JPH01269903A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH01269903A JPH01269903A JP63098722A JP9872288A JPH01269903A JP H01269903 A JPH01269903 A JP H01269903A JP 63098722 A JP63098722 A JP 63098722A JP 9872288 A JP9872288 A JP 9872288A JP H01269903 A JPH01269903 A JP H01269903A
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- light
- optical
- multilayered wiring
- transmission parts
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- Pending
Links
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 ゛
本発明は、光ＩＣを複数個搭載する多層配線基板に関す
る。
る。
従来、多層配線基板の内部の信号伝達部は金属の導体材
料および誘電体の絶縁材料を用いて複数の電気信号用の
配線層を形成する構成となっていた。
料および誘電体の絶縁材料を用いて複数の電気信号用の
配線層を形成する構成となっていた。
上述した従来の多層配線基板は、光信号を伝送するため
の配線が設けられてなく、高速の光ＩＣを使用したマル
チチップパッケージを構成しようとしても、多層配線基
板の配線を用いてチップ間の光による信号伝送ができな
いという欠点がある。
の配線が設けられてなく、高速の光ＩＣを使用したマル
チチップパッケージを構成しようとしても、多層配線基
板の配線を用いてチップ間の光による信号伝送ができな
いという欠点がある。
本発明の多層配線基板は、基板上に二酸化ケイ素からな
る多層配線層が設けられ、この多層配線層は電気配線層
のほかに光絶縁部中にこの光絶縁部より屈折率の大きい
光伝送部が多層に設けられ前記光伝送部と同じ屈折率の
コンタクトホールが異る層の前記光伝送部を接続するよ
うにして構成され、搭載される光ＩＣは前記光伝送部に
接続する前記コンタクトホールに光ファイバーにより接
続されることを特徴とする。
る多層配線層が設けられ、この多層配線層は電気配線層
のほかに光絶縁部中にこの光絶縁部より屈折率の大きい
光伝送部が多層に設けられ前記光伝送部と同じ屈折率の
コンタクトホールが異る層の前記光伝送部を接続するよ
うにして構成され、搭載される光ＩＣは前記光伝送部に
接続する前記コンタクトホールに光ファイバーにより接
続されることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を切断して示す斜視図である
。多層配線層１は石英ガラス基板２上に設けられた厚さ
数十ミクロンの５ｉ０２（二酸化ケイ素）で形成されて
いる。多層配線層１には、光絶縁部４中に光伝送部３が
直径１０μｍ、ピッチ３０μｍで形成さるれ、必要に応
じて曲部が設けられている。
。多層配線層１は石英ガラス基板２上に設けられた厚さ
数十ミクロンの５ｉ０２（二酸化ケイ素）で形成されて
いる。多層配線層１には、光絶縁部４中に光伝送部３が
直径１０μｍ、ピッチ３０μｍで形成さるれ、必要に応
じて曲部が設けられている。
光伝送部３と光絶縁部４は、５ｉ０２中に含まれる不純
物濃度による光の屈折率の違いにより分けられ、光伝送
部３の方が光絶縁部４より屈折率が大きくなるように５
ｉ０２中の不純物濃度を調整しである。それにより、光
は光伝送部３と光絶縁部４の境界面で全反射し、光伝送
部３の内部を進行していく。
物濃度による光の屈折率の違いにより分けられ、光伝送
部３の方が光絶縁部４より屈折率が大きくなるように５
ｉ０２中の不純物濃度を調整しである。それにより、光
は光伝送部３と光絶縁部４の境界面で全反射し、光伝送
部３の内部を進行していく。
光伝送部３は多層にして設けられ、異る層の光伝送部３
はコンタクトホール５で結合され、このコンタクトホー
ルの材料組成は光伝送部３と同一である。コンタクトホ
ール５により、複数層におよぶ光伝送部３を結合するこ
とが可能となり、光伝送配線３による多層配線層１が形
成される。
はコンタクトホール５で結合され、このコンタクトホー
ルの材料組成は光伝送部３と同一である。コンタクトホ
ール５により、複数層におよぶ光伝送部３を結合するこ
とが可能となり、光伝送配線３による多層配線層１が形
成される。
多層配線層１の表面に搭載される光ＩＣ６と光伝送部３
に通じるコンタクトホール５とは光ファイバー７で結合
されている。多層配線層１の上部には光ＩＣ６に電力を
供給する電源Ｍ８が形成されており、導体線９により光
ＩＣ６に電力を供給している。
に通じるコンタクトホール５とは光ファイバー７で結合
されている。多層配線層１の上部には光ＩＣ６に電力を
供給する電源Ｍ８が形成されており、導体線９により光
ＩＣ６に電力を供給している。
なお、第１図において電源Ｎ８および導体線９を網目を
付して表わし、光伝送部３およびコンタクトホール５は
切断面において斜線を付さない部分で表わしである。
付して表わし、光伝送部３およびコンタクトホール５は
切断面において斜線を付さない部分で表わしである。
また、光伝送部３は直径が数ミクロンから数十ミクロン
の円柱状または角柱状とすることができる。また、コン
タクトホールも直径数ミクロンから数十ミクロンにする
ことができる。
の円柱状または角柱状とすることができる。また、コン
タクトホールも直径数ミクロンから数十ミクロンにする
ことができる。
以上説明したように本発明は多層配線層に５ｉ０２を使
用し、Ｓ ｉ ０２中の不純物濃度を調整することによ
り、光伝送部分と光絶縁部分を形成し、光多層配線層を
構成し、光ＩＣ間の光による信号伝送ができるという効
果がある。
用し、Ｓ ｉ ０２中の不純物濃度を調整することによ
り、光伝送部分と光絶縁部分を形成し、光多層配線層を
構成し、光ＩＣ間の光による信号伝送ができるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の多層配線基板の断面図であ
る。 １・・・多層配線層、２・・・石英ガラス基板、３・・
・光伝送部、４・・・光絶縁部、５・・・光コンタクト
ホール、６・・・光集積回路、７・・・光ファイバー、
８・・・電源配線層、９・・・電源用導体線。
る。 １・・・多層配線層、２・・・石英ガラス基板、３・・
・光伝送部、４・・・光絶縁部、５・・・光コンタクト
ホール、６・・・光集積回路、７・・・光ファイバー、
８・・・電源配線層、９・・・電源用導体線。
Claims (1)
- 基板上に二酸化ケイ素からなる多層配線層が設けられ
、この多層配線層は電気配線層のほかに光絶縁部中にこ
の光絶縁部より屈折率の大きい光伝送部が多層に設けら
れ前記光伝送部と同じ屈折率のコンタクトホールが異る
層の前記光伝送部を接続するようにして構成され、搭載
される光ＩＣは前記光伝送部に接続する前記コンタクト
ホールに光ファイバーにより接続されることを特徴とす
る多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098722A JPH01269903A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098722A JPH01269903A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01269903A true JPH01269903A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14227412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098722A Pending JPH01269903A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01269903A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312886A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Hitachi Ltd | セラミック積層回路基板及びその製造方法並びに前記基板の用途 |
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| JPH0588028A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Fujikura Ltd | 表面実装型光集積回路及びその製造方法 |
| JPH06167622A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | 光素子用回路基板及びその製造方法 |
| US5955010A (en) * | 1996-01-05 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical transmission line forming method |
| US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
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| JPS61156871A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Nec Corp | 平面光プリント板 |
| JPS61186908A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Fujikura Ltd | 光−電子複合積層基板装置 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63098722A patent/JPH01269903A/ja active Pending
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| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
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