JPH01226182A - 電子波干渉素子 - Google Patents
電子波干渉素子Info
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- JPH01226182A JPH01226182A JP63053148A JP5314888A JPH01226182A JP H01226182 A JPH01226182 A JP H01226182A JP 63053148 A JP63053148 A JP 63053148A JP 5314888 A JP5314888 A JP 5314888A JP H01226182 A JPH01226182 A JP H01226182A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
本発明は、化合物半導体を用いた高速電子素子に関し、
特に電子波の干渉を利用した電子波干渉素子に関するも
のである。
特に電子波の干渉を利用した電子波干渉素子に関するも
のである。
従来の電子波干渉素子の構成図を第６図に示す。
同図Ｃ１）は米国応用物理学論文、４８巻、１９８６年
（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ＬｅｔｔｌＭｏｌ、 ４８１９
８６年）に、同図（ｂ）は特願昭６０−６８５号に記載
されたものである。また、同図（、）は同図（ｂ）にお
けるＣ−Ｃ断面図を示している。図におＶｌて、６０は
半絶縁性Ｇ＆Ａｓ 基板、６１はｎ十形ソース領域、６
２はｎ＋十形レイン領域、６３はｎ形チャネル、６４は
ＡｔＧＪＩＡｌｌからなる絶縁膜、６５はソース電極、
６６はドレイン電極、６７はゲート電極である。
（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ＬｅｔｔｌＭｏｌ、 ４８１９
８６年）に、同図（ｂ）は特願昭６０−６８５号に記載
されたものである。また、同図（、）は同図（ｂ）にお
けるＣ−Ｃ断面図を示している。図におＶｌて、６０は
半絶縁性Ｇ＆Ａｓ 基板、６１はｎ十形ソース領域、６
２はｎ＋十形レイン領域、６３はｎ形チャネル、６４は
ＡｔＧＪＩＡｌｌからなる絶縁膜、６５はソース電極、
６６はドレイン電極、６７はゲート電極である。
従来の電子波干渉素子は、ゲート電極６７に印加する電
圧により、電子波位相を制御する電界効果トランジスタ
の一種である。第６図（、）においてゲート電極６７に
電圧を印加すると、ゲート電極６７と絶縁膜６４とチャ
ネル６３とで形成されるゲート容量と介してチャネル６
３中に電荷が誘起され電子濃度が変化する。チャネル６
３中に誘起された電子は通常２次元状態のフエルミーデ
イラツク分布を示しており、この電子はフェルミエネル
ギーＥＦを有している。２次元状態においてフェルミエ
ネルギーＥ、は ＢＨ，＝成子濃度／状態密度 で与えられる。従って、電子濃度を変化するとソース電
極６５から伝播する電子波の有するフェルミエネルギー
ＥＦが変化するため電子波波長が変化することになる。
圧により、電子波位相を制御する電界効果トランジスタ
の一種である。第６図（、）においてゲート電極６７に
電圧を印加すると、ゲート電極６７と絶縁膜６４とチャ
ネル６３とで形成されるゲート容量と介してチャネル６
３中に電荷が誘起され電子濃度が変化する。チャネル６
３中に誘起された電子は通常２次元状態のフエルミーデ
イラツク分布を示しており、この電子はフェルミエネル
ギーＥＦを有している。２次元状態においてフェルミエ
ネルギーＥ、は ＢＨ，＝成子濃度／状態密度 で与えられる。従って、電子濃度を変化するとソース電
極６５から伝播する電子波の有するフェルミエネルギー
ＥＦが変化するため電子波波長が変化することになる。
第１図（ａ）のようにチャネル６３の径路が矢印ｔと矢
印ｍに分枝されている場合、ゲート電４１６７に電圧を
印加すると前述のようにチャネル６３の矢印ｔを流れる
電子波の波長が変化するため、チャネル４の矢印ｍを流
れてきた電子波との間に位相差が生じる。この結果、ド
