JP2002506223A - 光電子マルチチップ・モジュール - Google Patents

光電子マルチチップ・モジュール

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JP2002506223A
JP2002506223A JP2000534898A JP2000534898A JP2002506223A JP 2002506223 A JP2002506223 A JP 2002506223A JP 2000534898 A JP2000534898 A JP 2000534898A JP 2000534898 A JP2000534898 A JP 2000534898A JP 2002506223 A JP2002506223 A JP 2002506223A
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layer
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グスタフソン、ゴーラン
ハゲル、オルレ、ヨニイ
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テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル）
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Abstract

(57)【要約】 基板（１９）の上の薄膜多層構造は、光導波路（９）がそれで形成される適応反射率を有する３つのポリマー層（３１、３５、３９）を有する。信号伝導金属層（３３、３７、４１）はこれらの３つの薄膜層に配置されている。金属は導波路コア内で腐蝕し去られて、これによりコアとクラッディング物質の間の反射率の相違を有するチャネル・タイプの通常の光導波路が得られる。電気的ビアを形成するためにポリマー層内にホールが腐蝕される。レーザーのアブレーションによりミラー（５５）を形成し得て、３つのポリマー層のもう１つの類似のセットが図示の層の上に取りつけられた場合に、光導波路とある構成要素（７）との接続を供給し、また光ビアを形成する。こうして、多層構造内の電気的および光の相互接続が、最小数のポリマー層を使用して集積され、低損失を有する光導波路が構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は光電子マルチチップ・モジュールと、基本的にポリマー物質を使用し
てそれを製造する方法に関する。
【０００２】 （発明の背景と先行技術） 異なった導波路内を伝播する光を使用する電気通信システムは今日ますます拡
大している。個人の家庭または事務所へまでも光通信網を拡張すること、「家庭
への（内の／からの）ファイバ」、「カスタマ（企業）への（内の／からの）フ
ァイバ」などとも呼ばれるいわゆるローカル・アクセス・ネットワークには大き
な利益がある。また光通信網の使用を、ビジネス施設内のコンピュータを相互接
続するためと、更にコンピュータ装置内の通信やコンピュータとプリンターなど
の周辺装置の間の通信ために、ＬＡＮすなわちローカル・エリア・ネットワーク
内の光通信網の使用を拡張することには大きな利益がある。この拡大を達成する
ためには、もちろん光通信網の構成要素のコストをできるだけ減少させなければ
ならない。非常に重要なコストは、レーザー、ＬＥＤなどを含む光送信機と受信
機のモジュール、および他の能動的または受動的な光装置を製造することに関す
る。
【０００３】 光電子モジュールと電子光学的モジュールを商業的に製造する際に、コストを
劇的に減少させることは、少数の試みがあっただけである。例えば、モトローラ
社は「ＯＰＴＯＢＵＳ」と呼ばれるコンセプトを市場に提出したことがある。そ
のいくつかの細部はクナップ他への米国特許第５，６５９，６４８号に開示され
ている。ポリイミド製の基板に基づいた多層構造において、複数の光信号層が、
電気的に伝導する金属層の間の電気的に絶縁する層として使用されている。図１
と図２において、構造はポリマー物質の導波路コア１７、同１８．．．同４５、
同４６を含んでいて、それらの側面で中心層内に金属ストリップを有し、これら
金属ストリップは導波路クラッディングの部分を形成する。中心層の上と下の層
はポリイミドで作られ、オーバークラッディングとアンダークラッディングを形
成する。図３に示す構造において、全金属層５２、同６０が更に中心層とポリマ
ー・クラッディング層の間に配置される。電気信号導体の配置に関しては、何の
細部も示されていない。
【０００４】 （発明の要約） 本発明の１つの目的は電気的接続と光接続の両方を可能にする多層構造を供給
