JPH01218045A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01218045A JPH01218045A JP63044906A JP4490688A JPH01218045A JP H01218045 A JPH01218045 A JP H01218045A JP 63044906 A JP63044906 A JP 63044906A JP 4490688 A JP4490688 A JP 4490688A JP H01218045 A JPH01218045 A JP H01218045A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の配線に関するものである。
（従来の技術）
半導体集積回路の配線材料としては、通常、ＡＩまたは
Ａｌ−８ｉ合金が使用されている。
Ａｌ−８ｉ合金が使用されている。
半導体集積回路の高集積化と大容量化に伴い、総配線長
が著しく増加した結果、半導体チップ上での配線信号遅
延が問題となってきている。配線信号遅延をできるだけ
小さくする為には、電気抵抗ができるだけ小さい配線材
料を使用することが望ましい。
が著しく増加した結果、半導体チップ上での配線信号遅
延が問題となってきている。配線信号遅延をできるだけ
小さくする為には、電気抵抗ができるだけ小さい配線材
料を使用することが望ましい。
前記配線材料として用いられているＡＩまたは、Ａｌ−
８ｉ合金の電気抵抗は２〜４ＰΩ・ｃｍと、金属薄膜に
おいては比較的低抵抗である。これに対して、最近、イ
ツトリウム・バリウム・銅等の酸化物セラミックスは、
７７に以上で超伝導状態になることが報告されている。
８ｉ合金の電気抵抗は２〜４ＰΩ・ｃｍと、金属薄膜に
おいては比較的低抵抗である。これに対して、最近、イ
ツトリウム・バリウム・銅等の酸化物セラミックスは、
７７に以上で超伝導状態になることが報告されている。
従って、該セラミックスは、前記半導体集積回路の配線
材料として有望と考えられている。
材料として有望と考えられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記酸化物超伝導セラミックス膜を７７
に以上で良好な超伝導特性（高い臨界電流密度）を有す
る薄膜とする為には、超伝導薄膜堆積後、高温熱処理を
行なう必要があるが、第９図に示すように、熱処理時に
該セラミックス膜１１がシリコン１と接触している場合
には、該セラミックスとシリコンが反応し、７７に以上
で良好な超伝導特性を有する薄膜を形成できないだけで
なく、コンタクト抵抗が実用上許容できない値に増大す
る。
に以上で良好な超伝導特性（高い臨界電流密度）を有す
る薄膜とする為には、超伝導薄膜堆積後、高温熱処理を
行なう必要があるが、第９図に示すように、熱処理時に
該セラミックス膜１１がシリコン１と接触している場合
には、該セラミックスとシリコンが反応し、７７に以上
で良好な超伝導特性を有する薄膜を形成できないだけで
なく、コンタクト抵抗が実用上許容できない値に増大す
る。
本発明の目的は、７７に以上で超伝導特性を有するセラ
ミックス薄膜を半導体集積回路の配線として用いること
により、従来の配線信号遅延をできるだけ小さくした半
導体装置を提供することである。
ミックス薄膜を半導体集積回路の配線として用いること
により、従来の配線信号遅延をできるだけ小さくした半
導体装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、基板表面に形成された半導体装置を構成する
配線のうち、酸化物超伝導薄膜が金属導体膜を介して、
半導体と電気的に接続されていることを特徴とする半導
体装置である。
配線のうち、酸化物超伝導薄膜が金属導体膜を介して、
半導体と電気的に接続されていることを特徴とする半導
体装置である。
（作用）
本発明の装置においてはセラミックス膜は下地半導体基
板とは直接接触しない装置構造となっているので、該セ
ラミックス膜を超伝導体とするために行う熱処理時に下
地基板と反応は生じない。
板とは直接接触しない装置構造となっているので、該セ
ラミックス膜を超伝導体とするために行う熱処理時に下
地基板と反応は生じない。
また、金属導体膜の材料によっては、超伝導体とする為
の熱処理時に該セラミックス膜と金属導体膜が反応する
場合があるが、その場合には該セラミックス膜と該金属
導体膜との間に拡散防止膜をはさむことによって、反応
を防ぐことができる。
の熱処理時に該セラミックス膜と金属導体膜が反応する
場合があるが、その場合には該セラミックス膜と該金属
導体膜との間に拡散防止膜をはさむことによって、反応
を防ぐことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明の詳細な説明するための断面図であり、第３図〜第８
図は、それぞれ本発明の第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２
