JPH01227952A - ガス検出方法 - Google Patents
ガス検出方法Info
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- JPH01227952A JPH01227952A JP5418388A JP5418388A JPH01227952A JP H01227952 A JPH01227952 A JP H01227952A JP 5418388 A JP5418388 A JP 5418388A JP 5418388 A JP5418388 A JP 5418388A JP H01227952 A JPH01227952 A JP H01227952A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の(り用分野」
この発明は、金属酸化物゛I′、導体の抵抗値の変化を
用いたガス検出方法に関4′る。この発明は特に、エタ
ノールと区別して一酸化炭素を選択的に検出4−るよう
にした方法に関する。
用いたガス検出方法に関4′る。この発明は特に、エタ
ノールと区別して一酸化炭素を選択的に検出4−るよう
にした方法に関する。
1従米技術j
特公昭53−43,320′T′J′公報は、S no
2”9の金属酸化物半導体を高温域と低温域とに交l
l−に加熱し、低温域での金属酸化物半導体の抵抗(直
から一酸化炭素を選択的に検出セることを間車している
。この方法によれば、容易に一酸化炭素を水素やイソブ
タン、メタン再から区別して選択的に検出4′ることか
できる。
2”9の金属酸化物半導体を高温域と低温域とに交l
l−に加熱し、低温域での金属酸化物半導体の抵抗(直
から一酸化炭素を選択的に検出セることを間車している
。この方法によれば、容易に一酸化炭素を水素やイソブ
タン、メタン再から区別して選択的に検出4′ることか
できる。
この方法の問題は、−酸化炭素とエタノールとの相対感
度か不充分な点にある。即ち、金属酸化物半導体の温度
変化を用いると、−酸化炭素に対4−るエタノールの相
対感度は低+4′る。しかしエタノール感度は、水素感
度やイソブタン感度程には、抑制されない。そこでエタ
ノール感度の問題は、この方法でも残(jすることにな
る。ここでは妨害ガスの代表としてエタノールを取りあ
げたが、アセトンやアセトアルデヒド等てし同様である
。
度か不充分な点にある。即ち、金属酸化物半導体の温度
変化を用いると、−酸化炭素に対4−るエタノールの相
対感度は低+4′る。しかしエタノール感度は、水素感
度やイソブタン感度程には、抑制されない。そこでエタ
ノール感度の問題は、この方法でも残(jすることにな
る。ここでは妨害ガスの代表としてエタノールを取りあ
げたが、アセトンやアセトアルデヒド等てし同様である
。
これらのガスの共通点は極性41機溶媒であることにあ
り、金属酸化物゛1(導体の感度ら類似する。
り、金属酸化物゛1(導体の感度ら類似する。
なお金属酸化物゛L導体表面への通気性化合物による被
覆に関しては、種々の公知技術かある。例えば特公昭5
4−81204;公報は、5nOtセンサの表面をアル
ミナ゛ζ被覆することを開示している。また特開昭so
−+ss、292号公報は、アルミナやンヤモット、粘
土再で金属酸化物゛I(導体を被覆4“ることを開示し
ている。特開昭52−111.797舅公報も、類0J
の記載をしている。さらに特開昭55−29,715弓
公報は、センサ表面を不定形アルミサて披;′a4ろこ
とを示している。しかしいずれら、ゼオライトによる被
覆を記載し7ていない。
覆に関しては、種々の公知技術かある。例えば特公昭5
4−81204;公報は、5nOtセンサの表面をアル
ミナ゛ζ被覆することを開示している。また特開昭so
−+ss、292号公報は、アルミナやンヤモット、粘
土再で金属酸化物゛I(導体を被覆4“ることを開示し
ている。特開昭52−111.797舅公報も、類0J
の記載をしている。さらに特開昭55−29,715弓
公報は、センサ表面を不定形アルミサて披;′a4ろこ
とを示している。しかしいずれら、ゼオライトによる被
