JPH01280300A - 放射線光学素子 - Google Patents
放射線光学素子Info
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- JPH01280300A JPH01280300A JP63109354A JP10935488A JPH01280300A JP H01280300 A JPH01280300 A JP H01280300A JP 63109354 A JP63109354 A JP 63109354A JP 10935488 A JP10935488 A JP 10935488A JP H01280300 A JPH01280300 A JP H01280300A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエックス（Ｘ）線分光、中性子分光等における
光学素子として用いられる黒鉛結晶による放射線光学素
子に関するものである。
光学素子として用いられる黒鉛結晶による放射線光学素
子に関するものである。
従来の技術
Ｘ線分光器、Ｘ線顕微鏡等のＸ線光学機器に用いられる
光学素子は、特殊の場合に用いられる表面にすれすれに
入射するＸ線の全反射を利用するものの他は、一般には
結晶のブラック反射を用いるものであることはよく知ら
れている。このような目的に用いられる結晶は、結晶構
造が完全であること、必要なだけの大きさの結晶が得ら
れることの他に、Ｘ線に対する吸収係数が小さいこと、
曲撓結晶分光器等に使用するには結晶が可撓性を有する
ことが求められる。
光学素子は、特殊の場合に用いられる表面にすれすれに
入射するＸ線の全反射を利用するものの他は、一般には
結晶のブラック反射を用いるものであることはよく知ら
れている。このような目的に用いられる結晶は、結晶構
造が完全であること、必要なだけの大きさの結晶が得ら
れることの他に、Ｘ線に対する吸収係数が小さいこと、
曲撓結晶分光器等に使用するには結晶が可撓性を有する
ことが求められる。
このような性質をもつ可能性のある結晶の１つに黒鉛が
ある。黒鉛は、Ｘ線に対する吸収係数が小さく、Ｘ線光
学素子として望ましいものの一つであり、従来Ｘ線光学
素子に特に好適な黒鉛としてユニオンカーバイド社でＣ
ＡＰＣ （Ｃｏｍｐｒｅｓｇｉｏｎａｎｎｅａｌｅｄ ｐｙｒｏ
ｇａｐｈｉｔｅ ） として商品化されているものが
ある。これは黒鉛結晶が加圧しながら３６ｏＯ℃で長時
間焼鈍したものである。
ある。黒鉛は、Ｘ線に対する吸収係数が小さく、Ｘ線光
学素子として望ましいものの一つであり、従来Ｘ線光学
素子に特に好適な黒鉛としてユニオンカーバイド社でＣ
ＡＰＣ （Ｃｏｍｐｒｅｓｇｉｏｎａｎｎｅａｌｅｄ ｐｙｒｏ
ｇａｐｈｉｔｅ ） として商品化されているものが
ある。これは黒鉛結晶が加圧しながら３６ｏＯ℃で長時
間焼鈍したものである。
以 下 余 白
ブラッグ反射はよく知られているようにｄを結晶格子の
面間隔、λを反射Ｘ線の波長、θを反射角を示すものと
すれば ２ｄｓ石θ＝λ で表される。上記ユニオンカーバイド社の黒鉛の場合、
単色のＸ線、例えばＣｕのにαライン（λ−１，５４１
８Ａ ）を（００２）面で反射する場合、格子面間隔ｄ
は黒鉛単結晶の間隔であるａ＝３゜３５４Ａに近く、反
射ラインの幅△δ…は約０．７°と言われている。しか
し、このような黒鉛を得ようとする場合、天然黒鉛の単
結晶では大面積のものを得ることは不可能であり、炭化
水素の高温分解沈積物の熱間加工によって得ようとすれ
ば、上記のように加圧下の長時間の高温焼鈍を必要とし
、製造方法が複雑で製品も非常に高価になるという問題
があった。
面間隔、λを反射Ｘ線の波長、θを反射角を示すものと
すれば ２ｄｓ石θ＝λ で表される。上記ユニオンカーバイド社の黒鉛の場合、
単色のＸ線、例えばＣｕのにαライン（λ−１，５４１
８Ａ ）を（００２）面で反射する場合、格子面間隔ｄ
は黒鉛単結晶の間隔であるａ＝３゜３５４Ａに近く、反
射ラインの幅△δ…は約０．７°と言われている。しか
し、このような黒鉛を得ようとする場合、天然黒鉛の単
結晶では大面積のものを得ることは不可能であり、炭化
水素の高温分解沈積物の熱間加工によって得ようとすれ
ば、上記のように加圧下の長時間の高温焼鈍を必要とし
、製造方法が複雑で製品も非常に高価になるという問題
があった。
また、Ｘ線を集光する場合、従来は薄いシリコン単結晶
を撓ませて用いるか、黒鉛の機械加工によって球面状の