図（ａ）、（ｂ）に示す実施例の製造方法を説明する為
の工程順に示した半導体装置の断面図である。
明の詳細な説明するための断面図であり、第３図〜第８
図は、それぞれ本発明の第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２
図（ａ）、（ｂ）に示す実施例の製造方法を説明する為
の工程順に示した半導体装置の断面図である。
第１図（ａ）〜（ｄ）に示すように、ＭＯ８型電界効果
トランジスタ２が形成されたシリコン基板１において、
イツトリウム・バリウム・銅酸化物超伝導配線膜４は、
シリコン酸化膜３上にのみ形成され、シリコン基板１と
は直接接触していない。
トランジスタ２が形成されたシリコン基板１において、
イツトリウム・バリウム・銅酸化物超伝導配線膜４は、
シリコン酸化膜３上にのみ形成され、シリコン基板１と
は直接接触していない。
代わりに第１図（ａ）においては、アルミニウム、シリ
コン膜５が、第１図（ｂ）においては、タングステンシ
リサイド膜６が、第１図（ｃ）、（ｄ）においては、タ
ンタルシリサイド膜７が、それぞれシリコン基板１とイ
ツトリウム、バリウム、銅酸化物超伝導膜４とに接触し
、電気的接続を担っている。
コン膜５が、第１図（ｂ）においては、タングステンシ
リサイド膜６が、第１図（ｃ）、（ｄ）においては、タ
ンタルシリサイド膜７が、それぞれシリコン基板１とイ
ツトリウム、バリウム、銅酸化物超伝導膜４とに接触し
、電気的接続を担っている。
また、第２図（ａ）、（ｂ）に示すように、ＭＯ８型電
界効果トランジスタ２が形成されたシリコン基板１にお
いて、イツトリウム・バリウム・銅酸化物超伝導膜４は
、シリコン酸化膜３上で形成され、かつシリコン基板１
と、直接接触しない。代わりにタングステン膜７がシリ
コン基板１とつながっている。さらに、該超伝導膜と該
タングステン膜との間には、これらの膜の相互拡散防止
膜として窒化チタン膜９が形成されている。
界効果トランジスタ２が形成されたシリコン基板１にお
いて、イツトリウム・バリウム・銅酸化物超伝導膜４は
、シリコン酸化膜３上で形成され、かつシリコン基板１
と、直接接触しない。代わりにタングステン膜７がシリ
コン基板１とつながっている。さらに、該超伝導膜と該
タングステン膜との間には、これらの膜の相互拡散防止
膜として窒化チタン膜９が形成されている。
次に、第１図（ａ）の半導体装置の製造方法について説
明する。
明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１
ｐｍ堆積する。次いで第３図（ｂ）に示すように、イツ
トリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜４を基板１上
にスパッタ法により約１ｐｍ堆積した後、酸素雰囲気中
、８００°Ｃで数時間熱処理し、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス薄膜４を、７７に以上で良好な超伝
導特性を有する酸化物超伝導薄膜とする。この時、該セ
ラミックス薄膜は、下地半導体基板とは直接接触してい
ないので、下地基板とは反応しない。次いで第３図（Ｃ
）に示すように、前記超伝導膜４を、塩素ガスを用いた
反応性イオンビームエツチング法により、パターニング
した後、通常のホトレジスト工程とドライエツチング工
程により、コンタクトホール１０を形成する。次いで、
第３図（ｄ）に示すように、アルミニウム・シリコン膜
５を基板１上に通常のスパッタ法により約０．５１１ｍ
堆積した後、通常のホトレジスト工程とドライエツチン
グ工程によりパターニングし、前記トランジスタ２と前
記超伝導膜４を接続する配線を形成し、装置を完成する
。
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１
ｐｍ堆積する。次いで第３図（ｂ）に示すように、イツ
トリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜４を基板１上
にスパッタ法により約１ｐｍ堆積した後、酸素雰囲気中
、８００°Ｃで数時間熱処理し、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス薄膜４を、７７に以上で良好な超伝
導特性を有する酸化物超伝導薄膜とする。この時、該セ
ラミックス薄膜は、下地半導体基板とは直接接触してい
ないので、下地基板とは反応しない。次いで第３図（Ｃ
）に示すように、前記超伝導膜４を、塩素ガスを用いた
反応性イオンビームエツチング法により、パターニング
した後、通常のホトレジスト工程とドライエツチング工
程により、コンタクトホール１０を形成する。次いで、
第３図（ｄ）に示すように、アルミニウム・シリコン膜
５を基板１上に通常のスパッタ法により約０．５１１ｍ
堆積した後、通常のホトレジスト工程とドライエツチン
グ工程によりパターニングし、前記トランジスタ２と前
記超伝導膜４を接続する配線を形成し、装置を完成する
。