することである。
【０００５】 本発明の更に１つの目的は低損失を有して電気的接続と光接続の両方を可能に
する多層構造を供給することである。
【０００６】 本発明の更に１つの目的は最小の数の処理ステップを使用して容易に実行でき
る電気的接続と光接続を有する多層構造を製造する方法を提供することである。
【０００７】 適切な基板の上に多層構造を逐次的に構築するために、薄膜処理が使用される
。多層構造においては、適切なポリマーの少なくとも１つの薄膜層が、信号伝導
金属層を分離する電気的絶縁層と光導波路の層の両方として使用される。薄膜構
造の物質は、ある適当な選択された光の波長に対して光学的に透明であるように
選択され、この波長の屈折率に適応させてある。一般に、信号伝導金属層は光導
波路を形成する３つの薄膜層の間および／または上および／または下に配置され
るが、コアとクラッディング物質の間の屈折率の差をこのタイプの光導波路が有
するように、導波路コアで金属が腐蝕されて無くなり、すなわち、クラッディン
グは光学的に透明な物質についてであり、薄膜構造の底の部分と上層の部分によ
り形成される。従って、最小の数のポリマー層を使用して多層構造内に電気的相
互接続と光相互接続を集積できるし、また光導波路を定義する金属層なしに、ま
たは導波路コアの直接の近傍に金属層なしに、光導波路は構築できる。レーザー
、フォトダイオード、光デバイスのための電子ドライバ回路、電子論理とメモリ
の回路などの種々の構成要素を多層構造に装着できる。これらの構成要素は例え
ばフリップ・チップ・マウントまたはワイヤ・ボンドされ得る。例えば、リボン
・タイプの組み合わせケーブルを形成して、電気導体と光導波路の両方を収容で
きる。
【０００８】 （好ましい実施例の説明） これから説明するマルチチップ・モジュールの製造は、一般にＭ．ロバーツソ
ン、Ａ．デイベック、Ｇ．ガスタフソン、Ｏ．−Ｊ．ヘーゲル、Ｍ．ポパールの
「ＭＣＭ−Ｌ／Ｄ−およびｏ／ｅ−ＭＣＭ−パッケージングのための新パターン
可能誘電物質と光学材料」、重合体電子機器包装についての第１回ＩＥＥＥ国際
シンポジウム、１９９７年１０月２６日―３０日、ノルチェピング、スエーデン
に記述された材料の使用に基づく。そこで、光導波路を構築するための光電気（
ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ）マルチチップ光パターン可能なポリマー材料、
ＯＲＭＯＣＥＲTMが開示されている。詳しくは、光導波路構造のコアとクラッデ
ィングを製造するために、これらの材料の屈折率を変えることができる。その上
、これらの材料は１２０゜ないし１８０゜の比較的低い温度で処理できる。この
低処理温度の結果として、高温処理に不適な低コストの基板も使用でき、これに
より回路基板に使用される標準的な材料であるＦＲ４−エポキシ、ＢＴ−ラミネ
ート、シリコン・ウエハ、セラミクス、ガラス、金属、ポリマーの薄い箔、その
他を使用できる。
【０００９】 図１に、種々の層でコートされた基板の一部分が示され、それの上に装着され
た光構成要素と電気構成要素を有する。基板を製造後にその上に構成要素を装着
してから、この基板は正方形モジュール１に分割されることを意図され、分割線
は３で指示され、基板を分割するためのマークは５で示される。７で表面発光（
ｓｕｒｆａｃｅ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ）レーザー・チップが示され、これは５つの
個別のレーザー・ユニットを含んでいる。このレーザー・ユニットは対応する５
つの光導波路９へ光を放出するが、これらは互いに並行に分割線３に垂直に延長
し、この分割線を越えて隣接するモジュール１へ延長する。レーザー・チップ７
が装着されているモジュールの上に、電子ドライバ回路チップ１１が配置されて
、更に電気接点パッド１３が、図示されないチップ・コンデンサのワイヤード接
続のために考慮されたモジュール１の余白領域に配置されている。光導波路９が
その中へ延長する隣接のモジュールに、光検出器１５が配置されて、５つの平行
な光導波路９からの光を受信する。３つの電子ドライバ・チップ１７もまたこの
モジュールに配置されて、電気接点パッドも供給される。光および電子のチップ
７、１５、１１、１７は、破線で描いた接点パッド１８により図示されるように
、例えばボール・グリッド・アレイ法で基板に電気的に接続できる。
【００１０】 図４の部分立面図において、光導波路９を構成して基板１９の直ぐ上に配置さ
れる種々の層が示され、また導電層および異なるレベルでの層の間の相互接続が
示される。標準的な多層タイプの基板１９が使用されて、その底面と上面にそれ