覆を記載し7ていない。
[発明の課題]
この発明の課題は、エタノールにのガスに対・1′る、
−酸化炭素への検出の選択性を向−14さ土する点に白
″る。
−酸化炭素への検出の選択性を向−14さ土する点に白
″る。
[発明の構成[
この発明では、金属酸化物゛)′導体の温度を高771
A域と低温域とに変化させ、低温域゛この金属酸化物゛
ト導体の抵抗値からガスを検出4−る。ここで金属酸化
物半導体の表面を、即t′)金属酸化物゛1′桿体が塊
状である場合には塊状体の表面を、金属酸化物’f−導
体が模状である場合には膜の表面を、セ」ライトて被覆
ケる。
A域と低温域とに変化させ、低温域゛この金属酸化物゛
ト導体の抵抗値からガスを検出4−る。ここで金属酸化
物半導体の表面を、即t′)金属酸化物゛1′桿体が塊
状である場合には塊状体の表面を、金属酸化物’f−導
体が模状である場合には膜の表面を、セ」ライトて被覆
ケる。
発明考らは、ゼオライトの効果として次の現象を見出し
た。SnO,等の金属酸化物半導体の表面をゼオライト
て披i1J正る。この金属酸化物半導体をセンサとし、
−・酸化炭素の検出に適した温度に固定して用いるとす
る。ゼオライトは一酸化炭素への相欠1感 除去した後の、抵抗値の回復は緩慢になる。エタノール
に付いて見ると、ゼオライトはエタノールへの応答速度
を極端に低トさせる(第3図参1明)。
た。SnO,等の金属酸化物半導体の表面をゼオライト
て披i1J正る。この金属酸化物半導体をセンサとし、
−・酸化炭素の検出に適した温度に固定して用いるとす
る。ゼオライトは一酸化炭素への相欠1感 除去した後の、抵抗値の回復は緩慢になる。エタノール
に付いて見ると、ゼオライトはエタノールへの応答速度
を極端に低トさせる(第3図参1明)。
J4タノールに接触した後の抵抗値の変化は遅く緩慢で
ある。よたJ−タノールを除いた後の抵抗値の回復も遅
く、実験では多くの場合、」6タノールを除いた後し史
に抵抗値が減少し続けることか見出たされた。なお金属
酸化物゛し導体には5napを用いた。
ある。よたJ−タノールを除いた後の抵抗値の回復も遅
く、実験では多くの場合、」6タノールを除いた後し史
に抵抗値が減少し続けることか見出たされた。なお金属
酸化物゛し導体には5napを用いた。
金属酸化物゛I6導体の表面をゼオライトで被覆したの
みてそのまま検出に用いると、ガス濃度の低下に対4′
る検出か遅れろ。次ぎにエタノールに付いて見ると、長
時間エタノールにさらされると金属酸化物半導体はエタ
ノールに応答するし、エタノールを除いてし金属酸化物
゛Iへ導体の抵抗値の回復は遅い。
みてそのまま検出に用いると、ガス濃度の低下に対4′
る検出か遅れろ。次ぎにエタノールに付いて見ると、長
時間エタノールにさらされると金属酸化物半導体はエタ
ノールに応答するし、エタノールを除いてし金属酸化物
゛Iへ導体の抵抗値の回復は遅い。
これらの現象は、ゼオライトがエタノール等のガスを強
く吸着すること、吸着が強いため金属酸化物半導体の応
答に異常な結果か生じることを示している。
く吸着すること、吸着が強いため金属酸化物半導体の応
答に異常な結果か生じることを示している。
ここで金属酸化物゛ト導体に高温域と低温域との間の温
度変化を与えろと、以下の特性か得られる。
度変化を与えろと、以下の特性か得られる。
高温域への加熱によりゼオライトはエタノールを放出し
、高温域への加熱の都度ゼオライトは初期化される。従
ってエタノールに対する異常な応答は生じない。また低
温域でのエタノールへの応答は遅く、低温域でのサンプ
リング時期を選へば、エタノール感度を抑制できる。
、高温域への加熱の都度ゼオライトは初期化される。従
ってエタノールに対する異常な応答は生じない。また低
温域でのエタノールへの応答は遅く、低温域でのサンプ
リング時期を選へば、エタノール感度を抑制できる。
し実施例]
第1図に実施例に用いたガスセンサ2を示d−8図にお
いて、4はSnow等の金属酸化物半導体で、ここでは
Snowに、それぞれ金属換算で0 、 5 wt%の
I)dと0.2wt%のPtを担持させたしのをI−1
