JPH04202055A - グラファイトの製造方法 - Google Patents
グラファイトの製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ノクロメータ−1中性子線フイルター等の放射線光学素
子として利用できるグラファイトの製造方法に関する。
等を備えていることがら、工業材料として重要な位置を
占め、ガスケット、電極、発熱体、構造材として広く使
用されている。なかでも、高配向性グラファイトは、X
線や中性子線に対する優れた分光・反射特性を有するた
めに、X線や中性子線のモノクロメータ−あるいはフィ
ルター等の放射線光学素子として使われている。この放
射線光学素子用のグラファイトとして天然に産するもの
を使用するのも一案ではあるのであるが、良質の天然グ
ラファイトは、生産量が非常に限られ、しかも、粉末状
またはリン片状で取扱難いため、人工的にグラファイト
を製造することが行なわれており、この人工グラファイ
トを使うことが望ましいことになる。
炭化水素ガスの高温分解沈積と、その熱間加工による方
法があり、これは、圧力を印加しつつ3400℃で長時
間再焼鈍するという工程によって作成するものである。
ラファイト(HOPG)と呼ばれ、天然の単結晶グラフ
ァイトと比較し得る優れた特性を有する。しかしながら
、この製造方法によると、製造工程が極めて複雑でか3
一 つ歩留りが著しく低く、その結果、HOPGは極めて高
価になり、実用に向かないという問題がある。
製造方法として、高分子フィルムを高温焼成して良質グ
ラファイトを容易かつ低コストで作成する方法が開発さ
れた。高分子化合物は一般的には難グラファイト材料に
属し、たとえ3000°Cの高温で加熱しても良質のグ
ラファイトに転化されることはないとされてきた。しか
しながら、最近の研究の結果、高分子化合物のいくつか
は適当な熱処理で良質なグラファイトに転化させられる
ことが分かってきた。良質なグラファイトに転化できる
高分子化合物としては、例えば、ポリオキサジアゾール
、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイ
ミダゾール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオ
キサゾール、ポリチアゾール、ポリバラフェニレンビニ
レン等がある。
(特開昭61−275114号公報、特開昭61−27
5115号公報、特開昭61−275117号公報等参
照)。
のグラファイトを作成するという発明も特許出願されて
いる(特開平1−105199号公報、特開昭63−2
35218号公報参照)。
では、完全に満足できるものが得られるわけではないこ
とが分かった。特開平1−105199号公報に記載さ
れているように、複数枚のフィルムを2枚の基板で挟み
、ボルトでかしめ熱処理するというだけでは、高配向性
ブロック状グラファイトを得るに至らないのである。優
れたブロック状高配向性グラファイトであるためには、
各グラファイト化層内部は炭素原子が所定通りに規則正
しく並んだ結晶がきちんと配向した状態(高配向性状態
)になっており、各グラファイト化層同士がしっかりと
接着して一つのブロック体になっていなければならない
。単純に圧力をかけ熱処理しただけでは、皺や内部歪み
がフィルムにできたり、極端な場合にはフィルムが破れ
たりして優れたグラファイトにならないのである。
トを容易に製造することのできる方法を提供す−ること
を目的とする。
の製造方法では、複数枚の高分子フィルム、あるいは、
高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを重ねてお
いて、2600℃以上まで上げた後で、いったん160
0℃以下の温度域まで下げてから再び2600℃以上の
温度域まで戻す過程が少なくとも1回ある焼成によりグ
ラファイト化するようにしている。この場合、焼成過程
では必要圧力の加圧処理を適当なタイミンングで行なう
ようにしている。なお、いったん1600℃以下の温度
域まで下げてから再び2600℃以上の温度域まで戻す
過程は複数回繰り返すようにしてもよい。
記課題を解決するため、複数枚の高分子フィルム、ある
いは、高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを重
