JPH01239927A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01239927A JPH01239927A JP6753788A JP6753788A JPH01239927A JP H01239927 A JPH01239927 A JP H01239927A JP 6753788 A JP6753788 A JP 6753788A JP 6753788 A JP6753788 A JP 6753788A JP H01239927 A JPH01239927 A JP H01239927A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造におけるパターン形成の、
中でもネガ型レジストのパターン形成方法に関する。
中でもネガ型レジストのパターン形成方法に関する。
半導体基板上に１〜２μｍ以下の微細なマスクパターン
を形成する方法は、様々であるが、特に段差を有する基
板上に、均一よくレジストパターンを形成する方法とし
て、特開昭５８−１５２９２６のようなものがある。こ
れを第２図にて説明する。まず、ポジ型しジス）２０に
光照射ｔ（紫外線）を行ない、後の現像液に対し可溶性
とする（第２図（α））。次に、表面が平担あるいは凹
凸を有する半導体基板あるいは薄膜等の基板２１上に前
記ポジ型レジスト２０を塗布し第１のポジ型レジスト膜
２２を形成する（第２図（ｂ））。
を形成する方法は、様々であるが、特に段差を有する基
板上に、均一よくレジストパターンを形成する方法とし
て、特開昭５８−１５２９２６のようなものがある。こ
れを第２図にて説明する。まず、ポジ型しジス）２０に
光照射ｔ（紫外線）を行ない、後の現像液に対し可溶性
とする（第２図（α））。次に、表面が平担あるいは凹
凸を有する半導体基板あるいは薄膜等の基板２１上に前
記ポジ型レジスト２０を塗布し第１のポジ型レジスト膜
２２を形成する（第２図（ｂ））。
レジスト膜２２の膜厚は基板２１の凹凸よりも厚く形成
する。ここでレジスト膜２２の表面は必ずしも平担でな
くてもよいが、平担の方が好ましい。次に、光来照射の
ポジ型レジスト膜２３を第１のポジ型レジスト膜２２に
重ねて塗布する（第２図（Ｃ））。このとき、第１及び
第２のポジ型しシスト８２２ 、２３として同じ種類の
ものを用いるため、第１及び第２のレジス）１１２２
、２３の界面は明確でない。次に、投影露光方法により
選択的に光照射ｔ２を行ない、レジスト膜２３に選択的
に感光領域２４を形成する（第２図（ｄ））。次に、ポ
ジ型レジスト用の現像、リンス処理により、感光領域２
４の第１及び第２のレジスト膜２２．２５を選択的に塗
去し、開孔部２５を形成する（第２図（ｅ））。そして
、この第１及び第２のレジス）嘆２２，２’５のパター
ンを用いて基板２１のエツチング処理等を行うというも
のである。
する。ここでレジスト膜２２の表面は必ずしも平担でな
くてもよいが、平担の方が好ましい。次に、光来照射の
ポジ型レジスト膜２３を第１のポジ型レジスト膜２２に
重ねて塗布する（第２図（Ｃ））。このとき、第１及び
第２のポジ型しシスト８２２ 、２３として同じ種類の
ものを用いるため、第１及び第２のレジス）１１２２
、２３の界面は明確でない。次に、投影露光方法により
選択的に光照射ｔ２を行ない、レジスト膜２３に選択的
に感光領域２４を形成する（第２図（ｄ））。次に、ポ
ジ型レジスト用の現像、リンス処理により、感光領域２
４の第１及び第２のレジスト膜２２．２５を選択的に塗
去し、開孔部２５を形成する（第２図（ｅ））。そして
、この第１及び第２のレジス）嘆２２，２’５のパター
ンを用いて基板２１のエツチング処理等を行うというも
のである。
以上の方法によると、第２図（α）に示すようにあらか
じめ感光したポジ型レジスト２０を用いて、第１のレジ
スト膜２２を塗布するので開孔部２５でのレジスト残り
とか、パターン巾が異なるということがなくなる。また
第１のレジスト膜２２が基板２１の平担化の効果を持ち
、従って第２のレジス）ａ２５の膜厚は基板２１の凹凸
に関係なく、はぼ均一となり、一定の露光値でパターン
形成を積度よく行うことができる。
じめ感光したポジ型レジスト２０を用いて、第１のレジ
スト膜２２を塗布するので開孔部２５でのレジスト残り
とか、パターン巾が異なるということがなくなる。また
第１のレジスト膜２２が基板２１の平担化の効果を持ち
、従って第２のレジス）ａ２５の膜厚は基板２１の凹凸
に関係なく、はぼ均一となり、一定の露光値でパターン
形成を積度よく行うことができる。
しかし、前述の方法では、ポジ型レジストをあらかじめ
感光する工■が増すと共に、感光されたレジストを塗布
