JPH01219179A - クラッド容器 - Google Patents
クラッド容器Info
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- JPH01219179A JPH01219179A JP4398588A JP4398588A JPH01219179A JP H01219179 A JPH01219179 A JP H01219179A JP 4398588 A JP4398588 A JP 4398588A JP 4398588 A JP4398588 A JP 4398588A JP H01219179 A JPH01219179 A JP H01219179A
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- coating
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高温で使用するクラッド容器に関するもので
ある。
ある。
（従来技術とその問題点）
従来、Ｍｏ又はＭｏ合金より成る容器の表面に、Ｉｒ又
はＩｒ合金を被覆したクラッド容器は、高温ガラスや金
属酸化物を含む鉱石溶解用るつぼや真空蒸着用のトレー
、ボートなどに広く用いられていた。
はＩｒ合金を被覆したクラッド容器は、高温ガラスや金
属酸化物を含む鉱石溶解用るつぼや真空蒸着用のトレー
、ボートなどに広く用いられていた。
ところで、上記クランド容器は、耐酸化性に優れている
が、高温で使用するので、経時的にＩｒ又はＩｒ合金の
被膜の結晶粒が粗大化し、粒界からの他の元素による浸
入汚染や被膜の機械的強度の低下で、クラッド容器の寿
命が短いものであった。
が、高温で使用するので、経時的にＩｒ又はＩｒ合金の
被膜の結晶粒が粗大化し、粒界からの他の元素による浸
入汚染や被膜の機械的強度の低下で、クラッド容器の寿
命が短いものであった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、長
寿命のクラッド容器を提供することを目的とするもので
ある。
寿命のクラッド容器を提供することを目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のクランド容？：ｇ
は、Ｍｏより成る容器の内面又は内外両面に、ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金を主成分として窒
化物、炭化物、ほう化物のいずれかが分散された材料が
、被覆されていることを特徴とするものである。
は、Ｍｏより成る容器の内面又は内外両面に、ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金を主成分として窒
化物、炭化物、ほう化物のいずれかが分散された材料が
、被覆されていることを特徴とするものである。
本発明のクラッド容器において、Ｍｏより成る容器の内
面又は内外両面に、前記材料が被覆されている理由は、
高温でのＰＬ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金
の被膜の結晶粒の粗大化が抑制されるからである。
面又は内外両面に、前記材料が被覆されている理由は、
高温でのＰＬ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金
の被膜の結晶粒の粗大化が抑制されるからである。
被覆は、スパッタリングで行うのが良い。これはイオン
ブレーティング、真空蒸着、湿式めっきでは、ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金に窒化物、炭化物
、ほう化物を分散させるのが困難であるからである。
ブレーティング、真空蒸着、湿式めっきでは、ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｉｒのいずれか又はこれらの合金に窒化物、炭化物
、ほう化物を分散させるのが困難であるからである。
このように窒化物、炭化物、ほう化物を分散ささたＰＬ
、Ｒｈ、ｌｒのいずれか又はこれらの合金より成る材料
を被覆したクラッド容器は、耐酸化性に優れ、しかも被
膜中には窒化物、炭化物、ほう化物のいずれかが分散さ
れていて、高温での結晶粒の成長が抑えられていること
から、粒界からの他の元素による浸入汚染や被膜の機械
的強度の低下が無く、長寿命となる。
、Ｒｈ、ｌｒのいずれか又はこれらの合金より成る材料
を被覆したクラッド容器は、耐酸化性に優れ、しかも被
膜中には窒化物、炭化物、ほう化物のいずれかが分散さ
れていて、高温での結晶粒の成長が抑えられていること
から、粒界からの他の元素による浸入汚染や被膜の機械
的強度の低下が無く、長寿命となる。
窒化物としては、ＢＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ
Ｎが用いられ、炭化物としては、Ｂ、Ｃ３ＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，Ｈｆ Ｃ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣが用いられ、ほう
化物としては、ＴｉＢｚ、ＺｒＢ、、ＨｆＢｚ、ＣｒＢ
ｚが用いられる。
Ｎが用いられ、炭化物としては、Ｂ、Ｃ３ＴｉＣ，Ｚｒ
Ｃ，Ｈｆ Ｃ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣが用いられ、ほう
化物としては、ＴｉＢｚ、ＺｒＢ、、ＨｆＢｚ、ＣｒＢ
ｚが用いられる。
これら窒化物、炭化物、ほう化物の分散量としては、０
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると窒化物、炭化物、ほ
う化物がクラッド容器内で溶解するガラス等と反応する
ので、それらの量としては０．０２〜ｌＯ体積％が好ま
しい。さらに膜厚としては０．１μｍ未満ではＭｏの酸
化を防止する効果が薄く、１００μｍを超えると長寿命
化に対する被覆時間の割合が高くなるので、膜厚の厚さ
としては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると窒化物、炭化物、ほ
う化物がクラッド容器内で溶解するガラス等と反応する
ので、それらの量としては０．０２〜ｌＯ体積％が好ま