レイン電極６６に流れるドレイン電流はこの２つの電子
波の合流干渉した値となるため、この位相差に応じて制
御されることになる。同図（ｂ）の場合は、チャネル６
３の矢印ｎと矢印０の分枝した径路の距離がそれぞれ異
なるため、ソース電極６５から注入された′電子波の伝
播に差が生じる。このため、２つの電子波間の位相差が
ゲート電極６７の電圧により変化しその結果ドレイン電
流はこの位相差に応じて制御されることになる。
印ｍに分枝されている場合、ゲート電４１６７に電圧を
印加すると前述のようにチャネル６３の矢印ｔを流れる
電子波の波長が変化するため、チャネル４の矢印ｍを流
れてきた電子波との間に位相差が生じる。この結果、ド
レイン電極６６に流れるドレイン電流はこの２つの電子
波の合流干渉した値となるため、この位相差に応じて制
御されることになる。同図（ｂ）の場合は、チャネル６
３の矢印ｎと矢印０の分枝した径路の距離がそれぞれ異
なるため、ソース電極６５から注入された′電子波の伝
播に差が生じる。このため、２つの電子波間の位相差が
ゲート電極６７の電圧により変化しその結果ドレイン電
流はこの位相差に応じて制御されることになる。
しかしながら従来の電子波干渉素子位、電子濃度により
電子波波長を変えるので、ゲート電極１１に電圧が印加
した後に電子濃度が変化し始める時間、すなわちゲート
容量への充放電時間を有するため、ドレイン電流の時間
応答が限定されるという問題があった。ｔた、従来の電
子波干渉素子は増幅機能を有するため、「Ｈ」、「Ｌ」
の信号を出力することがで自ずディジタル回路に使用す
ることができなかった。
電子波波長を変えるので、ゲート電極１１に電圧が印加
した後に電子濃度が変化し始める時間、すなわちゲート
容量への充放電時間を有するため、ドレイン電流の時間
応答が限定されるという問題があった。ｔた、従来の電
子波干渉素子は増幅機能を有するため、「Ｈ」、「Ｌ」
の信号を出力することがで自ずディジタル回路に使用す
ることができなかった。
前述の問題点を解決するため、本発明は半絶縁性基板と
、この半絶縁性基板の堀面に形成された導電形のソース
領域及びドレイン領域と、このソース領域及びドレイン
領域の間に接続されたリング状の導電形のチャネルと、
このチャネル上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に
リング状に形成された超伝導物質からなる超伝導リング
と、この超伝導リングに形成された層間絶縁膜と、この
層間絶縁膜上にリング状に形成された磁場発生用のコイ
ルと、前記ソース領域及びドレイン領域上に形成された
ンースτ１極とドレイン電極とから構成されている。
、この半絶縁性基板の堀面に形成された導電形のソース
領域及びドレイン領域と、このソース領域及びドレイン
領域の間に接続されたリング状の導電形のチャネルと、
このチャネル上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に
リング状に形成された超伝導物質からなる超伝導リング
と、この超伝導リングに形成された層間絶縁膜と、この
層間絶縁膜上にリング状に形成された磁場発生用のコイ
ルと、前記ソース領域及びドレイン領域上に形成された
ンースτ１極とドレイン電極とから構成されている。
コイルによって発生した磁束は、リング状のチャネルを
通過する２つの電子波間に位相差を与え、電子波が合流
干渉することによりドレイン電流を制御する。
通過する２つの電子波間に位相差を与え、電子波が合流
干渉することによりドレイン電流を制御する。
以下、本発明を図面に従い説明する。第１図は本発明に
係る一実施例を示す外観料視図及び断面図である。図に
おいて、１は半絶縁性ＧａＡｓの基板、２はｎ十形のソ
ース領域、３はｎ十形のドレイン領域、４はソース領域
２とドレイン領域３との間に接続してリング状に形成さ
れたｎ形のチャネル、５はチャネル上に形成さ九たＡｔ
ＧａＡｓからなる絶縁膜、６は絶縁膜上にリング状に形
成されたニオブの超伝導物質からなる超伝導リング、７
は超伝導りフグ６上に形成されたＳｉＯからなる層間絶
縁膜、８は層間絶縁膜Ｔ上に形成されたニオブからなる
