JP3748528B2 - 光路変換デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、光電変換素子と光導波路との間を光結合する光路変換デバイスおよびその製造方法に関し、特にアレイ状に配列された光電変換素子と光導波路との間に配置されるアレイ型光結合用光導波路ユニットの構造および製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、高速大容量の光通信システムや多数のプロセッサ間を並列信号処理する超並列コンピュータの開発に向けて、高密度で装置内を通信する光インターコネクションの開発が精力的に行われている。このような光インターコネクションを行う際、伝送された光信号の処理は電子デバイスで担われる。そして、それらの電子デバイスを結合する境界デバイスには、光導波路、光電変換素子、電子制御用のLSIやスイッチ、あるいは電子部品を駆動させるための電気回路があわさった光−電気混合デバイスが必要となる。特に、高速広帯域の通信システムを実現するために、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、LD(Laser Diode)、PD(Photo Diode)のような光電変換素子を備えたデバイスの要求が高まっている。
【0003】
このような要求に対し、マイクロミラー付き光ピンを光電変換素子上に設け、光ピンと同形のスルーホールを光プリント基板に設け、光ピンをスルーホールに嵌め込んで光電変換素子と光プリント基板とを光結合させる技術が、例えばエレクトロニクス実装学会誌(vol.2, No.5, P368-372, 1999)に「光回路実装における90度光路変換技術」として提案されている。
【0004】
この従来の光回路実装における90度光路変換技術は、図14に示されるように、光プリント基板1には光導波路となるコア2が埋設され、スルーホール3がコア2を切断するように光プリント基板1に形成され、光電変換素子4に固定されたマイクロミラー付き光ピン5をスルーホール3に嵌め込むものである。そして、スルーホール3はその穴中心をコア2の光軸と直交するように光プリント基板1に形成され、光ピン5の先端面をその光軸と45度の角度を有するマイクロミラー5aに形成している。これにより、例えばコア2を伝播してきた光がマイクロミラー5aで全反射されて光ピン5に導かれ、光ピン5内を伝播して光電変換素子4に到達する。つまり、コア2と光電変換素子4とを、90度光路変換させて光結合させている。
【0005】
この従来の光路変換技術を採用することにより、発光素子から空間に出射される光や光導波路から空間に出射される光が放射角を持って広がることに起因する発光素子と光導波路との光結合や光導波路と受光素子との光結合の低下を防止できる。さらに、この従来の光路変換技術によれば、マイクロミラー5aを介してVCSEL等の発光素子(光電変換素子)からコア2に光を入射させる場合にも、コア2からPD等の受光素子(光電変換素子)に光を出射させる場合にも、同構造で光電変換素子4とコア2との光結合が行えるという利点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光路変換技術は、以上のように構成されているので、マイクロミラー付き光ピン5を光電変換素子4のそれぞれに対して単品で固定しなければならず、製造プロセスが煩雑となるとともに、低コスト化が図られない。
また、光ピン5を嵌め込むためにスルーホール3を光プリント基板1に形成する必要がある。この光ピン5は数μm〜数百μmの直径であり、スルーホール3も光ピン5と同等の径を有するように形成しなければならず、スルーホール3の加工が極めて困難であり、生産性が悪化してしまう。そして、スルーホール3の個数が多くなるほど、この問題が顕著となる。さらに、微細なスルーホール3の内壁面を凹凸なく形成することは困難であり、スルーホール3によって形成されたコア2の端面の凹凸に起因してコア2と光ピン5との光結合効率が低下してしまう。
また、光電変換素子4をアレイ化する構成では、多数の光電変換素子4に対して光ピン5を1つづつ固定しなければらなず、光ピン5の位置精度が悪化する。これにより、光電変換素子4と光ピン5との光軸ずれが生じ、光結合効率の低下をもたらすことになる。
また、光電変換素子4の素子数の増大に対応するためにコア2をアレイ化した層を多層に配置する構成では、光ピン5の長さはコア層毎に異なり、長尺の光ピン5が必要となる。この光ピン5の長尺化は、光ピン5の反りをもたらし、コア2の光軸に対するマイクロミラー5aの位置精度が悪化してしまい、光結合効率が低下する。
【0007】
この発明は、上記の課題を解消するためになされたもので、光導波路と光電変換素子との間に配設される光結合用光導波路をアレイ化して、光結合用光導波路の反りの発生を抑えるとともに、複数の光結合用光導波路をユニット単位で位置決めを可能とし、製造プロセスの簡略化を図り、低価格化を実現できるとともに、光結合効率の低下を抑えることができる光路変換デバイスおよびその製造方法を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る光路変換デバイスは、光電変換素子が基板上にn行m列のマトリクス状(但し、n,mは2以上の整数)に配設されたアレイ型光電変換素子ユニットと、光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本の光導波路が、その一端部を上記光電変換素子の列間の間隔分ずらしてm層に積層構成されたアレイ型光導波路ユニットと、上記アレイ型光導波路ユニットの各光導波路の一端部にそれぞれ設けられて該光導波路の光軸に対して所定の角度を有するミラーと、n本の光結合用光導波路がその光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されてなり、上記アレイ型光変換素子ユニットの光電変換素子の各列と対応する上記ミラーとの間に、該光結合用光導波路の光軸が上記光導波路の光軸と、該ミラー上で交差し、かつ、該ミラー上の該交差点における垂線に対して対称となり、さらに該光電変換素子の素子面の中心を通るように配設されているアレイ型光結合用光導波路ユニットとを備えたものである。
【0009】
また、上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、n本の光ファイバが、その光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されて構成されているものである。
【0010】
また、上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本のコアがクラッドにより埋設一体化されて構成されているものである。
【0012】
さらに、この発明に係る光路変換デバイスの製造方法は、第1のクラッド層を基板上に形成し、コア層を上記第1のクラッド層上に積層形成し、上記コア層をパターニングしてその長軸方向を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列された少なくとも2本の断面矩形のコアを形成し、ついで第2のクラッド層を被覆形成して、配列された上記少なくとも2本のコアを上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化し、その後上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化された上記少なくとも2本のコアを上記基板および上記第1および第2のクラッド層ごと所定長さに切断してアレイ型光結合用光導波路ユニットを作製する工程を有するものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図について説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスを示す斜視図、図2はこの発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