するラインが余計に必要となる。
感光する工■が増すと共に、感光されたレジストを塗布
するラインが余計に必要となる。
また、ポジ型レジストを均一よく感光することは困難で
、しかもレジストの特性を劣化させる恐れがある。
、しかもレジストの特性を劣化させる恐れがある。
そこで、本発明は、このような課題を解決するもので、
その目的とするところは、レジストをあらかじめ感光す
る必要をなくし、しかも現存のレジスト塗布ラインのみ
で微細パターンを精度よくかつ、従来の方法よりも高ス
ループツトに形成することである。
その目的とするところは、レジストをあらかじめ感光す
る必要をなくし、しかも現存のレジスト塗布ラインのみ
で微細パターンを精度よくかつ、従来の方法よりも高ス
ループツトに形成することである。
本発明によるパターン形成方法は、ネガ型レジストを基
板上に塗布して、第１のネガ型レジスト膜を形成する工
程と、前記第１のネガ型しジスト暎上に第２のネガ型レ
ジスト膜を形成した後、前記第２のネガ型レジスト膜に
選択的に光照射を行う工程と、現像処理により、前記第
１と第２のネガ型レジスト膜を除去して、レジストパタ
ーンを形成する工程とを備えたことを特徴とする。
板上に塗布して、第１のネガ型レジスト膜を形成する工
程と、前記第１のネガ型しジスト暎上に第２のネガ型レ
ジスト膜を形成した後、前記第２のネガ型レジスト膜に
選択的に光照射を行う工程と、現像処理により、前記第
１と第２のネガ型レジスト膜を除去して、レジストパタ
ーンを形成する工程とを備えたことを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、第１のネガ型レジスト膜
が、未露光で現像液に溶解する作用を有するため、従来
の方法における第１のポジ型レジスト膜のように感光を
要することなく、第１及び第２のネガ型レジスト膜を同
時に現像できるものである。
が、未露光で現像液に溶解する作用を有するため、従来
の方法における第１のポジ型レジスト膜のように感光を
要することなく、第１及び第２のネガ型レジスト膜を同
時に現像できるものである。
以下、本発明の１４成を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す工程断面図である。ま
ず、表面が平担あるいは凹凸を有する半導体基板あるい
は延展等の基板１１上に第１のネガ型しジス’）ａ１２
を形成する（第１図（α））。
ず、表面が平担あるいは凹凸を有する半導体基板あるい
は延展等の基板１１上に第１のネガ型しジス’）ａ１２
を形成する（第１図（α））。
レジスト膜１２の膜厚は基板１１の凹凸よりも厚く形成
する。ここで、レジスト膜１２の表面は必ずしも平担で
なくてもよいが、平担の方が好ましい。次に、第２のネ
ガ型レジスト膜１３を第１のネガ型レジスト膜１２に重
ねて塗布する（第１図（ｂ））。このとき、第１及び第
２のネ、ガ型レジスト膜１２．１５として同じ種類のも
のを用いるため、第１及び第２のネガ型レジスト膜１２
．１３の界面は明確でない。次に投影露光方法により選
択的に光照射１．を行ない、レジスト膜１５に選択的に
感光領域１４を形成する（第１図（Ｃ））。次に、適才
のネガ型レジスト用の現像・リンス処理により感光領域
１４の第１及び第２のネガ型レジスト膜１２．１５を選
択的に除去し、開孔部１５を形成する（第１図（ｄ））
。そして、こつ第１及び第２のネガ型レジスト膜１２．
１３のパター７を用いて基板１１のエツチング処理等を
行なう、。
する。ここで、レジスト膜１２の表面は必ずしも平担で
なくてもよいが、平担の方が好ましい。次に、第２のネ
ガ型レジスト膜１３を第１のネガ型レジスト膜１２に重
ねて塗布する（第１図（ｂ））。このとき、第１及び第
２のネ、ガ型レジスト膜１２．１５として同じ種類のも
のを用いるため、第１及び第２のネガ型レジスト膜１２
．１３の界面は明確でない。次に投影露光方法により選
択的に光照射１．を行ない、レジスト膜１５に選択的に
感光領域１４を形成する（第１図（Ｃ））。次に、適才
のネガ型レジスト用の現像・リンス処理により感光領域
１４の第１及び第２のネガ型レジスト膜１２．１５を選
択的に除去し、開孔部１５を形成する（第１図（ｄ））
。そして、こつ第１及び第２のネガ型レジスト膜１２．
１３のパター７を用いて基板１１のエツチング処理等を
行なう、。
以上の様に、本実施例ではネガ型レジストを使用するこ
とにより、従来の方法のように、レジストをあらかじめ
感光させ、この感光させたレジストを塗布するラインを
設ける必要がなく、従来の方法と同等の効果を得ること
ができる。すなわち、基板表面にあらかじめネガ型レジ
スト膜を形成しておくので段差上下の膜厚差に関係なく
レジスト膜を現像・リンス処理により精度よく除去でき