ねておいて、高分子熱分解温度を越え2000℃の間の
温度域(普通、1000℃〜2000℃)で加圧処理を
行ない、2000〜2600℃の間は実質無圧処理し、
2600°C以上の温度域で加圧処理を行なった後で、
いったん1600℃以下の温度域まで下げてから再び2
600℃以上の温度域まで戻すとともに少なくとも同2
600℃以上の温度域で加圧処理を行なう過程が少なく
とも1回ある焼成によりグラファイト化するようにして
いる。いったん1600°C以下の温度域まで下げてか
ら再び2600以上の温度域まで戻すとともに少なくと
も同2600℃以上の温度域で加圧処理を行なう過程は
複数回繰り返してもよい。通常、高分子熱分解温度を越
え2000℃の間で行なう加圧処理は、2〜50kg/
cm2の範囲の任意圧力で行なうことが好ましく、次の
2600°C以」二の温度域で行なう加圧処理は50k
g/am2以」二の任意圧力で行なうことが好ましい。
kg/cm 2以」二の任意圧ツノで行なうことが好ま
しい。20kg/cm2未満の圧力であると得られるブ
ロック状グラファイトが発泡状態となる傾向が見られる
。なお、ここで言う「実質無圧処理」とは、加圧効果を
生むような圧力をかけないことを意味し、加圧用治具自
体による2kg/cm2以下(より好ましくは500g
/cm2以下)程度の無害な低圧がかかることは構わな
いということである。
えば、請求項3に記載のように、各種ポリフェニレンオ
キサジアゾール(POD)、ポリベンゾチアゾール(P
BT)、ポリベンゾビスチアゾール(P B B T)
、ポリベンゾオキサゾール(PBO)、ポリベンゾビス
オキサゾール(P B B O)、各種芳香族ポリイミ
ド(PI)、各種芳香族ポリアミド(PA)、ポリフェ
ニレンベンゾイミダゾール(F B I )、ポリフェ
ニレンベンゾビスイミダゾール(PPBI)、ポリチア
ゾール(PT)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV
)のうちから選ばれた少なくとも一つからなるフィルム
が挙げられる。
ァイトに転化させられる高分子フィルムであれば出発原
料フィルムとして使えることは言うまでもない。
パラフェニレン−1,3,4−オキサジアゾールおよび
それらの異性体が好適なものとして挙げられる。また、
各種芳香族ポリイミドとしでは、下記一般式で表される
ポリイミドが挙げらII II CF3Cll3 そして、芳香族ポリアミドとしては、下記一般式で表さ
れるポリアミドが挙げられる。
ムを使うようにしてもよい。
下であることが好ましい。フィルムの厚みが400μm
を越す場合には、フィルム内部で発生するガスのために
フィルムの内部構造が破壊されて高配向性を達成し難(
なるからである。
上の降昇温過程を経るため、各グラファイト化層内部は
炭素原子が所定通りに規則正しく並んだ結晶がきちんと
配向した高配向性状態となる。
度域では実質無圧処理し、フィルム寸法変化の殆どない
温度域で加圧処理して、皺や内部構造歪みの発生を抑制
するので高配向性状態を得やすい。
度で事足りるため、何らの困難もなく極めで容易に実施
できる。
を例にとって、本発明をより具体的に説明する。
社製 商品名カプトン厚み25μm)を用いた。
伴う面方向の伸び・縮み、および、熱処理温度」1昇に
伴うグラファイト化率(X線回折を利用した測定による
)を表す。
にみられるように、450〜500℃では僅かに伸びる
だけであるが、500〜700℃の高分子分解温度域で
急激に縮み、元の長さの75%はどの長さになる。そし
て、この高分子分解温度を越え2000℃の間ではフィ
ルムは伸び縮みせず寸法変化が殆ど起こらない。しかし
、2000〜2600°Cではフィルムは逆に伸びて元
の寸法の90%まで戻る。この温度域でのフィルムの伸
長はグラファイト化の進行と密接に結びイ」いており、
図面のグラファイト化率曲線Bにみられるように、フィ
ルムが伸びるに従いグラファイト化率が急激に」1昇す
る。このように2600℃以下の温度域ではフィルム寸
法に変化が起こるのである。これに対し、2600℃以
上の温度域ては、図面にみられるように、もうフィルム
寸法は殆ど変化しなくなる。
以下のようにして焼成を施す。 。
寸法変化の大きい温度域では実質無圧処理し、高分子熱
分解温度域を越え2000℃の間の寸法変化の殆どない
温度域では2〜50kg/cm2程度の圧力の加圧処理
を行い、2000〜2600℃のグラファイト化進行に