いた。金属酸化物半導体の種類や添加物は(E色であり
、IntO3や7.nO等を用いても、あるいはI)t
やAu等の添加物を用いても、更にはこれらの添加物を
用いなくてし良い。6は金属酸化物゛)′導体4を加熱
するためのヒータ、8はアルミナ等の絶縁パイプで金属
酸化物半導体4の担体とし、10。
いて、4はSnow等の金属酸化物半導体で、ここでは
Snowに、それぞれ金属換算で0 、 5 wt%の
I)dと0.2wt%のPtを担持させたしのをI−1
いた。金属酸化物半導体の種類や添加物は(E色であり
、IntO3や7.nO等を用いても、あるいはI)t
やAu等の添加物を用いても、更にはこれらの添加物を
用いなくてし良い。6は金属酸化物゛)′導体4を加熱
するためのヒータ、8はアルミナ等の絶縁パイプで金属
酸化物半導体4の担体とし、10。
12は一対の金電極である。なお電極は1個のみても良
い。この場合、電極の並列抵抗として金属酸化物゛l′
導体4を用い、固定抵抗としての電極とi+J変抵抗抵
抗ての金属酸化物゛I′.導体4の合成抵抗を検出する
。そして金属酸化物半導体4の抵抗値の変化による、合
成抵抗の変化を検出する。
い。この場合、電極の並列抵抗として金属酸化物゛l′
導体4を用い、固定抵抗としての電極とi+J変抵抗抵
抗ての金属酸化物゛I′.導体4の合成抵抗を検出する
。そして金属酸化物半導体4の抵抗値の変化による、合
成抵抗の変化を検出する。
+4はゼオライト化合物の被覆層で、その種類は([α
である。実施例では、Na置換形のY杉ゼオライト(S
+0t67、4實t%.ALO:+2 0.6書t%、
残N a y O )を用いた。ゼオライト14は例え
ば、MS 5 ASMS 3 A, MS I 3 X
等のモレキュラーノーブを用いても良く、また他の種類
のゼオライトを用いても良い。ゼオライトの中心イオン
には、Na置換形の他、カリウム(ξ楔形、水素置換形
等を用いてし良い。更に中心イオンを、銅やマンカン、
ニッケル、コバルト等の遷移金属や、鉛、錫等の典型金
属、あるいはI)tやPd,Ir。
である。実施例では、Na置換形のY杉ゼオライト(S
+0t67、4實t%.ALO:+2 0.6書t%、
残N a y O )を用いた。ゼオライト14は例え
ば、MS 5 ASMS 3 A, MS I 3 X
等のモレキュラーノーブを用いても良く、また他の種類
のゼオライトを用いても良い。ゼオライトの中心イオン
には、Na置換形の他、カリウム(ξ楔形、水素置換形
等を用いてし良い。更に中心イオンを、銅やマンカン、
ニッケル、コバルト等の遷移金属や、鉛、錫等の典型金
属、あるいはI)tやPd,Ir。
Rh等の貴金属に置換してし良い。これらの場合、中心
イオンの活性による触媒活性がJul+待てさる。
イオンの活性による触媒活性がJul+待てさる。
実施例ては、ゼオライト被覆層14の厚さを05mmと
した。好ましいyノさは、02〜0 、8 mmである
。よたゼオライト被覆層1 =1は、以下のペーストを
水で分散させて下学りし、乾燥後に550℃で10分間
加熱して固化させた(実施例1)。ペーストには、ゼオ
ライト100jn…部に、乾燥アルミナゾルバイングー
6.7重rIt部と、ポリビニルアルコールバインダ−
5市量部とを混合したものを用いた。バインダーのアル
ミナゾルやポリビニルアルコールは用いなくても良い。
した。好ましいyノさは、02〜0 、8 mmである
。よたゼオライト被覆層1 =1は、以下のペーストを
水で分散させて下学りし、乾燥後に550℃で10分間
加熱して固化させた(実施例1)。ペーストには、ゼオ
ライト100jn…部に、乾燥アルミナゾルバイングー
6.7重rIt部と、ポリビニルアルコールバインダ−
5市量部とを混合したものを用いた。バインダーのアル
ミナゾルやポリビニルアルコールは用いなくても良い。
なお実施例の効果は、ゼオライト披)ρ層14に基−つ
くものである。従ってガスセンサ2の形状や、構造、(
4料等は、体色である。
くものである。従ってガスセンサ2の形状や、構造、(
4料等は、体色である。
