つて摺動する。
開口44は内部空洞部42内の気圧を一定に保
持するために設けられたものである。
持するために設けられたものである。
このフイルム保持台4の上に、半導体素子3を
付着したフイルム2を、フイルム2の面が水平面
に対して少し傾斜する状態になるように配置す
る。
付着したフイルム2を、フイルム2の面が水平面
に対して少し傾斜する状態になるように配置す
る。
この状態で、半導体素子3の中心部がフイルム
支持台4の頂部中央部に設けられた貫通孔43の
中心部に位置するようにフイルム2の位置を調整
する。
支持台4の頂部中央部に設けられた貫通孔43の
中心部に位置するようにフイルム2の位置を調整
する。
次いで、針状物体41を駆動機構によつて押し
上げ、先端部によつてフイルム2を介して半導体
素子3の中心部を突き上げフイルム2から半導体
素子3を剥離する。
上げ、先端部によつてフイルム2を介して半導体
素子3の中心部を突き上げフイルム2から半導体
素子3を剥離する。
フイルム2の面を水平面に傾斜させた状態で該
フイルム2に付着した半導体素子を剥離する従来
の機構は以上のように構成されているので、半導
体素子を突き上げる針状物体41を上下運動させ
る駆動機構は、カム45、リンク46等で構成し
たもので複雑な構造のため、安定性に乏しく、保
守管理が容易でなく、また、第2図に示す方式の
ものに比べ、半導体素子3に急激な突き上げ力が
加えられるので、半導体素子3が破損する割合が
高いという問題点があつた。
フイルム2に付着した半導体素子を剥離する従来
の機構は以上のように構成されているので、半導
体素子を突き上げる針状物体41を上下運動させ
る駆動機構は、カム45、リンク46等で構成し
たもので複雑な構造のため、安定性に乏しく、保
守管理が容易でなく、また、第2図に示す方式の
ものに比べ、半導体素子3に急激な突き上げ力が
加えられるので、半導体素子3が破損する割合が
高いという問題点があつた。
この考案は上記の問題点を解消するためになさ
れたもので安定性がよく、保守管理が容易で、半
導体素子を破損する恐れのない剥離機構を提供す
ることを目的とするものである。
れたもので安定性がよく、保守管理が容易で、半
導体素子を破損する恐れのない剥離機構を提供す
ることを目的とするものである。
この考案に係る機構は、台部の上端部に設けら
れた空洞部の側壁に沿つて、該空洞部の気圧の増
減によつて摺動し、上記へ押し上げられた状態の
ときは、頂部がフイルムを押し上げ、該フイルム
面が水平面に対して少し傾斜した状態に展張する
シヤトル部と前記空洞部の中心部に固定され、上
記シヤトル部の中心部に設けた貫通孔に挿入さ
れ、上記シヤトル部が上部へ押し上げられた状態
のときのシヤトル部の頂部の面と同一の面に配置
された先端部が、シヤトル部が下降すると、フイ
ルムに付着した半導体素子の中心部を支え、内外
の気圧差によつて内側へ引つ張られるフイルムか
ら該半導体素子を剥離する針状物体を備えたもの
である。
れた空洞部の側壁に沿つて、該空洞部の気圧の増
減によつて摺動し、上記へ押し上げられた状態の
ときは、頂部がフイルムを押し上げ、該フイルム
面が水平面に対して少し傾斜した状態に展張する
シヤトル部と前記空洞部の中心部に固定され、上
記シヤトル部の中心部に設けた貫通孔に挿入さ
れ、上記シヤトル部が上部へ押し上げられた状態
のときのシヤトル部の頂部の面と同一の面に配置
された先端部が、シヤトル部が下降すると、フイ
ルムに付着した半導体素子の中心部を支え、内外
の気圧差によつて内側へ引つ張られるフイルムか
ら該半導体素子を剥離する針状物体を備えたもの
である。
第1図はこの考案の一実施例を示す断面図であ
り、図において第3図と同一の符合は同一又は相
当部分を示し、51は台部、52は台部51の上
端部に設けた空洞部56の側壁、53は側壁52
に沿つて上下に往復運動をするシヤトル部分、5
4は空洞部56の内部の中心部に固定され、シヤ
トル部53の中心部に設けた貫通孔55に挿入さ
れた針状物体、空洞部56は管57を介して図示
しないが加圧機構と減圧機構に連結されている。
り、図において第3図と同一の符合は同一又は相
当部分を示し、51は台部、52は台部51の上
端部に設けた空洞部56の側壁、53は側壁52
に沿つて上下に往復運動をするシヤトル部分、5
4は空洞部56の内部の中心部に固定され、シヤ
トル部53の中心部に設けた貫通孔55に挿入さ
れた針状物体、空洞部56は管57を介して図示
しないが加圧機構と減圧機構に連結されている。
シヤトル部53は、空洞部56の気圧の増減に
よつて側壁52に沿つて摺動し、空洞部56が加
圧されてシヤトル部53が上部へ押し上げられた
状態のときは、平面上の頂部が周辺部を保持した
フイルム2を押し上げ、フイルム2をその面を水
平面に対して少し傾斜させた状態に展張する。
よつて側壁52に沿つて摺動し、空洞部56が加
圧されてシヤトル部53が上部へ押し上げられた
状態のときは、平面上の頂部が周辺部を保持した
フイルム2を押し上げ、フイルム2をその面を水
平面に対して少し傾斜させた状態に展張する。
次に空洞部56が減圧されて、シヤトル部53
が下方へ押し下げられると、シヤトル部53が上
方へ押し上げられた状態のときのシヤトル部53
の頂部の面と同一の面に配置された針状物体54
の先端部が、フイルム2に付着した半導体素子3
の中心部分を支え、半導体素子3は、位置が保持
される。
が下方へ押し下げられると、シヤトル部53が上
方へ押し上げられた状態のときのシヤトル部53