各図において、アレイ型光電変換素子ユニット10は、VCSEL、LD、PD等の光電変換素子11が仕様に応じて適宜選択されて所定の間隔で4列に配列されて基板12上に実装されている。そして、各列には、光電変換素子11が所定ピッチで4つ配列されている。
【0014】
アレイ型光導波路ユニット20A、20Bは、それぞれ光導波路となる断面矩形のコア21が、その光軸を平行として、かつ、光軸を同一平面上に位置するようにして、光電変換素子11の各列における配列ピッチと同ピッチで4本配列された状態で、クラッド22に埋め込まれて作製されている。そして、コア21の長さ方向におけるユニット20A、20Bの一側端面がコア21の光軸に対して45度の角度(ミラー角度θ)の平坦面に形成され、金メッキが施されてミラー40を構成している。また、ユニット20の他側端面はコア21の光軸に対して90度の角度の平坦面に形成されている。なお、アレイ型光導波路ユニット20Bの長さは、アレイ型光導波路ユニット20Aに対して、光電変換素子11の列間の間隔分短く形成されている。
ここで、コア21およびクラッド22の材料にはフッ素化ポリイミドが用いられているが、コア21には、クラッド22のフッ素化ポリイミドより屈折率の大きいフッ素化ポリイミドが用いられている。そして、両者の屈折率差は0.1〜1.0%である。
【0015】
アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bは、それぞれ光結合用光導波路となる断面矩形のコア31が、その光軸を平行として、かつ、光軸を同一平面上に位置するようにして、光電変換素子11の各列における配列ピッチと同ピッチで4本配列された状態で、クラッド32に埋め込まれて作製されている。そして、コア31の長さ方向のユニット30A、30Bの両端面がコア31の光軸に対して90度の角度の平坦面に形成されている。なお、アレイ型光結合用光導波路ユニット30Bの長さは、アレイ型光結合用光導波路ユニット30Aに対して、アレイ型光導波路ユニット20Bの厚み分短く形成されている。
ここで、コア31およびクラッド32の材料にはフッ素化ポリイミドが用いられているが、コア31には、クラッド32のフッ素化ポリイミドより屈折率の大きいフッ素化ポリイミドが用いられている。そして、両者の屈折率差は0.1〜1.0%である。
【0016】
そして、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bは他側端面の面位置を合わせて積層一体化されている。そして、積層一体化されたアレイ型光導波路ユニット20A、20Bの対が、光電変換素子11の列間の間隔分離されて、ミラー40を対向させて配置される。
一方、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bは、基板12上に、ユニット30B、ユニット30A、ユニット30Aおよびユニット30Bの順に4列に配列されて固着されている。この時、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bは、コア31の光軸がそれぞれ各列の対応する光電変換素子11の素子面(発光面もしくは受光面)の中心に一致するように、位置決めされている。
【0017】
そして、アレイ型光電変換素子ユニット10が、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bの先端面をアレイ型光導波路ユニット20A、20Bの上面に密接するように配設されて、光路変換デバイス100を構成している。この時、対応するコア21およびコア31の光軸同士がミラー40上で交わり、かつ、ミラー40上の交差点における垂線に対して対称となるように、アレイ型光電変換素子ユニット10、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bおよびアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが位置決めされている。これにより、コア21、31の光軸が互いに一致し、光電変換素子11の素子面の中心が、コア31の光軸に一致している。
【0018】
このように構成された光路変換デバイス100は、図3の(a)に示されるように、アレイ型光導波路ユニット20Aを基板9に固定し、あるいは、図3の(b)に示されるように、アレイ型光電変換素子ユニット10を基板9に固定して、例えば光通信システムや超並列コンピュータに組み込まれる。そして、電気配線が基板9の内部あるいは外部に設けられ、光電変換素子11と該電気配線とが半田バンプやワイヤボンディングにより電気的に接続され、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21と光スイッチや合分波器等の光デバイスとが光コネクタ等により接続されて、光通信システムや超並列コンピュータが構成される。
【0019】
ここで、基板9には、Si、GaAs、Al2O3、SiO2、AlN等の無機材料や、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料が用いられるが、光路変換デバイス100を支持できるものであれば、これに限定されるものではない。
【0020】
ついで、この光路変換デバイス100の動作について説明する。
光電変換素子11がVCSEL、LDのような発光素子であれば、光電変換素子11から出射された光は、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31内に導かれ、コア31内を伝播した後、コア31の端面から出射されてミラー40で反射される。そして、ミラー40により光路を90度変換された光は、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21内に導かれ、コア21内を伝播する。
また、光電変換素子11がPDのような受光素子であれば、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21内を伝播した光はミラー40で反射される。そして、ミラー40により光路を90度変換された光は、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31内に導かれ、コア31内を伝播して光電変換素子11に受光される。
【0021】
この実施の形態1によれば、コア21と光電変換素子11とを90度光路変換させて光結合できる光路変換デバイス100が得られる。
そして、4本のコア31がクラッド32により埋設一体化されてアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bに構成されているので、1列に配列された4つの光電変換素子11に4本のコア31をユニット単位で、即ち1工程で固定でき、製造プロセスが簡略化され、低コスト化が図られる。
また、4本のコア31の配列ピッチを4つの光電変換素子11の配列ピッチに合わせてアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを作製することにより、コア31の光軸と光電変換素子11の素子面中心とのずれが簡易に抑えられ、コア31と光電変換素子11との間の光結合効率の低下が抑えられる。
【0022】
また、4本のコア31がクラッド32により埋設一体化されてアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bに構成されているので、コア31の長尺化に起因するコア31の反りの発生は従来技術のように光ピン5単品に発生する反りに比べて著しく低減される。その結果、コア31の長さを高精度に確保でき、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bを多層に積層する構成に適用しても、光結合効率の低下が抑えられる。
