JPH01270350A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、高周波化、高耐圧化を図ることが可能な半
導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図はガードリング領域を備えた従来の半導体装置の
主要部を示す断面図である。この図において、１はｎ０
型のサブストレート、２はｎ型のエピタキシャル層、３
はｐ型のベース領域、４８〜４ｃは前記ベース領域３と
同じ濃度を有するｐ型のガードリング領域である。

この従来の半導体装置において、ベース領域３のジャン
クション深さを浅くして高周波特性を向上させるために
は、ベース領域３を形成する際の注入エネルギーおよび
注入量を小さくし、アニール時間を短くする必要があっ
た。すなわち、イオン注入したものを、活性化はさせる
が再分布しないようにする必要があった。

〔発明が解決しようとするｎＢ） 上記のような従来の半導体装置では、高周波特性を向上
させるためにジャンクシ刊ン深さを浅くするので、必然
的にジャンクションの曲率が小さくなり、耐圧が劣化す
るという問題点があった。

この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、高周波特性を向上できるとともに、耐圧の向上も図
ることができる半導体装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置は、ガードリング領域をベー
ス領域よりも大きな曲率で形成するとともに、ベース領
域の端部を最内側のガードリング領域内に位置させたも
のである。

〔作用〕

この発明においては、高周波特性を向上させるためにベ
ース領域を浅く形成しても、耐圧を決定する主因となる
ベース領域の曲率が等測的に大きくなる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の半導体装置の一実施例の主要部を示
す断面図である。この図において、第２図と同一符号は
同一のものを示し、５８〜５ｄはこの発明におけるｐ型
のガードリング領域である。

次にその製造工程について簡単に説明する。

まず、写真製版技術によりパターニングし、高エネルギ
ーでイオン注入したのち、アニーリングを行うことによ
って深く曲率の大きいガードリング領域５ａ〜５ｄを形
成する１次に、写真製版技術によりバターニングし、低
エネルギーでイオン注入したのちアニーリングを行うこ
とにより浅いベース領域３を形成し、かつその端部を最
内側のガードリング領域５ａ内に位置させる。

すなわち、このようにして得られた半導体装置では、高
周波特性がベース領域３の深さで決定され、一方、耐圧
は主として最内側のガードリング領域５ａの曲率によっ
て決定されるようになる。

したがって、高周波特性を向上させるためにベース領域
３を浅く形成しても、ベース領域３の曲率がガードリン
グ領域５ａによって等測的に大きくなっているため、高
耐圧を実現することが可能である。

なお、上記実施例では、サブストレート１を０９型とし
て説明したが、ｐ０型の場合についても同じように適用
できる。ただし、そのときはベース領域３およびガード
リング領域５８〜５ｄもｐ型にする必要がある。

また、ガードリング領域５８〜５ｄおよびベース領域３
を個々にアニーリングしているが、同時にアニーリング
しても同様の効果を奏する。

（発明の効果） この発明は以上説明したとおり、ガードリング領域をベ
ース領域よりも大きな曲率で形成するとともに、ベース
領域の端部を最内側のガードリング領域内に位置させた
ので、ベース領域を浅く形成しても、耐圧を決定する主
因となるベース領域の曲率が等測的に大きくなり、高周
波特性の向上と高耐圧化を同時に実現できるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体装置の一実施例の主要部を示
す断面図、第２図は従来の半導体装置の主要部を示す断
面図である。 図において、１はサブストレート、２はエピタキシャル
層、３はベース領域、５８〜５ｄはガードリング領域で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ベース領域と、このベース領域の周囲に複数個のガー
   ドリング領域を備えた半導体装置において、前記ガード
   リング領域を前記ベース領域よりも大きな曲率で形成す
   るとともに、前記ベース領域の端部を最内側の前記ガー
   ドリング領域内に位置させたことを特徴とする半導体装
   置。