の頂部の面と同一の面に配置された針状物体54
の先端部が、フイルム2に付着した半導体素子3
の中心部分を支え、半導体素子3は、位置が保持
される。
一方、下方へ押し下げられたシヤトル部53と
フイルム2の間にできる空間は、貫通孔55を介
して空洞部56につながつているので、減圧状態
となりフイルム2の針状物体54の先端部で支え
られている部分以外は内側に吸引され、フイルム
2が半導体素子3から剥離する。
フイルム2の間にできる空間は、貫通孔55を介
して空洞部56につながつているので、減圧状態
となりフイルム2の針状物体54の先端部で支え
られている部分以外は内側に吸引され、フイルム
2が半導体素子3から剥離する。
この状態でコレクトにより半導体素子3を上か
ら吸着すれば容易に該半導体素子3を剥離するこ
とができる。
ら吸着すれば容易に該半導体素子3を剥離するこ
とができる。
以上のように、この考案によれば、空洞部56
の気圧の増減によつて側壁52に沿つて摺動し、
上方へ押し上げられたシヤトル部53で、フイル
ム2を面が水平面に対して少し傾斜した状態に支
え、空洞部56を減圧して、シヤトル部53を下
方へ下げると、固定した針状物体54の先端部が
フイルム2に付着した半導体素子3の中心部分を
支え、その他の部分が減圧によつて内側へ吸引さ
れ、フイルム2から半導体素子3を剥離する構成
としたので、針状物体54は固定でシヤトル部5
3を駆動する機構は気圧の増減による方式の簡単
な構造のため、安定性が高く保守管理が容易で、
かつ、半導体素子に急激な突き上げ力が加えられ
ることがないので、半導体素子が破損されること
がなくなるという効果がある。
の気圧の増減によつて側壁52に沿つて摺動し、
上方へ押し上げられたシヤトル部53で、フイル
ム2を面が水平面に対して少し傾斜した状態に支
え、空洞部56を減圧して、シヤトル部53を下
方へ下げると、固定した針状物体54の先端部が
フイルム2に付着した半導体素子3の中心部分を
支え、その他の部分が減圧によつて内側へ吸引さ
れ、フイルム2から半導体素子3を剥離する構成
としたので、針状物体54は固定でシヤトル部5
3を駆動する機構は気圧の増減による方式の簡単
な構造のため、安定性が高く保守管理が容易で、
かつ、半導体素子に急激な突き上げ力が加えられ
ることがないので、半導体素子が破損されること
がなくなるという効果がある。
第1図は、この考案の一実施例を示す断面図、
第2図は従来の半導体素子剥離機構の一例を示す
断面図、第3図は従来の半導体素子剥離機構の他
の一例を示す断面図である。 2……フイルム、3……半導体素子、51……
台部、52……側壁、53……シヤトル部、54
……針状物体、55……貫通孔、56……空洞
部、57……管。
第2図は従来の半導体素子剥離機構の一例を示す
断面図、第3図は従来の半導体素子剥離機構の他
の一例を示す断面図である。 2……フイルム、3……半導体素子、51……
台部、52……側壁、53……シヤトル部、54
……針状物体、55……貫通孔、56……空洞
部、57……管。
Claims (1)
- 半導体素子を付着したフイルムから、該半導体
素子を1個ずつ剥離する半導体素子剥離機構にお
いて、空洞部の気圧の増減によつて台部の端部に
設けた空洞部の側壁に沿つて摺動し、気圧によつ
て上部へ押し上げられた状態のときに平面状の頂
部が周辺部を保持したフイルムを押し上げて該フ
イルムを展張するシヤトル部と、前記空洞部内部
の中心部に固定されて前記シヤトル部の中心部に
設けた貫通孔に挿入され、前記シヤトル部が気圧
によつて上部へ押し上げられた状態のときの該シ
ヤトル部の頂部の面と同一の面に配置された先端
部が、前記空洞部の気圧が下り、前記シヤトル部
が下降したとき、前記フイルムに付着した半導体
素子の中心部を支え、内外の気圧の差によつて内
側へ引つ張られる前記フイルムから、前記半導体
素子を剥離する針状物体を備えたことを特徴とす
る半導体素子剥離機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20213584U JPH0128681Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20213584U JPH0128681Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61117252U JPS61117252U (ja) | 1986-07-24 |
JPH0128681Y2 true JPH0128681Y2 (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=30764571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20213584U Expired JPH0128681Y2 (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0128681Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP20213584U patent/JPH0128681Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61117252U (ja) | 1986-07-24 |
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