JPH01205474A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH01205474A JPH01205474A JP63029371A JP2937188A JPH01205474A JP H01205474 A JPH01205474 A JP H01205474A JP 63029371 A JP63029371 A JP 63029371A JP 2937188 A JP2937188 A JP 2937188A JP H01205474 A JPH01205474 A JP H01205474A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は透明電極、半導体層及び裏面電極を積層した光
電変換装置に関する。
電変換装置に関する。
(ロ)従来の技術
ガラス等の透光性基板上に透明電極、半導体光活性領域
を含む半導体層及び裏面電極を順次積層した太陽電池や
光センサ等の光電変換装置にお(プる出力特性を左右す
る要因の一つとして、透明電極が上げられ、そして透明
電極に要求される特性は低い抵抗値と高い光透過率であ
る。
を含む半導体層及び裏面電極を順次積層した太陽電池や
光センサ等の光電変換装置にお(プる出力特性を左右す
る要因の一つとして、透明電極が上げられ、そして透明
電極に要求される特性は低い抵抗値と高い光透過率であ
る。
このような透明電極とじ−Cは、一般に酸化錫や酸化イ
ンジウムに代表諮れる透光性導電酸化物が用いられるが
、斯かる透光性導電酸化物における抵抗値や光透過率は
、膜中の酸素濃度やフッ素、リン等のドーパントの濃度
に影響きれる。例え1f、酸化錫にフッ素をドープする
ことにより、その抵抗値か低下することは、持開昭55
−58363号公報に示されている。
ンジウムに代表諮れる透光性導電酸化物が用いられるが
、斯かる透光性導電酸化物における抵抗値や光透過率は
、膜中の酸素濃度やフッ素、リン等のドーパントの濃度
に影響きれる。例え1f、酸化錫にフッ素をドープする
ことにより、その抵抗値か低下することは、持開昭55
−58363号公報に示されている。
第3図及び第4図は常圧熱CVD法を用いて透光性導電
酸化物の1つである酸化錫を形成した際の酸素流量と比
抵抗または光透過率との関係を示ず特性図である。なお
、酸素流量以外の形成条件は以下の通りである。
酸化物の1つである酸化錫を形成した際の酸素流量と比
抵抗または光透過率との関係を示ず特性図である。なお
、酸素流量以外の形成条件は以下の通りである。
・ 5nCfl+をN2バブリング導入する時のN2ガ
スの流量(以下、N2バブリング流量と称す)が500
+nj! /mir ・ 5%のHFを含むCH30HC以下、HF/CH3
0Hと示す)のN2バブリング流量が1ρ/min ・ 基板温度が480℃ 一方、第5図及び第6図は常圧熱CVD法を用いて酸化
錫を形成した際のHF/CH:+OHをバブリング導入
するN2ガスの流量と比抵抗または光透過率との関係を
示す特性図である。HF/CH30Hをバブリング導入
するN2ガスの流量以外の形成条件は次の通りである。
スの流量(以下、N2バブリング流量と称す)が500
+nj! /mir ・ 5%のHFを含むCH30HC以下、HF/CH3
0Hと示す)のN2バブリング流量が1ρ/min ・ 基板温度が480℃ 一方、第5図及び第6図は常圧熱CVD法を用いて酸化
錫を形成した際のHF/CH:+OHをバブリング導入
するN2ガスの流量と比抵抗または光透過率との関係を
示す特性図である。HF/CH30Hをバブリング導入
するN2ガスの流量以外の形成条件は次の通りである。
−5nC12+のN2/<ブリング流量が500m 1
2min ・ 酸素流量が4.4J/min ・ 基板温度が480℃ これら各図から明らかなように、透光性4を酸化物にお
いては、膜中の酸素濃度が低い(または高い)程もしく
はドーバン1〜a度が高い(または低い)程抵抗値は小
さくくまたは大きく)なる反面、光透過率は低く(また
は高く)なる性質を有している。
2min ・ 酸素流量が4.4J/min ・ 基板温度が480℃ これら各図から明らかなように、透光性4を酸化物にお
いては、膜中の酸素濃度が低い(または高い)程もしく
はドーバン1〜a度が高い(または低い)程抵抗値は小
さくくまたは大きく)なる反面、光透過率は低く(また
は高く)なる性質を有している。
(ハ)発明か解決しようとした課題
上述のように、透光性導電酸化物において、単純に膜中
の酸素濃度またはドーパント濃度を高くまたは低くする
たけでは、低抵抗値または高光透過率の一方しか得られ
ず、従って、半導体層とのオルミック性を良好とし、か
つ光透過性を高めることかできず、充電変換装置の特性
向上が抑制されていた。
の酸素濃度またはドーパント濃度を高くまたは低くする
たけでは、低抵抗値または高光透過率の一方しか得られ
ず、従って、半導体層とのオルミック性を良好とし、か
つ光透過性を高めることかできず、充電変換装置の特性
向上が抑制されていた。
そこで、本発明の目的は半導体層とのオーミック性及び
光透過性の良好な透明電極構造を形成し、光電変換装置
の特性向−トを図ることにある。
光透過性の良好な透明電極構造を形成し、光電変換装置
の特性向−トを図ることにある。
(ニ)課題を解決するだめの手段
本発明は透明電極、半導体層及び裏面型、極を積層した
充電変換装置におい王、上記透明電極は上記半導体層と
接する領域の酸素濃度が他の領域のA− それより低い透光性導電酸化物から成ることを特徴とし
た。
充電変換装置におい王、上記透明電極は上記半導体層と
接する領域の酸素濃度が他の領域のA− それより低い透光性導電酸化物から成ることを特徴とし
た。
更に、透明電極、半導体層及び裏面電極を積層した充電
変換装置において、北記透明電極はフッ素、リンまたは
アンチモンをト°−゛ブした酸化錫もしくはフッ素また
は錫をドープした酸化インジウムから成り、かつ上記半
導体層と接する領域のドーパント濃度が他の領域のそれ
より高いことを特徴とした。