次に、第１図（ｂ）の半導体装置の製造方法について説
明する。 、 まず、第４図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１ｐ
ｍ堆積する。
明する。 、 まず、第４図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１ｐ
ｍ堆積する。
次いで、第４図（ｂ）に示すように通常のホトレジスト
工程とドライエツチング工程によりコンタクトホールを
形成した後、タングステンシリサイド膜６を基板１上に
スパッタ法により約１μｍ堆積する。
工程とドライエツチング工程によりコンタクトホールを
形成した後、タングステンシリサイド膜６を基板１上に
スパッタ法により約１μｍ堆積する。
次いで第４図（Ｃ）に示すように、通常のホトレジスト
工程とドライエツチング工程により、タングステンシリ
サイド膜６をパターニングした後、イツトリウム・バリ
ウム・銅セラミックス薄膜４を基板上にスパッタ法によ
り約１１１ｍ堆積する。その後酸素雰囲気中で８００°
Ｃ１数時間、熱処理し、イツトリウム、バリウム・銅セ
ラミックス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特性を有す
る酸化物超伝導膜とする。この時、該セラミックス膜は
下地半導体基板とは直接接触していないので、下地基板
とは反応しない。
工程とドライエツチング工程により、タングステンシリ
サイド膜６をパターニングした後、イツトリウム・バリ
ウム・銅セラミックス薄膜４を基板上にスパッタ法によ
り約１１１ｍ堆積する。その後酸素雰囲気中で８００°
Ｃ１数時間、熱処理し、イツトリウム、バリウム・銅セ
ラミックス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特性を有す
る酸化物超伝導膜とする。この時、該セラミックス膜は
下地半導体基板とは直接接触していないので、下地基板
とは反応しない。
次いで、第４図（ｄ）に示すように、塩素ガスを用いた
反応性イオンビームエツチング法により酸化物超伝導膜
４をパターニングし、配線を形成する。
反応性イオンビームエツチング法により酸化物超伝導膜
４をパターニングし、配線を形成する。
次に、第１図（Ｃ）の半導体装置の製造方法について説
明する。
明する。
まず第５図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に、
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜としてシリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１１
１ｍ堆積する。次いで第５図（ｂ）に示すように、イツ
トリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜４を基板１上
にスパッタ法により約１μｍ堆積した後、酸素雰囲気中
で８００°Ｃ１数時間熱処理し、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特
性を有する酸化物超伝導膜どする。この時、該セラミッ
クス膜は下地半導体基板とは直接接触していないので、
下地基板とは反応しない。その後、さらに、塩素ガスを
用いた反応性イオンビームエツチング法により、該酸化
物超伝導膜４をパターニングし配線を形成した後、シリ
コン酸化膜３をＣＶＤ法により、約０．２ｐｍ堆積する
。
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜としてシリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１１
１ｍ堆積する。次いで第５図（ｂ）に示すように、イツ
トリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜４を基板１上
にスパッタ法により約１μｍ堆積した後、酸素雰囲気中
で８００°Ｃ１数時間熱処理し、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特
性を有する酸化物超伝導膜どする。この時、該セラミッ
クス膜は下地半導体基板とは直接接触していないので、
下地基板とは反応しない。その後、さらに、塩素ガスを
用いた反応性イオンビームエツチング法により、該酸化
物超伝導膜４をパターニングし配線を形成した後、シリ
コン酸化膜３をＣＶＤ法により、約０．２ｐｍ堆積する
。
次いで、第５図（ｅ）に示すように、通常のホトレジス
ト工程と、ドライエツチング工程並びに塩素ガスを用い
た反応性イオンビームエツチング法によりコンタクトホ
ール１０を形成する。次いで第５図（ｃｌ、）に示すよ
うに、六フッ化タングステンと水素の混合ガスを用いた
減圧ＣＶＤ法により、基板上でシリコンの露出している
コンタクトホール領域にのみ、タングステン膜７を約２
１１ｍ堆積し、コンタクトホール内を埋め込み配線を完