ぞれ金属層２１と同２３および２つの内部金属層２５、同２７を有する。これら
の金属層は全て種々の部品の間に適切な導電パスを形成するためにパターン化で
きる。また、基板の金属層２１ないし同２７を相互接続するために、ビアを適当
な位置に従来の方法で形成できる。基板１９内の上部内部厚金属層２７に接触す
るために、基板１９の上部金属層２３の上に第１パターン化薄金属層２９が塗布
されてビア３０を形成する。この薄金属層２９の上に第１ポリマー層３１が塗布
されて、次にはこの層の上に一連の信号伝送用第２薄導電金属層３３、第２ポリ
マー層３５、信号伝送用第３導電薄金属層３７、第３ポリマー層３９、信号伝送
用第４導電薄金属層４１が配置されている。ドライバ回路１１が代案としてここ
にあるが、第３金属層３７の接点領域へワイヤ４２により接続されるものとして
示されている。
【００１１】 ポリマー層３１、同３５、同３９は、上に引用した論文中に記述されているよ
うにポリマーＯＲＭＯＣＥＲで作られている。ポリマー層３１、同３５、同３９
は、後述するように光導波路のアンダークラッディング、導波路コア、オーバー
クラッディングを形成できるように調整された屈折率を有する。典型的な厚さは
５−７０μｍ、たとえば第２すなわち中間のポリマー層３５のために２０μｍで
ある。これらのポリマー層は、全てパターン化することができるが、それらは穴
や非常に小さな領域の穴や切り欠きしか含まず、主として異なるレベルの間の電
気的な相互接続を可能にするヴィア・ホールだけである。後述するように、更に
第２ポリマー層３７が、この層に形成される導波路コアの側壁にクラッディング
部分が形成され得るようにパターン化される。上部ポリマー層３５、同３７は、
１つまたは２つのモジュール１に接続されることを意図する光コネクタ４４のア
ラインメントができるように、長い平行な溝４３を含んでいるようにパターン化
できるが、図１を参照されたい。また上部ポリマー層３９は、第３電気信号層３
７の金属層に設けられた接点パッド１３と構造の上部側からの電気的接触を可能
にするための切り欠きを有し得る。
【００１２】 基板金属層２１、同２３、同２５、同２７の厚さが２００μｍであり得るのに
比較して、電気信号層２９、同３３、同３７、同４１は全て非常に薄く、典型的
に３μｍである。上部多層構造の中のこれら３つの薄い層２９、同３３、同３７
は、スパッタリングによりアルミニウムで作り得る。上部層４１は、最も下にア
ルミニウムのスパッタ層、その上に非常に薄いチタニウム層と薄い銅層、最上部
は、薄い金層でコートしたより厚いニッケル層で作られる。それらは全てパター
ン化されて導体パスと恐らくは電気接点パッドを形成して、下にあるポリマー層
内のヴィア・ホールを充填して、次の下に配置された導電層に接触するようにす
る。各電気信号層内にはむしろ少ししか金属物質が残されず、特に、導波路内の
光の伝播に干渉せず、導波路コアのまっすぐな延長と一様な横断面が可能になる
ように、第３ポリマー層が光導波路コアを形成する領域においては、第３ポリマ
ー層３９の底面と上面に金属物質が全く存在しない。
【００１３】 図２の拡大図において、上部金属層と上部ポリマー層が示され、特にレーザー
チップ７とその下の領域が示される。導波路９はここでは、第２ポリマー層３５
のストリップで形成される導波路コア５１を含んでいることが分る。この層のコ
ア５１の両側に溝５３が形成されて、次のポリマー層である第３すなわち上部ポ
リマー層３９からの物質で充填されているが、図３の断面図も参照されたい。溝
５３はオーバークラッディング層とアンダークラッディング層の厚さに対応する
幅を有し得る、すなわち例えば１０μｍの幅を有し得る。溝５３と従って導波路
９はレーザー・チップ７の下で延長して、そこで各導波路内で、層アセンブリの
上部からアブレーションをするレーザーにより生成される深い楕円形のによりミ
ラー５５が形成されるが、図４も参照されたい。層アセンブリの表面におけるミ
ラー凹所５５の少なくとも１つのエッジが、上部金属層４１の金属のストリップ
５７により限定され、これらの金属ストリップ５７の適当な側がそれぞれのミラ
ー凹所５５の位置を限定する。レーザー・チップ７に電気的に接触して、レーザ
ー・チップを半田付けするときに表面張力を使用してそれに位置を合わせるため
の接点パッド５９もまた上部金属層４１により形成される。この接点・整列パッ
ド５９とミラー限定ストリップ５７が、こうしてこの金属層をパターン化するた
めの同一の金属層により同一のマスク・ステップを使用して形成される。
【００１４】 図１の下部と特に図５で、コネクタ構造４４が見られる。スウェーデン特許出
願９５０４５４９−８に記述されているようなコネクタを形成することが意図さ