また、従来技術のようにスルーホールをアレイ型光導波路ユニット20A、20Bに設ける必要がないので、極めて困難なスルーホール加工が不要となる分、生産性が向上される。さらに、スルーホール加工に起因するコア端面の凹凸がなく、即ちコア21の端面を平滑面に形成できるので、その点においても光結合効率の低下が抑えられる。
【0023】
また、光電変換素子11が発光素子、受光素子に拘わらず、同構造で光電変換素子11とコア21との光結合を実現できる。さらに、光電変換素子11として受光素子と発光素子とが混在する光路変換デバイスを実現できる。
さらに、コア21とコア31とがミラー40を介して光結合されているので、発光素子から空間に出射される光や光導波路から空間に出射される光が放射角を持って広がることに起因する発光素子と光導波路との光結合や光導波路と受光素子との光結合の低下を防止できる。
また、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが光電変換素子11を覆うように基板12上に固着されているので、光電変換素子11が保護され、光電変換素子11の長寿命化が図られる。
【0024】
ここで、この光路変換デバイス100の製造方法について図4および図5を参照しつつ説明する。
まず、光電変換素子11のチップを基板12上に4×4のマトリクス状に実装してアレイ型光電変換素子ユニット10が作製される。
【0025】
つぎに、基板50上に第1のフッ素化ポリイミド溶液をスピンコートし、ベーキングして10μm厚の第1のクラッド層51aを形成する。さらに、第1のフッ素化ポリイミドより屈折率の大きい第2のフッ素化ポリイミド溶液をスピンコートし、ベーキングして5μm厚のコア層53を形成する。これにより、図4の(a)に示されるように、第1のクラッド層51aおよびコア層53が基板50上に2層に重なって形成される。
ついで、コア層53上にフォトレジストを塗布し、写真製版技術を用いてフォトレジストをパターニングし、その後反応性イオンエッチングによりコア層53の不要部分を除去する(パターニングする)。そして、フォトレジストを除去し、図4の(b)に示されるように、5μm幅のコア52が平行に4本形成される。なお、コア52は、光電変換素子11の各列における配列ピッチと等しいピッチに配列されている。
ついで、第1のフッ素化ポリイミド溶液をスピンコートし、ベーキングして10μm厚の第2のクラッド層51bを形成する。これにより、図4の(c)に示されるように、4本の断面矩形状のコア52が第1および第2のクラッド層51a、51b(クラッド層51)に埋設されてなる構造体54を得る。
【0026】
ついで、該構造体54をダイヤモンドブレード(図示せず)を用いて所定長さに切断し、該切断面を研磨して図4の(d)に示される構造体55A、55Bを得る。この構造体55A、55Bは、コア52の長さ方向の両端面がコア52の長さ方向と直交する平坦面に形成され、その長さがアレイ型光導波路ユニット20Bの厚み分異なっている。
このように作製された構造体55A、55Bの基板50を除去して、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを得る。なお、コア52がコア31に相当し、クラッド層51がクラッド32に相当する。
【0027】
さらに、図4の(e)に示されるように、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを、基板12上に、ユニット30B、ユニット30A、ユニット30Aおよびユニット30Bの順に4列に配列して固着する。この時、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bは、光電変換素子11が受光素子である場合には、コア31から光を入射させ、光電変換素子11の出力をモニターし、該出力が最大となる位置で、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の接着剤を用いて固定する。また、光電変換素子11が発光素子である場合には、光電変換素子11の出射光をコア31に対して位置決めされた受光素子に受光させ、該受光素子の出力をモニターし、該出力が最大となる位置で、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の接着剤を用いて固定する。これにより、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを構成する4つのコア31の光軸は、それぞれ各列の対応する光電変換素子11の素子面中心に一致する。
【0028】
つぎに、該構造体54を90度V字型ダイヤモンドブレード57を用いて所定長さに切断し、図5の(a)に示される構造体56A、56Bを得る。この構造体56A、56Bは、コア52の長さ方向の一側端面がコア52の長さ方向と45度の角度を有する平坦面に形成され、他側端面がコア52の長さ方向と直交する平坦面に平成されている。
ついで、構造体56A、56Bの両端面が研磨され、金メッキが一側端面に被覆され、ミラー40となる。
さらに、このように作製された構造体56A、56Bの基板50を除去して、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bを得る。なお、コア52がコア21に相当し、クラッド層51がクラッド22に相当する。
そして、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bが他側端面の面位置を合わせて積層され、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の接着剤を用いて固定される。この一体化されたアレイ型光導波路ユニット20A、20Bの対が、図5の(b)に示されるように、光電変換素子11の列間の間隔分離されて、ミラー40を対向させて配置される。
【0029】
ついで、アレイ型光電変換素子ユニット10が、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bの先端面をアレイ型光導波路ユニット20A、20Bの上面に密接するように配置される。そして、光電変換素子11が受光素子である場合には、コア21から光を入射させ、光電変換素子11の出力をモニターし、該出力が最大となるようにアレイ型光電変換素子ユニット10を位置決め固定することになる。一方、光電変換素子11が発光素子である場合には、光電変換素子11の出射光をコア21に対して位置決めされた受光素子に受光させ、該受光素子の出力をモニターし、該出力が最大となるようにアレイ型光電変換素子ユニット10を位置決め固定することになる。これにより、対応するコア21およびコア31の光軸同士がミラー40上で交わり、かつ、ミラー40上の交差点における垂線に対して対称となるように、アレイ型光電変換素子ユニット10、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bおよびアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを配列してなる光路変換デバイス100が得られる。
【0030】
この実施の形態1による光路変換デバイスの製造方法によれば、基板50上に第1のクラッド層51aを被覆し、さらに第1のクラッド層51a上にコア層53を被覆した後、コア層53をエッチングにより所定ピッチに配列した4本のコア52を形成し、ついで第2のクラッド層51bを被覆してコア52が第1および第2のクラッド層51a、51bに埋設された構造体54を作製し、その後構造体54を所定長さに切断し、さらに基板50を除去してアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを作製しているので、コア31の配列ピッチを高精度に確保でき、かつ、反りの発生しにくいアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを作製できる。