成する。
ト工程と、ドライエツチング工程並びに塩素ガスを用い
た反応性イオンビームエツチング法によりコンタクトホ
ール１０を形成する。次いで第５図（ｃｌ、）に示すよ
うに、六フッ化タングステンと水素の混合ガスを用いた
減圧ＣＶＤ法により、基板上でシリコンの露出している
コンタクトホール領域にのみ、タングステン膜７を約２
１１ｍ堆積し、コンタクトホール内を埋め込み配線を完
成する。
次に、第１図（ｄ）の半導体装置の製造方法について説
明する。
明する。
まず、第６図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
、ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間
絶縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１
ｐｍ堆積する。次いで、第６図（ｂ）に示すように通常
のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、コ
ンタクトホールを形成した後、水素をキャリアガスとし
た五塩化タンタルガスとジクロルシランガスの混合ガス
を用いた減圧ＣＶＤ法により基板上でシリコンの露出し
ているコンタクトホール領域にのみ、タンタルシリサイ
ド膜８を堆積し、コンタクトホール内を埋め込む。次い
で、第６図（Ｃ）に示すように、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス膜４をスパッタ法により約１ｐｍ堆
積した後、酸素雰囲気中で、８００°Ｃ１数時間熱処理
し、イツトリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜を７
７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化物超伝導膜と
する。この時、該セラミックス膜は、下地半導体基板と
は直接接触していないので、下地基板とは反応しない。
、ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間
絶縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１
ｐｍ堆積する。次いで、第６図（ｂ）に示すように通常
のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、コ
ンタクトホールを形成した後、水素をキャリアガスとし
た五塩化タンタルガスとジクロルシランガスの混合ガス
を用いた減圧ＣＶＤ法により基板上でシリコンの露出し
ているコンタクトホール領域にのみ、タンタルシリサイ
ド膜８を堆積し、コンタクトホール内を埋め込む。次い
で、第６図（Ｃ）に示すように、イツトリウム・バリウ
ム・銅セラミックス膜４をスパッタ法により約１ｐｍ堆
積した後、酸素雰囲気中で、８００°Ｃ１数時間熱処理
し、イツトリウム・バリウム・銅セラミックス薄膜を７
７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化物超伝導膜と
する。この時、該セラミックス膜は、下地半導体基板と
は直接接触していないので、下地基板とは反応しない。
次いで、第６図（ｄ）に示すように、塩素ガスを用いた
反応性イオンビームエツチング法により、該酸化物超伝
導膜４をパターニングし、配線を完成する。
反応性イオンビームエツチング法により、該酸化物超伝
導膜４をパターニングし、配線を完成する。
次に、第２図（ａ）の半導体装置の製造方法について説
明する。
明する。
まず、第７図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
、ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間
絶縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１
μｍ堆積する。次いで、第７図（ｂ）に示すように、通
常のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、
コンタクトホールを形成した後、タングステン膜７をス
パッタ法により、約１１１ｍ堆積する。次いで第７図（
Ｃ）に示すように、該タングステン膜７を通常のホトレ
ジスト工程とドライエツチング工程により、パターニン
グした後、拡散防止層として窒化チタン膜９をスパッタ
法により約０．１１１ｍ堆積する。
、ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間
絶縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により約１
μｍ堆積する。次いで、第７図（ｂ）に示すように、通
常のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、