磁場発生用のコイル、８ａはこのコイルへ電流を供給す
るためのコイル電極、９はソース電極、１０はドレイン
電極である。なお、同図（ｂ）は同図−）のＢ−Ｂ断面
を示している。
係る一実施例を示す外観料視図及び断面図である。図に
おいて、１は半絶縁性ＧａＡｓの基板、２はｎ十形のソ
ース領域、３はｎ十形のドレイン領域、４はソース領域
２とドレイン領域３との間に接続してリング状に形成さ
れたｎ形のチャネル、５はチャネル上に形成さ九たＡｔ
ＧａＡｓからなる絶縁膜、６は絶縁膜上にリング状に形
成されたニオブの超伝導物質からなる超伝導リング、７
は超伝導りフグ６上に形成されたＳｉＯからなる層間絶
縁膜、８は層間絶縁膜Ｔ上に形成されたニオブからなる
磁場発生用のコイル、８ａはこのコイルへ電流を供給す
るためのコイル電極、９はソース電極、１０はドレイン
電極である。なお、同図（ｂ）は同図−）のＢ−Ｂ断面
を示している。
次に、動作について説明する。コイル８に電極８ａを介
して電流を流すと第２図に示す特性図のように電流に比
例して磁場を発生し、この磁場における磁束が層間絶縁
膜Ｔを介して超伝導リング６を貫通する。一般に超伝導
リング６の電流担体の電荷は２ｅであるので、この超伝
導リング６を貫く磁束はｈ／（２ｅ） （以下、ｈはブ
ランク定数とする）を単位に量子化される。この磁束は
コイル８により発生する磁場の強さが増加しても常にｈ
／（２ｅ）の整数倍に量子化され、その関係は第３図に
示す特性図のような階段状となる。次に、コイル８で発
生した磁束がリング状のチャネル４に到達すると、チャ
ネル６の分枝された矢印ｐ、矢印Ｑを通過する２つの電
子波間に位相差を与え、分枝路を通過した電子波が点ｒ
で合流干渉することによりドレイン電流を変化させる。
して電流を流すと第２図に示す特性図のように電流に比
例して磁場を発生し、この磁場における磁束が層間絶縁
膜Ｔを介して超伝導リング６を貫通する。一般に超伝導
リング６の電流担体の電荷は２ｅであるので、この超伝
導リング６を貫く磁束はｈ／（２ｅ） （以下、ｈはブ
ランク定数とする）を単位に量子化される。この磁束は
コイル８により発生する磁場の強さが増加しても常にｈ
／（２ｅ）の整数倍に量子化され、その関係は第３図に
示す特性図のような階段状となる。次に、コイル８で発
生した磁束がリング状のチャネル４に到達すると、チャ
ネル６の分枝された矢印ｐ、矢印Ｑを通過する２つの電
子波間に位相差を与え、分枝路を通過した電子波が点ｒ
で合流干渉することによりドレイン電流を変化させる。
通常、この位相差は磁束の周期関数となｐ、ドレイン′
成流も磁束の周期関数に従うことになる。第４図はこの
関係を示した特性図であり、電流担体の素電荷はｅとな
るので記号Ｓのように磁束の周期はｈ／ｅとなる。従っ
て、リング状のチャネル４に加わるもしくは貫く磁束が
ｈ／（２ｅ）の跳びを持つ階段関数になることとドレイ
ン電流がｈ／ｅの周期関数であることにより、入力コイ
ル電流に対する出力ドレイン電流は第５図に示す特性図
のようにｈ／ｅの周期（記号ｎ）となりｒＨＪ、ｌｊの
２つの値のみをとる矩形形の特性となる。このように本
発明の電子波干渉素子はｒｕ」、ｒ４」の２つの値を出
力することができるため、ディジタル回路に使用するこ
とが可能となる。
成流も磁束の周期関数に従うことになる。第４図はこの
関係を示した特性図であり、電流担体の素電荷はｅとな
るので記号Ｓのように磁束の周期はｈ／ｅとなる。従っ
て、リング状のチャネル４に加わるもしくは貫く磁束が
ｈ／（２ｅ）の跳びを持つ階段関数になることとドレイ
ン電流がｈ／ｅの周期関数であることにより、入力コイ
ル電流に対する出力ドレイン電流は第５図に示す特性図
のようにｈ／ｅの周期（記号ｎ）となりｒＨＪ、ｌｊの
２つの値のみをとる矩形形の特性となる。このように本
発明の電子波干渉素子はｒｕ」、ｒ４」の２つの値を出
力することができるため、ディジタル回路に使用するこ
とが可能となる。
次に、重電、子波干渉素子作製法について述べる。
ＭＯＣＶＤ法もしくはＭＢＥ法でＧａＡａ半絶縁性基板
１上に無添加ＧａＡｓ層、引き続いてドナー不純物添加
