JPH01120845A - 超電導配線 - Google Patents
超電導配線Info
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- JPH01120845A JPH01120845A JP62278552A JP27855287A JPH01120845A JP H01120845 A JPH01120845 A JP H01120845A JP 62278552 A JP62278552 A JP 62278552A JP 27855287 A JP27855287 A JP 27855287A JP H01120845 A JPH01120845 A JP H01120845A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明半導体装置における配線構造に関する。
従来、半導体装置の電極配腺にはＡρ配配線用いられて
いるのが通例であった。
いるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ａρ配線の抵抗率が１
０−ＣΩ・ｃｍオーダーと高い為に、配線部におけるス
イッチング速度の遅延を来たすと云う間Ｘ点があった。
０−ＣΩ・ｃｍオーダーと高い為に、配線部におけるス
イッチング速度の遅延を来たすと云う間Ｘ点があった。
本発明はかかる従来技術の問題点をなくし、半導体装置
における配線抵抗によるスイッチング速度の高速化を計
るための配線構造を提供する７３４を目的とする。
における配線抵抗によるスイッチング速度の高速化を計
るための配線構造を提供する７３４を目的とする。
上記間Ｘ点を解決するために、本発明は半導体装置の電
極配腺をＹ１３ａＣｕＯ等のセラミ・ツク系高温超電導
膜にて行なう事を基本とすると共に、該高温超ｆｆｌ導
痕の半導体と接する部分か又は下面あるいは上面には金
属膜あるいは合金膜を形成する手段をとる。
極配腺をＹ１３ａＣｕＯ等のセラミ・ツク系高温超電導
膜にて行なう事を基本とすると共に、該高温超ｆｆｌ導
痕の半導体と接する部分か又は下面あるいは上面には金
属膜あるいは合金膜を形成する手段をとる。
まず、Ａ！２配線に代えセラミック系高温超電導膜配線
を用いる事により該高温超電導膜の電気抵抗率はＹＩ３
ａＳｒＣｕＯの場合、１０−″ΩＩＩｃｍ以下の極めて
低抵抗な為、配線抵抗によるスイッチング速度の遅延を
防止出来る作用がある。
を用いる事により該高温超電導膜の電気抵抗率はＹＩ３
ａＳｒＣｕＯの場合、１０−″ΩＩＩｃｍ以下の極めて
低抵抗な為、配線抵抗によるスイッチング速度の遅延を
防止出来る作用がある。
次で、該超電導膜の半導体とのｖｃ続部あるいは下面に
Ｔｉ５ｉｓ ＷＳｉｓ ＴｉＮ等のシリサイド合金膜等
を設ける事により、超電導体膜の組成分（Ｃｕ等）の下
地半導体や５ｉｎｓ等の絶縁膜への拡散侵入を防止し、
これら組成分の下地への侵入による半導体特性の劣化を
も防止する作用がある。
Ｔｉ５ｉｓ ＷＳｉｓ ＴｉＮ等のシリサイド合金膜等
を設ける事により、超電導体膜の組成分（Ｃｕ等）の下
地半導体や５ｉｎｓ等の絶縁膜への拡散侵入を防止し、
これら組成分の下地への侵入による半導体特性の劣化を
も防止する作用がある。
更に、前記超電導体膜の上部にＡρ等の金属膜を設ける
事により、セラミック系超電導体膜配線からのツイヤ−
・エンドによる外部リードへの接続を容易ならしめる作
用等がある。
事により、セラミック系超電導体膜配線からのツイヤ−
・エンドによる外部リードへの接続を容易ならしめる作
用等がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す超電４配腺の
断面図である。
断面図である。
ｍ１図では、半導体基板１の表面に拡散層２及び絶縁膜
３を形成し、該絶縁膜３の拡散層２の上部にはコンタク
ト穴が開けられ、少くとも該コンタクト穴を含む上面に
はＭｏ５ｉ１ＴｉＳｉ１ＴｉＮ ｓ Ｗ Ｓ ｉ″Ｉ！
の合金膜が下地金属配線４として設けられ、該下地金属
配ｖａ４の上部にＹＩ３ａＳｒＣｕＯｖから成るセラミ
ック系の超Ｔ１４配課５が形成されて成る。
３を形成し、該絶縁膜３の拡散層２の上部にはコンタク
ト穴が開けられ、少くとも該コンタクト穴を含む上面に
はＭｏ５ｉ１ＴｉＳｉ１ＴｉＮ ｓ Ｗ Ｓ ｉ″Ｉ！
の合金膜が下地金属配線４として設けられ、該下地金属
配ｖａ４の上部にＹＩ３ａＳｒＣｕＯｖから成るセラミ
ック系の超Ｔ１４配課５が形成されて成る。
第２図では、半導体基板１１の表面に絶縁膜１３が形成
され、該絶縁膜１３の表面には超電導配置１１１５が、
更に、該超電導膜！！１５の表面の一部又は全面にはＡ
ｌ１等から成る下地金属配線１Ｇが形成されて成る。
され、該絶縁膜１３の表面には超電導配置１１１５が、
更に、該超電導膜！！１５の表面の一部又は全面にはＡ
ｌ１等から成る下地金属配線１Ｇが形成されて成る。
尚、超電導配線の下部の一部又は全部と上部の一部又は
全部に金ｒＡ膜や合金膜を０トせて形成しても良い事は
云うまでもない。
全部に金ｒＡ膜や合金膜を０トせて形成しても良い事は
云うまでもない。
本発明により実用的な半導体装置への超電導配線が可能
となり、半導体装置の配４ａ抵抗によるスイッチング速
度の退廷を防止することができる効果がある。
となり、半導体装置の配４ａ抵抗によるスイッチング速
度の退廷を防止することができる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す超電導配線の
断面図である。 １１１１・・・半導体基板 ２・・・拡散層 ３．１３・・・絶縁膜 ４・・・下地金属配線 ５．１５・・・超電導配線 １６・・・上地金属配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
断面図である。 １１１１・・・半導体基板 ２・・・拡散層 ３．１３・・・絶縁膜 ４・・・下地金属配線 ５．１５・・・超電導配線 １６・・・上地金属配線 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体装置の電極配腺をＹＢａＣｕＯ等のセラミック
系高温超電導膜にて行なう場合に、該高温超電導膜の半
導体基板と接する部分か又は下面あるいは上面には、金
属膜あるいは合金膜が形成されて成る事を特徴とする超
電導配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278552A JPH01120845A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278552A JPH01120845A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120845A true JPH01120845A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17598852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62278552A Pending JPH01120845A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 超電導配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120845A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123438A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導配線集積回路 |
| JPH01218045A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6637153B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-10-28 | David C. Gies | In-ground sand receptacle with distance indicating indicia for use on a golf course |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62278552A patent/JPH01120845A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123438A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導配線集積回路 |
| JPH01218045A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6637153B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-10-28 | David C. Gies | In-ground sand receptacle with distance indicating indicia for use on a golf course |
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