JPH01223744A - 半導体集積回路装置のチェック素子 - Google Patents
半導体集積回路装置のチェック素子Info
- Publication number
- JPH01223744A JPH01223744A JP5006288A JP5006288A JPH01223744A JP H01223744 A JPH01223744 A JP H01223744A JP 5006288 A JP5006288 A JP 5006288A JP 5006288 A JP5006288 A JP 5006288A JP H01223744 A JPH01223744 A JP H01223744A
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- JP
- Japan
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- wiring
- trenches
- groove
- integrated circuit
- semiconductor integrated
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置のチエツク素子に関し、特
に溝上の配線の断線チエツク素子に関する。
に溝上の配線の断線チエツク素子に関する。
従来、この種の半導体集積回路装置のチエツク素子にお
いて溝上の配線の断線をチエツクする素子はなく、溝上
の配線の断線は、溝上の配線を形成直後に顕微鏡によっ
てチエツクすることが行われている。
いて溝上の配線の断線をチエツクする素子はなく、溝上
の配線の断線は、溝上の配線を形成直後に顕微鏡によっ
てチエツクすることが行われている。
上述した従来の半導体集積回路装置のチエツク素子は、
半導体集積回路装置形成後に直接断線をチエツクするこ
とがなかったので、半導体集積回路形成の為に溝構造を
用いているデバイス、例えば半導体基板に溝をはりこれ
を溝容量としてもちいているダイナミックメモリデバイ
スなどでは、溝が形成後充分に穴埋めされていないと、
溝部に段差が生じこの溝上を配線が通過している場合、
段差の為に配線の断線が発生することがあった。
半導体集積回路装置形成後に直接断線をチエツクするこ
とがなかったので、半導体集積回路形成の為に溝構造を
用いているデバイス、例えば半導体基板に溝をはりこれ
を溝容量としてもちいているダイナミックメモリデバイ
スなどでは、溝が形成後充分に穴埋めされていないと、
溝部に段差が生じこの溝上を配線が通過している場合、
段差の為に配線の断線が発生することがあった。
本発明の半導体集積回路装置のチエツク素子は、半導体
素子内と同一口径よりなる複数個の溝を有し、その溝の
上を半導体素子内の溝上の配線と同一線巾の配線が通過
し、この配線の両端にパッド電極を有することを特徴と
する。
素子内と同一口径よりなる複数個の溝を有し、その溝の
上を半導体素子内の溝上の配線と同一線巾の配線が通過
し、この配線の両端にパッド電極を有することを特徴と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の上面図である。１１は溝、
１２は溝上を横断するＡＡ配線で、Ａβ配線の両端はパ
ッド部となっており、ＡＩ！配線の断線をパッド間の導
通によりチエツクすることができる。第２図は第１図の
Ａ−Ａ線断面図であり、２１はＡβ配線、２２はシリコ
ン酸化膜、２３はシリコン基板を示す。溝をうめたシリ
コン酸化膜が第２図のようにくぼんでいる場合、その上
を通過するＡｕ配線２１が第２図にみられるように断線
してしまう場合がある。この断線の有無をＡｎ配線の両
端にもうけたパッド間導通チエツクにより検出すること
ができる。
１２は溝上を横断するＡＡ配線で、Ａβ配線の両端はパ
ッド部となっており、ＡＩ！配線の断線をパッド間の導
通によりチエツクすることができる。第２図は第１図の
Ａ−Ａ線断面図であり、２１はＡβ配線、２２はシリコ
ン酸化膜、２３はシリコン基板を示す。溝をうめたシリ
コン酸化膜が第２図のようにくぼんでいる場合、その上
を通過するＡｕ配線２１が第２図にみられるように断線
してしまう場合がある。この断線の有無をＡｎ配線の両
端にもうけたパッド間導通チエツクにより検出すること
ができる。
第２図は本発明の他の実施例の上面図である。
３１シま溝、３２は溝上を横断するＡで配線を示す。
この配線３２は素子内の溝上を通過する配線材料と同じ
ものであればよく、他にはシリサイドポリンリコンなど
があげられる。本実施例ではチエツクパターン内の溝の
数を前記一実施例よりもはるかに多くしている。実際に
素子内で配線が横切る最大の溝数により近い数の溝をチ
エツクパターン内に設ければ、より実際の状態に近いチ
エツクを行うことができる。
ものであればよく、他にはシリサイドポリンリコンなど
があげられる。本実施例ではチエツクパターン内の溝の
数を前記一実施例よりもはるかに多くしている。実際に
素子内で配線が横切る最大の溝数により近い数の溝をチ
エツクパターン内に設ければ、より実際の状態に近いチ
エツクを行うことができる。
以上説明したように本発明は、溝上を配線が横断してい
るチエツク素子を用いることにより、容易に溝上配線の
断線の有無を、ウェハー拡散終了後もチエツクできると
いう効果がある。
るチエツク素子を用いることにより、容易に溝上配線の
断線の有無を、ウェハー拡散終了後もチエツクできると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例の上面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ線断面図、第３図は本発明の他の実施例の上面図
である。 １１・・・・・・溝、１２・・・・・・Ａβ配線、２１
・・・・・・Ａｐ配線、２２・・・・・・シリコン酸化
膜、２３・・・・・・シリコン基板、３１・・・・・・
溝、３２・・・・・・配線。 代理人 弁理士 内 原 晋
Ａ−Ａ線断面図、第３図は本発明の他の実施例の上面図
である。 １１・・・・・・溝、１２・・・・・・Ａβ配線、２１
・・・・・・Ａｐ配線、２２・・・・・・シリコン酸化
膜、２３・・・・・・シリコン基板、３１・・・・・・
溝、３２・・・・・・配線。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体素子内と同一口径よりなる複数個の溝を有し、
その溝の上を半導体素子内の溝上の配線と同一線巾の配
線が通過し、この配線の両端にパッド電極を有すること
を特徴とする半導体集積回路装置のチェック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006288A JPH01223744A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体集積回路装置のチェック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006288A JPH01223744A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体集積回路装置のチェック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223744A true JPH01223744A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12848513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5006288A Pending JPH01223744A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体集積回路装置のチェック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017142252A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧ | 破損検出を備えた半導体チップ |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP5006288A patent/JPH01223744A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017142252A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧ | 破損検出を備えた半導体チップ |
| CN107068654A (zh) * | 2016-02-10 | 2017-08-18 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有断裂探测的半导体芯片 |
| CN107068654B (zh) * | 2016-02-10 | 2020-03-10 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有断裂探测的半导体芯片 |
| DE102016102291B4 (de) | 2016-02-10 | 2023-11-09 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit bruchdetektion |
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