れている。コネクタ構造４４は長い長方形のプレートの形を有し、その長い両側
にリブ６１が下向きに突き出ている。リブは長い側（複数）に対称的に配置され
ていて、長方形のコネクタ本体の短い側（複数）からいくらかの距離で終る。全
てのポリマー層と基板１９を通過する切り欠き溝６３内に配置することにより、
リブ６１がコネクタ構造を近似的に位置決めすることを意図している。溝は、例
えば全ての金属層とポリマー層を塗布した後だが構成要素を装着する前に、機械
加工される。コネクタこの像４４の精密な位置決めと位置合わせのためにコネク
タ構造４４はまた低い位置合わせリブを有し、図面には見えないが、コネクタ構
造プレート部分の下側で高いリブ６１の間に配置されている。低い位置合わせリ
ブは上述の構造内で上部ポリマー層内の溝４３と協働する。
【００１５】 コネクタ構造４４は２つの隣接するモジュール１に橋をかける。それは複数の
モジュール間に延長している導波路９の上方に配置されて、これらの導波路のた
めの位置あわせのコネクタを形成することを意図している。コネクタ構造４４は
コートされた基板１９上に他の構成要素と同時に装着され、また図１のように、
例えばにかわパッド６７により基板の表面に貼り付けられる。図１と図５に図示
する実施例において、コネクタ構造のプレート型の本体の端部はレーザー・チッ
プ７と光検出器チップ１５の上に延長して、それらの保護物を形成している。全
ての構成要素とコネクタ構造を装着後に、マーク５により限定される線３に沿っ
て例えばのこぎりで引くことにより、基板１９は個別のモジュール１に分割され
る。そうしたのこぎり作業の後で、導波路９もまた切り取られて、モジュール境
界に端部を有するようになる。導波路の端部はそのとき、コネクタ構造４４の切
り取られた端部と同一の垂直すなわち鉛直の面に配置され、分割作業によりコネ
クタ構造４４は、各モジュール１に１つずつの２つのコネクタに分割される。
【００１６】 基板をモジュールに分割する前にコネクタ構造４４を取りつけることにより製
造コストを低くすることができ、これは基本的に２つのコネクタを１つの作業で
取りつけることと、個別のコネクタの端面が導波路の端面と同一の切り取り面に
配置されていることの両方によるのであり、後者は、減衰の少ない良く整列した
導波路接続を形成するために必要な端面の研磨を容易にする。
【００１７】 導波路が構成されることを可能にする表面構造において、もちろんエッジ放出
レーザーも使用できる。これは図６の断面図に図示されている。ここでエッジ放
出レーザー・ユニット７’が２つの上部ポリマー層３５と同３９内に作られた凹
所内に装着されている。このレーザー・ユニットはそれぞれの導波路へ光を出す
複数の個別のレーザーを含んでいる。レーザー・ユニット７’を追加のポリマー
層７３により保護することができる。この層７３はまたレーザーユニット７１の
表面と導波路１１の反対の端面の間を貫通し得る。そのとき、レーザー・ユニッ
トと導波路の反射率を一致させるために適当な反射率が有利に与えられ、これに
よりレーザユニットから導波路１１へ結合された光の減衰を少なくし、またレー
ザー・ユニットへの光の反射を減らすことができる。
【００１８】 コネクタ構造の代わりの実施例を図７に図示する。コネクタ構造４４’がそこ
に図示されて、２つの隣接する多層モジュールの主要部分を含み、またそれによ
り各モジュールの全ての構成要素を含む。切り欠き溝６３’が各モジュールの２
つの対向するエッジに配置され、平行な低リブ４３’がこれらの溝の次に配置さ
れている。これらの低リブを、各モジュールの３つのエッジに平行な連続リブと
して設計して、このコネクタ構造４４’を正確に位置決めするというそれらの主
要機能に加えて、これら３つのエッジにモジュールをシールすることができ、こ
れにより基板を分割するときに個別のコネクタが形成される。
【図面の簡単な説明】
下記の添付図面を参照しながら、非限定的な実施例により本発明を詳細に説
明した。
【図１】 電気信号パスと光導波路を形成する多層構造により覆われた基板の一部分の平
面図であり、この部分はコネクタを有する送信機モジュールと受信機モジュール
を特に図示する。
【図２】 より大きな尺度での平面図で、特に光導波路とレーザーチップの装着を示す。
【図３】 光導波路に垂直に取られた断面図で、それの構成を示す。
【図４】 表面放出レーザー・チップの装着と電気信号パスおよび光導波路へのその接続
を示す断面図である。
【図５】 基板上へのコネクタ装置の装着を図示する透視図である。
【図６】 表面放出レーザー・チップの装着と電気信号パスおよび光導波路へのその接続
を示す断面図である。
【図７】 図１と同様な平面図で、送信機モジュールと受信機モジュールのためのコネク
