JPH01270281A - 半導体基板の接着方法 - Google Patents
半導体基板の接着方法Info
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- JPH01270281A JPH01270281A JP63099670A JP9967088A JPH01270281A JP H01270281 A JPH01270281 A JP H01270281A JP 63099670 A JP63099670 A JP 63099670A JP 9967088 A JP9967088 A JP 9967088A JP H01270281 A JPH01270281 A JP H01270281A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板の接着方法に関し、
基板と絶縁性支持板を接着剤で接着する際に接着剤に気
泡が入らないようにするのを目的とし、予め、真空で排
気することで気泡を除去した接着剤を絶縁性支持板に載
置した基板の近傍に設置し、該接着剤を前記基板と絶縁
性支持板の間に前記接着剤の表面張力によって注入した
後、前記基板に荷重をかけて接着剤の厚さを所定の厚さ
にして基板と絶縁性支持板とを接着することで構成する
。
泡が入らないようにするのを目的とし、予め、真空で排
気することで気泡を除去した接着剤を絶縁性支持板に載
置した基板の近傍に設置し、該接着剤を前記基板と絶縁
性支持板の間に前記接着剤の表面張力によって注入した
後、前記基板に荷重をかけて接着剤の厚さを所定の厚さ
にして基板と絶縁性支持板とを接着することで構成する
。
本発明は半導体基板、特に化合物半導体基板の接着方法
に関する。
に関する。
赤外線検知素子のような光電変換素子形成材料として、
工不ルギーパンドギャンプの狭い水銀・カドミウム・テ
ルルのような化合物半導体結晶が用いられている。
工不ルギーパンドギャンプの狭い水銀・カドミウム・テ
ルルのような化合物半導体結晶が用いられている。
このような化合物半導体結晶を用いて赤外線検知素子を
形成する際、水銀・カドミウム・テルルの基板を、サフ
ァイアのような絶縁性支持板上にエポキシ樹脂のような
接着剤を用いて接着し、基板を所定の厚さに成る迄研磨
した後、基板の両端部に金属電極を草着等によって形成
して赤外線検知素子を形成している。
形成する際、水銀・カドミウム・テルルの基板を、サフ
ァイアのような絶縁性支持板上にエポキシ樹脂のような
接着剤を用いて接着し、基板を所定の厚さに成る迄研磨
した後、基板の両端部に金属電極を草着等によって形成
して赤外線検知素子を形成している。
従来、このような水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−
ＸＣｄＸ Ｔｅ）の基板を絶縁性支持板に接着する際、
第３図に示すように絶縁性支持板１上にエポキシ樹脂の
ような接着剤２を滴下した後、刷毛等を用いて塗布した
後、該塗布した接着剤上に水銀・カドミウム・テルルの
基板３を接着した後、基板３上にゴム板４を当て、その
上に適当な荷重の錘５を載せて基板３に加重を掛けなが
ら支持板１に基板３を接着していた。
ＸＣｄＸ Ｔｅ）の基板を絶縁性支持板に接着する際、
第３図に示すように絶縁性支持板１上にエポキシ樹脂の
ような接着剤２を滴下した後、刷毛等を用いて塗布した
後、該塗布した接着剤上に水銀・カドミウム・テルルの
基板３を接着した後、基板３上にゴム板４を当て、その
上に適当な荷重の錘５を載せて基板３に加重を掛けなが
ら支持板１に基板３を接着していた。
〔発明が解決しようとする課題］
然し、接着剤２を支持Ｆｉ、１に刷毛等を用いて塗布す
る際に、接着剤２の内部に空気が混入されるようになり
、また接着剤２の上に基板３をかぶせて接着する際に基
板３と接着剤２の間の空気が気泡となって接着剤２中に
混入し、この気泡によって基板３を研磨して薄層の状態
にする際に基板に歪みが入りやすい。
る際に、接着剤２の内部に空気が混入されるようになり
、また接着剤２の上に基板３をかぶせて接着する際に基
板３と接着剤２の間の空気が気泡となって接着剤２中に
混入し、この気泡によって基板３を研磨して薄層の状態
にする際に基板に歪みが入りやすい。
更に該基板上にレジスト膜を塗布した後、該レジスト膜
を所定パターンに形成し、このパターン形成されたレジ
スト膜をマスクとして用いてエツチング液により基板を
素子分離する際、気泡があるとその部分よりエツチング
液が入り込んで素子が欠落する問題がある。
を所定パターンに形成し、このパターン形成されたレジ
スト膜をマスクとして用いてエツチング液により基板を
素子分離する際、気泡があるとその部分よりエツチング
液が入り込んで素子が欠落する問題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、接着剤に気泡が入ら
ない状態で基板と支持板とが接着できるようにした半導
体基板の接着方法の提供を目的とする。
ない状態で基板と支持板とが接着できるようにした半導
体基板の接着方法の提供を目的とする。
上記目的を達成する本発明の半導体基板の接着方法は、
予め、真空で排気することで気泡を除去した接着剤を絶
縁性支持板に載置した基板の近傍に設置し、該接着剤を