量を調節したＡｊＧ＆ＡＩ層を成長させる。コイル８に
より発生した磁束がリング状のチャネル４の外側にでな
いようコイル８、超伝導リング６及びリング状チャネル
４の大きさ、形状を考慮する。
１上に無添加ＧａＡｓ層、引き続いてドナー不純物添加
量を調節したＡｊＧ＆ＡＩ層を成長させる。コイル８に
より発生した磁束がリング状のチャネル４の外側にでな
いようコイル８、超伝導リング６及びリング状チャネル
４の大きさ、形状を考慮する。
またリング形状はチャネル中の電子波の可干渉距離より
小さく作る必要がありミクロンからサブミクロンの微細
加工が必要になる。そのため電子ビーム露光及びドライ
エツチングプロセスによりリング状のチャネルを形成す
る。さらに超伝導リング６であるニオブ、層間絶縁膜７
であるＳｌＯを゛電子ビーム蒸着法により堆積し′電子
ビーム露光及びドライエツチングプロセスによりリング
を形成する。最後にニオブの電子ビーム蒸看法による堆
積及び電子ビーム露光及びドライエツチングプロセスに
より磁場発生用コイル８を作製する。以上により本発明
の電子波干渉素子が完成する。
小さく作る必要がありミクロンからサブミクロンの微細
加工が必要になる。そのため電子ビーム露光及びドライ
エツチングプロセスによりリング状のチャネルを形成す
る。さらに超伝導リング６であるニオブ、層間絶縁膜７
であるＳｌＯを゛電子ビーム蒸着法により堆積し′電子
ビーム露光及びドライエツチングプロセスによりリング
を形成する。最後にニオブの電子ビーム蒸看法による堆
積及び電子ビーム露光及びドライエツチングプロセスに
より磁場発生用コイル８を作製する。以上により本発明
の電子波干渉素子が完成する。
ところで、本発明の電子波干渉素子を電流ｄ準として利
用することかで色る。第４図の入力コイル電流の周期は
リング状のチャネル１貫く磁束で計るとｈ／ｅになる。
用することかで色る。第４図の入力コイル電流の周期は
リング状のチャネル１貫く磁束で計るとｈ／ｅになる。
従って、チャネル４のリングの形状を考慮し磁束ｈ／ｅ
からコイルを流れる電流を求められる。従来の電流間に
働く力から求めるものまたは標準電圧及び標準抵抗を用
いて求めるものと異なりこの電流はチャネル４のリング
形状から求ｔυ電流標準となる。
からコイルを流れる電流を求められる。従来の電流間に
働く力から求めるものまたは標準電圧及び標準抵抗を用
いて求めるものと異なりこの電流はチャネル４のリング
形状から求ｔυ電流標準となる。
また、本発明の電子波干渉素子を用いて素電荷測定が可
能となる。前述のように超伝導リングの電流担体は２ｅ
の電荷を持ち、リング状のチャネルを流れる電流担体は
Ｃの電荷を持つことによシトレイン電流が２つの値を持
つ。一般にチャネルの電流担体の素電荷が（２／ｍ）ｅ
（ただしｍは整数）なる場合、ドレイン電流はｍ１１！
［をとる。このことからドレイン電流のとる値の数より
電流担体の素電荷の大きさが分かる。素電荷測定法によ
り分数電荷の存在、電流担体２ｅ及びｅの電流担体の混
在を確認できる。
能となる。前述のように超伝導リングの電流担体は２ｅ
の電荷を持ち、リング状のチャネルを流れる電流担体は
Ｃの電荷を持つことによシトレイン電流が２つの値を持
つ。一般にチャネルの電流担体の素電荷が（２／ｍ）ｅ
（ただしｍは整数）なる場合、ドレイン電流はｍ１１！
［をとる。このことからドレイン電流のとる値の数より
電流担体の素電荷の大きさが分かる。素電荷測定法によ
り分数電荷の存在、電流担体２ｅ及びｅの電流担体の混
在を確認できる。
なお、前述の実施例では、ドナー不純物添加のＡｊＧａ
Ａｓと無添加のＧａＡｓの半導体異種接合中に作られる
二次元電子ガスを例にとって説明したが、電子親和力の
小さなドナー不純物添加の混晶もしくは化合物半導体層
と電子親和力の大きな無添加の混晶もしくは化合物半導
体層の半導体異種接合中に作られる二次元電子ガスをチ
ャネルとして用いる場合、または〔電子親和力士禁制帯
幅〕の大きなアクセグター不純物添加の半導体層と〔電
子親和力士禁制帯幅〕の小さな無添加の半導体層の半導
体異種接合中に作られる二次元正孔ガスをチャネルとし