しい。さらに膜厚としては０．１μｍ未満ではＭｏの酸
化を防止する効果が薄く、１００μｍを超えると長寿命
化に対する被覆時間の割合が高くなるので、膜厚の厚さ
としては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
以下具体的な実施例と従来例について説明する。
（実施例１）
ＰｔとＢＮの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚５
柵、高さ１００鴫、内径８０ａｍの断面コの字形ＭＯ！
！！るつぼの内面に、次の条件でＰＬ−ＢＮ２．５体積
％を厚さ５μｍまで二元同時にスパッタリングして、ク
ラッドるつぼを得た。
柵、高さ１００鴫、内径８０ａｍの断面コの字形ＭＯ！
！！るつぼの内面に、次の条件でＰＬ−ＢＮ２．５体積
％を厚さ５μｍまで二元同時にスパッタリングして、ク
ラッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １．０ＸＩＯ−’ＴｏｒｒＰｔ：ＤＣ
２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ｍ１ｎＢＮ ：
ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度 ２５人／１Ｗｉｎ
高周波電源： １３．５６ＭＨｚ ＭＯ製るつぼ：自公転 （実施例２） ＲｈとＴｉＣの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚
５鵬、高さ１００＋ｍ＋＋、内径８０ＩＩＩＩ１１の断
面コの字形Ｍｏ製るつぼの内外面に、次の条件でＲｈ−
Ｔ ｉ Ｃ２，５体積％を厚さ１０μｍまで二元同時に
スパッタリングして、クラッドるつぼを得た。
２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ｍ１ｎＢＮ ：
ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度 ２５人／１Ｗｉｎ
高周波電源： １３．５６ＭＨｚ ＭＯ製るつぼ：自公転 （実施例２） ＲｈとＴｉＣの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚
５鵬、高さ１００＋ｍ＋＋、内径８０ＩＩＩＩ１１の断
面コの字形Ｍｏ製るつぼの内外面に、次の条件でＲｈ−
Ｔ ｉ Ｃ２，５体積％を厚さ１０μｍまで二元同時に
スパッタリングして、クラッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
Ｒｈ ： ＤＣ２ＫＷ 、スパッタ速度 １０００人
／ｒａｉｎＴｉＣ： ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度
２５人／１ｌｉｎ高周波電ｇ ： １３．５６Ｍ
Ｈｚ Ｍｏ製るつぼ二自転 （実施例３） ｌｒとＺｒＢｚの２つのターゲットを同時に用いて、肉
厚５Ｍ、高さ１００鴫、内径８０ｍｍの断面コの字形Ｍ
ｏ製るつぼの内面に、次の条件でＩｒ−ＺｒＢ２５体積
％を厚さ２０μｍまで二元同時にスパッタリングして、
クラッドるつぼを得た。
／ｒａｉｎＴｉＣ： ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度
２５人／１ｌｉｎ高周波電ｇ ： １３．５６Ｍ
Ｈｚ Ｍｏ製るつぼ二自転 （実施例３） ｌｒとＺｒＢｚの２つのターゲットを同時に用いて、肉
厚５Ｍ、高さ１００鴫、内径８０ｍｍの断面コの字形Ｍ
ｏ製るつぼの内面に、次の条件でＩｒ−ＺｒＢ２５体積
％を厚さ２０μｍまで二元同時にスパッタリングして、
クラッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １（１３Ｔｏｒｒ
Ｉｒ：ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ｌｌｌ
１ｎＺｒＢｚ ： ＲＦ ２ＫＷ 、スパッタ速度
５０人／ｍｉｎ高周波電源７ １３．５６Ｈｚ Ｍｏ製るつぼ：自公転 （実施例４） ＰＣＳ ｌｒ、ＴａＮの３つのターゲットを同時に用い
て、肉厚５ｍｍ、高さ１００鵬、内径８０鵬の断面コの
字形Ｍｏ製るつぼの内外面に、次の条件でＰｔとＩｒ２
０ｗｔ％とＴａＮ１．Ｏ体積％となるように厚さｌＱ７
ｚｍまで三元同時にスパッタリングして、クラッドるつ
ぼを得た。
１ｎＺｒＢｚ ： ＲＦ ２ＫＷ 、スパッタ速度
５０人／ｍｉｎ高周波電源７ １３．５６Ｈｚ Ｍｏ製るつぼ：自公転 （実施例４） ＰＣＳ ｌｒ、ＴａＮの３つのターゲットを同時に用い
て、肉厚５ｍｍ、高さ１００鵬、内径８０鵬の断面コの
字形Ｍｏ製るつぼの内外面に、次の条件でＰｔとＩｒ２
０ｗｔ％とＴａＮ１．Ｏ体積％となるように厚さｌＱ７
ｚｍまで三元同時にスパッタリングして、クラッドるつ
ぼを得た。
Ａｒガス ： １０−”Ｔｏｒｒ
Ｐ ｔ ： ＤＣ２ＨＷ、スパッタ速度 １０００人
／ｍ１ｎＩ ｒ ： ＤＣ０，４ＫＷ、スパッタ速度
２００人／ｍ１ｎＴ ａ Ｎ ： ＲＦ Ｏ，５ＫＷ、
スパッタ速度 １２人／ｍｉｎ高周波電源： １３．
５６ＭＨｚ ＭＯ製るつぼ：自公転 （従来例） 実施例１で用いたＭｏ製るつぼの内外面に、Ｉｒを厚さ
１０μｍまでスパッタリングしてクラッドるつぼを得た
。
／ｍ１ｎＩ ｒ ： ＤＣ０，４ＫＷ、スパッタ速度
２００人／ｍ１ｎＴ ａ Ｎ ： ＲＦ Ｏ，５ＫＷ、
スパッタ速度 １２人／ｍｉｎ高周波電源： １３．
５６ＭＨｚ ＭＯ製るつぼ：自公転 （従来例） 実施例１で用いたＭｏ製るつぼの内外面に、Ｉｒを厚さ
１０μｍまでスパッタリングしてクラッドるつぼを得た
。
然して上記実施例１〜４のクラッドるつぼと従来例のク
ラッドるつぼに、アルカリ亜鉛硼珪酸ガラスを５００ｇ
入れ、Ａｒ雰囲気、温度１５００°Ｃ１１時間で使用し
た。これを１０回繰り返した処、従来例のクランドるつ
ぼは、内面からＩｒ被膜が３μｍ削られたのに対し、実
施例１のるつぼは、Ｐ Ｌ−ＢＮ被膜が１μｍ、実施例
２のるつぼは、Ｒｈ−ＴｉＣ被膜が０．５μｍ、実施例
３のるつぼは、１ｒ−ＺｒＢ、被膜が０．５μｍ、実施
例４のるつぼはＰＬ−１ｒ−ＴａＮ被膜が０．５μｍの
夫々内面から削られたにとどまった。
ラッドるつぼに、アルカリ亜鉛硼珪酸ガラスを５００ｇ
入れ、Ａｒ雰囲気、温度１５００°Ｃ１１時間で使用し