る。ゆえに、本発明では、段差上下の膜厚差に関係なく
微細パターンを精度よく形成することができる。また、
本発明は反射率の高い金を４膜及び基板段差によるレジ
スト膜の膜厚変動に関係なく、一定の露光量でパターン
形成量精度よく行うことができる。さらに、レジスト膜
を２回塗布するにもかかわらず１回の現像・リンス処理
によりパターン形成が行なえるというすぐれた効果を発
揮するものである。
とにより、従来の方法のように、レジストをあらかじめ
感光させ、この感光させたレジストを塗布するラインを
設ける必要がなく、従来の方法と同等の効果を得ること
ができる。すなわち、基板表面にあらかじめネガ型レジ
スト膜を形成しておくので段差上下の膜厚差に関係なく
レジスト膜を現像・リンス処理により精度よく除去でき
る。ゆえに、本発明では、段差上下の膜厚差に関係なく
微細パターンを精度よく形成することができる。また、
本発明は反射率の高い金を４膜及び基板段差によるレジ
スト膜の膜厚変動に関係なく、一定の露光量でパターン
形成量精度よく行うことができる。さらに、レジスト膜
を２回塗布するにもかかわらず１回の現像・リンス処理
によりパターン形成が行なえるというすぐれた効果を発
揮するものである。
なお本発明は、配線形成工程、コンタクトホール形成工
程を初め、あらゆる工程のパターン形成に適用可能であ
ることは言うまでもない。
程を初め、あらゆる工程のパターン形成に適用可能であ
ることは言うまでもない。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例に係るパター
ン形成方法を示す工程断面図。第２図（ａ）〜（ｔ）は
、従来の一実施例に係るパターン形成方法を示す工程断
面図である。 １１．２１・・・・・・半導体基板 １２ ・・・・・・第１のネガ型レジスト膜１３
・・・・・・第２のネガ型レジスト膜１４．２４・
・・・・・感光領域 １５．２５・・・・・・開孔部 ２ｏ ・・・・・・ポジ型レジスト２２ ・・
・・・・第１のポジ型レジスト膜２３ ・・・・・
・第２のポジ型レジスト膜１．１１．１．・・・・・・
光照射 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） ユ］口 ４２図
ン形成方法を示す工程断面図。第２図（ａ）〜（ｔ）は
、従来の一実施例に係るパターン形成方法を示す工程断
面図である。 １１．２１・・・・・・半導体基板 １２ ・・・・・・第１のネガ型レジスト膜１３
・・・・・・第２のネガ型レジスト膜１４．２４・
・・・・・感光領域 １５．２５・・・・・・開孔部 ２ｏ ・・・・・・ポジ型レジスト２２ ・・
・・・・第１のポジ型レジスト膜２３ ・・・・・
・第２のポジ型レジスト膜１．１１．１．・・・・・・
光照射 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） ユ］口 ４２図
Claims (1)
- 半導体装置の製造におけるパターン形成方法において
、ネガ型レジストを基板上に塗布して、第１のネガ型レ
ジスト膜を形成する工程と、前記第１のネガ型レジスト
膜上に第２のネガ型レジスト膜を形成した後、前記第２
のネガ型レジスト膜に選択的に光照射を行う工程と、現
像処理により、前記第４と第２のネガ型レジスト膜を除
去して、レジストパターンを形成する工程とを備えたこ
とを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6753788A JPH01239927A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6753788A JPH01239927A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239927A true JPH01239927A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13347826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6753788A Pending JPH01239927A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239927A (ja) |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6753788A patent/JPH01239927A/ja active Pending
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