伴う寸法変化の大きい温度域では実質無圧処理し、次の
グラファイト化をほぼ終えた2600℃以−にの寸法変
化の殆どない温度域では5 Q k g/cm2の加圧
処理を行なう。
で下げる。つまり、1000℃以上降温してしまうので
ある。室温まで下げ、治具やプレスラム等の交換操作を
行なうようにしてもよい。降温させる場合、それまでか
けている圧力を少なくとも2000°Cまては維持する
ことが望ましい。2000℃を過ぎれば最終的な特性に
悪影響が殆ど出ないの減圧してもよい。降温の後、再び
、2600℃の温度まで上げる。再昇温ては、それまで
の最高温度以上の温度まで昇温することが望ましい。再
昇温の際、2600℃までの間は20kg/cm2以下
の低目の任意圧力を加えることが好ましい。そして、2
600℃以上の温度域において、20kg/cm2以上
の任意圧力をかけることか望ましい。20kg/cm2
未満の圧ツノ出あると発泡状態を招来し易いからである
。
600℃になった直後から行なう必要はなく、所定温度
域にある間に加圧処理を行なえばよいのである。所定温
度域全域において加圧処理しなければならない訳ではな
い。
はまるだけではなく、一般に熱処理によって優れたグラ
ファイトに転化可能な高分子フィルムについて言えるも
のである。なぜなら、それらの高分子フィルムはグラフ
ァイト化のための焼成において、必ず、フィルム収縮を
含む熱分解過程、殆ど伸び縮みのない過程、フィルムの
伸びを伴うグラファイト化過程、さらにグラファイト化
が相当程度進行し殆ど伸び縮みのない過程を経るからで
ある。
ン−1,3,4−オキサジアゾールフィルム50枚を重
ねてグラファイト製の治具にセットし、以下のようにし
て焼成した。
で1200℃まて昇温した。この間、フィルムには、治
具重量による圧力100g/cm2だけが加わるように
した。次に1200℃に達した後、同様の昇温速度を保
ちながら、20kg/cm2の圧力を1400℃に達す
るまでかけた。その後、圧力を減少させ、温度が260
0℃に昇温するまでの間では治具の重量による圧ツJ]
00g/cm2だけが加わるようにした。温度が260
08Cに達した後、200kg/cm2の圧力をかけ、
そのまま200kg/cn+2の圧力を維持しながら、
3000℃まで昇温した。続いて、いったん200kg
/cm2の圧力をかけたまま1200℃まで降温し、3
0分間維持し、再び、圧力を20kg/cm2とした状
態において10°C/minの速度て2600℃まて昇
温した後、2600℃以」二の温度域て200kg/c
m2の圧力をかけ3000℃まで昇温しで、ブロック状
グラファイトを得た。
フィルム(Dupon社製商品名カプトンHフィルム)
200枚を重ねてグラファイト製の治具にセットし以下
のようにして焼成した。
で1400℃まで昇温した。この間、フィルムには、治
具重量による圧力100g/am2だけが加わるように
した。次に1400℃に達した後、同様の昇温速度を保
ちながら、30kg/cm2の圧力を1600℃に達す
るまでかけた。その後、圧力を減少させ、温度が270
0℃に昇温するまでの間では治具の重量による圧力]、
OOg/cm2だけが加わるようにした。温度が270
0°Cに達した後、300kg/cm2の圧力をかけ、
そのまま300kg/cm2の圧力を維持しながら30
00℃まで昇温した。続いて、いったん200kg/c
m2の圧力をかけたまま1000℃まで降温して30分
間維持し、再び、圧力を]0kg7cm2とした状態で
10°(:/minの速度で2700℃まで昇温した後
、2700℃以上の温度域で200kg/cm2の圧力
をかけ3000℃まで昇温しで、ブロック状グラファイ
トを得た。
ルム100枚を重ねてグラファイト製の治具にセットし
、以下のようにして焼成した。
て1500°Cまて昇温した。この間、フィルムには、
治具重量による圧力100g/cm2だけが加わるよう
にした。次に1500℃に達した後、同様の昇温速度を
保ちながら、30kg/Cm2の圧力を1800℃に達
するまでかけた。その後、圧力を減少させ、温度が28
00℃に昇温するまでの間は治具重量による圧力100
g/cm2だけが加わるようにした。温度が2800℃
に達した後、300kg/cm2の圧力をかけ、そのま
ま300kg/cm2の圧力を維持しながら3000℃
まで昇温した。
ま800℃まで降温して30分間維持し、再び、圧力を