タの代わりの実施例を図示する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ハゲル、オルレ、ヨニイ スウェーデン国 リンケピング、レクトル スガタン ３ Ｆターム(参考） 2H047 MA07 QA05 RA00 TA00 TA36 5E338 BB31 BB75 CC01 CC10 CD11 EE11

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気信号と光信号を伝導する多層構造であって、 アンダークラッディングを形成する第１ポリマー層と、 前記第１ポリマー層の上に置かれて少なくとも１つの導波路コアを含んでいる
    第２ポリマー層と、 前記第２ポリマー層の上に置かれてオーバークラッディングを形成する第３ポ
    リマー層を含んでいて、 前記ポリマー層のうちの１つのポリマー層の反対面に配置されて電気信号導体
    を形成する２つのパターン化された金属層を特徴として、このポリマー層は電気
    的に絶縁されていて、前記２つの金属層のパターン化は、前記第２ポリマー層に
    配置された２つの金属層の１つにおける前記少なくとも１つの導波路コアにおい
    て、少なくとも１つのストリップ内で少なくとも１つの導波路に平行に前記金属
    物質が除去され、それにより前記少なくとも１つの導波路コアが前記ポリマー層
    内の物質に境界をつけられるか取り巻かれているようになっている前記多層構造
    。
  2. 【請求項２】 前記第２ポリマー層が導波路の側面でストリップ型の凹所を
    形成するようにパターン化され、導波路の側面に前記第３ポリマー層からのスト
    リップ型の凹所物質が配置されてサイド・クラッディングを形成することを特徴
    とする請求項１記載の多層構造。
  3. 【請求項３】 導波路コアの側面におけるストリップ型の凹所の幅と第１ポ
    リマー層および第３ポリマー層の厚さが互いに他と実質的に等しいことを特徴と
    する請求項２記載の多層構造。
  4. 【請求項４】 基板内に電気信号パスを有し、前記ポリマー層は前記基板の
    １つの表面に塗布されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記
    載の多層構造であって、前記多層構造は更に複数の個別の多層モジュールを含み
    、そこに前記多層構造が分割されることが意図され、２つの隣接する多層モジュ
    ールの間に延長する少なくとも１つの導波路コアが光導波路を形成し、この光導
    波路は２つの隣接する多層モジュールの間に対応して延長し、これにより、モジ
    ュール内の多層構造を分割するときに、前記光導波路が２つの部分に分割されて
    、その各々が別個のモジュール上に配置されるようにされる前記多層構造。
  5. 【請求項５】 ２つの部分に分割されることを意図された前記光導波路にお
    ける前記ポリマー層の空いている表面に装着されたコネクタ及び前記２つの隣接
    する多層モジュールに装着されたコネクタ構造を特徴とし、前記多層構造をモジ
    ュールに分割するときに、それにより前記コネクタ構造が２つの部分に分割され
    て、その各部分がまたそのときに２つの部分に分割される光導波路のそれぞれの
    部分のためのコネクタになる請求項４記載の多層構造。
  6. 【請求項６】 前記コネクタ構造が２つの隣接する多層モジュールの主要部
    分を覆うように装着され、前記多層構造をモジュールに分割するときに、これに
    より生成されるモジュールがコネクタ構造に、モジュールとモジュール上に装着
    されるあり得る構成要素のカプセル化を形成させることを特徴とする請求項５記
    載の多層構造。
  7. 【請求項７】 凹所の側壁に光導波路が端面を有するように、また光構成要
    素へおよび／またはから光導波路へおよび／またはからそれぞれ光信号を結合す
    るために凹所に光構成要素が装着されるように凹所が配置されたポリマー層内の
    １つの凹所を特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の多層構造。
  8. 【請求項８】 電気信号と光信号を伝導する多層構造であって、 第１パターン化金属層と、 アンダークラッディングを形成する電気絶縁第１ポリマー層と、 第２パターン化金属層と、 導波路コアと、前記導波路コアの側面にサイドクラッディングを形成して導波
    路の反射率よりも低い反射率を有するストリップを含んでいる電気絶縁第２ポリ
    マー層と、 第３パターン化金属層と、 オーバークラッディングを形成する電気絶縁第３ポリマー層を含んでいる一連