【0031】
このように作製されたアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを光路変換デバイスに適用すれば、アレイ型光電変換素子ユニット10の各列の光電変換素子11とコア31との位置合わせがユニット単位で行われ、光路変換デバイスの生産性が向上される。同様に、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21とアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31との位置合わせがユニット単位で行われ、光路変換デバイスの生産性が向上される。また、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが反りの発生しにくい構造となっているので、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bが層状に配列され、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが長尺化しても、ユニット30A、30Bの反りに起因する光結合効率の低下が抑えられる。
【0032】
また、構造体54を切断してアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを作製しているので、長さの異なるアレイ型光結合用光導波路ユニットを簡易に作製でき、アレイ型光導波路ユニットの多層化に容易に対応できる。
また、コア52がクラッド層51に埋設された構造をスピンコート技術や真空成膜技術の成膜技術と写真製版技術およびエッチング技術を利用したパターニング技術により作製しているので、コア52を任意の配列ピッチで高精度に配列させることができる容易にできる。そこで、コア52(コア31)の間隔を制御しやすく、光電変換素子11の素子間を狭間隔化した高密度実装にも対応でき、光路変換デバイスの小型化が実現できる。
同様に、構造体55A、55Bの基板50を除去してアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが作製されているので、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bの小型化が図られ、光電変換素子11の列間を狭間隔化した高密度実装にも対応でき、光路変換デバイスの小型化が実現できる。
【0033】
また、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bおよびアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bの端面が研磨されているので、コア21、31端面の凹凸に起因する光結合効率の低下が抑えられる。
また、ミラー40がコア21の端面に金メッキを施して形成されているので、コア21やコア31から出射される光がミラー40で全反射され、光結合効率の低下が抑えられる。
【0034】
ここで、上記実施の形態1では、基板50には、Si等の無機材料が用いられるが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いてもよい。
また、上記実施の形態1では、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bをアレイ型光電変換素子ユニット10に固定するものとしているが、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bはミラー40とアレイ型光電変換素子ユニット10との間に配設されていればよく、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bをアレイ型光導波路ユニット20A、20Bの上面(光電変換素子11に対向する面)に固定するようにしても良い。
【0035】
また、上記実施の形態1では、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bとアレイ型光電変換素子ユニット10とを、あるいはアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bとアレイ型光導波路ユニット20A、20Bとを接着剤を用いて固定するものとしているが、両ユニットの接合部にメタライズ層を形成し、半田接合や金属超音波接合等の金属接合を用いてもよい。
また、上記実施の形態1では、構造体56A、56Bの支持基板50を除去してアレイ型光結合用光導波路ユニット20A、20Bを作製するものとしているが、支持基板50を薄板化してアレイ型光結合用光導波路ユニットを作製するようにしてもよい。この場合、アレイ型光結合用光導波路ユニットの大型化をもたらすが、アレイ型光結合用光導波路ユニットの強度を大きくでき、反りの発生を確実に抑えることができる。
【0036】
また、上記実施の形態1では、構造体54をダイヤモンドブレードを用いて切断するものとしているが、構造体54の切断方法はこれに限定されるものではなく、構造体54を精度良く切断できる方法であればよく、例えばエッチング等の方法を用いることができる。また、切断後、研磨処理を行うことにより、切断面の平滑化および長さの高精度化が図られる。
また、上記実施の形態1では、光電変換素子11のチップを基板12上にマトリクス状に実装してアレイ型光電変換素子ユニット10を作製するものとしているが、基板としてシリコンウエハを用い、半導体製造技術を用いてシリコンウエハ上に光電変換素子11を直接作り込んでアレイ型光電変換素子ユニットを作製してもよい。
【0037】
また、上記実施の形態1では、第2のフッ素化ポリイミドのスピンコート層を反応性イオンエッチングによりパターニングするものとしているが、第2のフッ素化ポリイミドに光硬化性を付与すれば、反応性イオンエッチングを用いることなく、写真製版技術のみでそのスピンコート層をパターニングでき、製造プロセスの簡略化が図られる。つまり、所定ピッチで配列されたコア相当部が光透過するパターンに形成されたフォトマスクを介してスピンコート層に光照射し、スピンコート層の光照射部分を光硬化させる。そして、光未照射部分、つまり未硬化部分を除去することで、所定ピッチで配列されたコア52が得られる。
【0038】
また、上記実施の形態1では、コア21、31およびクラッド22、32の材料にフッ素化ポリイミドを用いるものとして説明しているが、コアおよびクラッドの材料は、フッ素化ポリイミドに限定されるものではなく、導波に必要な屈折が得られ、かつ、伝播波長に対して低損失である材料であればよく、例えば石英、ポリメチルメタアクリレート(PMMA)、シリコーン樹脂等が用いられる。
そして、コア、クラッドにフッ素化ポリイミドに代えてPMMA、シリコーン樹脂等の有機材料が用いられる場合には、上記実施の形態1と同様にして、スピンコート技術とパターニング技術とを組み合わせることにより、コアをクラッドに埋設する構造を作製することができる。
また、コア、クラッドにフッ素化ポリイミドに代えて石英等の無機材料が用いられる場合には、スパッタ等の真空成膜技術とパターニング技術とを組み合わせることにより、コアをクラッドに埋設する構造を作製することができる。
さらに、コアおよびクラッドを異なる材料で作製することも可能であり、さらにはその一方を石英等の無機材料で作製し、他方をフッ素化ポリイミド等の有機材料で作製することも可能である。
【0039】
実施の形態2.