10kg/cm2とした状態で20°C/minの速度
で2800℃まで昇温した後、2800℃以上の温度域
で200kg/cm2の圧ツJをかけ3000℃まで昇
温しで、ブロック状グラファイトを得た。
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
した他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイ
トを得た。
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
た他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
た他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
した他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイ
トを得た。
うにした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラフ
ァイトを得た。
た他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
した他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイ
トを得た。
にした他は、各実施例それぞれと同様にして、ブロック
状グラファイトを得た。
皺の殆どない平滑な表面を有していた。
フレックスRU−200B型X線回折装置を用いて測定
した。グラファイト(002)回折線のピーク位置にお
けるロッキング特性測定の結果得られた回折線の半値幅
をもって評価した。測定結果を第1表および第2表に示
す。
ずれも、優れたロッキング特性を有し、X線や中性子線
のモノクロメータ等に適したものであることが良く分か
る。また、1000℃以上の降昇温過程が配向性向上に
大きく寄与していることも良く分かる。
過程で1000℃以上もの降昇温過程を経るため、皺や
内部歪みのない優れた高配向性グラファイトが容易に得
られる。
、フィルム寸法変化の大きい温度域では実質無圧処理し
、フィルム寸法変化の殆どない温度域で加圧処理を行な
っているため、高配向性のグラファイトを確実に得るこ
とができる。
イト化に適した原料フィルムであるため、高配向性グラ
ファイトが得やすい。
ム寸法および温度−フィルムグラファイト化率を表す特
性図である。 A・・・フィルム寸法曲線 B・・・グラファイト化率曲線。
Claims (3)
- (1)複数枚の高分子フィルム、あるいは、高分子フィ
ルムから得られた炭素質フィルムを重ねておいて、温度
を2600℃以上まで上げた後で、いったん1600℃
以下の温度域まで下げてから再び2600℃以上の温度
域まで戻す過程が少なくとも1回ある焼成によりグラフ
ァイト化することを特徴とするグラファイトの製造方法
。 - (2)複数枚の高分子フィルム、あるいは、高分子フィ
ルムから得られた炭素質フィルムを重ねておいて、高分
子熱分解温度を越え2000℃の間の温度域で加圧処理
を行ない、2000〜2600℃の間は実質無圧処理し
、2600℃以上の温度域で加圧処理を行なった後で、
いったん1600℃以下の温度域まで下げてから再び2
600℃以上の温度域まで戻すとともに少なくとも同2
600℃以上の温度域で加圧処理を行なう過程が少なく
とも1回ある焼成によりグラファイト化することを特徴
とするグラファイトの製造方法。 - (3)高分子フィルムが、ポリオキサジアゾール、芳香
族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾ
ール、ポリベンゾビスチアゾール、ポリベンゾオキサゾ
ール、ポリチアゾール、および、ポリパラフェニレンビ
ニレンのうちの少なくとも一つからなる請求項2または
3記載のグラファイトの製造方法。
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1990
- 1990-11-30 JP JP2330588A patent/JP2975099B2/ja not_active Expired - Lifetime
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