前記基板と絶縁性支持板の間に前記接着剤の表面張力に
よって注入した後、前記基板に荷重をかけて接着剤の厚
さを所定の厚さにして基板と絶縁性支持板とを接着する
ことを特徴とする。
予め、真空で排気することで気泡を除去した接着剤を絶
縁性支持板に載置した基板の近傍に設置し、該接着剤を
前記基板と絶縁性支持板の間に前記接着剤の表面張力に
よって注入した後、前記基板に荷重をかけて接着剤の厚
さを所定の厚さにして基板と絶縁性支持板とを接着する
ことを特徴とする。
絶縁性支持板上に載置した基板の近傍に、予め気泡を除
去した接着剤を設置し、この接着剤の有する表面張力で
接着剤を基板と支持板の間に注入する。
去した接着剤を設置し、この接着剤の有する表面張力で
接着剤を基板と支持板の間に注入する。
このようにすれば、従来の方法に於けるように、刷毛で
支持板に接着剤を塗布する際、或いは支持板に塗布した
接着剤上に基板をがふせて基板と支持板を接着させる際
に接着剤中に気泡が混入するのを避けることができる。
支持板に接着剤を塗布する際、或いは支持板に塗布した
接着剤上に基板をがふせて基板と支持板を接着させる際
に接着剤中に気泡が混入するのを避けることができる。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）に示すようにサファイアのような絶縁性支
持板ｌｌ上に、水銀・カドミウム・テルルのような化合
物半導体基板１２を載置し、該基板１２の近傍に真空で
排気処理して気泡を除去したエポキシ樹脂のような接着
剤１３を設置する。
持板ｌｌ上に、水銀・カドミウム・テルルのような化合
物半導体基板１２を載置し、該基板１２の近傍に真空で
排気処理して気泡を除去したエポキシ樹脂のような接着
剤１３を設置する。
この接着剤１３はエポキシ樹脂（チハガイギー社製：商
品名ＡＶ−１０３）に硬化剤（チバガイギー社製：商品
名４１Ｙ−９５１）とを混合したものである。
品名ＡＶ−１０３）に硬化剤（チバガイギー社製：商品
名４１Ｙ−９５１）とを混合したものである。
次いで第１図（ｂ）のように必要とあらば接着剤１３を
８０°Ｃ程度の温度に加熱し、支持板１１と基板１２と
の間に接着剤１３の有する表面張力によって、接着剤１
３を注入する。この工程に於いて接着剤が加熱しなくと
も表面張力によって基板と支持板との間に注入されるよ
うな粘度であると、加熱の工程を省いても良い。
８０°Ｃ程度の温度に加熱し、支持板１１と基板１２と
の間に接着剤１３の有する表面張力によって、接着剤１
３を注入する。この工程に於いて接着剤が加熱しなくと
も表面張力によって基板と支持板との間に注入されるよ
うな粘度であると、加熱の工程を省いても良い。
次いで第１図（Ｃ）のように基板１２上にゴム板１４を
載せ、その上に錘１５を載せて接着剤１３の厚さが１〜
２μｍ程度の厚さになるように接着剤を薄く広げた後、
自然放置すると該接着剤中の硬化剤の作用によって自然
に硬化する。
載せ、その上に錘１５を載せて接着剤１３の厚さが１〜
２μｍ程度の厚さになるように接着剤を薄く広げた後、
自然放置すると該接着剤中の硬化剤の作用によって自然
に硬化する。
このようにすれば、従来の方法に於けるように接着剤を
刷毛等を用いて支持板に塗布する際に気泡が接着剤に入
るのが防止でき、気泡の混入しない接着剤によって基板
と支持板が確実に接着できるつ 本発明の第２実施例は、第２図（ａ）に示すように、基
板１２と接着剤１３を載置した支持板１１を容器１６内
に設置し、該容器１６の排気バルブ１７に連なる真空ポ
ンプを用いて該容器１６内の真空度が１０− ’ ｔｏ
ｒｒの真空度に成る迄排気する。
刷毛等を用いて支持板に塗布する際に気泡が接着剤に入
るのが防止でき、気泡の混入しない接着剤によって基板
と支持板が確実に接着できるつ 本発明の第２実施例は、第２図（ａ）に示すように、基
板１２と接着剤１３を載置した支持板１１を容器１６内
に設置し、該容器１６の排気バルブ１７に連なる真空ポ
ンプを用いて該容器１６内の真空度が１０− ’ ｔｏ
ｒｒの真空度に成る迄排気する。
更に必要とあらば、第２図（ｂ）に示すように、接着剤
１３を加熱ランプ（図示せず）等を用いて７０〜８０°
Ｃに加熱して流動状とし、その接着剤１３の表面張力に
よって基板１２と支持板１１の間に接着剤が流入される
ようにする。
１３を加熱ランプ（図示せず）等を用いて７０〜８０°
Ｃに加熱して流動状とし、その接着剤１３の表面張力に
よって基板１２と支持板１１の間に接着剤が流入される
ようにする。
この加熱の工程は、接着剤１３が基板１２と支持板１１
との間に表面張力で入り込むような粘度を有する場合に
は省略しても良い。
との間に表面張力で入り込むような粘度を有する場合に
は省略しても良い。
次いで第２図（Ｃ）に示すように、基板１２上にゴム板
１４と錘１５が自動的に設置されるような手段（図示せ
ず）を容器１６内に施してゴム板１４と錘１５が自動的
に基板上に設置されるようにする。この状態で所定時間
放置すると接着剤中の硬化剤の作用によって接着剤が硬
化する。その後、容器内の真空を破って基板が接着剤で
接着された支持板を取り出す。
１４と錘１５が自動的に設置されるような手段（図示せ
ず）を容器１６内に施してゴム板１４と錘１５が自動的
に基板上に設置されるようにする。この状態で所定時間