た。これを１０回繰り返した処、従来例のクランドるつ
ぼは、内面からＩｒ被膜が３μｍ削られたのに対し、実
施例１のるつぼは、Ｐ Ｌ−ＢＮ被膜が１μｍ、実施例
２のるつぼは、Ｒｈ−ＴｉＣ被膜が０．５μｍ、実施例
３のるつぼは、１ｒ−ＺｒＢ、被膜が０．５μｍ、実施
例４のるつぼはＰＬ−１ｒ−ＴａＮ被膜が０．５μｍの
夫々内面から削られたにとどまった。
次に実施例１〜４及び従来例のクランドるつぼの底部を
、大気中で直接ヒータ加熱して温度約１０００°Ｃで２
０時間保持した処、従来例のクラッドるつぼは、１０時
間ではＩｒ被膜が減量しなかったが、Ｉｒ被膜の結晶粒
の粗大化が著しく、限界状態となり、２０時間ではＩｒ
被膜が破壊され、８ｇ減量したのに対し、実施例１〜４
のクラッドるつぼは、全て被膜の結晶粒の成長が認めら
れす、減量もしなかった。
、大気中で直接ヒータ加熱して温度約１０００°Ｃで２
０時間保持した処、従来例のクラッドるつぼは、１０時
間ではＩｒ被膜が減量しなかったが、Ｉｒ被膜の結晶粒
の粗大化が著しく、限界状態となり、２０時間ではＩｒ
被膜が破壊され、８ｇ減量したのに対し、実施例１〜４
のクラッドるつぼは、全て被膜の結晶粒の成長が認めら
れす、減量もしなかった。
これらのことから本発明のクラッドるつぼは、従来のク
ラッドるつぼに比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして
著しく寿命が長く、また耐消耗性に優れていることが判
る。
ラッドるつぼに比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして
著しく寿命が長く、また耐消耗性に優れていることが判
る。
（発明の効果）
以上詳述した通り本発明のクランド容器は、被膜の結晶
粒の粗大化が抑制され、粒界から他の元素による浸入汚
染や被膜の機械的強度の低下が無いので、長寿命である
。また長時間使用しても被膜は減量せず、耐消耗性に優
れている。
粒の粗大化が抑制され、粒界から他の元素による浸入汚
染や被膜の機械的強度の低下が無いので、長寿命である
。また長時間使用しても被膜は減量せず、耐消耗性に優
れている。
しかも容器全体を完全被覆した場合は大気中でも長寿命
のものとなる。
のものとなる。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ｍｏより成る容器の内面又は内外両面に、Ｐｔ、Ｒｈ、
Ｉｒのいずれか又はこれらの合金を主成分として窒化物
、炭化物、ほう化物のいずれかが分散された材料が、被
覆されていることを特徴とするクラッド容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4398588A JPH01219179A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | クラッド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4398588A JPH01219179A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | クラッド容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219179A true JPH01219179A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12679014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4398588A Pending JPH01219179A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | クラッド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219179A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107488852A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-19 | 燕山大学 | 一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194086A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200980A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200981A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS6220847A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | 微細結晶粒を有する金属材料とその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4398588A patent/JPH01219179A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194086A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200980A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200981A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS6220847A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | 微細結晶粒を有する金属材料とその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107488852A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-19 | 燕山大学 | 一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法 |
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