コンタクトホールを形成した後、タングステン膜７をス
パッタ法により、約１１１ｍ堆積する。次いで第７図（
Ｃ）に示すように、該タングステン膜７を通常のホトレ
ジスト工程とドライエツチング工程により、パターニン
グした後、拡散防止層として窒化チタン膜９をスパッタ
法により約０．１１１ｍ堆積する。
次いで、第７図（ｄ）に示すように、通常のホトレジス
ト工程とドライエツチング工程により、該窒化チタン膜
９をパターニングした後、イツトリウム・バリウム・銅
セラミックス膜４をスパッタ法により、約１１１ｍ堆積
し、さらに、酸素雰囲気中で８００’Ｃ１数時間熱処理
し、イツトリウム・バリウム・鋼セラミックス薄膜を’
１７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化物超伝導膜
とする。この時、該セラミックス膜は、下地半導体基板
とは直接接触していないので、下地基板とは反応しない
。その後、塩素ガスを用いた反応性イオンビームエツチ
ング法により、該酸化物超伝導膜４をパターニングし、
配線を完成する。
ト工程とドライエツチング工程により、該窒化チタン膜
９をパターニングした後、イツトリウム・バリウム・銅
セラミックス膜４をスパッタ法により、約１１１ｍ堆積
し、さらに、酸素雰囲気中で８００’Ｃ１数時間熱処理
し、イツトリウム・バリウム・鋼セラミックス薄膜を’
１７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化物超伝導膜
とする。この時、該セラミックス膜は、下地半導体基板
とは直接接触していないので、下地基板とは反応しない
。その後、塩素ガスを用いた反応性イオンビームエツチ
ング法により、該酸化物超伝導膜４をパターニングし、
配線を完成する。
次に第２図（ｂ）の半導体装置の製造方法について説明
する。
する。
まず、第８図（ａ）に示すように、シリコン基板１上に
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１
ｐｍ堆積する。次いで第８図（ｂ）に示すように、通常
のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、コ
ンタクトホールを形成した後、タングステン膜７を、六
フッ化タングステンと水素の混合ガスを用いた減圧ＣＶ
Ｄ法により、基板上でシリコンの露出しているコンタク
トホール領域にのみ、堆積し、コンタクトホール内をタ
ングステン膜７により埋め込む。その後、拡散防止層と
して窒化チタン膜９をスパッタ法により、約０．１ｐｍ
堆積する。次いで、第８図（Ｃ）に示すように、通常の
ホトレジスト工程とドライエツチング工程により、該窒
化チタン膜９をパターニングした後、イツトリウム・バ
リウム・銅セラミックス膜４をスパッタ法により、約１
ｐｍ堆積し、さらに、酸素雰囲気中で、８００°Ｃ１数
時間、熱処理し、イツトリウム・バリウム・銅セラミッ
クス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化
物超伝導膜とする。この時、該セラミックス膜は、下地
半導体基板とは直接接触していないので、下地基板とは
反応しない。次いで、第８図（ｄ）に示すように、塩素
ガスを用いた反応性イオンビームエツチング法により、
該酸化物超伝導膜４をパターニングし、配線を完成する
。
ＭＯ８型電界効果トランジスタ２を形成した後、層間絶
縁膜として、シリコン酸化膜３をＣＶＤ法により、約１
ｐｍ堆積する。次いで第８図（ｂ）に示すように、通常
のホトレジスト工程とドライエツチング工程により、コ
ンタクトホールを形成した後、タングステン膜７を、六
フッ化タングステンと水素の混合ガスを用いた減圧ＣＶ
Ｄ法により、基板上でシリコンの露出しているコンタク
トホール領域にのみ、堆積し、コンタクトホール内をタ
ングステン膜７により埋め込む。その後、拡散防止層と
して窒化チタン膜９をスパッタ法により、約０．１ｐｍ
堆積する。次いで、第８図（Ｃ）に示すように、通常の
ホトレジスト工程とドライエツチング工程により、該窒
化チタン膜９をパターニングした後、イツトリウム・バ
リウム・銅セラミックス膜４をスパッタ法により、約１
ｐｍ堆積し、さらに、酸素雰囲気中で、８００°Ｃ１数
時間、熱処理し、イツトリウム・バリウム・銅セラミッ
クス薄膜を７７に以上で良好な超伝導特性を有する酸化
物超伝導膜とする。この時、該セラミックス膜は、下地
半導体基板とは直接接触していないので、下地基板とは
反応しない。次いで、第８図（ｄ）に示すように、塩素
ガスを用いた反応性イオンビームエツチング法により、
該酸化物超伝導膜４をパターニングし、配線を完成する
。
前記実施例においては、半導体装置として、ＭＯ８型電
界効果トランジスタを用いたが、これに限る必要はなく
、バイポーラ型半導体装置、ＭＩＳ型装置、ショットキ
ー型半導体装置等も用いることができる。
界効果トランジスタを用いたが、これに限る必要はなく
、バイポーラ型半導体装置、ＭＩＳ型装置、ショットキ