レンズを形成しており、何れも製作が面倒でコストも嵩
むものとなっていた。
を撓ませて用いるか、黒鉛の機械加工によって球面状の
レンズを形成しており、何れも製作が面倒でコストも嵩
むものとなっていた。
この様な加圧焼鈍等の複雑なプロセスを用いないで簡単
に製造され、従って低コストで得られるにもかかわらず
、完全な結晶性を有し、その上、可撓性を有する大面積
の人工黒鉛を得ようとする目的で、我々は先にポリオキ
サジアゾール（Ｐ○Ｄ）フィルムを２８００℃以上で処
理し、グラファイト化したもの（以下ＧＰＯＤと略す）
が目的とする黒鉛化に適し、そのフィルムを黒鉛化した
ものは可撓性を有し、Ｘ線等の放射線光学素子として好
適であることを見出し特許出願をした。（特開昭６２−
０８７８９９号公報。） 上記の出発材料をＰＯＤ常圧下２８００℃以上で処理し
て得られたＧＰＯＤの物性値は以下のようであった。
に製造され、従って低コストで得られるにもかかわらず
、完全な結晶性を有し、その上、可撓性を有する大面積
の人工黒鉛を得ようとする目的で、我々は先にポリオキ
サジアゾール（Ｐ○Ｄ）フィルムを２８００℃以上で処
理し、グラファイト化したもの（以下ＧＰＯＤと略す）
が目的とする黒鉛化に適し、そのフィルムを黒鉛化した
ものは可撓性を有し、Ｘ線等の放射線光学素子として好
適であることを見出し特許出願をした。（特開昭６２−
０８７８９９号公報。） 上記の出発材料をＰＯＤ常圧下２８００℃以上で処理し
て得られたＧＰＯＤの物性値は以下のようであった。
■ αＸα（１，５４１８人）に対する反射ラインは第
３図に示すように（ＯＯ２）、（ＯＯ４）、（００６）
面に対応するもののみである。
３図に示すように（ＯＯ２）、（ＯＯ４）、（００６）
面に対応するもののみである。
■ ００２面の反射角度（２θ）は２６．５７６°で、
面層距離ｄは３．３５４Ａとなシ、黒鉛単結晶のそれと
一致した。
面層距離ｄは３．３５４Ａとなシ、黒鉛単結晶のそれと
一致した。
■ ００２面の反射ライン（２θ＝ ２６．５７６°
に中心を持つもの）の半値幅は熱処理温度２８００℃、
３０００℃に対してそれぞれ２０°、０１４°であった
。
に中心を持つもの）の半値幅は熱処理温度２８００℃、
３０００℃に対してそれぞれ２０°、０１４°であった
。
■ ＧＰＯＤは可撓性を有し、その面積は出発原料ＰＯ
Ｄの面積および熱処理炉の大きさによりいくらでも大き
くすることができた。
Ｄの面積および熱処理炉の大きさによりいくらでも大き
くすることができた。
発明が解決しようとする課題
この様にＧＰＯＤをもちいた放射線光学素子はＸ線レン
ズ、Ｘ線モノクロメータ−１中性子線分光光学素子とし
てすぐれた特性を有しているが、その様なＧＰＯＤ放射
線光学素子にも次の様な２つの欠点があった。その第一
は放射線光学素子として利用する場合の最も重要な特性
であるロッキング特性が十分な値でない事、第二は放射
線に対する反射率が十分でない事であった。例えば３０
００℃で処理したＧＰＯＤのロッキング特性は６９゜で
あり、この値はホットプレス法などにより改善されるも
のの放射線光学素子としては不十分なものであった。ま
た放射線に対する反射率はグラファイトのＣ軸方向の結
晶性と関係しておシ、Ｃ軸方向の結晶性が良過ぎると一
度内部に進入したＸ線がその結晶性のため内部反射して
全体的な反射率が低下する事が知られている。すなわち
、すぐれた反射効率を実現するためにはグラファイトＣ
軸方向の結晶性が良すぎても悪すぎてもだめなのであり
、適当な結晶性である事が必要なのである。
ズ、Ｘ線モノクロメータ−１中性子線分光光学素子とし
てすぐれた特性を有しているが、その様なＧＰＯＤ放射
線光学素子にも次の様な２つの欠点があった。その第一
は放射線光学素子として利用する場合の最も重要な特性
であるロッキング特性が十分な値でない事、第二は放射
線に対する反射率が十分でない事であった。例えば３０
００℃で処理したＧＰＯＤのロッキング特性は６９゜で
あり、この値はホットプレス法などにより改善されるも
のの放射線光学素子としては不十分なものであった。ま
た放射線に対する反射率はグラファイトのＣ軸方向の結
晶性と関係しておシ、Ｃ軸方向の結晶性が良過ぎると一
度内部に進入したＸ線がその結晶性のため内部反射して
全体的な反射率が低下する事が知られている。すなわち
、すぐれた反射効率を実現するためにはグラファイトＣ
軸方向の結晶性が良すぎても悪すぎてもだめなのであり
、適当な結晶性である事が必要なのである。