この実施の形態2では、図6に示されるように、アレイ型光導波路ユニット20Cは、一側端面がコア21の光軸に対して30度の角度を有する平坦面に形成され、該平坦面に金メッキが施されてミラー角度(θ)を30度とするミラー40に形成されている。また、アレイ型光結合用光導波路ユニット30Cは、端面がコア31の光軸に対して30度の角度を持った平坦面に形成され、コア21(あるいはコア31)から出射してミラー40で反射された光の光軸が、コア31(あるいはコア21)の光軸に一致するようにしている。
なお、他の構成は、上記実施の形態1と同様に構成されている。
【0040】
従って、この実施の形態2によれば、上記実施の形態1と同様の効果が得られるとともに、コア21と光電変換素子11とを120度光路変換させて光結合できる光路変換デバイスが得られる。
【0041】
ここで、ミラー角度(θ)が30度に限らず、任意に設定すれば、コア21と光電変換素子11とを任意の角度で光路変換させて光結合できる光路変換デバイスが得られる。
【0042】
実施の形態3.
この実施の形態3では、図7に示されるように、アレイ型光導波路ユニット20D、20Eは、両端面がコア21の光軸に対して90度の角度を有する平坦面に形成されている。また、アレイ型光結合用光導波路ユニット30D、30Eは、一側端面がコア31の光軸に対して45度の角度を持った平坦面に形成され、該平坦面に金メッキが施されてミラー角度(θ)を45度とするミラー40に形成されている。この場合においても、コア21(あるいはコア31)から出射してミラー40で反射された光の光軸が、コア31(あるいはコア21)の光軸に一致するようになっている。
なお、他の構成は、上記実施の形態1と同様に構成されている。
従って、この実施の形態3においても、上記実施の形態1と同様の効果が得られる。
【0043】
実施の形態4.
この実施の形態4では、図8に示されるように、石英、シリコン、金属等により作製されたミラー部材41をアレイ型光導波路ユニット20Dの端面近傍に配置し、ミラー部材41にコア21の光軸に対して45度の角度を有するミラー40が形成されている。そして、図示していないが、アレイ型光結合用光導波路ユニット30Aが、コア21(あるいはコア31)から出射してミラー40で反射された光の光軸が、コア31(あるいはコア21)の光軸に一致するように、配置されている。また、図示していないが、アレイ型光導波路ユニット20E、ミラー部材41およびアレイ型光結合用光導波路ユニット30Bが、同様な位置関係で配列されている。
なお、他の構成は、上記実施の形態1と同様に構成されている。
従って、この実施の形態4においても、上記実施の形態1と同様の効果が得られる。
【0044】
実施の形態5.
図9はこの発明の実施の形態5に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
図9において、アレイ型光電変換素子ユニット10Aは、受光素子からなる光電変換素子11aと発光素子からなる光電変換素子11bとを基板12上に4×4のマトリクス状に実装して作製されている。また、アレイ型光導波路ユニット20F、20Gは、コア21の長さ方向の両端面が45度のミラー角度を有するミラー40を構成している点を除いて、アレイ型光導波路20A、20Bと同様に形成されている。
【0045】
そして、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bがアレイ型光電変換素子ユニット10Aにコア31の光軸を光電変換素子11a、11bの素子面中心に一致するように位置決め固定されている。また、2つのアレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11a、11bが、積層されたアレイ型光導波路ユニット20F、20Gおよびアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bにより光結合されている。さらに、各アレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11a、11bが、それぞれアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bを介してアレイ型光導波路ユニット20A、20Bに光結合されている。この時、対応するコア21およびコア31の光軸同士がミラー40上で交わり、かつ、ミラー40上の交差点における垂線に対して対称となるように、即ちコア21およびコア31の光軸が一致するように、アレイ型光導波路ユニット20A、20B、20F、20Gおよびアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bが位置決めされている。また、アレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21の端部は、コネクタ(図示せず)を介して光スイッチや合分波器等の光デバイスに光結合されている。
【0046】
つぎに、このように構成された光路変換デバイス101の動作について説明する。
一方のアレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11bから出射された光がアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31に入射し、コア31内を伝播し、アレイ型光導波路ユニット20F、20Gの一方のミラー40で反射されてアレイ型光導波路ユニット20F、20Gのコア21に入射する。そして、コア21内を伝播し、他方のミラー40で反射されて、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31に入射し、コア31内を伝播し、他方のアレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11aに受光される。
また、コネクタを介してアレイ型光導波路ユニット20A、20Bのコア21に入射した光は、コア21内を伝播し、ミラー40で反射されてアレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31に入射し、コア31内を伝播して、一方のアレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11aに受光される。
さらに、他方のアレイ型光電変換素子ユニット10Aの光電変換素子11bから出射された光は、アレイ型光結合用光導波路ユニット30A、30Bのコア31に入射し、コア31内を伝播し、アレイ型光導波路ユニット20A、20Aのミラー40で反射されてコア21に入射し、コア21内を伝播し、コネクタを介して光デバイスに送光される。
【0047】
このように、この実施の形態5によれば、受光素子および発光素子が複合配列されたアレイ型光電変換素子ユニット10A間を光結合できる光路変換デバイス101を実現できる。
【0048】
実施の形態6.