ー型半導体装置等も用いることができる。
また、前記実施例においては、酸化物超伝導膜として、
イツトリウム、バリウム・銅酸化物セラミックス膜を用
いたが、これに限る必要はなく、イツトリウムをイッテ
ルビウム、ユーロピウム、ジスプロシウム、ホルシウム
、エルビウム等の希土類元素で置換した希土類元素・バ
リウム・銅酸化物超伝導膜も用いることができる。
イツトリウム、バリウム・銅酸化物セラミックス膜を用
いたが、これに限る必要はなく、イツトリウムをイッテ
ルビウム、ユーロピウム、ジスプロシウム、ホルシウム
、エルビウム等の希土類元素で置換した希土類元素・バ
リウム・銅酸化物超伝導膜も用いることができる。
前記第１図（ａ）の実施例においては、金属導体膜とし
てアルミニウム・シリコン膜を用いたが、これに限る必
要はなく、Ａｌ−Ｃｕ合金や高融点金属や高融点金属シ
リサイドや白金や炭素等の薄膜も用いることができる。
てアルミニウム・シリコン膜を用いたが、これに限る必
要はなく、Ａｌ−Ｃｕ合金や高融点金属や高融点金属シ
リサイドや白金や炭素等の薄膜も用いることができる。
前記第１図（ｂ）の実施例においては金属導体膜として
タングステンシリサイド膜を用いたが、これに限る必要
はなく、モリブデンシリサイド等の高融点金属シリサイ
ド膜も用いることができる。
タングステンシリサイド膜を用いたが、これに限る必要
はなく、モリブデンシリサイド等の高融点金属シリサイ
ド膜も用いることができる。
前記第１図（ｅ）の実施例においては、金属導体膜とし
て、タングステン膜を用いたが、これに限る必要はなく
、Ａｌ−８ｉ合金やＡｌ−Ｃｕ合金や高融点金属や高融
点金属シリサイドや白金や炭素の薄膜も用いることがで
きる。
て、タングステン膜を用いたが、これに限る必要はなく
、Ａｌ−８ｉ合金やＡｌ−Ｃｕ合金や高融点金属や高融
点金属シリサイドや白金や炭素の薄膜も用いることがで
きる。
前記第１図（ｄ）の実施例においては、金属導体膜とし
てタンタルシリサイド膜を用いたが、これに限る必要は
なく、タングステンシリサイド等の高融点金属シリサイ
ド膜も用いることができる。
てタンタルシリサイド膜を用いたが、これに限る必要は
なく、タングステンシリサイド等の高融点金属シリサイ
ド膜も用いることができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、従来半導体とイ
ツトリウム・バリウム・銅等の酸化物セラミックス膜を
直接接触させた状態では、酸化物セラミックス膜を７７
に以上で超伝導特性を有するセラミックス膜とすること
が不可能であった点に関して、半導体と酸化物セラミッ
クス膜との間に、金翼厚体膜を配することにより、問題
点を解決できた。
ツトリウム・バリウム・銅等の酸化物セラミックス膜を
直接接触させた状態では、酸化物セラミックス膜を７７
に以上で超伝導特性を有するセラミックス膜とすること
が不可能であった点に関して、半導体と酸化物セラミッ
クス膜との間に、金翼厚体膜を配することにより、問題
点を解決できた。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１項の実施例の断
面図、第２図（ａ）と（ｂ）は、本発明の第２項の実施
例の断面図、第３図〜第８図は、それぞれ本発明の第１
図（ａ）〜（ｄ）、及び第２図（ａ）、（ｂ）に示す実
施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
装置の製造方法の断面図、第９図は、従来の半導体装置
の配線をイツトリウム・バリウム・銅セラミックス膜に
置き換えた場合に、イツトリウム・バリウム・銅セラミ
ックスを良好な超伝導体とする為に熱処理した後に、該
セラミックスがシリコンと反応した結果超伝導体となら
ない事を示した半導体装置の模式的断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＭＯ８型電界効果トラ
ンジスタ、３・・・シリコン酸化膜、４・・・イツトリ
ウム・バリウム・銅酸化物超伝導膜、５・・・アルミニ
ウム・シリコン膜、６・・・タングステンシリサイド膜
、７・・・タングステン膜、８・・・タンタルシリサイ
ド膜、９・・・窒化チタン膜、１０・・・コンタクトホ
ール、１１・・・シリコンと反応したイツトリウム・バ
リウム・銅セラミックス膜。
面図、第２図（ａ）と（ｂ）は、本発明の第２項の実施
例の断面図、第３図〜第８図は、それぞれ本発明の第１
図（ａ）〜（ｄ）、及び第２図（ａ）、（ｂ）に示す実
施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
装置の製造方法の断面図、第９図は、従来の半導体装置
の配線をイツトリウム・バリウム・銅セラミックス膜に
置き換えた場合に、イツトリウム・バリウム・銅セラミ
ックスを良好な超伝導体とする為に熱処理した後に、該
セラミックスがシリコンと反応した結果超伝導体となら
ない事を示した半導体装置の模式的断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＭＯ８型電界効果トラ