この様な条件からＧＰＯＤを検討して見ると、ＧＰＯＤ
ではＣ軸方向の結晶性が良すぎて却って放射線に対する
反射効率が悪くなってしまう事が分った。
ではＣ軸方向の結晶性が良すぎて却って放射線に対する
反射効率が悪くなってしまう事が分った。
本発明は先に述べた従来の技術によって作成された放射
線光学素子のもつ欠点を解決するために成されたもので
、簡単に製造され、低コストであり、しかも従来のＧＰ
ＯＤに較べてよりすぐれたロッキング特性と反射率を有
する放射線光学素子を得ることを目的とするものである
。
線光学素子のもつ欠点を解決するために成されたもので
、簡単に製造され、低コストであり、しかも従来のＧＰ
ＯＤに較べてよりすぐれたロッキング特性と反射率を有
する放射線光学素子を得ることを目的とするものである
。
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するために、本発明はポリベンゾチアゾ
ール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾ
ール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリピロメリット
イミド、ポリフェニレンイソフタルアミド、ポリフェニ
レンベンゾイミダゾール、ポリフェニレンベンゾビスイ
ミダゾール、ポリチアシーツへポリパラフェニレンビニ
レンのいずれかの高分子フィルムを真空中又は不活性ガ
ス中で常圧下で２８００℃以上又は４ Ｗ−以上の圧力
下で２４００℃以上の温度で熱処理して得られたグラフ
ァイトフィルムを放射線光学素子としたものである。
ール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾ
ール、ポリベンゾビスオキサゾール、ポリピロメリット
イミド、ポリフェニレンイソフタルアミド、ポリフェニ
レンベンゾイミダゾール、ポリフェニレンベンゾビスイ
ミダゾール、ポリチアシーツへポリパラフェニレンビニ
レンのいずれかの高分子フィルムを真空中又は不活性ガ
ス中で常圧下で２８００℃以上又は４ Ｗ−以上の圧力
下で２４００℃以上の温度で熱処理して得られたグラフ
ァイトフィルムを放射線光学素子としたものである。
作用
上記構成のグラファイトフィルムはすぐれたロッキング
特性と反射効率を有しておシＸ線等の放射線光学素子と
して好適である。しかもこれらはすぐれた可撓性を有し
ているため基板上へはりつける事によシ多様な形状に形
成することができるので、レンズ、モノクロメータ、ア
ナライザ、フィルタなど種々の光学素子として構成する
ことができる。
特性と反射効率を有しておシＸ線等の放射線光学素子と
して好適である。しかもこれらはすぐれた可撓性を有し
ているため基板上へはりつける事によシ多様な形状に形
成することができるので、レンズ、モノクロメータ、ア
ナライザ、フィルタなど種々の光学素子として構成する
ことができる。
実施例
高分子を熱分解すると、元の形状を保ったままで炭化す
るものがあることは知られておシ、この方法は可撓性の
ある大面積の炭素質材料を作る良い方法ではあるが、こ
のような方法によって得られる炭素質物のほとんどは黒
鉛とは異なる構造を持つ難黒鉛化カーボンである。先に
述べたＰＯＤは高分子の中では例外的にすぐれた黒鉛と
なるものである。
るものがあることは知られておシ、この方法は可撓性の
ある大面積の炭素質材料を作る良い方法ではあるが、こ
のような方法によって得られる炭素質物のほとんどは黒
鉛とは異なる構造を持つ難黒鉛化カーボンである。先に
述べたＰＯＤは高分子の中では例外的にすぐれた黒鉛と
なるものである。
そこで我々はＰＯＤ以外の数多くの高分子材料を検討し
、いくつかの高分子では作成力によってＰＯＤよシもす
ぐれたロッキング特性と反射率を有したグラファイトフ
ィルムに転換出来る事を発見し、本発明に至ったもので
ある。
、いくつかの高分子では作成力によってＰＯＤよシもす
ぐれたロッキング特性と反射率を有したグラファイトフ
ィルムに転換出来る事を発見し、本発明に至ったもので
ある。
本発明における原料高分子フィルムは、ポリベンゾチア
ゾール（ＰＢＴ） 、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢ
ＢＴ） 、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベ
ンゾビスオキサゾール（ＰＢＢＯ）、ポリピロメリット
イミド（ＰＩ）、ポリフェニレンイソフタルアミド（Ｐ
Ａ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール（ＰＰＢＩ）
、ポリ７エ二レンベンゾピスイミタソール（ＰＢＢＩ）
、ポリチアゾール（ＰＴ）及びポリパラフェニレンビニ
レン（ＰＰＶ）である。これらの高分子フィルムを真空
中あるいは不活性ガス中で２８００℃以上の温度で熱処
理するとすぐれたグラファイトに転換される。ａＭａ線
に対する（ＯＯ２）面の反射角度（２θ）とそれから計
算される面間距離（ｄ）によって評価されるこれらのグ
ラファイト結晶の品質は同じ条件で処理されたＧＰＯＤ
と同等であるか、あるいは少し劣るものであった。しか
しながら最も重要なロッキング特性及び反射率はＧＰＯ
Ｄのそれよりもすぐれていた。
ゾール（ＰＢＴ） 、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢ
ＢＴ） 、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベ
ンゾビスオキサゾール（ＰＢＢＯ）、ポリピロメリット
イミド（ＰＩ）、ポリフェニレンイソフタルアミド（Ｐ
Ａ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール（ＰＰＢＩ）
、ポリ７エ二レンベンゾピスイミタソール（ＰＢＢＩ）
、ポリチアゾール（ＰＴ）及びポリパラフェニレンビニ
レン（ＰＰＶ）である。これらの高分子フィルムを真空
中あるいは不活性ガス中で２８００℃以上の温度で熱処
理するとすぐれたグラファイトに転換される。ａＭａ線
に対する（ＯＯ２）面の反射角度（２θ）とそれから計
算される面間距離（ｄ）によって評価されるこれらのグ
ラファイト結晶の品質は同じ条件で処理されたＧＰＯＤ
と同等であるか、あるいは少し劣るものであった。しか
しながら最も重要なロッキング特性及び反射率はＧＰＯ
Ｄのそれよりもすぐれていた。
第１表には３０００℃で処理したそれぞれの高分子フィ
ルムの格子定数、黒鉛化率、ロッキング特性、ＧＰＯＤ
の反射効率を１とした場合のその他のグラファイトフィ
ルムの相対的な反射効率（ＣｕＫａ線を使用）を示す。
ルムの格子定数、黒鉛化率、ロッキング特性、ＧＰＯＤ
の反射効率を１とした場合のその他のグラファイトフィ
ルムの相対的な反射効率（ＣｕＫａ線を使用）を示す。
ＧＰＯＤのグラファイト化率が１００％であるのに対し
その他のグラファイトフィルムは１００〜９７ｑ６であ
り同等かあるいは少し劣った値である。しかしそれらの
ロッキング特性は６０〜４．８°であってＧＰＯＤの６
．９°よシは良好な特性となっている。
その他のグラファイトフィルムは１００〜９７ｑ６であ
り同等かあるいは少し劣った値である。しかしそれらの
ロッキング特性は６０〜４．８°であってＧＰＯＤの６
．９°よシは良好な特性となっている。
また反射効率はＧＰＯＤの１．０５〜１．２５倍であり
、その効率が向上している事が分る。したがって、これ
らのフィルムのＸ線光学素子としての特性はＧＰＯＤよ
シもすぐれている事が分る。
、その効率が向上している事が分る。したがって、これ
らのフィルムのＸ線光学素子としての特性はＧＰＯＤよ
シもすぐれている事が分る。
ロッキング特性や反射効率は圧力を加えながら加熱処理
をする事によってさらに向上させる事が出来る。この場
合圧力としては一般に４＃７−以上が必要であり、一方
処理温度としては２４００℃以上が必要であった。もち
ろん圧力及び温度はよシ高い方が有効である。
をする事によってさらに向上させる事が出来る。この場
合圧力としては一般に４＃７−以上が必要であり、一方
処理温度としては２４００℃以上が必要であった。もち
ろん圧力及び温度はよシ高い方が有効である。
第２表には２０に９１−の圧力下、２８００℃で熱処理
を行った場合の格子定数、グラファイト化率、ロッキン
グ特性、反射効率の値を示す。加圧下の熱処理によって
ロッキング特性は著しく向上し、ＧＰＯＤでは１．２°
となる。また反射効率も１．５倍向上した。ＧＰＯＤ以
外のグラファイトフィルムでもロッキング特性は著しく
向上し、その値は０７〜１．０°の範囲であった。一方
、反射効率はＧＰＯＤで１．５倍、それ以外のグラファ
イトフィルムで１．６４〜１．９７倍であった。この様
に加圧熱処理によって得られるグラファイトフィルムは
すぐれた放射線光学素子としての特性を有している事が