比較例として、ゼオライト被覆層14を除いた他は同一
のセンサを調製した(比較例1)。別の比較例として、
ゼオライトに代えγ−アルミナを用いてペーストを工I
整した(也は、全く同様にした乙のを用いた(比較例2
)。また他の実施例として、ゼオライト被覆層14をモ
レキュシーンーブMS5A(Na置換形)としlコ他は
同一のしのをJ、t1製した(実施例2)。更に、Si
O+84.5wt%、Alt039 、6 wt%、N
al 05.9 wt%のNa置換Y形ゼオライトを
被覆層14に用いたしのをシ^j製した(実施例3)。
のセンサを調製した(比較例1)。別の比較例として、
ゼオライトに代えγ−アルミナを用いてペーストを工I
整した(也は、全く同様にした乙のを用いた(比較例2
)。また他の実施例として、ゼオライト被覆層14をモ
レキュシーンーブMS5A(Na置換形)としlコ他は
同一のしのをJ、t1製した(実施例2)。更に、Si
O+84.5wt%、Alt039 、6 wt%、N
al 05.9 wt%のNa置換Y形ゼオライトを
被覆層14に用いたしのをシ^j製した(実施例3)。
第2図に付帯回路の例を7ドす。図において、20は2
つの出力をf1゛4−る電源、22.24はスイッチ、
26は負6:J低抗、28はセンサ2の温度依(/。
つの出力をf1゛4−る電源、22.24はスイッチ、
26は負6:J低抗、28はセンサ2の温度依(/。
Plを補償−4゛るためのサーミスタである。30はマ
イク[Jコンピュータて、32はA/D:Jノバータ、
34は演算ユニット、36は出力記憶用のT? A M
、38はタイミング回路、40は検出レヘル等のデータ
を記憶さlたl? OMである。1.は入力ボート、P
lはタイミング回路の出力ボート゛ζスイノヂ22.2
4を制114−ろ。また1)、は検出出力V outを
取り出4゛ための出力ボートである。
イク[Jコンピュータて、32はA/D:Jノバータ、
34は演算ユニット、36は出力記憶用のT? A M
、38はタイミング回路、40は検出レヘル等のデータ
を記憶さlたl? OMである。1.は入力ボート、P
lはタイミング回路の出力ボート゛ζスイノヂ22.2
4を制114−ろ。また1)、は検出出力V outを
取り出4゛ための出力ボートである。
第3図に、センサ温度を+00°Cに固定し、温度変化
を11えない場合の検出特性を示4−0実線は実施例1
ての結果を、破線は比較例1の被覆層を設けないものの
結果を現す。周囲の雰囲気は2o ’c 、相対fA度
は65%とした(以ド同じ)。縦軸はセンサの電気伝導
度を任&LI盛りで現4′。空気中での抵抗値は実施例
の方が比較例よりも高く、図を見易く4−るため縦軸を
実施例で2(1〜に拡大しである。
を11えない場合の検出特性を示4−0実線は実施例1
ての結果を、破線は比較例1の被覆層を設けないものの
結果を現す。周囲の雰囲気は2o ’c 、相対fA度
は65%とした(以ド同じ)。縦軸はセンサの電気伝導
度を任&LI盛りで現4′。空気中での抵抗値は実施例
の方が比較例よりも高く、図を見易く4−るため縦軸を
実施例で2(1〜に拡大しである。
時刻0分にI OOppmの一酸化炭素を注入し、時刻
4分に取り除いた。また時刻10分から・1分間110
00ppの水素にセンサをさらした。更に時刻22分か
ら4分間11000ppの」−タノールにセンサをさら
した。
4分に取り除いた。また時刻10分から・1分間110
00ppの水素にセンサをさらした。更に時刻22分か
ら4分間11000ppの」−タノールにセンサをさら
した。
実施例ではゼオライトの被覆のため、−酸化炭素感度は
高く、エタノール感度は低い。しかし実施例では応答速
度は低く、水素への応答波形は一酸化炭素を除いた後の
応答波形に埋没している。
高く、エタノール感度は低い。しかし実施例では応答速
度は低く、水素への応答波形は一酸化炭素を除いた後の
応答波形に埋没している。
エタノールへの実施例の応答は異常で、エタノールへの
接触後抵抗値の変化まてに誘導時間が見られる。またエ
タノールを除いた後ら抵抗flI’iは減少し続け、時
刻35分頃から抵抗値の回復か牛している。