変換装置において、北記透明電極はフッ素、リンまたは
アンチモンをト°−゛ブした酸化錫もしくはフッ素また
は錫をドープした酸化インジウムから成り、かつ上記半
導体層と接する領域のドーパント濃度が他の領域のそれ
より高いことを特徴とした。
(ポ)作用
本発明の透明電極によれは、半導体層と接する酸素濃度
の低い領域またはドーパント濃度の高い領域が半導体層
とのオーミンク性を良好なものとし、その他の酸素濃度
の高い領域またはドーパント濃度の低い領域が光透過性
を高める。
の低い領域またはドーパント濃度の高い領域が半導体層
とのオーミンク性を良好なものとし、その他の酸素濃度
の高い領域またはドーパント濃度の低い領域が光透過性
を高める。
(へ)実施例
第1図は本発明の−・実施例としての光起電力装置を示
す断面図である。く1)はガラス、耐熱プラスチック等
から成る透光性基板、(2)は透光性基板(1)の一方
の主面に形成された酸化錫または酸化インジウムから成
る透明電極、(3)は透明電極(2)に接すると共に膜
面に平行なpinまたはpn等の半導体接合を有するア
モルファスンリコン等から成る半導体層、(4)は半導
体R(3〉の背面側に設けられたアルミニウム等から成
る裏面電極である。そして、透明電極(2)は半導体層
(3〉と接する第1領域(2a)とその他の第2領域(
2b)とから構成されている。
す断面図である。く1)はガラス、耐熱プラスチック等
から成る透光性基板、(2)は透光性基板(1)の一方
の主面に形成された酸化錫または酸化インジウムから成
る透明電極、(3)は透明電極(2)に接すると共に膜
面に平行なpinまたはpn等の半導体接合を有するア
モルファスンリコン等から成る半導体層、(4)は半導
体R(3〉の背面側に設けられたアルミニウム等から成
る裏面電極である。そして、透明電極(2)は半導体層
(3〉と接する第1領域(2a)とその他の第2領域(
2b)とから構成されている。
これら第1領域(2a)及び第2領域(2b)の第1の
特徴点は、第1領域(2a)の酸素濃度が第2領域(2
b)のそれより低いことにある。
特徴点は、第1領域(2a)の酸素濃度が第2領域(2
b)のそれより低いことにある。
一方、第2の特徴点は、透明電極(2)が酸化錫から成
る時のフッ素、リンまたはアンチモンのドーパントもし
くは酸化インジウムから成る時の)/素または錫のドー
パントに関して、第1領域(2a)のドーパント濃度が
第2領域(2b)のそれより高いことにある。
る時のフッ素、リンまたはアンチモンのドーパントもし
くは酸化インジウムから成る時の)/素または錫のドー
パントに関して、第1領域(2a)のドーパント濃度が
第2領域(2b)のそれより高いことにある。
従って、半導体層(3)と接する第1領域〈2a)はそ
の抵抗値が低くなり、半導体層(3)とのオーミンク性
は良好となり、更に第2領域(2b)はその光透過率が
高いので透明電極(2)全体とじての光透過性は高い。
の抵抗値が低くなり、半導体層(3)とのオーミンク性
は良好となり、更に第2領域(2b)はその光透過率が
高いので透明電極(2)全体とじての光透過性は高い。
なお、こうした特性を得るために、第1領域(2a)及
び第2領域(2b)の膜厚は、夫々10人乃至1000
人及び]、 OO0人乃至1. OOO0人とされるの
が好まし い 。
び第2領域(2b)の膜厚は、夫々10人乃至1000
人及び]、 OO0人乃至1. OOO0人とされるの
が好まし い 。
第2図は本発rすlにおいて透明電極く2)中の酸化濃
度を調整した光起電力装置と従来の光起電力装置との特
性を比較するために、一定照度の模擬太陽光を照射した
ときの電流−電圧特性を示す特性図であり、また下記の
表は斯る特性図を具体的に数値で示すものである。
度を調整した光起電力装置と従来の光起電力装置との特
性を比較するために、一定照度の模擬太陽光を照射した
ときの電流−電圧特性を示す特性図であり、また下記の
表は斯る特性図を具体的に数値で示すものである。
なお、本発明及び従来例の光起電力装置における透明電
極(2)の形成条件は以下の通りである。
極(2)の形成条件は以下の通りである。
A 両者に共通の条件
・ SnCρ4のN2バブリング流量が500mp/i
n ・ HF 、/ CH30HQ) N 2バブリング流
量が1 p /min ・ 基板温度が480°C B 本発明特有の形成条件 ・ 第1領域(2a)での酸素流量が30ρ/min・
第2領域(2b)での酸素流量が4.5I!/m1n
C従来例特有の形成条件 ・ 酸素流量が4.51!/min 第2図及び−」−記の表から明らかなように、本発明に
よる光起電力装置は、従来装置に比して短絡電流の大き
さで若干劣るものの、開放電圧及び形状因子を太きくす
ることができ、更に変換効率を高めることができる。
n ・ HF 、/ CH30HQ) N 2バブリング流
量が1 p /min ・ 基板温度が480°C B 本発明特有の形成条件 ・ 第1領域(2a)での酸素流量が30ρ/min・
第2領域(2b)での酸素流量が4.5I!/m1n
C従来例特有の形成条件 ・ 酸素流量が4.51!/min 第2図及び−」−記の表から明らかなように、本発明に
よる光起電力装置は、従来装置に比して短絡電流の大き
さで若干劣るものの、開放電圧及び形状因子を太きくす
ることができ、更に変換効率を高めることができる。
なお、透明電極(2)中のドーパント・濃度を上述の如
く調整する場合に一ついても、本実施例と同様の効果を
達成することができ乙。
く調整する場合に一ついても、本実施例と同様の効果を
達成することができ乙。
(ト)発明の効果
本発明によれは、透明電極を構成する透光性導電酸化物
中の酸素濃度またはドーパン1−a度を調整したので、
光電変換装置の出力特性を向−[−させることができる
。
中の酸素濃度またはドーパン1−a度を調整したので、
光電変換装置の出力特性を向−[−させることができる
。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は電流
−電圧特性を示す特性図、第3図及び第4図は酸化錫を