分る。
を行った場合の格子定数、グラファイト化率、ロッキン
グ特性、反射効率の値を示す。加圧下の熱処理によって
ロッキング特性は著しく向上し、ＧＰＯＤでは１．２°
となる。また反射効率も１．５倍向上した。ＧＰＯＤ以
外のグラファイトフィルムでもロッキング特性は著しく
向上し、その値は０７〜１．０°の範囲であった。一方
、反射効率はＧＰＯＤで１．５倍、それ以外のグラファ
イトフィルムで１．６４〜１．９７倍であった。この様
に加圧熱処理によって得られるグラファイトフィルムは
すぐれた放射線光学素子としての特性を有している事が
分る。
この様にＰＢＴ、ＰＢＢＴ、ＰＢＯ，ＰＢＢＯｌＰＩ、
ＰＡ、ＰＰＢＩ、ＰＢＢＩ、ＰＴ、ＰＰＶを２８００℃
以上で処理するか、又は４に９／−以上の圧力下で２４
００℃以上の温度で処理して得られたグラファイトフィ
ルムはすぐれたロッキング特性と反射効率を有し、可撓
性もすぐれているのでＸ線等の放射線光学素子として好
適である。
ＰＡ、ＰＰＢＩ、ＰＢＢＩ、ＰＴ、ＰＰＶを２８００℃
以上で処理するか、又は４に９／−以上の圧力下で２４
００℃以上の温度で処理して得られたグラファイトフィ
ルムはすぐれたロッキング特性と反射効率を有し、可撓
性もすぐれているのでＸ線等の放射線光学素子として好
適である。
以下具体的な実施例について説明する。
実施例１ Ｘ線レンズ
第１図は本発明をＸ線用の収束レンズに適用した場合の
実施例を示す。図において１は収束レンズで、シリンド
リカル状に曲げられた基板２のシリンドリカル面の内側
にグラファイト化したＰＢＴ３（以下ＧＰＢＴと記す）
を貼り付けて形成される。ＧＰＢＴ３はＰＢＴを２０に
９／−の圧力下で２８００℃で熱処理して得た５ｃｍＸ
１０ａｎの大きさで厚さが３０ｔｔｍのものを使用した
。４はｌｌＴｌｌＴｌ１２１ノ孔を形成したモリブデン
板で、このモリブデン板２の孔を通して０■α線５を入
射する。入射したＣｕＫａ線５は収束レンズ１のＧＰＢ
Ｔ３で反射され、収束されて焦点位置に置かれた写真乾
板６上に入射する。写真乾板６上に形成された像は一本
の線となり、その長さは１ｍｍ、幅は約１３μｍで良い
集光性が得られた。この収束レンズを２回通過させるこ
とによって１μｍ以下の微細なＸ線のパターンが得られ
た。
実施例を示す。図において１は収束レンズで、シリンド
リカル状に曲げられた基板２のシリンドリカル面の内側
にグラファイト化したＰＢＴ３（以下ＧＰＢＴと記す）
を貼り付けて形成される。ＧＰＢＴ３はＰＢＴを２０に
９／−の圧力下で２８００℃で熱処理して得た５ｃｍＸ
１０ａｎの大きさで厚さが３０ｔｔｍのものを使用した
。４はｌｌＴｌｌＴｌ１２１ノ孔を形成したモリブデン
板で、このモリブデン板２の孔を通して０■α線５を入
射する。入射したＣｕＫａ線５は収束レンズ１のＧＰＢ
Ｔ３で反射され、収束されて焦点位置に置かれた写真乾
板６上に入射する。写真乾板６上に形成された像は一本
の線となり、その長さは１ｍｍ、幅は約１３μｍで良い
集光性が得られた。この収束レンズを２回通過させるこ
とによって１μｍ以下の微細なＸ線のパターンが得られ
た。
実施例２ Ｘ線モノクロメータ
第２図はＸ線モノクロメータに応用した実施例を示す。
図において、７はＸ線モノクロメータで、平滑なガラス
基板８上にグラファイト化したＰＩ９（以下ＧＰＩと記
す）を貼着して形成される。
基板８上にグラファイト化したＰＩ９（以下ＧＰＩと記
す）を貼着して形成される。
ＧＰＩはＰＩを３０００℃で熱処理したものを使用し、
５ｃｍＸ５ａｎの大きさで１５μｍの厚さに形成した。
５ｃｍＸ５ａｎの大きさで１５μｍの厚さに形成した。
４．４′は小孔を有するモリブデン板、１は第１図に示
したものと同様の収束レンズ、１０はカウンタである。
したものと同様の収束レンズ、１０はカウンタである。
Ｘ線モノクロメータ７に入射させるＸ線１１の入射角θ
を変えることによりモリブデン板４の小孔を通過するＸ
線の波長を変えることができる。モリブデン板４を通過
したＸ線は、収束レンズ１で収束され、モリブデン板４
′の小孔を通過してカウンタ１０に集光される。
を変えることによりモリブデン板４の小孔を通過するＸ
線の波長を変えることができる。モリブデン板４を通過
したＸ線は、収束レンズ１で収束され、モリブデン板４
′の小孔を通過してカウンタ１０に集光される。
入射Ｘ線１１としてＣｕをターゲットとするＸ線を入射
させたところ、ＣｕＫαの特性Ｘ線がθ＝１３．２８８
°の方向で強く観測された。ライン幅は０１８°であっ