接触後抵抗値の変化まてに誘導時間が見られる。またエ
タノールを除いた後ら抵抗flI’iは減少し続け、時
刻35分頃から抵抗値の回復か牛している。
この現象は次のことを示唆4゛る。ゼAライトは一酸化
炭素を吸着、あるいは金属酸化物半導体4からの一酸化
炭素の脱離に対4−る通気抵抗として作用し、−酸化炭
素除去時の応答速度を低トさせる。図からは、水素に対
するゼオライトの効果は明らかではない。ゼオライト被
覆層14はエタノールを強く吸着し、エタノールへの応
答に誘導時間を生じさせている。吸着が強いため、雰囲
気からエタノールを除いた後も、ゼオライトを通過した
エタノールのため、センサの抵抗値は減少し続ける。
炭素を吸着、あるいは金属酸化物半導体4からの一酸化
炭素の脱離に対4−る通気抵抗として作用し、−酸化炭
素除去時の応答速度を低トさせる。図からは、水素に対
するゼオライトの効果は明らかではない。ゼオライト被
覆層14はエタノールを強く吸着し、エタノールへの応
答に誘導時間を生じさせている。吸着が強いため、雰囲
気からエタノールを除いた後も、ゼオライトを通過した
エタノールのため、センサの抵抗値は減少し続ける。
なお第3図の現象は、センサ温度を一酸化炭素の検出に
適した50〜1206Cとした範囲では、温度によら4
ゞ同様であった。
適した50〜1206Cとした範囲では、温度によら4
ゞ同様であった。
第4図に、60秒−60秒の周期で、センサ温度を33
0°Cと70℃とに交II、に変化させた際の結果を小
4〜。実線は実施例1の結果を、破線は比較例1の結果
を現4−o まL図の○印は、低温側の終了直前のサン
プリングポイントを現4′。このような測定には第2図
の回路を用い、60秒間隔でスイッチ22.2.4を切
り替え、ピータ6への印加1uカを変力した。そして低
温側の終r直I)1Jの負尚抵抗26への印加電圧をサ
ンプリングし7、出力と4゛る。
0°Cと70℃とに交II、に変化させた際の結果を小
4〜。実線は実施例1の結果を、破線は比較例1の結果
を現4−o まL図の○印は、低温側の終了直前のサン
プリングポイントを現4′。このような測定には第2図
の回路を用い、60秒間隔でスイッチ22.2.4を切
り替え、ピータ6への印加1uカを変力した。そして低
温側の終r直I)1Jの負尚抵抗26への印加電圧をサ
ンプリングし7、出力と4゛る。
なお加熱温度は、5nOyを金属酸化物半導体・1とギ
る場合、高温側が250〜500℃か好ましく、低温側
が室温〜120°Cが好ましい。また高温側の時間は1
0秒〜90秒程度か好ましく、低i!jL側はlO抄〜
2分程度が好ましい。なおセンサ2の消費電力の節減の
ため、低温側の時間を1時間〜24時間程度と一4゛る
こともIIJ能てある。ごの場合、低温側でセンサ出力
が増加しても直1′−)に最終的出力として(り用ずろ
のでなく、 −11センサ温度を高温側に移行さ11ヒ
ートクリーニングの後に検出4′るのか好ましい。即ら
ヒートクリーニング後に、センサ温度を低温側に戻し7
、低i:+A側への以降後10〜90秒稈度軽過後のセ
ンサ出力から一酸化炭素を検出4゛ろのか好ましい。
る場合、高温側が250〜500℃か好ましく、低温側
が室温〜120°Cが好ましい。また高温側の時間は1
0秒〜90秒程度か好ましく、低i!jL側はlO抄〜
2分程度が好ましい。なおセンサ2の消費電力の節減の
ため、低温側の時間を1時間〜24時間程度と一4゛る
こともIIJ能てある。ごの場合、低温側でセンサ出力
が増加しても直1′−)に最終的出力として(り用ずろ
のでなく、 −11センサ温度を高温側に移行さ11ヒ
ートクリーニングの後に検出4′るのか好ましい。即ら
ヒートクリーニング後に、センサ温度を低温側に戻し7
、低i:+A側への以降後10〜90秒稈度軽過後のセ
ンサ出力から一酸化炭素を検出4゛ろのか好ましい。
第・1図での特徴的な結果は、−酸化炭素のJ、タノー
ルに対4−ろ相対感度の向[−である。
ルに対4−ろ相対感度の向[−である。
第5図に、センサ温度を330℃と70’Cとの間で、
60秒−60秒の周期で切り替えた際の結果を示4−.