    の層を特徴とする前記多層構造。
  9. 【請求項９】 光信号を伝導する多層構造であって、 アンダークラッディングを形成する電気絶縁第１ポリマー層と、 導波路コアと、前記導波路コアの側面においてサイドクラッディングが中に形
    成されて導波路の反射率よりも低い反射率を有する狭いストリップを含んでいる
    電気絶縁第２ポリマー層と、 オーバークラッディングを形成する電気絶縁第３ポリマー層を含んでいる一連
    の層を特徴とし、 前記狭いストリップの幅と前記アンダークラッディング層の厚さと前記オーバ
    ークラッディング層の厚さは互いに実質的に等しい前記多層構造。
  10. 【請求項１０】 前記第１ポリマー層と前記第３ポリマー層は前記多層構造
    全体を覆って延長する実質的に全体の層であり、異なった層の間および外部への
    電気および光の接続ためのヴィア・ホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を有するのみで
    ある請求項１から請求項９のいずれかに記載の多層構造。
  11. 【請求項１１】 前記多層構造の表面へ装着された光学的および／または電
    気的構成要素と、前記多層構造と前記構成要素の表面の大部分を覆う追加のポリ
    マー層を特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の多層構造。
  12. 【請求項１２】 前記追加のポリマー層が構成要素と導波路の間の光結合を
    改良するように選択された適応した反射率を有し、１つの構成要素の１つの表面
    の間の少なくとも１つのスペースまたはスロットへ突入し、この表面および１つ
    の光導波路の端面において光信号を発信または受信するように構成要素の表面が
    配列されていることを特徴とする請求項１１記載の多層構造。
  13. 【請求項１３】 少なくとも２つのポリマー層のシーケンスであって、これ
    らシーケンスの１つは他の１つのシーケンスの上に形成されていて、各シーケン
    ス内に光導波路が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のい
    ずれかに記載の多層構造。
  14. 【請求項１４】 電気信号と光信号を伝導する多層構造であって、 アンダークラッディングを形成する第１ポリマー層と、 前記第１ポリマー層の上に配置されて少なくとも１つの導波路コアを含んでい
    る第２ポリマー層と、 前記第２ポリマー層の上に配置されてオーバークラッディングを形成する第３
    ポリマー層を含むことにより、 これらのポリマー層の中に少なくとも１つの光導波路が形成されるようになっ
    ていて、 基板内に電気信号パスを有する１つの基板と、前記基盤の１つの表面上に塗布
    される複数のポリマー層と、更に前記多層構造は複数の個別の多層モジュールを
    含み、これらの中に前記多層構造が分割されることが意図され、２つの隣接する
    多層モジュールの間に少なくとも１つの導波路コアが延長して１つの光導波路を
    形成し、これは前記２つの隣接する多層モジュールの間に対応して延長し、これ
    により、前記多層構造を複数のモジュールに分割するときに、前記光導波路が２
    つの部分に分割され、各１個が別々のモジュール上に配置されるようになってい
    ることを特徴とする前記多層構造。
  15. 【請求項１５】 ２つの部分に分割されることを意図された前記光導波路に
    おいて前記複数のポリマー層の表面上に装着されたコネクタ構造を特徴とし、前
    記コネクタ構造は２つの部分に分割され、その各部分は、それからまた２つの部
    分に分割される前記光導波路のそれぞれのためのコネクタである請求項１４記載
    の多層構造。
  16. 【請求項１６】 電気信号と光信号を伝導する多層構造であって、 アンダークラッディングを形成する第１ポリマー層と、 前記第１ポリマー層の上に配置されて少なくとも１つの導波路ガイドを含んで
    いる第２ポリマー層と、 前記第２ポリマー層の上に配置されてオーバークラッディングを形成する第３
    ポリマー層を含んでいて、 これにより前記ポリマー層内に少なくとも１つの光導波路が形成され、 前記複数のポリマー層内の凹所を特徴とし、光導波路の端面が前記凹所の側壁
    表面内にあるように前記凹所が配置され、前記光信号へおよび／または前記光構
    成要素からおよび／または前記光導波路へそれぞれ結合するために１つの光構成
    要素が前記凹所内に装着されている前記多層構造。
