JPH01279778A - クラッド容器 - Google Patents
クラッド容器Info
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- JPH01279778A JPH01279778A JP10707888A JP10707888A JPH01279778A JP H01279778 A JPH01279778 A JP H01279778A JP 10707888 A JP10707888 A JP 10707888A JP 10707888 A JP10707888 A JP 10707888A JP H01279778 A JPH01279778 A JP H01279778A
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- cladding
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高温で使用するクラッド容器に関するもので
ある。
ある。
（従来技術とその問題点）
従来、Ｗ、Ｔａなどの高融点金属より成る容器の表面に
、Ｐｔ又はＰｔ合金を被覆したクラッド容器が、高温ガ
ラスや金属酸化物を含む鉱石の溶解用るつぼなどの用途
に考えられていた。
、Ｐｔ又はＰｔ合金を被覆したクラッド容器が、高温ガ
ラスや金属酸化物を含む鉱石の溶解用るつぼなどの用途
に考えられていた。
ところで、上記クラッド容器は、耐酸化性に優れている
が、高温で使用するので、経時的にｐｔ又はＰｔ合金の
被膜の結晶粒が粗大化し、粒界からの他の元素による浸
入汚染や被膜の機械的強度の低下で、クラッド容器の寿
命が短いものであった。
が、高温で使用するので、経時的にｐｔ又はＰｔ合金の
被膜の結晶粒が粗大化し、粒界からの他の元素による浸
入汚染や被膜の機械的強度の低下で、クラッド容器の寿
命が短いものであった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、長
寿命のクラッド容器を提供することを目的とするもので
ある。
寿命のクラッド容器を提供することを目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のクラッド容器は、
Ｗ又はＴａより成る容器の内面又は内外両面に、Ｐｔ又
はＰｔ合金を主成分として窒化物、炭化物、ほう化物の
いずれかが分散された材料が、被覆されていることを特
徴とするものである。
Ｗ又はＴａより成る容器の内面又は内外両面に、Ｐｔ又
はＰｔ合金を主成分として窒化物、炭化物、ほう化物の
いずれかが分散された材料が、被覆されていることを特
徴とするものである。
本発明のクラッド容器において、Ｗ又はＴａより成る容
器の内面又は内外両面に、前記材料が被覆されている理
由は、高温でのＰｔ又はＰｔ合金の被膜の結晶粒の粗大
化が抑制されるからである。
器の内面又は内外両面に、前記材料が被覆されている理
由は、高温でのＰｔ又はＰｔ合金の被膜の結晶粒の粗大
化が抑制されるからである。
被覆は、スパッタリングで行うのが良い。これはイオン
ブレーティング、真空蒸着、湿式めっきでは、Ｐｔ又は
Ｐｔ合金に窒化物、炭化物、ほう化物を分散させるのが
困難であるからである。
ブレーティング、真空蒸着、湿式めっきでは、Ｐｔ又は
Ｐｔ合金に窒化物、炭化物、ほう化物を分散させるのが
困難であるからである。
このように窒化物、炭化物、ほう化物を分散させたＰｔ
又はＰｔ合金より成る材料を被覆したクラッド容器は、
耐酸化性に優れ、しかも被膜中には窒化物、炭化物、ほ
う化物のいずれかが分散されていて、高温での結晶粒の
成長が抑えられていることから、粒界からの他の元素に
よる浸入汚染や被膜の機械的強度の低下が無く、長寿命
となる。
又はＰｔ合金より成る材料を被覆したクラッド容器は、
耐酸化性に優れ、しかも被膜中には窒化物、炭化物、ほ
う化物のいずれかが分散されていて、高温での結晶粒の
成長が抑えられていることから、粒界からの他の元素に
よる浸入汚染や被膜の機械的強度の低下が無く、長寿命
となる。
窒化物としては、ＢＮＳＨｆＮ、ＴａＮ５ＺｒＮ。