形成した時の酸素流量と比抵抗または光透過率との関係
を示す特性図、第5図及び第6図は酸化錫を形成した時
のHF/CH30HのN2バブリング流量と比抵抗また
は光透過率との関係を示す特性図である。 (2)・・・透明N、極、(2a)・・・第1領域、(
2b)・・・第2領域、(3)・・・半導体層、(4)
・・・裏面電極。
−電圧特性を示す特性図、第3図及び第4図は酸化錫を
形成した時の酸素流量と比抵抗または光透過率との関係
を示す特性図、第5図及び第6図は酸化錫を形成した時
のHF/CH30HのN2バブリング流量と比抵抗また
は光透過率との関係を示す特性図である。 (2)・・・透明N、極、(2a)・・・第1領域、(
2b)・・・第2領域、(3)・・・半導体層、(4)
・・・裏面電極。
Claims (3)
- (1)透明電極、半導体層及び裏面電極を積層した光電
変換装置において、上記透明電極は上記半導体層と接す
る領域の酸素濃度が他の領域のそれより低い透光性導電
酸化物から成ることを特徴とした光電変換装置。 - (2)上記透光性導電酸化物は、酸化錫または酸化イン
ジウムから成ることを特徴とした請求項1記載の光電変
換装置。 - (3)透明電極、半導体層及び裏面電極を積層した光電
変換装置において、上記透明電極はフッ素、リンまたは
アンチモンをドープした酸化錫もしくはフッ素または錫
をドープした酸化インジウムから成り、かつ上記半導体
層と接する領域のドーパント濃度が他の領域のそれより
高いことを特徴とした光学変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63029371A JP2538300B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63029371A JP2538300B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01205474A true JPH01205474A (ja) | 1989-08-17 |
JP2538300B2 JP2538300B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=12274287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63029371A Expired - Lifetime JP2538300B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2538300B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
WO2009099282A2 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Lg Electronics Inc. | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof |
WO2012020682A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101293647B1 (ko) | 2012-07-27 | 2013-08-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119875A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Hoya Corp | 太陽電池 |
JPS62186417A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-14 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
JPH07112076A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Kajima Corp | ステアリング装置 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63029371A patent/JP2538300B2/ja not_active Expired - Lifetime
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EP2238627A4 (en) * | 2008-02-04 | 2013-06-19 | Lg Electronics Inc | SOLAR CELL HAVING MULTIPLE TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYERS AND METHOD OF MANUFACTURE |
US9209326B2 (en) | 2008-02-04 | 2015-12-08 | Lg Electronics Inc. | Solar cell having multiple transparent conductive layers and manufacturing method thereof |
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US20130146132A1 (en) * | 2010-08-09 | 2013-06-13 | Kaneka Corporation | Crystalline silicon-based solar cell |
JPWO2012020682A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2013-10-28 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2538300B2 (ja) | 1996-09-25 |
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