  17. 【請求項１７】 電気信号と光信号を伝導する多層モジュールの製造方法で
    あって、 基板を供給するステップと、 前記基板に第１ポリマー層を塗布してアンダークラッディングを形成するステ
    ップと、 前記第１ポリマー層の上に第２ポリマー層を塗布して少なくとも１つの導波路
    を形成するステップと、 前記第２ポリマー層の上に第３ポリマー層を塗布してオーバークラッディング
    を形成するステップを含んでいて、 ２つの金属層を塗布するが、前記金属層の１つは電気的に絶縁するポリマー層
    の１つの表面に、前記金属層のもう１つは前記ポリマー層の反対の表面に塗布し
    、前記２つの金属層をパターン化して電気信号導体を形成するが、前記パターン
    化は、少なくとも１つの導波路コアにおいて、前記第２ポリマー層に配置された
    ２との金属層の１つの中で、前記金属層内の前記金属が、ストリップ内で少なく
    とも１つの導波路コアにおいて並行に除去されることにより、少なくとも１つの
    導波路コアは前記第１ポリマー層、前記第２ポリマー層、前記第３ポリマー層内
    の物質により境界を接しまたは取り囲まれるだけであることを特徴とする前記方
    法。
  18. 【請求項１８】 前記第３ポリマー層を塗布する前に前記第２ポリマー層を
    パターン化して、前記少なくとも１つの導波路コアの側面にストリップを形成し
    、これにより、前記第３ポリマー層を塗布するときに、前記第３ポリマー層から
    の物質がストリップへ突入して、少なくとも１つの導波路コアのサイド・クラッ
    ディングを形成することを特徴とする請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 第２ポリマー層をパターン化する前記ステップにおいて、
    前記第１ポリマー層および前記第３ポリマー層の厚さに実質的に等しい幅を前記
    ストリップが与えられる請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 複数の個別の多層モジュールへ基板を分割する前記追加の
    ステップを特徴とし、前記分割は２つの部分で少なくとも１つの光導波路を２つ
    の部分に分割し、その各１個は個別の多層構造上に配置されることを特徴とする
    請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の前記方法。
  21. 【請求項２１】 前記基板を分割する前記ステップの前に、少なくとも１つ
    の層と前記基板の表面上に構成要素が装着される追加のステップを特徴とする請
    求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記基板を分割する前記ステップの前に、前記少なくとも
    １つの光導波路において基板の表面上に１つのコネクタ構造を装着する追加のス
    テップを特徴とし、前記分割するステップにおいて基板が２つの部分に分割され
    、前記コネクタ構造の装着は、基板を分割するステップにおいて前記コネクタ構
    造が２つの部分に分割され、その各部分が、基板を分割するステップで分割され
    た少なくとも１つの前記光導波路のそれぞれの部分のためのコネクタである前記
    方法。
  23. 【請求項２３】 前記複数のポリマー層内に凹所を作り、前記凹所の側壁表
    面内に１つの導波路が端面を有するように前記凹所を配置する追加のステップと
    、前記光構成要素へおよび／またはから前記光導波路からおよび／またはへ光信
    号をそれぞれ結合するために１つの光構成要素を装着する更なる追加のステップ
    を特徴とする請求項１７から請求項２２のいずれかに記載の方法。
  24. 【請求項２４】 電気信号と光信号を伝導する多層モジュールの製造方法で
    あって、逐次的なステップとして、 基板を供給することと、 １つの表面で基板に第１のパターン化された金属層を塗布することと、 その上に電気的に絶縁する第１ポリマー層を塗布してアンダークラッディング
    を形成することと、 その上に第２のパターン化された金属層を塗布することと、 その上に、導波路コアと前記導波路コアの側面にストリップ型の凹所を含んで
    いる電気的に絶縁する第２のポリマー層を塗布することと、 その上に第３のパターン化された金属層を塗布することと、 その上に電気的に絶縁する第３のポリマー層を塗布してオーバークラッディン
    グを形成し、それから前記第３ポリマー層からの物質がストリップ型の凹所に突
    入してサイドクラッディングを形成することを特徴とする前記製造方法。