ＴｉＮが用いられ、炭化物としては、Ｂ、Ｃ。
Ｔ ｉ Ｃ、Ｚ ｒ Ｃ、Ｈｆ Ｃｓ Ｖ Ｃ％ Ｎ
ｂ Ｃ％ Ｔ ａ Ｃが用いられ、ほう化物としては、
ＴｉＢ、、ＺｒＢ２、Ｈｆ Ｂ ２、ＣｒＢ、が用いら
レル。
ｂ Ｃ％ Ｔ ａ Ｃが用いられ、ほう化物としては、
ＴｉＢ、、ＺｒＢ２、Ｈｆ Ｂ ２、ＣｒＢ、が用いら
レル。
これら窒化物、炭化物、ほう化物の分散量としては、０
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると結晶粒の成長を抑制
する効果が変わらなくなるので、それらの量としては０
．０２〜１０体積％が好ましい。
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると結晶粒の成長を抑制
する効果が変わらなくなるので、それらの量としては０
．０２〜１０体積％が好ましい。
さらに膜厚としては０．１μｍ未満ではＷ又はＴａの酸
化を防止する効果が薄く、１００μｍを超えると長寿命
化に対する被覆時間の割合が高くなるので、膜厚の厚さ
としては ０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
化を防止する効果が薄く、１００μｍを超えると長寿命
化に対する被覆時間の割合が高くなるので、膜厚の厚さ
としては ０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
以下具体的な実施例と従来例について説明する。
（実施例１）
ＰｔとＢＨの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚５
ｍｎ＋、高さｌＯ抛ｍ１内径８０加の断面コの字形Ｗ製
るつぼの内面に、次の条件でＰｔ−ＢＮ２．５体積％を
厚さ５μｍまで二元同時にスパッタリングして、クラッ
ドるつぼを得た。
ｍｎ＋、高さｌＯ抛ｍ１内径８０加の断面コの字形Ｗ製
るつぼの内面に、次の条件でＰｔ−ＢＮ２．５体積％を
厚さ５μｍまで二元同時にスパッタリングして、クラッ
ドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １． Ｑｘ １０−’ＴｏｒｒＰｔ：
ＤＣ２にＷ１スパッタ速度 １００〇八／ｍ１ｎＢＮ：
ＲＦｌにＷ１スパッタ速度 ２５人／ｍｉｎ高周波電
源： １３．５６ＭＨｚ Ｗ製るつぼ：自公転 （実施例２） ＰｔとＴｉＣの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚
５ｍｍ、高さ１００ｍｍ、内径８０Ｉ！ｌＩＨの断面コ
の字形Ｗ製るつぼの内外面に、次の条件でＰｔ−ＴｉＣ
２，５体積％を厚さ１０μｍまで二元同時にスパッタリ
ングして、クラッドるつぼを得た。
ＤＣ２にＷ１スパッタ速度 １００〇八／ｍ１ｎＢＮ：
ＲＦｌにＷ１スパッタ速度 ２５人／ｍｉｎ高周波電
源： １３．５６ＭＨｚ Ｗ製るつぼ：自公転 （実施例２） ＰｔとＴｉＣの２つのターゲットを同時に用いて、肉厚
５ｍｍ、高さ１００ｍｍ、内径８０Ｉ！ｌＩＨの断面コ
の字形Ｗ製るつぼの内外面に、次の条件でＰｔ−ＴｉＣ
２，５体積％を厚さ１０μｍまで二元同時にスパッタリ
ングして、クラッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
Ｐｔ：ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １００〇八／ｍ１ｎ
ＴｉＣ： ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度 ２５人
／ｍｉｎ高周波電源： １３．５６ＭＨｚ Ｗ製るつぼ：自転 （実施例３） ＰｔとＺｒＢ２の２つのターゲットを同時に用いて、肉
厚５叩、高さ１００＋ｍｍ、内径８０ｍｍの断面コの字
形Ｔａ％るつぼの内面に、次の条件でＰｔ−Ｚｒ８．５
体積％を厚さ２０μｍまで二元同時にスパッタリングし
て、クラッドるつぼを得た。
ＴｉＣ： ＲＦ ＩＫＷ 、スパッタ速度 ２５人
／ｍｉｎ高周波電源： １３．５６ＭＨｚ Ｗ製るつぼ：自転 （実施例３） ＰｔとＺｒＢ２の２つのターゲットを同時に用いて、肉