た。これを天然グラファイト単結晶を用いた場合と比較
すると、ライン幅が０．３°から０．１８°へ減少し、
ＧＰＩの高性能が確認出来た。
させたところ、ＣｕＫαの特性Ｘ線がθ＝１３．２８８
°の方向で強く観測された。ライン幅は０１８°であっ
た。これを天然グラファイト単結晶を用いた場合と比較
すると、ライン幅が０．３°から０．１８°へ減少し、
ＧＰＩの高性能が確認出来た。
また、実施例はＸ線光学素子として説明したが、材質が
グラファイトであって中性子の吸収が小さいので、Ｘ線
用だけでなく、同じ原理によって中性子分光におけるモ
ノクロメータ、アナライザ、フィルタとして利用出来る
ことは言うまでもない。
グラファイトであって中性子の吸収が小さいので、Ｘ線
用だけでなく、同じ原理によって中性子分光におけるモ
ノクロメータ、アナライザ、フィルタとして利用出来る
ことは言うまでもない。
発明の効果
この発明は上記のような高分子フィルムを２８００℃以
上（あるいは加圧下の場合は２４００℃以上）という従
来のＣＡＰＧより遥かに低い温度で、しかも簡単なプロ
セスによって完全にグラファイト化されたフィルムを作
ることが出来、非常に低コストのＸ線光学素子を得るこ
とが出来た。しかも自由に大きなサイズのものを得られ
、可撓性に富むので、Ｘ線レンズ等とするのに極めて都
合が良いものである。
上（あるいは加圧下の場合は２４００℃以上）という従
来のＣＡＰＧより遥かに低い温度で、しかも簡単なプロ
セスによって完全にグラファイト化されたフィルムを作
ることが出来、非常に低コストのＸ線光学素子を得るこ
とが出来た。しかも自由に大きなサイズのものを得られ
、可撓性に富むので、Ｘ線レンズ等とするのに極めて都
合が良いものである。
第１図は本発明による放射線光学素子の一実施例におけ
る光学配置図、第２図は本発明による放射線光学素子の
他の実施例における光学配置図、第３図は従来の放射線
光学素子の一例における０区α線の反射スペクトル図で
ある。 １・・・収束レンズ、２・・・基板、３・・・ＧＰＢＴ
、４゜４′・・・モリブデン板、５・・・αボα線、６
・・・写真乾板、７・・・Ｘ線モノクロメータ、８・・
・ガラス基板、９・・ＧＰＩ、１０・・・カウンタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名纂１図 第２図
る光学配置図、第２図は本発明による放射線光学素子の
他の実施例における光学配置図、第３図は従来の放射線
光学素子の一例における０区α線の反射スペクトル図で
ある。 １・・・収束レンズ、２・・・基板、３・・・ＧＰＢＴ
、４゜４′・・・モリブデン板、５・・・αボα線、６
・・・写真乾板、７・・・Ｘ線モノクロメータ、８・・
・ガラス基板、９・・ＧＰＩ、１０・・・カウンタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名纂１図 第２図
Claims (6)
- （１）ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾビスチアゾー
ル、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスオキサゾ
ール、ポリピロメリットイミド、ポリフェニレンイソフ
タルアミド、ポリフェニレンベンゾイミダゾール、ポリ
フェニレンベンゾビスイミダゾール、ポリチアゾール、
ポリパラフェニレンビニレンのうちから選ばれた少なく
とも一種類の高分子フィルムを真空又は不活性ガス中に
おいて常圧下２８００℃以上の温度で熱処理して得られ
たフィルムから成る放射線光学素子。 - （２）請求項１のフィルムをシリンドリカルに曲げられ
た基板の内面側に貼着した放射線レンズ。 - （３）請求項１のフィルムを平面基板に貼着した放射線
モノクロメータ。 - （４）ポリベンゾチアゾール、ポリベンゾビスチアゾー
ル、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスチアゾー
ル、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾビスオキサゾ
ール、ポリピロメリットイミド、ポリフェニレンイソフ
タルアミド、ポリフェニレンベンゾイミダゾール、ポリ
フェニレンベンゾビスイミダゾール、ポリチアゾール、
ポリパラフェニレンビニレンのうちから選ばれた少なく
とも一種類の高分子フィルムを真空又は不活性ガス中に