ンジスタ、３・・・シリコン酸化膜、４・・・イツトリ
ウム・バリウム・銅酸化物超伝導膜、５・・・アルミニ
ウム・シリコン膜、６・・・タングステンシリサイド膜
、７・・・タングステン膜、８・・・タンタルシリサイ
ド膜、９・・・窒化チタン膜、１０・・・コンタクトホ
ール、１１・・・シリコンと反応したイツトリウム・バ
リウム・銅セラミックス膜。
Claims (1)
- 基板表面に形成された半導体装置を構成する配線のう
ち、酸化物超伝導薄膜が金属導体膜を介して半導体と電
気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044906A JPH01218045A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63044906A JPH01218045A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218045A true JPH01218045A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12704512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63044906A Pending JPH01218045A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01218045A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314850A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6417447A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS6427244A (en) * | 1987-04-08 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Wiring construction of integrated circuit |
| JPS6453433A (en) * | 1987-03-27 | 1989-03-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS6455846A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPH01100945A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
| JPH01120845A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Seiko Epson Corp | 超電導配線 |
| JPH01125957A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体装置 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63044906A patent/JPH01218045A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453433A (en) * | 1987-03-27 | 1989-03-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS6427244A (en) * | 1987-04-08 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Wiring construction of integrated circuit |
| JPS63314850A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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| JPS6455846A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPH01100945A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
| JPH01120845A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Seiko Epson Corp | 超電導配線 |
| JPH01125957A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体装置 |
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