この実施の形態6では、図10に示されるように、アレイ型光結合用光導波路ユニット30Aに代えて短尺のアレイ型光結合用光導波路ユニット30Fを2層に積層して配設している。なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
【0049】
この実施の形態6によれば、短尺のアレイ型光結合用光導波路ユニット30B、30Fを用いているので、アレイ型光結合用光導波路ユニットの長尺化に起因する反りの発生が抑えられ、光結合効率の低下が抑えられる。
【0050】
なお、上記実施の形態6では、短尺のアレイ型光結合用光導波路ユニットを2層に積層するものとしているが、3層以上に積層するようにしてもよい。この場合、中間のアレイ型光結合用光導波路ユニットにレンズ機能を付加することにより、光結合効率を向上させることができる。
【0051】
実施の形態7.
上記各実施の形態では、配列された矩形断面のコア31をクラッド32に埋設して作製されたアレイ型光結合用光導波路ユニットを用いるものとしているが、この実施の形態7では、配列された光ファイバを一体化して作製されたアレイ型光結合用光導波路ユニットを用いるものとしている。なお、光ファイバは円形断面のコアをクラッドにより被覆して形成したものである。また、光ファイバにおいても、コアとクラッドとの屈折率差は0.1〜1.0%としている。
【0052】
この実施の形態7による光路変換デバイス102では、図11に示されるように、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bは、それぞれ光結合用光導波路となる光ファイバ61が、その光軸を平行として、かつ、光軸を同一平面上に位置するようにして、光電変換素子11の各列における配列ピッチと同ピッチで4本配列された状態で一体化されて作製されている。そして、光ファイバ61の長さ方向のユニット60A、60Bの両端面が光ファイバ61の光軸に対して90度の角度の平坦面に形成されている。なお、アレイ型光結合用光導波路ユニット60Bの長さは、アレイ型光結合用光導波路ユニット60Aに対して、アレイ型光導波路ユニット20Bの厚み分短く形成されている。
そして、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bは、基板12上に、ユニット60B、ユニット60A、ユニット60Aおよびユニット60Bの順に4列に配列されて固着されている。この時、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bは、光ファイバ61の光軸がそれぞれ各列の対応する光電変換素子11の素子面の中心に一致するように、位置決めされている。
なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
【0053】
ここで、アレイ型光結合用光導波路ユニットの製造方法について図12を参照しつつ説明する。
まず、図12の(a)に示されるように、シリコンウエハからなる支持基板70をエッチングして所定ピッチで配列されたV溝70aを形成する。なお、V溝70aの配列ピッチは、光電変換素子11の各列における配列ピッチと同じである。
ついで、図12の(b)に示されるように、円形断面の光ファイバ71を各V溝70aに載置する。そして、図12の(c)に示されるように、各V溝70aに光ファイバ71を入れるようにもう1つの支持基板70を載置し、支持基板70間にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の接着剤72を充填硬化し、所定のピッチで配列された4本の光ファイバ71を一体化した構造体73を得る。
【0054】
ついで、該構造体73をダイヤモンドブレード(図示せず)を用いて所定長さに切断し、該切断面を研磨して図12の(d)に示される構造体74A、74Bを得る。この構造体74A、74Bは、光ファイバ71の長さ方向の両端面が光ファイバ71の長さ方向と直交する平坦面に形成され、その長さがアレイ型光導波路ユニット20Bの厚み分異なる。
このように作製された構造体74A、74Bの基板70を除去して、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを得る。なお、光ファイバ71が光ファイバ61に相当する。
【0055】
さらに、図12の(e)に示されるように、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを、基板12上に、ユニット60B、ユニット60A、ユニット60Aおよびユニット60Bの順に4列に配列して固着する。この時、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bは、光電変換素子11が受光素子である場合には、光ファイバ61から光を入射させ、光電変換素子11の出力をモニターし、該出力が最大となる位置で、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の接着剤を用いて固定する。また、光電変換素子11が発光素子である場合には、光電変換素子11の出射光を光ファイバ61に対して位置決めされた受光素子に受光させ、該受光素子の出力をモニターし、該出力が最大となる位置で、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の接着剤を用いて固定する。これにより、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを構成する4つの光ファイバ61の光軸は、それぞれ各列の対応する光電変換素子11の素子面中心に一致する。
【0056】
このようにアレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bが固着されたアレイ型光電変換素子ユニット10と、積層されたアレイ型光導波路ユニット20A、20Bとを、上記実施の形態1と同様に配置し、光路変換デバイス102が作製される。
【0057】
この実施の形態7では、上記実施の形態1と同様の効果が得られるとともに、光結合用光導波路が光ファイバ61、即ち円形断面のコアで構成されているので、光結合用光導波路内を伝播する光の損失を少なくすることができる。
また、安価な光ファイバ71を配列一体化した構造体73を切断することでアレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを作製できるので、製造プロセスが簡略化され、生産性が向上するとともに、低価格化が図られる。
【0058】
なお、上記実施の形態7では、上記実施の形態1によるアレイ型光結合用光導波路ユニットに代えて光ファイバ61を配列一体化したアレイ型光結合用光導波路ユニットを用いるものとしているが、上記実施の形態2〜6によるアレイ型光結合用光導波路ユニットに代えて光ファイバ61を配列一体化したアレイ型光結合用光導波路ユニットを用いてもよい。
また、上記実施の形態7では、光ファイバ71を配列一体化した構造体73を所定長さに切断してアレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを作製するものとしているが、該構造体73を切断して作製されたものをアレイ型光導波路ユニットに適用してもよいことはいうまでもないことである。