おいて４Ｋｇ／ｃｍ＾２以上の圧力下、２４００℃以上
の温度で熱処理して得られたフィルムから成る放射線光
学素子。 - （５）請求項４のフィルムをシリンドリカルに曲げられ
た基板の内面側に貼着した放射線レンズ。 - （６）請求項４のフィルムを平面基板に貼着した放射線
モノクロメータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109354A JP2517063B2 (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | 放射線光学素子 |
| EP89301868A EP0331375B1 (en) | 1988-02-25 | 1989-02-24 | Optical elements for radiation comprising graphite films |
| DE68923890T DE68923890T2 (de) | 1988-02-25 | 1989-02-24 | Strahlenoptische Elemente mit Graphit-Schichten. |
| US07/316,055 US5042059A (en) | 1988-02-25 | 1989-02-27 | Optical elements for radiation comprising graphite films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109354A JP2517063B2 (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 | 放射線光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280300A true JPH01280300A (ja) | 1989-11-10 |
| JP2517063B2 JP2517063B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=14508099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63109354A Expired - Lifetime JP2517063B2 (ja) | 1988-02-25 | 1988-05-02 | 放射線光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517063B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275116A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | Res Dev Corp Of Japan | グラフアイトフイルムおよび繊維の製造方法 |
| JPS6287899A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 新技術事業団 | 放射線光学素子 |
| JPH01105199A (ja) * | 1986-09-09 | 1989-04-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
-
1988
- 1988-05-02 JP JP63109354A patent/JP2517063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275116A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | Res Dev Corp Of Japan | グラフアイトフイルムおよび繊維の製造方法 |
| JPS6287899A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 新技術事業団 | 放射線光学素子 |
| JPH01105199A (ja) * | 1986-09-09 | 1989-04-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2517063B2 (ja) | 1996-07-24 |
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