  25. 【請求項２５】 電気信号と光信号を伝導する多層モジュールの製造方法で
    あって、逐次的なステップとして、 基板を供給することと、 その上に電気的に絶縁する第１ポリマー層を塗布してアンダークラッディング
    を形成することと、 その上に、導波路コアと前記導波路コアの側面に狭いストリップ型の凹所を含
    んでいる電気的に絶縁する第２のポリマー層を塗布することと、 その上に電気的に絶縁する第３のポリマー層を塗布してオーバークラッディン
    グを形成し、それから前記第３ポリマー層からの物質が狭いストリップ型の凹所
    に突入してサイドクラッディングを形成することを特徴とし、 前記狭いストリップは前記第１ポリマー層と前記第３ポリマー層の厚さに実質
    的に等しくなるように作られる前記製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記第１ポリマー層と前記第３ポリマー層を塗布するステ
    ップにおいて、前記第１ポリマー層と前記第３ポリマー層は前記多層構造の全体
    の上に広がる層の実質的に全部に塗布され、異なった層の間および外部への電気
    的接続と光接続のためには、ビアを有するだけである請求項１７から請求項２５
    のいずれかに記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記基板の前記表面へ光学的構成要素および／または電気
    的構成要素を装着する追加のステップと、追加のポリマー層を塗布して前記多層
    構造の表面と前記構成要素の表面の少なくとも一部分を覆う更なる追加のステッ
    プを特徴とする請求項１７から請求項２６記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記追加のポリマー層を塗布するステップにおいて、前記
    追加のポリマー層は構成要素と導波路の間の光結合を改良するために選択された
    屈折率により塗布され、前記追加のポリマー層は１つの構成要素の１つの表面で
    あって前記構成要素が光信号を発信し受信する表面と、光導波路の端面との間で
    、少なくとも１つのスペースまたはスロットへ突入するように作られることを特
    徴とする請求項２７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記第１、第２、第３のポリマー層を塗布した後で、第１
    、第２、第３のポリマー層と類似の少なくとも１つのシーケンスを構成した構造
    の上に塗布する追加のステップを特徴とする請求項１７から請求項２８のいずれ
    かに記載の方法。
  30. 【請求項３０】 電気信号および光信号を伝導する多層モジュールの製造方
    法であって、 基板内の電気信号パスを有する１つの基板を供給するステップと、 光信号を伝導するために光導波路を形成するために前記基板の１つの表面に複
    数の層を塗布するステップと、 基板を分割して複数の個別の多層モジュールにして、この分割は少なくとも１
    つの光導波路を分割して、複数の個別のモジュールに配置された２つの部分にす
    るように為されることを特徴とする前記製造方法。
  31. 【請求項３１】 基板を分割する前に、少なくとも１つの前記層と前記基板
    の前記表面に構成要素を装着する前記追加のステップを特徴とする請求項３０記
    載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記基板を分割する前に前記基板の前記表面にコネクタ構
    造を装着する追加のステップを特徴とし、前記コネクタ構造は前記少なくとも１
    つの光導波路に配置され、これは２つに分割されて、その各々の部分が、前記基
    板を分割するステップ内で分割された前記少なくとも１つの光導波路のコネクタ
    部分になるようにされる請求項３０記載の前記方法。
  33. 【請求項３３】 電気信号と光信号を伝導する多層構造を製造する方法であ
    って、 電気信号パスをその中に有する１つの基板を供給するステップと、 前記基板の１つの表面に複数の層を塗布して、光信号を伝導する光導波路を形
    成するステップと、 その上から１つの凹所を前記複数の層の中へ腐食するが、その位置は、前記凹
    所の側壁表面内に光導波路の端面があるようにするステップと、 前記構成要素へおよび／またはから前記光導波路からおよび／またはの中へ光
    信号をそれぞれ結合するために光学的構成要素を装着するステップを特徴とする
    前記方法。
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