結果はセンサ4個の・ド均値で、低温側の終了直1)t
のセンサ出力をサンプリングした。
60秒−60秒の周期で切り替えた際の結果を示4−.
結果はセンサ4個の・ド均値で、低温側の終了直1)t
のセンサ出力をサンプリングした。
図に低温側での抵抗値を示す。ゼオライト被覆により、
エタノールへの感度が低ドしている。
エタノールへの感度が低ドしている。
第6図、第7図に、60秒−60秒の周期でセンサ温度
を430°Cと70°Cとの間で変化させた際の結果を
小ず。センサは4個を用い、結果は・1ξ均値で示し、
サンプリングは温度変化の直曲に行った。第6図に低温
側の結果を、第7図に高温側の結果をノド4−0 低温側(第6図)では、ゼオライト被覆によりエタノー
ル感度が低ドしている。高温fllll (第7図)の
結果は、ゼオライト被覆層14の影響か小さい。
を430°Cと70°Cとの間で変化させた際の結果を
小ず。センサは4個を用い、結果は・1ξ均値で示し、
サンプリングは温度変化の直曲に行った。第6図に低温
側の結果を、第7図に高温側の結果をノド4−0 低温側(第6図)では、ゼオライト被覆によりエタノー
ル感度が低ドしている。高温fllll (第7図)の
結果は、ゼオライト被覆層14の影響か小さい。
従って、1刺温側の出力から、メタンやイソブタン等の
ガスも検出し得る。
ガスも検出し得る。
表1に、−・酸化炭素に対する水素やエタノールの相対
感度を一般的に示4−0測定条件は第5図の場合と同様
で、−酸化炭素100 ppm中を基準とする、水素1
100pp中の抵抗値や」−タノール1100pp中の
抵抗値を示4゛。
感度を一般的に示4−0測定条件は第5図の場合と同様
で、−酸化炭素100 ppm中を基準とする、水素1
100pp中の抵抗値や」−タノール1100pp中の
抵抗値を示4゛。
表 1 (相対感度)−
セッサ 水 素 エタノール(r?I
I2/nco) <−ru’ニーto−+i/−
r<<:0>一実施例1 6.3
16実施例2 8 20 実施例3 6 11比較例1
12 2.3比較例2 7
5 これらの現象は次のように整理できろ。ゼオライト被覆
層14はエタノールやアセトン、rセトアルデヒド等の
化合物を強く吸着ケる。ゼオライトの吸着が飽和する)
)?jにゼオライトは高温に加熱され、吸着したエタノ
ール等の化合物は脱離ケる。
I2/nco) <−ru’ニーto−+i/−
r<<:0>一実施例1 6.3
16実施例2 8 20 実施例3 6 11比較例1
12 2.3比較例2 7
5 これらの現象は次のように整理できろ。ゼオライト被覆
層14はエタノールやアセトン、rセトアルデヒド等の
化合物を強く吸着ケる。ゼオライトの吸着が飽和する)
)?jにゼオライトは高温に加熱され、吸着したエタノ
ール等の化合物は脱離ケる。
このためエタノール寺の化合物への相対感度か低下する
。例えば第4図のエタノールへの応答波射では、高温側
への移行直後に鋭いピークが住じている(実施例1)。
。例えば第4図のエタノールへの応答波射では、高温側
への移行直後に鋭いピークが住じている(実施例1)。
これは吸着したエタノールの脱離に対応する。また高温
側ではゼオライトのエタノール吸着活性は低い(第7図
参照)。 、方センサ2に温度変化を与えないと、ゼオ
ライトによる吸着の飽和に伴い、エタノールへの異常な
特性が生じる(第3図参照)。
側ではゼオライトのエタノール吸着活性は低い(第7図
参照)。 、方センサ2に温度変化を与えないと、ゼオ
ライトによる吸着の飽和に伴い、エタノールへの異常な
特性が生じる(第3図参照)。
ゼオライト被覆層14は一酸化炭素への応答速度を低下
させている。例えば第4図の一酸化炭素への応答波射は
、60秒では一酸化炭素への応答が完了していないこと
を示している。しかし実施例のようにセンサに温度変化
を与える場合、温度変化に伴う検出のデッドタイムが存
在し、サンプリングは間欠的にしか行えない。従−)で
応答速度の低下は、結果的に問題にならない。また−酸
化炭素濃度の低下に対する応答もゼオライト被覆により
低下するが、これは高温側への加熱により解決される。
させている。例えば第4図の一酸化炭素への応答波射は
、60秒では一酸化炭素への応答が完了していないこと
を示している。しかし実施例のようにセンサに温度変化
を与える場合、温度変化に伴う検出のデッドタイムが存
在し、サンプリングは間欠的にしか行えない。従−)で
応答速度の低下は、結果的に問題にならない。また−酸
化炭素濃度の低下に対する応答もゼオライト被覆により
低下するが、これは高温側への加熱により解決される。
即し金属酸化物半導体4やゼオライト被覆層14に吸着
した一酸化炭素は、加熱により脱離する。
した一酸化炭素は、加熱により脱離する。
なおゼオライトによる被覆に付いて興味ある問題は、最
適なゼオライトの種類を明らかにするごと、ゼオライト
の中心イオンを選びゼオライトの触媒活性を制御するこ
と等である。触媒話性の制御が可能になれば、特定のガ
スを燃焼させて除去し、ガス選択性を得ることが可能に
なる。
適なゼオライトの種類を明らかにするごと、ゼオライト
の中心イオンを選びゼオライトの触媒活性を制御するこ
と等である。触媒話性の制御が可能になれば、特定のガ
スを燃焼させて除去し、ガス選択性を得ることが可能に
なる。
[発明の効果]
この発明では、ゼオライト被覆によりエタノール等のガ
スへの感度を抑制し、−酸化炭素に対4−る選択性を高
めることができる。
スへの感度を抑制し、−酸化炭素に対4−る選択性を高
めることができる。
第1図は実施例に用いたガスセンサの断面図、第2図は
実施例に用いた付帯回路の回路図、第:う図は従来例の