また、上記実施の形態7では、支持基板70にシリコンウエハを用いるものとしているが、支持基板70はシリコンウエハに限定されるものではなく、光ファイバ71を精度良く支持できるものであればよく、例えば銅、ニッケル等の金属材料、石英、AlN、Al2O3等の無機材料、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機材料が用いられる。
【0059】
また、上記実施の形態7では、支持基板70にエッチングによりV溝70aを形成するものとしているが、V溝70aの形成方法はエッチングに限定されるものではなく、光ファイバ71の光軸が平行で、かつ、同一平面上に一致するように支持基板70に形成できればよく、例えばダイシングで形成してもよい。
また、上記実施の形態7では、光ファイバ71を接着剤72で一体化するものとしているが、光ファイバ71の一体化方法は接着剤72に限定されるものではなく、例えば光ファイバ71および支持基板70に金属メッキを施し、半田等の低融点金属により両者を接合するようにしてもよい。
また、上記実施の形態7では、一対の支持基板70により配列された光ファイバ71を支持するものとしているが、1つの支持基板70で配列された光ファイバ71を支持するようにしてもよい。
【0060】
また、上記実施の形態7では、構造体74A、74Bの支持基板70を除去してアレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを作製するものとしているが、支持基板70を薄板化してアレイ型光結合用光導波路ユニットを作製するようにしてもよい。この場合、アレイ型光結合用光導波路ユニットの大型化をもたらすが、アレイ型光結合用光導波路ユニットの強度を大きくでき、反りの発生を確実に抑えることができる。
また、上記実施の形態7では、ダイヤモンドブレードを用いて構造体73を切断するものとしているが、構造体73の切断方法はこれに限定されるものではなく、構造体73を精度よく切断できるものであればよい。
また、上記実施の形態7では、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bを基板12に接着剤を用いて固定するものとしているが、アレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bの固定方法は接着剤に限定されるものではなく、例えばアレイ型光結合用光導波路ユニット60A、60Bと支持基板12との接合部に金属メッキを施し、半田等の低融点金属により両者を接合するようにしてもよい。
【0061】
実施の形態8.
この実施の形態8は、光ファイバ71を配列一体化する他の方法を提供するものである。
ここで、この実施の形態8による光ファイバを配列一体化する方法を図13に基づいて説明する。
まず、図13の(a)に示されるように、深さl、幅wの凹部75aが形成された整列型75を作製する。なお、深さlは光ファイバ71の直径に等しく、幅wは光ファイバ71の直径の整数倍(ここでは7倍)に形成されている。
ついで、図13の(b)に示されるように、7本の光ファイバ71を整列型75の凹部75aに配列させる。この時、凹部75aの幅wが光ファイバ71の直径の7倍に形成されているので、7本の光ファイバ71が、光軸を平行に、かつ、同一平面上に一致させて、隙間無く配列されて凹部75a内に収納される。
さらに、図13の(c)に示されるように、接着剤72を凹部75a内に充填硬化させて、光ファイバ71を配列一体化する。
【0062】
そして、このように作製された構造体を所定長さに切断し、アレイ型光結合用光導波路ユニットやアレイ型光導波路ユニットに適用される。
【0063】
この実施の形態8によれば、整列型75の作製が、V溝70aが形成された支持基板70の作製に比べて容易であり、低コスト化が図られる。
【0064】
ここで、上記実施の形態8では、配列された光ファイバ71を接着剤72により一体化するものとしているが、光ファイバ71と整列型75との接合部、あるいは光ファイバ71同士の接合部に金属メッキを施し、半田等の低融点金属により両者を接合一体化するようにしてもよい。
【0065】
なお、上記各実施の形態では、コアの材料とクラッドの材料との屈折率差を0.1〜1.0%とするものとして説明しているが、両者の屈折率差はこれに限定されるものではなく、用途によって適宜設定されるものである。
また、上記各実施の形態では、アレイ型光導波路ユニットおよびアレイ型光結合用光導波路ユニットはそれぞれ4本のコア21、31を有するものとして説明しているが、コア21、31の本数は4本に限定されるものではなく、2本以上であれば、本発明の効果が得られる。同様に、アレイ型光電変換素子ユニットにおいても、光電変換素子が2つ以上基板12上に配列されていればよい。
また、上記各実施の形態では、アレイ型光導波路ユニットが2層に積層されているものとしているが、アレイ型光導波路ユニットは1層の単層構造でも、2層以上の積層構造であってもよい。
【0066】
また、本発明による光路変換デバイスでは、光電変換素子11の扱える波長は、0.85um、1.3um、1.55umのものが一般的であるが、これに限定されるものではなく、必要に応じて任意の波長を用いることができる。
また、光電変換素子11の波長特性を活用して、複数の波長を扱えるようにしても良い。この場合、隣接する光導波路を伝播する光のクロストークが抑えられるようになる。
また、光導波路内を伝播するモードはシングルモードでも、マルチモードでもよいことは言うまでもないことである。
【0067】
【発明の効果】
この発明は、以上のように構成されているので、以下に記載されているような効果を奏する。
【0068】
この発明によれば、光電変換素子が基板上にn行m列のマトリクス状(但し、n,mは2以上の整数)に配設されたアレイ型光電変換素子ユニットと、光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本の光導波路が、その一端部を上記光電変換素子の列間の間隔分ずらしてm層に積層構成されたアレイ型光導波路ユニットと、上記アレイ型光導波路ユニットの各光導波路の一端部にそれぞれ設けられて該光導波路の光軸に対して所定の角度を有するミラーと、n本の光結合用光導波路がその光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されてなり、上記アレイ型光変換素子ユニットの光電変換素子の各列と対応する上記ミラーとの間に、該光結合用光導波路の光軸が上記光導波路の光軸と、該ミラー上で交差し、かつ、該ミラー上の該交差点における垂線に対して対称となり、さらに該光電変換素子の素子面の中心を通るように配設されているアレイ型光結合用光導波路ユニットとを備えたので、光結合用光導波路の反りの発生が抑えられるとともに、複数の光結合用光導波路をユニット単位で位置決めできるようになり、製造プロセスの簡略化を図り、低価格化を実現できるとともに、光結合効率の低下を抑えることができる光路変換デバイスが得られる。