厚５叩、高さ１００＋ｍｍ、内径８０ｍｍの断面コの字
形Ｔａ％るつぼの内面に、次の条件でＰｔ−Ｚｒ８．５
体積％を厚さ２０μｍまで二元同時にスパッタリングし
て、クラッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １０−’Ｔｏｒｒ
Ｐｔ：ＤＣ２にＷ１スパッタ速度 １００〇八／ｍ１ｎ
２ｒＬ ： ＲＦ ２ＫＷ 、スパッタ速度 ５０人
／ｍｉｎ高周波電源： １３，５６ＭＨｚ Ｔａ製るつぼ：自公転 （実施例４） Ｐｔ、Ｐｔ５ＴａＮの３つのターゲットを同時に用いて
、肉厚５ｍｍ、高さ１００ｍｍ、内径８０ｍｍの断面コ
の字形Ｔａｌ１ｌるつぼの内外面に、次の条件でＰｔと
Ｐ ｔ ２０ｗｔ％とＴａＮ１．Ｏ体積％となるように
厚さ１０μｍまで三元同時にスパッタリングして、クラ
ッドるつぼを得た。
２ｒＬ ： ＲＦ ２ＫＷ 、スパッタ速度 ５０人
／ｍｉｎ高周波電源： １３，５６ＭＨｚ Ｔａ製るつぼ：自公転 （実施例４） Ｐｔ、Ｐｔ５ＴａＮの３つのターゲットを同時に用いて
、肉厚５ｍｍ、高さ１００ｍｍ、内径８０ｍｍの断面コ
の字形Ｔａｌ１ｌるつぼの内外面に、次の条件でＰｔと
Ｐ ｔ ２０ｗｔ％とＴａＮ１．Ｏ体積％となるように
厚さ１０μｍまで三元同時にスパッタリングして、クラ
ッドるつぼを得た。
Ａｒガス ： １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
Ｐｔ ：ＤＣ２にＷ１スパッタ速度 １００〇八／ｍ
１ｎＰｔ ：ロＣ０，４ＫＷ、スパッタ速度２００八／
ｍ１ｎＴ ａ Ｎ ： ＲＦ Ｏ，５ＫＷ、スパッタ速
度 １２人／ｍｉｎ高周波電源： １３．５６ＭＨｚ Ｔａ製るつぼ：自公転 （従来例） 実施例１で用いたＷ製るつぼの内外面に、Ｐｔを厚さ１
０μｍまでスパッタリングしてクラッドるつぼを得た。
１ｎＰｔ ：ロＣ０，４ＫＷ、スパッタ速度２００八／
ｍ１ｎＴ ａ Ｎ ： ＲＦ Ｏ，５ＫＷ、スパッタ速
度 １２人／ｍｉｎ高周波電源： １３．５６ＭＨｚ Ｔａ製るつぼ：自公転 （従来例） 実施例１で用いたＷ製るつぼの内外面に、Ｐｔを厚さ１
０μｍまでスパッタリングしてクラッドるつぼを得た。
然して上記実施例１〜４のクラッドるつぼと従来例のク
ラッドるつぼに、アルカリ亜鉛硼珪酸ガラスを５００ｇ
入れ、Ａｒ雰囲気、温度１５００℃、１時間で使用した
。これを１０回繰り返した処、従来例のクラッドるつぼ
は、内面からＰｔ被膜が３μｍ削られたのに対し、実施
例１のるつぼは、Ｐｔ−ＢＮ被膜が１μｍ１実施例２の
るつぼは、Ｐｔ−Ｔ ｉ Ｃ被膜が０．７μｍ１実施例
３のるつぼは、Ｐｔ−ＺｒＢ２被膜が０．７μｍ、実施
例４のるつぼはＰｔ−Ｐｔ−ＴａＮ被膜が０．５ｕｍの
夫々内面から削られたにとどまった。
ラッドるつぼに、アルカリ亜鉛硼珪酸ガラスを５００ｇ
入れ、Ａｒ雰囲気、温度１５００℃、１時間で使用した
。これを１０回繰り返した処、従来例のクラッドるつぼ
は、内面からＰｔ被膜が３μｍ削られたのに対し、実施
例１のるつぼは、Ｐｔ−ＢＮ被膜が１μｍ１実施例２の
るつぼは、Ｐｔ−Ｔ ｉ Ｃ被膜が０．７μｍ１実施例
３のるつぼは、Ｐｔ−ＺｒＢ２被膜が０．７μｍ、実施
例４のるつぼはＰｔ−Ｐｔ−ＴａＮ被膜が０．５ｕｍの
夫々内面から削られたにとどまった。
次に実施例１〜４及び従来例のクラッドるつぼの底部を
、大気中で直接ヒータ加熱して温度約１０００℃で２０
時間保持した処、従来例のクラッドるつぼは、１０時間
ではＰｔ被膜が減量しなかったが、Ｐｔ被膜の結晶粒の
粗大化が著しく、限界状態となり、２０時間ではＰｔ被
膜が破壊され、８ｇ減量したのに対し、実施例１〜４の
クラッドるつぼは、全て被膜の結晶粒の成長が認められ
ず、減量もしなかった。
、大気中で直接ヒータ加熱して温度約１０００℃で２０
時間保持した処、従来例のクラッドるつぼは、１０時間
ではＰｔ被膜が減量しなかったが、Ｐｔ被膜の結晶粒の
粗大化が著しく、限界状態となり、２０時間ではＰｔ被
膜が破壊され、８ｇ減量したのに対し、実施例１〜４の
クラッドるつぼは、全て被膜の結晶粒の成長が認められ
ず、減量もしなかった。
これらのことから本発明のクラッドるつぼは、従来のク
