JPH01204045A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01204045A JPH01204045A JP2747788A JP2747788A JPH01204045A JP H01204045 A JPH01204045 A JP H01204045A JP 2747788 A JP2747788 A JP 2747788A JP 2747788 A JP2747788 A JP 2747788A JP H01204045 A JPH01204045 A JP H01204045A
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Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はパターン形成方法に関し、特に半導体集積回路
等の製造に際して用いられるフォトレジスト膜のパター
ン形成方法に関するものである。
等の製造に際して用いられるフォトレジスト膜のパター
ン形成方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体集積回路などのＭＯ３Ｉ Ｃ製造プロセス
で採用されるフォトレジスト膜のバターニング方法とし
て、基板上にフォトレジスト膜をスピン塗布法によって
塗膜形成した後、露光・現像する方法が用いられている
。
で採用されるフォトレジスト膜のバターニング方法とし
て、基板上にフォトレジスト膜をスピン塗布法によって
塗膜形成した後、露光・現像する方法が用いられている
。
この従来の方法について、第２図（ａ）〜（Ｃ）に工程
順に模式的断面図を示す。まず、第２図（ａ）に示すよ
うに基板１０上にポジ型フォトレジスト膜１２をスピン
塗布法によって塗膜し、次いで第２図（ｂ）に示すよう
に縮小投影露光装置を用いて露光を行うと、フォトマス
クを通過した光１４はポジ型フォトレジスト膜１２に吸
収され反応して現像液に可溶となる。次に現像液で現像
を行うと、光が吸収され反応を起こした部分が溶解され
、フォトマスクに対応したライン１６とスペース１８が
形成される。
順に模式的断面図を示す。まず、第２図（ａ）に示すよ
うに基板１０上にポジ型フォトレジスト膜１２をスピン
塗布法によって塗膜し、次いで第２図（ｂ）に示すよう
に縮小投影露光装置を用いて露光を行うと、フォトマス
クを通過した光１４はポジ型フォトレジスト膜１２に吸
収され反応して現像液に可溶となる。次に現像液で現像
を行うと、光が吸収され反応を起こした部分が溶解され
、フォトマスクに対応したライン１６とスペース１８が
形成される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来の方法では、第３図（ａ）のように基
板１０上に高反射率を有する高反射膜２ｏが形成されて
いる場合には、ポジ型フォトレジスト膜１２をスピン塗
膜［法で塗膜形成しく第３図（ａ））、露光を行うと、
フォトマスク寸法Δを通過した光２２はポジ型フォトレ
ジスト膜１２の感応量を超えると第３図（ｂ）に示すよ
うに高反射膜表面２０ａで光の反射が起り、反射光２２
ａが横方向へ広がる。
板１０上に高反射率を有する高反射膜２ｏが形成されて
いる場合には、ポジ型フォトレジスト膜１２をスピン塗
膜［法で塗膜形成しく第３図（ａ））、露光を行うと、
フォトマスク寸法Δを通過した光２２はポジ型フォトレ
ジスト膜１２の感応量を超えると第３図（ｂ）に示すよ
うに高反射膜表面２０ａで光の反射が起り、反射光２２
ａが横方向へ広がる。
その結果、第３図（Ｃ）のように現像を行うとフォトマ
スク寸法Ａに対して大きく寸法シフトを引起したポジ型
フォトレジスト膜のパターン寸法Ｂが形成され、フォト
マスクパターンに対するポジ型フォトレジスト膜パター
ン寸法の対応度が低下するなど製造歩留りが箸しく低下
するという欠点があった。
スク寸法Ａに対して大きく寸法シフトを引起したポジ型
フォトレジスト膜のパターン寸法Ｂが形成され、フォト
マスクパターンに対するポジ型フォトレジスト膜パター
ン寸法の対応度が低下するなど製造歩留りが箸しく低下
するという欠点があった。
本発明の目的はこの問題点を解決したパターン形成方法
を提供することにある。
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、表面が高反射率を有する基板上に、露光波長
によって光退色性を謀える光退色物質含有ｊの光退色膜
を形成する工程と、この光退色膜上にフォトレジスト膜
を形成する工程と、このフォトレジスト膜を露光する工
程と、露光後の７オトレジスト股を現像すると共に、光
退色膜を除去する工程とを備えてなることを特徴とする
パターン形成方法である。
によって光退色性を謀える光退色物質含有ｊの光退色膜
を形成する工程と、この光退色膜上にフォトレジスト膜
を形成する工程と、このフォトレジスト膜を露光する工
程と、露光後の７オトレジスト股を現像すると共に、光
退色膜を除去する工程とを備えてなることを特徴とする
パターン形成方法である。
［作用］
基板上に露光波長によって光退色性を備える光退色物質
含有の光退色膜を前記フォトレジスト膜と基板との中間
に形成し、フォトレジスト膜に感応する波長の光を照射