て用いる場合でもよい。
Ａｓと無添加のＧａＡｓの半導体異種接合中に作られる
二次元電子ガスを例にとって説明したが、電子親和力の
小さなドナー不純物添加の混晶もしくは化合物半導体層
と電子親和力の大きな無添加の混晶もしくは化合物半導
体層の半導体異種接合中に作られる二次元電子ガスをチ
ャネルとして用いる場合、または〔電子親和力士禁制帯
幅〕の大きなアクセグター不純物添加の半導体層と〔電
子親和力士禁制帯幅〕の小さな無添加の半導体層の半導
体異種接合中に作られる二次元正孔ガスをチャネルとし
て用いる場合でもよい。
また、前述の実施例では、超伝導物質としてニオブそし
て絶縁体としてＳｌＯを例にとって説明したが超伝導物
質として酸化物高温超伝尋体を用いる場合、絶縁体とし
て窒化シリコンを用いる場合でもよい。
て絶縁体としてＳｌＯを例にとって説明したが超伝導物
質として酸化物高温超伝尋体を用いる場合、絶縁体とし
て窒化シリコンを用いる場合でもよい。
以上説明したように本発明によれば、コイルによって発
生した磁束によってチャネルを走行する２つの電子波に
位相差を与え、電子波が合流干渉することによりドレイ
ン電流を制御するため、電子濃度により電子波波長を変
えて位相差を与える従来の電子波干渉素子とは異なシ、
ゲート容量への充放電時間がなく高速動作が可能となる
。また、人力コイル電流に対する出力ドレイン電流が「
Ｈ」または１′Ｌ」の２値化することができるため、デ
ィジタル回路に使用することが可能である。
生した磁束によってチャネルを走行する２つの電子波に
位相差を与え、電子波が合流干渉することによりドレイ
ン電流を制御するため、電子濃度により電子波波長を変
えて位相差を与える従来の電子波干渉素子とは異なシ、
ゲート容量への充放電時間がなく高速動作が可能となる
。また、人力コイル電流に対する出力ドレイン電流が「
Ｈ」または１′Ｌ」の２値化することができるため、デ
ィジタル回路に使用することが可能である。
第１図−）は本発明゛に係る一実施例を示した電子波干
渉素子の外観斜視図、同図（ｂ）は同図−）のＢ−Ｂ断
面図、第２図はコイルの特性図、第３図は超伝導リング
を貫く磁束と磁場の特性図、第４図はリング状のチャネ
ルを貫く磁束とドレイン電流の特性図、第５図はコイル
に流れる電流とドレイン電流の特性図、第６図（ａ）、
同図（ｂ）は従来の電子波干渉素子の構成図、同図（０
）は同図＜ｂ＞のＣ−Ｃ断面図である。 １・・・１１手絶縁性ＧａＡｓ基板、２・争Φ・ｎ＋形
ンース領域、３・争・・ｎ十形ドレイン領域、４・・・
・チャネル、５・・・・絶縁膜、６・・拳・超伝導リン
グ、７・拳・・層間絶縁膜、８・・・書コイ々、８ａ
・・・・コイルミ電極、ｓ・−１・ソース電極、１０・
ｓｅａドレイン電極。 第１図 （ａ） （ｂ） ｔ Ｊ
ｊ第２図 １３図 フィル哩シ阪に−り胸ト生−Ｉ冴蟲〉蚤第４図 填５図 つイル１；喰れ３？；糺
渉素子の外観斜視図、同図（ｂ）は同図−）のＢ−Ｂ断
面図、第２図はコイルの特性図、第３図は超伝導リング
を貫く磁束と磁場の特性図、第４図はリング状のチャネ
ルを貫く磁束とドレイン電流の特性図、第５図はコイル
に流れる電流とドレイン電流の特性図、第６図（ａ）、
同図（ｂ）は従来の電子波干渉素子の構成図、同図（０
）は同図＜ｂ＞のＣ−Ｃ断面図である。 １・・・１１手絶縁性ＧａＡｓ基板、２・争Φ・ｎ＋形
ンース領域、３・争・・ｎ十形ドレイン領域、４・・・
・チャネル、５・・・・絶縁膜、６・・拳・超伝導リン
グ、７・拳・・層間絶縁膜、８・・・書コイ々、８ａ
・・・・コイルミ電極、ｓ・−１・ソース電極、１０・
ｓｅａドレイン電極。 第１図 （ａ） （ｂ） ｔ Ｊ
ｊ第２図 １３図 フィル哩シ阪に−り胸ト生−Ｉ冴蟲〉蚤第４図 填５図 つイル１；喰れ３？；糺
Claims (1)
- 半絶縁性基板と、この半絶縁性基板の表面に形成され
た導電形のソース領域及びドレイン領域と、このソース
領域及びドレイン領域の間に接続されたリング状の導電
形のチャネルと、このチャネル上に形成された絶縁膜と
、この絶縁膜上にリング状に形成された超伝導物質から
なる超伝導リングと、この超伝導リング上に形成された
層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上にリング状に形成され
た磁場発生用のコイルと、前記ソース領域及びドレイン
領域上に形成されたソース電極とドレイン電極とから構
成されたことを特徴とする電子波干渉素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053148A JPH01226182A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 電子波干渉素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63053148A JPH01226182A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 電子波干渉素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226182A true JPH01226182A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12934746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053148A Pending JPH01226182A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 電子波干渉素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01226182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260177A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Sharp Corp | 超伝導トランジスタ |
| EP0471288A2 (en) * | 1990-08-09 | 1992-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron wave coupling or decoupling devices and quantum interference devices |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63053148A patent/JPH01226182A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260177A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Sharp Corp | 超伝導トランジスタ |
| EP0471288A2 (en) * | 1990-08-09 | 1992-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron wave coupling or decoupling devices and quantum interference devices |
| EP0471288A3 (en) * | 1990-08-09 | 1994-05-18 | Canon Kk | Electron wave coupling or decoupling devices and quantum interference devices |
| US5521735A (en) * | 1990-08-09 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron wave combining/branching devices and quantum interference devices |
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