放置すると接着剤中の硬化剤の作用によって接着剤が硬
化する。その後、容器内の真空を破って基板が接着剤で
接着された支持板を取り出す。
このようにすれば、第１実施例と比較すると接着剤の脱
泡が不十分な場合にも真空容器内で接着剤が基板と支持
板の間に注入される間に確実に脱泡処理されるのでより
確実に接着剤中の気泡が除去できる。
泡が不十分な場合にも真空容器内で接着剤が基板と支持
板の間に注入される間に確実に脱泡処理されるのでより
確実に接着剤中の気泡が除去できる。
更に第３の実施例として、容器１６の真空を破って容器
１６より支持板１１を取り出した後、再度支持板１１を
容器１６内に挿入した後、該容器１６を再度真空排気し
た後、容器１６の真空を破って基板１２を容器１６より
取り出して接着剤を硬化させる方法をとると更に気泡が
接着剤中に混入されなくなる。
１６より支持板１１を取り出した後、再度支持板１１を
容器１６内に挿入した後、該容器１６を再度真空排気し
た後、容器１６の真空を破って基板１２を容器１６より
取り出して接着剤を硬化させる方法をとると更に気泡が
接着剤中に混入されなくなる。
更に第４の実施例として容器１６内に基板に荷重を掛け
る手段を設けずに、基板を容器１６から取り出した後、
基板に荷重を掛けて接着剤の厚さが均一に成るようにし
ても良い。
る手段を設けずに、基板を容器１６から取り出した後、
基板に荷重を掛けて接着剤の厚さが均一に成るようにし
ても良い。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
基板と絶縁性支持板とが気泡が混入されない状態の接着
剤で接着されるため、基板の研磨の際に基板に歪が入っ
たりする事故がなくなり、また素子が欠落することなく
確実に素子分離されるので素子の製造歩留まりが向上す
る効果がある。
基板と絶縁性支持板とが気泡が混入されない状態の接着
剤で接着されるため、基板の研磨の際に基板に歪が入っ
たりする事故がなくなり、また素子が欠落することなく
確実に素子分離されるので素子の製造歩留まりが向上す
る効果がある。
第１図（ａ）より第１図（Ｃ）迄は本発明の方法の第１
実施例の工程を示す説明図、 第２図（ａ）より第２図（Ｃ）迄は本発明の方法の第２
実施例の工程を示す説明図、 第３図は従来の方法の説明図である。 図において、 １１は絶縁性支持板、１２は化合物半導体基板、１３は
接着剤、１４はゴム板、１５は錘、１６は容器、１７は
排気パルプを示す。 二二 （ｂ〕 Ａ５ミ朗）オ１創力謬ｐＪのＬネ￥セ京す説明図第１図 手刈、力尼禮タトぴ塾材疎明国 第２図 捷／ｆ：／１万滋に説明図 第３図
実施例の工程を示す説明図、 第２図（ａ）より第２図（Ｃ）迄は本発明の方法の第２
実施例の工程を示す説明図、 第３図は従来の方法の説明図である。 図において、 １１は絶縁性支持板、１２は化合物半導体基板、１３は
接着剤、１４はゴム板、１５は錘、１６は容器、１７は
排気パルプを示す。 二二 （ｂ〕 Ａ５ミ朗）オ１創力謬ｐＪのＬネ￥セ京す説明図第１図 手刈、力尼禮タトぴ塾材疎明国 第２図 捷／ｆ：／１万滋に説明図 第３図
Claims (1)
- 予め、真空で排気することで気泡を除去した接着剤（
１３）を絶縁性支持板（１１）に載置した基板（１２）
の近傍に設置し、該接着剤（１３）を前記基板（１２）
と絶縁性支持板（１１）の間に前記接着剤（１３）の表
面張力によって注入した後、前記基板（１２）に荷重を
かけて接着剤の厚さを所定の厚さにして基板（１２）と
絶縁性支持板（１１）とを接着することを特徴とする半
導体基板の接着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099670A JPH01270281A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体基板の接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099670A JPH01270281A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体基板の接着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270281A true JPH01270281A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14253471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63099670A Pending JPH01270281A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体基板の接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270281A (ja) |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63099670A patent/JPH01270281A/ja active Pending
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