すると、フォトレジスト膜に入射した光が７オトレジス
ト膜を感応する必要量を超えても、前記フォトレジスト
膜の露光波長に対して光退色感度が充分に遅い光退色膜
をフォトレジスト膜と基板との中間に形成すると、フォ
トレジスト膜を通過した光は光退色物質により吸収され
、基板表面へは照射されず、基板からの光の反射は無く
なる。
含有の光退色膜を前記フォトレジスト膜と基板との中間
に形成し、フォトレジスト膜に感応する波長の光を照射
すると、フォトレジスト膜に入射した光が７オトレジス
ト膜を感応する必要量を超えても、前記フォトレジスト
膜の露光波長に対して光退色感度が充分に遅い光退色膜
をフォトレジスト膜と基板との中間に形成すると、フォ
トレジスト膜を通過した光は光退色物質により吸収され
、基板表面へは照射されず、基板からの光の反射は無く
なる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例についての基
板断面図を工程順に示したものである。
板断面図を工程順に示したものである。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板１０上に高反射
膜２０としてアルミニウムをスパッタ法を用いて約１．
０／ｊＪ＋１の膜厚で堆積する。次に波長４３６ｎｍに
対して光退色作用をもつ光退色物質としてスチリルピリ
ジニウム２．１ｍｍｏｌ／ｇをポリビニルアルコールと
純水に溶解し、水溶性とした粘度２０ｃｐｓの溶液をス
ピン塗布法によって高反射膜２０上に約０．３珈の膜厚
で形成し、８０℃の温度で熱処理を行って光退色感度が
５００ｍｊの光退色膜２６を形成する。更にスピン塗布
法によりポジ型フォトレジスト膜１２を約ＩＩＩＩｒＩ
の膜厚で形成し、８０℃の温度で熱処理を行う。
膜２０としてアルミニウムをスパッタ法を用いて約１．
０／ｊＪ＋１の膜厚で堆積する。次に波長４３６ｎｍに
対して光退色作用をもつ光退色物質としてスチリルピリ
ジニウム２．１ｍｍｏｌ／ｇをポリビニルアルコールと
純水に溶解し、水溶性とした粘度２０ｃｐｓの溶液をス
ピン塗布法によって高反射膜２０上に約０．３珈の膜厚
で形成し、８０℃の温度で熱処理を行って光退色感度が
５００ｍｊの光退色膜２６を形成する。更にスピン塗布
法によりポジ型フォトレジスト膜１２を約ＩＩＩＩｒＩ
の膜厚で形成し、８０℃の温度で熱処理を行う。
次に第１図（ｂ）に示すように波長４３６１ｍ、照射出
力５００ｍＷ／ｃｍ２ 、開口数０．３５、焦点深度範
囲±１．８１Ｍ１のレンズを搭載した１１５縮小投影露
光装置を用いて設旧寸法が０．８ＮＩのパターンを１０
０ｍｊの露光量で露光した後に現像を行うと、光退色膜
２６は水溶性であるので現像中に現像液に溶解し、第１
図（Ｃ）のようなフォトマスク寸法ａに忠実に対応づる
パターン寸法すが形成される。
力５００ｍＷ／ｃｍ２ 、開口数０．３５、焦点深度範
囲±１．８１Ｍ１のレンズを搭載した１１５縮小投影露
光装置を用いて設旧寸法が０．８ＮＩのパターンを１０
０ｍｊの露光量で露光した後に現像を行うと、光退色膜
２６は水溶性であるので現像中に現像液に溶解し、第１
図（Ｃ）のようなフォトマスク寸法ａに忠実に対応づる
パターン寸法すが形成される。
以上の実施例では現像時に溶解する水溶性光退色膜を用
いたが、有機溶剤に溶ける光退色膜でも良く、また光退
色物質としてスチリルピリジニウムをポリビニルアルコ
ールと純水に溶解した溶液を用いたが、フォトレジスト
膜の露光波長に対して光退色効果を有する他の物質を用
いても良い。
いたが、有機溶剤に溶ける光退色膜でも良く、また光退
色物質としてスチリルピリジニウムをポリビニルアルコ
ールと純水に溶解した溶液を用いたが、フォトレジスト
膜の露光波長に対して光退色効果を有する他の物質を用
いても良い。
また、高反則率を有づる膜としてアルミニウムを用いた
が、伯の膜、例えばタングステンやモリブデンあるいは
金などを用いても良い。
が、伯の膜、例えばタングステンやモリブデンあるいは
金などを用いても良い。
また、露光波長が４３６ｎｍの光に対して退色する光退
色物質を用いたが、他の波長、例えば４０５ｎｍ。
色物質を用いたが、他の波長、例えば４０５ｎｍ。
３６５ｎｍ１２４５ｎ…付近に対して光退色効果を有す
る光退色物質を用いても良く、また他の縮小投影露光装
置を用いても本発明の効果は変らない。
る光退色物質を用いても良く、また他の縮小投影露光装
置を用いても本発明の効果は変らない。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば高反射率を右する
基板上に露光波長によって光退色性を備える光退色感度
の遅い光退色膜を形成した上にポジ型フォトレジスト膜
を形成するので、ポジ型フ４トレジスト膜の露光を行う
と、ポジ型フォトレジスト膜を通過した光は、光退色感
度が充分に遅い光退色膜で吸収され、光が透過して基板
上の高反射膜に達するには不充分な露光量となり、基板
表面からの反射が無くなる。また、この光退色膜は現像
時に容易に除去できることから、基板の反射率に依存せ
ず、フォトマスク寸法に忠実に対応したパターン寸法の
形成が可能となり、微細構造ＭＯ３ＩＣ等の製造歩留り
を著しく向上させる効果を有する。
基板上に露光波長によって光退色性を備える光退色感度
の遅い光退色膜を形成した上にポジ型フォトレジスト膜