【0069】
また、上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、n本の光ファイバが、その光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されて構成されているので、光結合用光導波路内を伝播する光の損失が抑えられる。
【0070】
また、上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本のコアがクラッドにより埋設一体化されて構成されているので、コア間を狭間隔化でき、高密度実装に対応することができる。
【0072】
さらに、この発明に係る光路変換デバイスの製造方法は、第1のクラッド層を基板上に形成し、コア層を上記第1のクラッド層上に積層形成し、上記コア層をパターニングしてその長軸方向を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列された少なくとも2本の断面矩形のコアを形成し、ついで第2のクラッド層を被覆形成して、配列された上記少なくとも2本のコアを上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化し、その後上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化された上記少なくとも2本のコアを上記基板および上記第1および第2のクラッド層ごと所定長さに切断してアレイ型光結合用光導波路ユニットを作製する工程を有するので、コア間を狭間隔化でき、小型化を可能とする光路変換デバイスの製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスを示す斜視図である。
【図2】 この発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図3】 この発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスの実装状態を説明する縦断面図である。
【図4】 この発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスにおけるアレイ型光結合用光導波路ユニットの製造方法を説明する工程図である。
【図5】 この発明の実施の形態1に係る光路変換デバイスにおけるアレイ型光導波路ユニットの製造方法を説明する工程断面図である。
【図6】 この発明の実施の形態2に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図7】 この発明の実施の形態3に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態4に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図9】 この発明の実施の形態5に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図10】 この発明の実施の形態6に係る光路変換デバイスの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図11】 この発明の実施の形態7に係る光路変換デバイスを示す斜視図である。
【図12】 この発明の実施の形態7に係る光路変換デバイスにおけるアレイ型光結合用光導波路ユニットの製造方法を説明する工程図である。
【図13】 この発明の実施の形態8に係る光路変換デバイスにおけるアレイ型光結合用光導波路ユニットの製造方法を説明する工程断面図である。
【図14】 従来の光路変換デバイスの構成を説明する模式図である。
【符号の説明】
10、10A アレイ型光電変換素子ユニット、11 光電変換素子、11a受光素子、11b 発光素子、12 基板、20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G アレイ型光導波路ユニット、21 コア(光導波路)、30A、30B、30C、30D、30E、30F、60A、60B アレイ型光結合用光導波路ユニット、31 コア(光結合用光導波路)、32 クラッド、50 基板、51a 第1のクラッド層、51b 第2のクラッド層、52 コア、53 コア層、71 光ファイバ、100、101、102 光路変換デバイス。
Claims (4)
- 光電変換素子が基板上にn行m列のマトリクス状(但し、n,mは2以上の整数)に配設されたアレイ型光電変換素子ユニットと、
光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本の光導波路が、その一端部を上記光電変換素子の列間の間隔分ずらしてm層に積層構成されたアレイ型光導波路ユニットと、
上記アレイ型光導波路ユニットの各光導波路の一端部にそれぞれ設けられて該光導波路の光軸に対して所定の角度を有するミラーと、
n本の光結合用光導波路がその光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されてなり、上記アレイ型光変換素子ユニットの光電変換素子の各列と対応する上記ミラーとの間に、該光結合用光導波路の光軸が上記光導波路の光軸と、該ミラー上で交差し、かつ、該ミラー上の該交差点における垂線に対して対称となり、さらに該光電変換素子の素子面の中心を通るように配設されているアレイ型光結合用光導波路ユニットとを備えたことを特徴とする光路変換デバイス。 - 上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、n本の光ファイバが、その光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列一体化されて構成されていることを特徴とする請求項1記載の光路変換デバイス。
- 上記アレイ型光結合用光導波路ユニットは、光軸を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列されたn本のコアがクラッドにより埋設一体化されて構成されていることを特徴とする請求項1記載の光路変換デバイス。
- 第1のクラッド層を基板上に形成し、コア層を上記第1のクラッド層上に積層形成し、上記コア層をパターニングしてその長軸方向を平行に、かつ、同一平面上に位置させて配列された少なくとも2本の断面矩形のコアを形成し、ついで第2のクラッド層を被覆形成して、配列された上記少なくとも2本のコアを上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化し、その後上記第1および第2のクラッド層により埋設一体化された上記少なくとも2本のコアを上記基板および上記第1および第2のクラッド層ごと所定長さに切断してアレイ型光結合用光導波路ユニットを作製する工程を有することを特徴とする光路変換デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
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