特性図、第4図〜第7図は実施例の特性図である。 4 金属酸化物半導体、 14 ゼオライト被覆層。 特許出願人 フィガ「2技研株式会社 第1図 第2図
実施例に用いた付帯回路の回路図、第:う図は従来例の
特性図、第4図〜第7図は実施例の特性図である。 4 金属酸化物半導体、 14 ゼオライト被覆層。 特許出願人 フィガ「2技研株式会社 第1図 第2図
Claims (1)
- (1)ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体の
温度を高温域と低温域とに変化させ、低温域での金属酸
化物半導体の抵抗値からガスを検出する方法において、 前記金属酸化物半導体の表面をゼオライト化合物で被覆
したことを特徴とする、ガス検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5418388A JPH01227952A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ガス検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5418388A JPH01227952A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ガス検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01227952A true JPH01227952A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12963430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5418388A Pending JPH01227952A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | ガス検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01227952A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03172749A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
JP2004271525A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Boeing Co:The | 頑丈な水素センサ、およびパラジウムデバイスを利用した頑丈な水素センサの汚染物質による汚染を防ぐための方法 |
AU2010249247A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-30 | Kidde Technologies, Inc | Sensor apparatus and method therefor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343320A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Aisin Seiki Co Ltd | Outrigger for truck-mounted crane |
JPS58124939A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-25 | Hitachi Ltd | ガスセンサ |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP5418388A patent/JPH01227952A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5343320A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Aisin Seiki Co Ltd | Outrigger for truck-mounted crane |
JPS58124939A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-25 | Hitachi Ltd | ガスセンサ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03172749A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
JP2004271525A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Boeing Co:The | 頑丈な水素センサ、およびパラジウムデバイスを利用した頑丈な水素センサの汚染物質による汚染を防ぐための方法 |
AU2010249247A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-30 | Kidde Technologies, Inc | Sensor apparatus and method therefor |
AU2010249247B2 (en) * | 2009-12-14 | 2013-02-14 | Kidde Technologies, Inc | Sensor apparatus and method therefor |
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