ラッドるつぼに比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして
著しく寿命が長く、また耐消耗性に優れていることが判
る。
ラッドるつぼに比べて金属酸化物の溶解用るつぼとして
著しく寿命が長く、また耐消耗性に優れていることが判
る。
（発明の効果）
以上詳述した通り本発明のクラッド容器は、被膜の結晶
粒の粗大化が抑制され、粒界から他の元素による浸入汚
染や被膜の機械的強度の低下が無いので、長寿命である
。また長時間使用しても被膜は減量せず、耐消耗性に優
れている。しかも容器全体を完全被覆した場合は大気中
でも長寿命のものとなる。
粒の粗大化が抑制され、粒界から他の元素による浸入汚
染や被膜の機械的強度の低下が無いので、長寿命である
。また長時間使用しても被膜は減量せず、耐消耗性に優
れている。しかも容器全体を完全被覆した場合は大気中
でも長寿命のものとなる。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- １、Ｗ又はＴａより成る容器の内面又は内外両面に、Ｐ
ｔ又はＰｔ合金を主成分として窒化物、炭化物、ほう化
物のいずれかが分散された材料が、被覆されていること
を特徴とするクラッド容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10707888A JPH01279778A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | クラッド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10707888A JPH01279778A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | クラッド容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01279778A true JPH01279778A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14449921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10707888A Pending JPH01279778A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | クラッド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01279778A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200976A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200977A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS6220847A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | 微細結晶粒を有する金属材料とその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10707888A patent/JPH01279778A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200976A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS60200977A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
| JPS6220847A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | 微細結晶粒を有する金属材料とその製造方法 |
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