を形成するので、ポジ型フ４トレジスト膜の露光を行う
と、ポジ型フォトレジスト膜を通過した光は、光退色感
度が充分に遅い光退色膜で吸収され、光が透過して基板
上の高反射膜に達するには不充分な露光量となり、基板
表面からの反射が無くなる。また、この光退色膜は現像
時に容易に除去できることから、基板の反射率に依存せ
ず、フォトマスク寸法に忠実に対応したパターン寸法の
形成が可能となり、微細構造ＭＯ３ＩＣ等の製造歩留り
を著しく向上させる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を主要工程順に示した模式的
断面図、第２図は従来のパターン形成方法を主要工程順
に示した模式的断面図、第３図は従来のパターン形成方
法において基板上に高反射膜が形成されている場合を主
要工程順に示した模式的断面図である。 １０・・・基板 １２・・・ポジ型フォトレジス
ト膜１４．２２・・・（フォトマスクを通過した）光１
６・・・ライン １８・・・スペース２０・・・高
反射膜 ２０ａ・・・高反射膜表面２２ａ・・・反射
光 ２６・・・光退色膜Ａ、ａ・・・フォトマスク１
法 Ｂ、ｂ・・・パターン寸法
断面図、第２図は従来のパターン形成方法を主要工程順
に示した模式的断面図、第３図は従来のパターン形成方
法において基板上に高反射膜が形成されている場合を主
要工程順に示した模式的断面図である。 １０・・・基板 １２・・・ポジ型フォトレジス
ト膜１４．２２・・・（フォトマスクを通過した）光１
６・・・ライン １８・・・スペース２０・・・高
反射膜 ２０ａ・・・高反射膜表面２２ａ・・・反射
光 ２６・・・光退色膜Ａ、ａ・・・フォトマスク１
法 Ｂ、ｂ・・・パターン寸法
Claims (1)
- （１）表面が高反射率を有する基板上に、露光波長によ
って光退色性を備える光退色物質含有の光退色膜を形成
する工程と、この光退色膜上にフォトレジスト膜を形成
する工程と、このフォトレジスト膜を露光する工程と、
露光後のフォトレジスト膜を現像すると共に、光退色膜
を除去する工程とを備えてなることを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2747788A JPH01204045A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2747788A JPH01204045A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204045A true JPH01204045A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12222198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2747788A Pending JPH01204045A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204045A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58149045A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-05 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的リソグラフイ方法 |
| JPS5975246A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Toyobo Co Ltd | 感光性樹脂積層体 |
| JPS60227254A (ja) * | 1985-03-19 | 1985-11-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61207021A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2747788A patent/JPH01204045A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58149045A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-05 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的リソグラフイ方法 |
| JPS5975246A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Toyobo Co Ltd | 感光性樹脂積層体 |
| JPS61207021A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路の製造方法 |
| JPS60227254A (ja) * | 1985-03-19 | 1985-11-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
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